【課題】温度変更を迅速に行なうことが可能な気相成長装置および当該気相成長装置を用いた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、処理室４と、サセプタ２と、ヒータ５と、壁部冷却部材５２と、反応ガス供給部材９とを備える。サセプタ２は、処理室４の内部に表面が露出し、当該表面に基板８を搭載する。ヒータ５は、サセプタ２を加熱する。壁部冷却部材５２は、処理室４の壁面を冷却する。反応ガス供給部材９は、処理室４の内部に反応ガスを供給する。ヒータ５の昇温速度は１００℃／分以上であり、かつ、投入可能最大熱量は１０ｋＷ以上である。壁部冷却部材５２の冷却能力はヒータ５の投入可能最大熱量より大きい。反応ガス供給部材９は、水素ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれか一方を含むガスを処理室４の内部に１００ｓｃｃｍ以上の流量で供給可能である。サセプタ２の熱容量は５０Ｊ／Ｋ以上５００Ｊ／Ｋ以下である。ヒータ５の熱容量は１０Ｊ／Ｋ以上１００Ｊ／Ｋ以下である。 （もっと読む）

【課題】結晶性が改善され、高輝度且つ長時間安定動作が可能な半導体発光素子及びその製造方法、エピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】 キャリア濃度が３×１０^１７乃至１×１０^１８ｃｍ^−３の範囲のＧａＰ基板と、第１の面側が前記ＧａＰ基板に対して接着された接着層と、前記接着層の前記第１の面側と対向する第２の面側に形成され、前記接着層との間の格子のずれが前記ＧａＰ基板と前記接着層との間の格子のずれより小さく、前記ＧａＰ基板を透過する光を放出可能な発光層を含む上部成長層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子及びその製造方法、エピタキシャルウェーハが提供される。 （もっと読む）

【課題】井戸層の層厚方向におけるＩｎ組成のばらつきを抑えることができる量子井戸構造の形成方法、および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板４０の主面上に障壁層４３，４５，４７，及び４９と井戸層４４，４６，及び４８とを交互に成長させることにより量子井戸構造（活性層５０）を形成する工程において、ＩｎＧａＮを成長させることにより各井戸層を形成し、各障壁層の成長温度を第１の温度とし、各井戸層の成長温度を第１の温度より低い第２の温度とし、各井戸層を成長させる際に、Ｇａ原料ガス（トリメチルガリウム）の供給を開始する前に予めＩｎの原料ガスを供給しておく。 （もっと読む）

【課題】半極性面を主面とするＧａＮ基板上にＩｎを含む活性層を成長させる際に、Ｉｎが取り込まれる割合を高めることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｃ面からのオフ角が２０°以上２８°以下の範囲に含まれる主面を有するＧａＮ基板１５上にＩｎＧａＮ井戸層５ａを成長させる工程において、成長温度を６００℃以上７００℃以下の範囲に含まれる温度とし、Ｎ原料ガスの流量Ｑ_VとＩｎの原料ガスの流量Ｑ_Inとのモル流量比（Ｑ_V／Ｑ_In）を９０００以上３００００以下の範囲に含まれる値とし、井戸層５ａの成長速度を０．０１［μｍ／時］以上０．１［μｍ／時］以下の範囲に含まれる速度とし、井戸層５ａの一層毎の厚さを１０ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板と窒素を含む活性層との間にＡｌを含む半導体層を設けた半導体発光素子において、発光特性を著しく改善することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌを構成元素として含む第１の半導体層５０１の成長後に、成長室内の窒素化合物原料または窒素化合物原料中に含まれる不純物が触れる場所に残留したＡｌ原料、またはＡｌ反応物、またはＡｌ化合物、またはＡｌを除去する工程を設けており、その後、層厚がＡｌを含む第１の半導体層５０１よりも薄いＡｌを含む第２の半導体層５０２を設けてから、窒素を含む活性層２０４を形成している。 （もっと読む）

【課題】危険性を低減し、かつ低温で効率よく窒素を供給できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法、発光デバイスの製造方法および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２の結晶成長方法は、以下の工程を備えている。まず、窒素の原料としてモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含むガスが準備される。そして、ガスを用いて気相成長法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２が成長される。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体素子の製造に用いるのに適した、六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のＣ面単結晶基板と、その基板の上にＧａＮ系半導体結晶をエピタキシャル成長させてなるエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のＣ面単結晶基板であって、エピタキシャル成長用の面に形成された第１の割り溝および第２の割り溝とを有し、該第１の割り溝および第２の割り溝は相互に直交し、かつ、それぞれが前記六方晶構造の結晶のＭ面とＡ面とがなす角を二等分する平面に平行である。 （もっと読む）

