【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜を有する基板を処理する基板処理装置において、前記基板処理装置は、前記基板を処理する処理室２０１と、前記処理室内に少なくとも前記エピタキシャル膜を形成する原料ガスとクリーニングガスを供給するガス供給源２４０と、前記処理室内の少なくとも温度と圧力を制御する制御部２８０と、前記制御部は、前記処理室内が予め定められた温度および圧力になると前記処理室内をクリーニングガスを供給するように前記ガス供給源を制御する、ことを特徴とした基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の温度を非接触で正確に測定することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置５０は、半導体基板６が収容されるチャンバ１と、チャンバ１内に反応ガス２６を供給する反応ガス供給部１４と、半導体基板６を加熱するヒータ８と、チャンバ１の外部に設けられ、半導体基板６からの放射光を受光して半導体基板６の温度を測定する放射温度計４４と、半導体基板６と放射温度計４４との間で放射光の光路４８を覆う管状部材４７とを有する。管状部材４７には、不活性ガス供給部４から不活性ガス２５が供給される。管状部材４７は、外周面に内周面より放射率の低い材料を用いて構成されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細化に伴って半導体製造装置から発生する微細粒径異物の低減が求められており、半導体処理装置のロードロック室と大気搬送手段間の試料搬入出処理時に乾燥窒素ガスを導入することにより、ロードロック室内のガス中に残留する水分を極力排除し、減圧排気時のガスの温度変化に伴う凝縮水の発生を大幅に抑制し、凝縮水の落下による試料上の付着異物によるパターン不良を低減しつつ、試料の生産効率を向上する。
【解決手段】ロードロック室９ａと大気搬送手段間の試料搬入出処理操作に対し、乾燥窒素ガスを導入し、ロードロック室９ａ内の湿度を低減する構成とし、乾燥窒素ガスの導入時に多孔質材により構成するガス導入部材４０を試料台１４ａに対向するロードロック室蓋２１の上面に設置することにより構成する。 （もっと読む）

【課題】基板の凹部に対して良好な埋め込みを行うこと。
【解決手段】真空容器１内の回転テーブル２に、凹部２３０が形成されたウェハＷを載置し、当該回転テーブル２上のウェハＷを、第１の反応ガス（ＢＴＢＡＳガス）が吸着されて凝縮される温度に温度調整し、次いで前記回転テーブル２上のウェハＷに反応ガスノズル３１からＢＴＢＡＳガスを供給し、当該ＢＴＢＡＳガスの凝縮物をウェハＷに付着させる。次いで回転テーブル２を回転させてウェハＷを分離ガスノズル４２の下方領域に位置させ、ウェハＷに対して加熱されたＮ_２ガスを供給して、前記ＢＴＢＡＳガスの凝縮物の一部を気化させる。次いで回転テーブル２を回転させてウェハＷを第２の反応ガス供給領域に位置させ、プラズマインジェクター２５０から第２の反応ガスであるＯ_２ガスを活性化してウェハＷに供給することにより、前記凝縮物と反応させて反応生成物を生成する。 （もっと読む）

【課題】 真空ポンプを備えた真空排気系内で故障の原因となる不要な膜が生成されることを防止することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置において、被処理体を収容する処理容器２２と、処理容器内へ原料ガスを供給する原料ガス供給系５０と、処理容器内へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給系５２と、真空ポンプ４４、４６を有する真空排気系３６と、処理容器を迂回させるために原料ガス供給系と真空排気系とを連通す原料ガスバイパス系６２と、処理容器を迂回させるために反応性ガス供給系と真空排気系とを連通する反応性ガスバイパス系６６と、原料ガスバイパス系内に介設されて原料ガスの流出を防止する原料ガス流出防止開閉弁Ｘ１と、反応性ガスバイパス系内に介設されて反応性ガスの流出を防止する反応性ガス流出防止開閉弁Ｙ１とを備え、真空排気系内に原料ガスと反応性ガスとが同時に流れ込まないようにする。 （もっと読む）

