【課題】有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、剥がれた反応生成物が基板または基板上の化合物半導体層上に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】有機金属気相成長法によってＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層を基板４０上に順次積層してなる化合物半導体層を形成する際に、反応容器内に、その結晶成長面が上を向くように前記基板４０を取り付け、該基板４０の上方であって結晶成長面と対向する側に複数の溝６３とともにアルミナ粒子を用いたブラスト処理により溝６３よりも微細な凹部が形成された保護部材６０を取り付け、反応容器の内部に原料ガスの供給を行う。 （もっと読む）

【課題】高度の結晶性を有し、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAｌN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いＧａＮ系薄膜を得、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ素子等を得る。
【解決手段】サファイア基板上にシード層としてスパッター法で堆積されたＡｌＮ結晶膜を有し、該シード層上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体において、該シード層のＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が０．１原子％以上５原子％以下であり、ＡｌＮ結晶膜は結晶粒界の間隔が２００ｎｍ以上であり、かつ最終ｐ型半導体層であるｐ−コンタクト層のロッキングカーブ半値幅が（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ６０arcsec以下および２５０arcsec以下であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。 （もっと読む）

【課題】発光強度及び歩留を高度に両立することが可能なＩＩＩ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体デバイス１００では、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。このようにＣのパイルアップを抑制することで、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面の電気抵抗を低減することができると共に、エピタキシャル層２２の結晶品質を向上させることができる。したがって、半導体デバイス１００の発光強度及び歩留を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、結晶基板の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定により得られる結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、結晶基板の表面層の特定結晶格子面の面方位ずれが３５０ａｒｃｓｅｃ以下であり、主表面の面方位が結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１０−１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板上にIII族窒化物系化合物半導体層を接合する。
【解決手段】窒化ガリウム基板１０は、ガリウム極性のｃ面１０_Gaと窒素極性のｃ面１０_Nを有する（１．Ａ）。１０_N側から水素イオンを注入して変質層（変質領域）１９を形成した。変質層（変質領域）１９を有する窒化ガリウム基板１０’は、変質層（変質領域）１９により薄膜部１０ｆと残部である厚膜部１０ｒとに分けられた（１．Ｂ）。セラミック焼結体から成り、表面２０ａの平均粗さが０．１μｍであるセラミック基板２０を用意した（１．Ｃ）。支持基板となるセラミック基板２０−１を加熱と共に加圧接合した（１．Ｄ）。更に加熱して、変質層（変質領域）１９を破壊し、厚膜部１０ｒが分離され、支持基板であるセラミック基板２０とその上に接合した厚さ薄膜部１０ｆの構成の、ウエハ（テンプレート基板）１００が得られた。 （もっと読む）

発光ダイオードの製造方法であって、シリコン表面（１ａ）を有するキャリア基板（１）を形成するステップと、シリコン表面（１ａ）上に、成長方向（Ｒ）に一連の層（１００）を堆積させるステップと、一連の層（１００）上に発光ダイオード構造（１６）を堆積させるステップと、を含んでおり、一連の層（１００）が、窒化ガリウムを使用して形成されるＧａＮ層（５）を含んでおり、一連の層が、窒化珪素を使用して形成されるマスキング層（１２）を含んでおり、成長方向（Ｒ）においてＧａＮ層（５）の少なくとも一部分の後ろにマスキング層（１２）が続いている、方法、を提供する。 （もっと読む）

３９０−４１５ｎｍの波長で発光する発光ダイオードデバイスは、活性領域を有したバルクガリウム及び窒素含有基板を有している。このデバイスは約１７５Ａｍｐｓ／ｃｍ^２を超える電流密度を有している。また、このデバイスは、ロールオフが約５％未満の絶対効率である外部量子効率を有している。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する窒化物層をその上方に再現性良く形成することができるアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加するＤＣマグネトロンスパッタ法によるアルミニウム含有窒化物中間層２の積層時に、（ｉ）ターゲットの表面の中心と基板の成長面との間の最短距離を１００ｍｍ以上２５０ｍｍ以下とすること、（ｉｉ）ＤＣマグネトロンスパッタ装置に供給されるガスに窒素ガスを用いること、（ｉｉｉ）基板の成長面に対してターゲットを傾けて配置することの少なくとも１つの条件を採用しているアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体結晶中への亜鉛の取り込み量を増やすことができる化合物半導体膜の製造方法、化合物半導体膜及び当該化合物半導体膜を用いた半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】亜鉛をドープするｐ型化合物半導体膜のエピタキシャル成長時に、亜鉛含有原料（例えば、ジエチル亜鉛；ＤＥＺｎ）と共に所定範囲の供給量のＳｂ含有原料（例えば、トリスジメチルアミノアンチモン；ＴＤＭＡＳｂ）を供給することにより、化合物半導体膜（例えば、ＩｎＧａＡｓ膜）中への亜鉛の取り込み量を増やす。 （もっと読む）

【課題】本発明は、クラックの発生を防止し、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成し、電流リークパスやダメージの無い半導体素子及びその製造方法を提案することを目的とする。
【解決手段】本発明は、凹部からなる掘り込み領域を備えた加工基板において、丘の両端部双方にＳｉＯ₂壁を形成し、丘表面の上面成長部からマイグレーションにより窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子が掘り込み領域内に移動して窒化物半導体薄膜を形成することを抑制することで、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成でき、歩留まり良く半導体素子を製造できる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体の製造において、化合物半導体の結晶をエピタキシャル成長させる基板表面の温度を均一にする。
【解決手段】有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、反応容器と、反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように被形成体が載置される保持体と、反応容器内に外部から化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、を備え、保持体は、被形成体が載置される保持体の上面と被形成体の下面とが所定の間隔を保つように被形成体を支持する支持部材を有することを特徴とする化合物半導体の製造装置。 （もっと読む）

