【課題】成長用基板の剥離をウェットエッチング処理によって容易に行うことができ、更に、光取り出し効率向上と半導体膜の機械的強度の確保を両立させた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
複数の第１の空洞を含む第１空洞含有層を成長用基板上に形成する工程と、複数の第２の空洞を含み、互いに隣接する第２の空洞間の隔壁部の各々が第１の空洞の各々の上部に設けられた第２空洞含有層を第１空洞含有層上に形成する工程と、第２空洞含有層上に半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、半導体層上に支持基板を接着する工程と、第１および第２の空洞の各々にエッチャントを流入させて、第１の空洞の各々と第２の空洞の各々とを結合させて成長用基板を半導体層から除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】成長用基板上に選択成長用のマスクを配した後、横方向成長法を用いて半導体層を形成する工程を含む半導体発光装置の製造方法において、従来よりも成長過程の早い段階で平坦な膜を得ることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
成長用基板上を部分的に覆う選択成長用のマスクを成長用基板上に形成する。次に、成長用基板上のマスクで覆われていない非マスク部から半導体膜を横方向成長させてマスクを覆う貫通転位遮断層を形成する。次に、貫通転位遮断層の上に発光層を含むデバイス機能層をエピタキシャル成長させる。貫通転位遮断層を形成する工程は、常圧且つデバイス機能層の成長温度よりも低い温度雰囲気の下、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施する。 （もっと読む）

【課題】成長用基板の剥離をウェットエッチング処理によって容易に行うことができる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
成長用基板上にこれを部分的に覆う選択成長用のマスクを形成する。前記マスクの構成材料を脱離させてこれを前記マスクで覆われていない前記成長用基板上の非マスク部に再付着させた再付着物を形成する。前記成長用基板の前記非マスク部から半導体膜をエピタキシャル成長させて前記マスク上を覆う半導体層を形成する。前記半導体層上に支持基板を接着する。前記マスクおよび前記再付着物をウェットエッチングにより除去して、前記成長用基板を前記半導体層および前記支持基板から剥離する。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子の製造に際して、従来の材料ガス中から不純物を極力排除する考え方とは異なる手法によって、発光素子の発光強度を高めることができるようにする。
【解決手段】反応炉２内に窒化ガリウム系化合物半導体製造用材料ガスを導入してＭＯＣＶＤ法により窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子構造を基板４上に形成する際に、添加ガス容器１５から酸素原子を含む化合物からなる添加ガスを反応炉２に供給して、反応系に共存させる。添加ガスには酸素ガス、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス、水、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、亜酸化窒素ガスなどがある。 （もっと読む）

【課題】青色以上の長波長（４４０ｎｍ以上）を有するＩｎＧａＮ系窒化物半導体光素子において、Ｉｎ偏析や結晶性の劣化を抑制しながら、長波長化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＮ井戸層とＩｎＧａＮ障壁層とを含むＩｎＧａＮ系量子井戸活性層６を備えたＩｎＧａＮ系窒化物半導体光素子の製造において、ＩｎＧａＮ障壁層を成長させる工程は、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気に１％以上の水素を添加してＧａＮ層を成長させる第１工程と、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気でＩｎＧａＮ障壁層を成長させる第２工程とからなる。 （もっと読む）

【目的】基板上に、平坦性及び結晶性に優れた高品質な酸化亜鉛系半導体、特に酸化亜鉛（ＺｎＯ）単結晶の成長方法を提供することにある。また、平坦で結晶性に優れた半導体層を有し、高性能、高信頼かつ量産性に優れた半導体素子を提供することにある。
【解決手段】
亜鉛を含むケトン化合物有機金属材料の材料溶液を気化させた材料ガスと極性酸化ガス及び無極性酸化ガスの混合ガスとを供給する工程を有するＭＯＣＶＤ法により、基板上に酸化亜鉛系半導体層を結晶成長する。上記混合ガスにおける上記極性酸化ガス及び上記無極性酸化ガスの混合比率は１対４ないし４対１の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】発光素子とした場合の発光効率が高い、高品質の窒化物半導体を提供すること。
【解決手段】本発明では、一方導電型の窒化物半導体部と、量子井戸活性層構造部と、一方導電型とは逆の他方導電型の窒化物半導体部を順次積層させた窒化物半導体を得るに際し、非極性の窒化物の主面を有する基体の上に結晶成長させることとし、一方導電型の窒化物半導体部を第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層を順次積層させたものとするとともに、第２の窒化物半導体層を４００ｎｍ〜２０μｍの厚みを有し最表面が非極性面であるようにした。結晶成長用の基体として上記のものを選択することによりＱＣＳＥ効果に基づく発光に寄与する電子とホールの空間的分離が抑制され、効率的な輻射が実現される。また、上記第２の窒化物半導体層の厚みを適正なものとすることにより、極めて激しい凹凸を呈する窒化物半導体表面となることが回避される。 （もっと読む）