【課題】防着板の交換作業を容易に行うことができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜製造装置は、反応容器１４内に保持された基板１８の表面に化合物半導体薄膜を形成するためのものであって、前記反応容器１４内に成膜ガスを導入するガス導入口と、前記反応容器１４の上部開口１４ａを塞ぐ開閉可能な上蓋１４ｂと、前記上蓋１４ｂに着脱可能に設けられた石英板２４と、上蓋１４ｂを開閉すると共に基板１８に対する上蓋１４ｂの角度を調整する昇降回転装置３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】窒化物単結晶薄膜の成長方法を開示する。
【解決手段】ｍ面六方晶系単結晶基板上に半極性窒化物単結晶基底層を形成する段階、絶縁性物質パターン層を形成する段階、半極性窒化物単結晶基底層上に半極性窒化物単結晶薄膜を側方向成長させる段階を含み、半極性窒化物単結晶薄膜の側方向成長段階は、成長面の一部がａ面を有するよう半極性窒化物単結晶薄膜を１次側方向成長させる段階、及び１次側方向成長させられた窒化物単結晶薄膜が合体して（１１−２２）面を有する半極性窒化物単結晶薄膜が形成されるように２次側方向成長させる段階を含む窒化物単結晶薄膜の成長方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】緑色および深紫外波長範囲について、高品質の量子井戸を成長させる。
【解決手段】第１の量子井戸と、前記第１の量子井戸内に含まれる第１の下位層であって、前記第１の下位層の１つの層の合金組成が前記第１の下位層の別の層の合金組成と異なり、前記第１の量子井戸によって放射される光の波長が前記第１の下位層の平均組成のバンドギャップによって規定される第１の下位層と、を備える発光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥が集中する領域を極力小さくし、どのようなデバイスにも適用できるようにした窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】成長用基板１上に選択成長用マスク１１及びＡｌＮバッファ層２が形成され、さらにノンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。成長用基板１上に形成される選択成長用マスク１１は、円形状又は多角形状の形状を有しており、選択成長用マスク１１の周囲が成長用基板１で囲まれた島状に複数形成されている。このようにすることで、格子欠陥が集中する領域を極力小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型コンタクト層からｐ型クラッド層や活性層へのＺｎの拡散量をコントロールできる半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、及びその半導体発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製される半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板（１）上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる混晶により構成されたｎ型クラッド層（４）、活性層（６）、及びＭｇをドーピングしたｐ型クラッド層と、ｐ型コンタクト層（１３）とを順次積層し、前記ｐ型コンタクト層（１３）が、前記ｎ型ＧａＡｓ基板（１）側から順にＭｇをドーピングしたコンタクト層（１３ｂ）とＺｎをドーピングしたコンタクト層（１３ａ）との少なくとも二層を有する半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記Ｍｇをドーピングしたｐ型クラッド層（８，１０）と前記ｐ型コンタクト層（１３）との間に、ＺｎをドーピングしたＺｎドープ層（１１）を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用の基板として好ましく用いられ得るように結晶を破壊することなく直接かつ確実に評価された結晶表面層を有する窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板および半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本窒化物結晶基板は、窒化物結晶の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶の表面からのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶の表面層の均一歪みが０．３×１０^-3以上２．１×１０^-3以下であることを特徴とする窒化物結晶で形成されており、直径が５０ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】六方晶系の非極性面（ａ面、ｍ面）または半極性面で結晶成長させたＡｌＧａＮ混晶と、活性層に用いたＡｌＧａＮ結晶のＡｌＮとＧａＮのモル分率を最適化させ、発光効率を向上させ、低しきい値電流密度化を実現し、深紫外線波長のレーザ光を発生する。
【解決手段】ｍ面基板１０と、ｍ面基板上に配置され，ｎ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１２，１４）と、ＡｌＧａＮ層上に配置され，Ａｌ_XＧａ_1-XＮ障壁層とＡｌ_YＧａ_1-YＮ井戸層からなる量子井戸構造を有するＡｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層１６と、Ａｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層上に配置され，ｐ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１８，２０）とを備え、ｃ軸が結晶成長の主面の法線方向から４０°〜９０°の範囲内で傾いた面を結晶成長の主面とし、光の電界成分Ｅが主にｃ軸と平行（Ｅ//ｃ）なる偏光特性を示す紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスが複雑になるのを抑制することが可能で、かつ、発光効率の低下を抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子５０（窒化物系半導体発光素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１の（１−１００）面からなる主表面上に下地層２を介して形成され、（１−１００）面を主面とする発光層６を有する半導体レーザ素子層３と、半導体レーザ素子層３の発光層６を含む領域の端部に形成され、発光層６の主面（（１−１００）面）に対して略垂直な方向に延びる（０００−１）面からなる光出射面２０ａと、（０００−１）面からなる光出射面２０ａと対向する領域に形成され、半導体レーザ素子層３の成長面からなり、光出射面２０ａに対して角度θ_１（約６２°）傾斜した方向に延びる反射面２０ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて、偏光比の大きな発光が可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この発光ダイオードは、ｍ面を主面とするＧａＮ単結晶基板１上にIII族窒化物半導体層２を成長させて構成された素子本体を有している。III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、ｎ型圧縮応力印加層２２、発光層としての多重量子井戸層２３、ＧａＮファイナルバリア層２４、ｐ型電子阻止層２５およびｐ型コンタクト層２６を積層した積層構造を有している。ｎ型圧縮応力印加層２２は、ストレインフリーのＡｌＧａＮ層からなる。多重量子井戸層２３、ＧａＮファイナルバリア層２４、ｐ型電子阻止層２５およびｐ型コンタクト層２６は、ｎ型圧縮応力印加層２２に対してコヒーレントにエピタキシャル成長された層である。 （もっと読む）