【課題】 多くのペア数を有する多重量子井戸構造を、良好な結晶品質を確保しながら能率よく成長することができる、半導体素子の製造方法および当該半導体素子を得る。
【解決手段】 本発明の半導体素子の製造方法は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の量子井戸を５０ペア以上有する多重量子井戸構造３を形成する工程を備え、その多重量子井戸構造３の形成工程では、全有機金属気相成長法（全有機ＭＯＶＰＥ法）により、多重量子井戸構造を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、基板上に積層される化合物半導体の層の表面温度を正確に測定する。
【解決手段】有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造方法であって、化合物半導体基板（被形成体：サファイア基板）４０を載置した基板保持体（保持体）３０を反応容器内に設置し、反応容器内に設置した基板保持体（保持体）３０を加熱して、且つ、反応容器内に供給された化合物半導体の原料ガスを反応させて、化合物半導体基板４０の表面に化合物半導体をエピタキシャル成長（化合物半導体層１００）させ、且つ、放射温度計９０ａにより波長領域８μｍ〜１４μｍの赤外光を用いて化合物半導体層１００の表面温度を測定することを特徴とする化合物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子の製造において、発光層中のＩｎ偏析に起因する非発光領域の発生を抑制する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法において、発光層の形成は、ＩＩＩ族原料ガスと、第１のアンモニアガスと、第１のキャリアガスとを供給することによりＩｎＧａＮ井戸層を形成する第１の結晶成長工程と、第２のアンモニアガスと、第２のキャリアガスとを供給することにより結晶成長を中断する第１の成長中断工程と、第３のアンモニアガスと、第３のキャリアガスとを供給することにより結晶成長を中断する第２の成長中断工程と、ＩＩＩ族原料ガスと、第４のアンモニアガスと、第４のキャリアガスとを供給することによりＩｎＧａＮを含む障壁層を形成する第２の結晶成長工程とをこの順に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

ヘテロ界面周辺のミスフィット転位を空間的に制限することによって、緩和された格子定数を有する、転位のない高品質テンプレート。これは、高Ｉｎ組成の素子のためのテンプレート層として使用することができる。具体的には、本発明は、高品質ＩｎＧａＮテンプレート（Ｉｎ組成は、約５〜１０％である）を調製し、別様に可能であるよりも非常に高いＩｎ組成のＩｎＧａＮ量子井戸（ＱＷ）（または多重量子井戸（ＭＱＷ））を、これらのテンプレート上に成長させることができる。
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【課題】半導体材料、方法、およびデバイス、より具体的には、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを提供すること。
【解決手段】非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法。１つ以上の非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層が、金属・有機化学気相成長ＭＯＣＶＤを使用して、ｒ平面（１１０２）サファイア基板上で成長される。これらの非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層は、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを製造するためのテンプレートを備える。 （もっと読む）

ガリウム及び窒素含有材料の高速成長のための方法が記載される。本方法は、バルクガリウム及び窒素含有基板を提供することを含んでいる。第１の厚さの第１のエピタキシャル材料が、好ましくは擬似形態的プロセスによって、基板上に形成される。本方法は、第１の層上に第２のエピタキシャル層をも形成し、これによってスタック構造がもたらされる。スタック構造は、約２ミクロン未満の全体厚さで構成される。 （もっと読む）

【課題】ミスフィット転位や貫通転位などの格子欠陥が発生しにくく高品質の結晶を得ることができ、基板の放熱特性も向上する光半導体素子を提供する。
【解決手段】基板としてＧａＡｓよりも格子定数の大きなＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ（０．０３≦ｘ≦０．１０）３元基板を使用し、前記基板上にＩｎ_zＧａ_1-zＰバッファー層を形成し、前記Ｉｎ_zＧａ_1-zＰバッファー層上に基板よりも格子定数の大きなＩｎ_yＧａ_1-yＡｓ（０．１０＜ｙ≦０．２０）層を形成し、さらに前記Ｉｎ_yＧａ_1-yＡｓ層上に歪量子井戸構造を形成する。なお、Ｉｎ_yＧａ_1-yＡｓ層は、例えば、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓから格子定数が徐々に大きくなるようにＩｎ_zＧａ_1-zＰバッファー層の組成を変化させていく。 （もっと読む）

【課題】基板面内で非対称な結晶特性を持っている基板に対して、エピタキシャル薄膜の面内分布を打ち消すことが可能な温度分布を得ることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】有機金属気相成長装置１１０は、（ａ）非対称なオフ角度分布を有する基板１１１の主面上にエピタキシャル薄膜を形成する気相成長装置であって、（ｂ）基板１１１のオフ角度分布に合わせて非対称な溝パターンで溝加工が表面に施されており、溝加工が施された表面を基板１１１の主面の裏側に対向するようにして配置される均熱板１１４と、（ｃ）基板１１１の主面を下にした状態で周回部分に基板１１１が配置されて、基板１１１と均熱板１１４とを一緒に周方向に回転させるサセプタ１１２と、（ｄ）均熱板１１４を通して基板１１１を加熱して、基板面内で非対称な温度分布を生み出すヒータ１１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生が防止されるとともに、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成される窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子の製造方法は、凹部からなる掘り込み領域を備えた加工基板に窒化物半導体薄膜を積層し、凹部の断面積に対して、凹部に埋め込まれた窒化物半導体薄膜の占める断面積の割合を０．８以下とする。このことにより、クラックを防止し、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成できる。 （もっと読む）