【課題】支持基板の上に結晶性及び平坦性が高い窒素とガリウムを含む半導体層を有する半導体ウェハを提供する。
【解決手段】支持基板１と、上面２ｂが少なくとも単結晶となっているIII族窒化物系半導体の第１の窒化物系半導体層２と、第１の窒化物系半導体層２の上面２ｂに設けられ、窒素とガリウムを含む第２の窒化物系半導体層３とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光効率を低下させることなく発光波長を長波長化することが可能な窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体デバイスは、（０００１）面と、（０００１）面以外の面とを有するＧａＮ層１０３と、ＧａＮ層１０３と接し、インジウムを含むＩｎＧａＮ層１０４とを備え、ＩｎＧａＮ層１０４において、（０００１）面以外の面と接する部分のインジウムの組成比は、（０００１）面と接する部分のインジウムの組成比に比べて高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的結晶欠陥の少ない窒化ガリウム系化合物半導体層を比較的低コストで得ることができる技術を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上に、ＳｉＯ_２層１３を形成し、層１３を部分的に除去してサファイア基板の露出部を形成し、露出部を持つサファイア基板上に、非晶質窒化ガリウム系化合物半導体を堆積し、層１３上の非晶質窒化ガリウム系化合物半導体を蒸発させ、サファイア基板の露出部上に非晶質窒化ガリウム系化合物半導体の核を形成し、核のサイズ増大、合体、結晶成長、層１３上への横方向結晶成長、平坦表面形成などを経て、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層２０を形成し、サファイア基板１０の露出部上の窒化ガリウム系化合物半導体層を除去して分離溝２５を形成する。サファイア基板上の窒化ガリウム系化合物半導体層２０は他の基板に移設される。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスに好適に用いられるＩＩＩ族窒化物結晶基板ならびにその基板を含む発光デバイスおよびその発光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板は、面積が１０ｃｍ²以上の主面を有し、主面の外周からの距離が５ｍｍ以下の外周領域を除く主領域において、総転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以上５×１０⁵ｃｍ^-2以下であり、総転位密度に対する螺旋転位密度の比が０．５以上である。 （もっと読む）

【課題】活性化アニールを行うことなく、ｐ型ドーパントを含む窒化ガリウム系半導体を提供可能な、ｐ型窒化ガリウム系半導体を作製する方法を提供する。
【解決手段】支持体１３上に、ｐ型ドーパントを含むＧａＮ系半導体領域１７を成長炉１０で形成する。有機金属原料及びアンモニアを成長炉１０に供給して、ＧａＮ系半導体層１５上にＧａＮ系半導体層１７を成長する。このＧａＮ系半導体にはｐ型ドーパントが添加されており、ｐ型ドーパントとしては例えばマグネシウムである。ＧａＮ系半導体領域１５、１７の形成の後に、モノメチルアミン及びモノエチルアミンの少なくともいずれかを含む雰囲気１９を成長炉１０に形成する。雰囲気１９が提供された後に、ＧａＮ系半導体領域１７の成長温度から基板温度を下げる。成膜を完了して、基板温度を室温近傍まで低下させたとき、ｐ型ＧａＮ系半導体１７ａ及びエピタキシャルウエハＥの作製は完了している。 （もっと読む）