【課題】シャワープレートを用いて少なくとも２種類の反応ガスを成長室内に供給する場合に、ガス吐出孔から成長室へ供給されるガスフローを均一化することができる気相成長装置及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シャワープレート２１上に、III族系ガスとＶ族系ガスとのそれぞれを充満させる互いに隔離されたIII族系ガスバッファエリア２３ｂとＶ族系ガスバッファエリア２４ｂとがこの順に積層される。III族系ガスバッファエリア２３ｂには、Ｖ族系ガスバッファエリア２４ｂからシャワープレート２１の複数のＶ族系ガス吐出孔Ｈ５に連通する複数のＶ族系ガス供給管２４ｃが貫通して設けられている。Ｖ族系ガスバッファエリア２４ｂには、複数のダミー柱２５ｃが、複数のIII族系ガス吐出孔Ｈ３と同じ平面位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法で発光素子のＥＳＤ耐圧を向上させることが可能な発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１導電型の窒化物半導体２２上に窒化物半導体からなる活性層２４を形成する工程と、活性層２４に対して熱処理を行う工程と、活性層２４上に、熱処理の温度より低い温度で第２導電型の窒化物からなる半導体層２６を形成する工程と、を含む発光素子の製造方法である。本発明によれば、簡単な方法でＥＳＤ耐圧を向上させることがきる。 （もっと読む）

【課題】Ｎ及びＡｓのためのＶ族構成元素およびIII族構成元素を少なくとも含むIII−Ｖ化合物半導体層の表面形態を引き継ぐこと無く、III−Ｖ化合物半導体層上に成長される半導体層表面の平坦性を向上できる。
【解決手段】成長期間ｔ_５〜ｔ_６では、ＴＥＧａ及びＴＢＡｓを交互に成長炉１１に供給して、ＧａＡｓ障壁層をＧａＩｎＮＡｓ層上に成長する。具体的には、第２のIII−Ｖ化合物半導体層１９の成長では、時刻ｔ_５において、ガリウム原料の供給を開始すると共に、時刻ｔ_５１において、ガリウム原料の供給を停止する。次いで、時刻ｔ_５２においてヒ素原料の供給を開始すると共に、時刻ｔ_５３においてヒ素原料の供給を停止する。Ｖ族原料を供給する第１工程と、III族原料を供給する第２工程とを繰り返すことによって、第２のIII−Ｖ化合物半導体層１９が成長される。 （もっと読む）

ＩＩＩ−Ｖ族ｎ型窒化物構造物を製作する方法は、成長Ｓｉ基板を製作することと、次いで、第一の所定の値に設定された流量においてシランガス（ＳｉＨ_４）を前駆物質として用いて、ＩＩＩ−Ｖ族ｎ型層をＳｉ基板の上に堆積させる（２１０）こととを包含する。その後、ＳｉＨ_４流量は、ｎ型層の製作の間に第二の所定の流量まで低減される（２２０）。この方法はまた、ｎ型層の上に多重量子井戸活性領域を形成することも含む。加えて、流量は、所定の期間にわたって低減され、第二の所定の値は、ｎ型層と該活性領域との界面から十分に短い所定の距離において達せられる（２３０）。
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