【課題】 サファイア基板上に低温緩衝層を介してＧａＮ系ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成しようとしても、画一的な配向性を有するＧａＮ系半導体層を充分に安定してもたらすことができない問題点を解決する。
【解決手段】 本発明では、サファイア基板１００上に設ける、基板１００と接合する領域に単結晶層を備えた低温緩衝層１０１にあって、その単結晶層を、サファイアの［２．−１．−１．０．］方向に、［１．０．−１．０．］方向を平行にして画一的な方向に配向したＧａをＡｌに比べて富裕に含む六方晶のＡｌ_ＸＧａ_ＹＮ（０．５＜Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ＝１）単結晶から構成する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される窒化物半導体層の表面におけるピット状の結晶欠陥を低減することができ、基板表面の全面にわたって低欠陥の、高品質な窒化物半導体層を得ることができる窒化物半導体層の成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）基板の上に、第１の結晶質窒化物半導体層を形成する工程と、（ｂ）該第１の結晶質窒化物半導体層上に、窒化物半導体バッファ層を形成する工程と、（ｃ）得られた窒化物半導体バッファ層を除去するとともに、第２の結晶質窒化物半導体層を形成する工程とを含む窒化物半導体層の成長方法。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作方法を提供する。
【解決手段】
有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いる非極性窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）膜ならびに非極性ＩｎＧａＮを含んだデバイス構造物の製作のための方法。本方法は、非極性ＩｎＧａＮ／ＧａＮ紫色および近紫外発光ダイオードおよびレーザ・ダイオードを製作するために用いられる。 （もっと読む）

デバイスが、成長面（１２２）、成長マスク（１３２）、成長導波コアメサ（１４０）およびクラッド層（１６０）を有する光電子デバイスまたは透明な導波デバイスである。成長マスクは、成長面上に配置されており、細長い成長窓を画定する。光導波コアメサは、成長窓内に配置されており、台形の断面形状を有している。クラッド層は、光導波コアメサを覆い、成長マスクの少なくとも一部上に延びている。このようなデバイスは、成長面（１２２）を有するウェハ（１１０）を設け、光導波コアメサ（１４０）をマイクロ選択領域成長によって第１の温度で成長面上に成長させ、さらに、光導波コアメサを、第１の温度より低い第２の温度でクラッド材料（１６０）で覆うことによって製造する。
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【課題】 窒化物系化合物半導体素子に長期信頼性を施与し、しかも素子特性を低下させることのない表面保護膜を備えた半導体素子を提供すること。
【解決手段】 サファイア基板１上にバッファ層２を介して第一導電型の半導体層３１、発光層３２、第二導電型の半導体層３３を順次成長してなり、ワイヤーボンディング用電極４１、４２からなる窒化物系発光素子の表面に、素子構造の成長技術であるＭＯＶＰＥを使って、非晶質又は多結晶窒化アルミニウムを主成分とする表面保護膜５を低温で形成することにより、機械的に、熱的に、化学的に安定した表面に変える事により素子の信頼性を向上する。 （もっと読む）