【課題】活性化アニールを行うことなく、ｐ型ドーパントを含む窒化ガリウム系半導体を提供可能な、ｐ型窒化ガリウム系半導体を作製する方法を提供する。
【解決手段】支持体１３上に、ｐ型ドーパントを含むＧａＮ系半導体領域１７を成長炉１０で形成する。有機金属原料及びアンモニアを成長炉１０に供給して、ＧａＮ系半導体層１５上にＧａＮ系半導体層１７を成長する。このＧａＮ系半導体にはｐ型ドーパントが添加されており、ｐ型ドーパントとしては例えばマグネシウムである。ＧａＮ系半導体領域１５、１７の形成の後に、モノメチルアミン及びモノエチルアミンの少なくともいずれかを含む雰囲気１９を成長炉１０に形成する。雰囲気１９が提供された後に、ＧａＮ系半導体領域１７の成長温度から基板温度を下げる。成膜を完了して、基板温度を室温近傍まで低下させたとき、ｐ型ＧａＮ系半導体１７ａ及びエピタキシャルウエハＥの作製は完了している。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを用いた光源や照明装置のコストを低減する。
【解決手段】基板３０と、基板３０上に設けられた第１電極３１と、第１電極３１の上にランダムに散布された複数の粒子状発光ダイオード２０と、複数の粒子状発光ダイオード２０を覆う第２電極３２とを備え、複数の粒子状発光ダイオード２０の各々は、ＩＩＩ族−Ｖ族窒化物からなる結晶性半導体からなると共に、第１導電型の第１半導体２１ｎ、活性層２１ｉ、および第２導電型の第２半導体２１ｐからなり、活性層２１ｉは第１半導体２１ｎの周囲の一部に形成されており、第２半導体２１ｐは活性層２１ｉの周囲を覆っており、第１半導体２１ｎは第２電極３２と電気的に接続されており、第２半導体２１ｐは、第１電極３１と電気的に接続されており、結晶性半導体は、外周面が複数の平坦な結晶格子面からなる多面体形状を有している、発光装置。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体発光素子のｐ型層の熱処理条件を緩和しつつ活性層中のＩｎを含む半導体層の結晶性を向上させたIII族窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】Ｉｎを含む半導体層を備える活性層の上にｐクラッド層を第１の温度（８００〜９００℃）で成長させ、その後、窒素ガスとアンモニアガスのみを流通させながら、第１の温度より高い第２の温度（９００〜１０００℃）で半導体の積層体を熱処理する。その後、ｐクラッド層の上にｐコンタクト層を第２の温度より低い第３の温度（８００〜９００℃）で成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮおよびＩｎＧａＮを用いた発光ダイオードは、電流（Ｉ）−電圧（Ｖ）特性のバラツキが大きく、複数の粒子状発光ダイオード素子を同一電極上に配置し同時に駆動する際には、全ての粒子状発光ダイオード素子が電極に対して並列に接続される為、Ｉ−Ｖ特性のバラツキによって素子毎に流れる電流量にバラツキが生じるという大きな課題を有していた。
【解決手段】本発明においては、各粒子状発光ダイオード素子の第２電極１１９と第２半導体２１ｐの間に抵抗層１２０を直列に接続した構成を用いることによって、粒子状発光ダイオード素子間のＩ−Ｖ特性のバラツキによる特定の素子への電流集中を抑制し、最もＶｄの低い素子への電流集中による破壊を防ぐのみならず、各素子への負荷が低減されるため発光装置全体の劣化も抑制することを可能とし、輝度のバラツキの無い優れた発光装置を実現する。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム基板上の設けられた井戸層を含む活性層の発光波長の分布を縮小可能な構造の半導体素子を提供するための窒化ガリウム系エピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系エピタキシャルウエハでは、軸Ａｘ上の３点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３のオフ角は、それぞれ、θ１＝０．２度、θ２＝０．４度、θ３＝０．６度である。また、点Ｐ１近傍におけるＩｎＧａＮ井戸層のインジウム組成は、点Ｐ３近傍におけるＩｎＧａＮ井戸層のインジウム組成よりも大きい。図１２を参照しながら説明された井戸層の厚さの平均値を軸Ａｘ上の３点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３で求めると、井戸層の平均厚さＤ_Ｗ１、Ｄ_Ｗ２、Ｄ_Ｗ３の値は、軸Ａｘ上で単調に増加している。また、ＩｎＧａＮ層のインジウム組成は、点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の順に単調に減少する。 （もっと読む）

【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）２５０℃〜４５０℃の範囲内の第１の低成長温度及び１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）上記第１の低成長温度よりも高い第２の低成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、（ｃ）高成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第２の単結晶層上に第３の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）低成長温度かつ１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）高成長温度かつ上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

本開示は、ｎ型窒化物半導体層、ｐ型ドーパントにドーピングされたｐ型窒化物半導体層、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間に位置して、電子と正孔の再結合を通じて光を生成するように量子井戸層を具備する活性層、および、量子井戸層とｐ型窒化物半導体層の間で量子に接触するように位置して、ｐ型窒化物半導体層との界面が滑らかになるようにその表面を形成して、ｐ型ドーパントの量子井戸層での拡散を防止する拡散防止膜を含むことを特徴とする３族窒化物半導体発光素子に関するものである。
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