【課題】高い膜密度を保ちつつ結晶性を高くした微結晶シリコン膜の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明の微結晶シリコン膜の作製方法は、絶縁膜５５上に、第１の条件により混相粒５７ａを有する第１の微結晶シリコン膜５７をプラズマＣＶＤ法で形成し、その上に、第２の条件により第２の微結晶シリコン膜５９をプラズマＣＶＤ法で形成する。第１の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第１の条件における原料ガスの供給は、堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈したガスの供給と、当該ガスの堆積性気体の流量より低く、且つ絶縁膜上へのシリコンの堆積より絶縁膜上に堆積したシリコンのエッチングが優位となる堆積性気体の流量にしたガスの供給を交互に行うものである。 （もっと読む）

【課題】基板からの剥離を有効に抑制することができる半導体膜およびその半導体膜を含む光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板の表面上に形成された結晶質を含む半導体膜であって、半導体膜の表面の中心を含む中心領域と、中心領域の周囲に位置する周縁領域とを有し、該半導体膜の周縁領域における結晶化率が中心領域における結晶化率よりも高い半導体膜およびその半導体膜を含む光電変換装置である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に緻密なダイヤモンド薄膜を形成させるためのシリコン基板及びその製造方法であって、１０００℃以上の高温でも孔形態が変化せず、核発生密度も維持でき、熱膨張係数差に伴う応力の緩和機構も備えたダイヤモンド薄膜形成用シリコン基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】サブミクロン〜ミクロンサイズの柱状多孔質層とナノサイズシリコン粒子層からなる２層構造を、所定濃度のフッ酸系電解液中で、シリコン単結晶基板を陽極酸化する電解酸化することによって、シリコン単結晶基板表面に設ける。 （もっと読む）

半導体構造が開示され、この半導体構造は、少なくとも１００ｍｍの直径を有する炭化シリコンのウェハと、ウェハ上のＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造とを含んでおり、これは、多くの特性において、高い均一性を示す。これらは、ウェハ全面で３パーセント未満のシート抵抗率の標準偏差；ウェハ全面で１パーセント未満の電子移動度の標準偏差；ウェハ全面で約３．３パーセント以下のキャリア密度の標準偏差；およびウェハ全面で約２．５パーセントの導電性の標準偏差を含む。
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