【課題】
炉口部を構成する非金属部材を交換することなく、処理室内の温度、均熱域の測定を可能とし、温度測定に要する作業性を向上させ、作業時間を短縮して、スループットの向上を図る。
【解決手段】
基板を内部に収納し処理する処理容器５と、該処理容器の基板入出口を蓋する蓋体１２と、該蓋体の前記処理容器側を覆う非金属部材と、前記蓋体に設けられ、前記処理容器内に温度検出器２１を挿入出可能にする挿入出部と、前記非金属部材に設けられ、前記温度検出器が挿通可能な開口２３と、該開口に着脱可能に設けられ、少なくとも前記処理容器内と前記挿入出部とを隔離する封止栓４４と、該封止栓が設けられた状態で前記挿入出部と前記処理容器内とを連通させる前記開口より小さい大きさの流路断面で形成されるガス流通路とを備えた。
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【課題】真空引きにより蓋部を吸引固定することにより熱伸縮差を許容して、蓋部や外側載置台等に割れや破損等が発生することを防止することが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理装置３０の処理容器３２内に設けられて被処理体Ｗを載置するための載置台構造６４において、容器状になされた内側容器６６Ａと内側容器に連通された中空状の内側支柱６６Ｂとが一体的に連結された内側載置台６６と、内側容器の周囲を覆う外側容器６８Ａと内側支柱の周囲を覆う外側支柱６８Ｂとが一体的に連結された外側載置台６８と、内側容器内に収容される内部収容物７０と、内側容器の開口と外側容器の開口とを覆い、被処理体を載置する蓋部７２と、内側載置台の内部を真空引きする真空引き手段７４と、内側載置台と外側載置台との間の隙間にパージガスを供給するパージガス供給手段７６とを備える。 （もっと読む）

【課題】パージガスにより原料ガスの流れが乱されるのを抑制して、半導体ウエハ特性の面内均一性及び半導体ウエハ間の特性のばらつきを改善することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】容器状の装置本体２に、原料ガス導入口１５、半導体ウエハ３を加熱するヒータ１７及び原料ガス排出口１６を有すると共に、各半導体ウエハを保持する複数個の自転サセプタ８及びこれら自転サセプタ８を夫々ベアリング９を介して回転自在に設置した円板状の公転サセプタ４を有する。自転サセプタ８を公転サセプタ４の周辺部に環状に並べて配置すると共に、自転サセプタ８の外周部に夫々形成された小歯車１２を公転サセプタ４の外側に位置する共通の内歯車１３と噛み合わせる。原料ガスの半導体ウエハ裏面側への流入を防ぐためにウエハ裏面側にパージガスを流すようにし、内歯車１３の外側に、パージガスの排出口２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を同時に処理する場合において、基板の枚数や表面構造にあわせて酸素含有ガス及び水素含有ガスの導入流量を都度変更することなく、ローディング効果の発生を抑制する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して基板を酸化処理する工程と、酸化処理後の基板を処理室内より搬出する工程と、を有し、基板を酸化処理する工程では、処理室内を真空排気して処理室内の圧力を大気圧より低くした後処理室内を閉封する工程と、閉封した処理室内に一定量の酸素含有ガスと一定量の水素含有ガスとを供給した後処理室内を再度閉封する工程と、その状態を保持して基板を酸化する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】ラン／ベント方式における流路切り換え時に発生し得るラン側配管内の圧力変動を無くし、原料ガスを安定的に反応管内に供給し得るようにする。
【解決手段】反応管１へのガスの供給経路であるランライン２と、前記ガスの排気経路であるベントライン３とを用い、原料ガスを前記ランライン２へ流しつつ前記ベントライン３にダミーガスを流すか、あるいは前記原料ガスを前記ベントライン３へ流しつつ前記ランライン２に前記ダミーガスを流すかの流路切り換えを行う気相成長装置において、前記流路切り換えに起因する前記ランライン２の圧力変動を検出する変動検出手段１２と、前記変動検出手段１２による検出結果を記憶する記憶手段２２と、前記流路切り換えのタイミングに合わせて前記記憶手段２２の記憶内容を基にした前記ランライン２のガス流量調整を行うシーケンシャル制御手段２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】フットスペースを小さくできるガス集積ユニットを提供すること。
【解決手段】ガス集積ユニット１に、第１ガスの供給を制御する第１ガスユニット７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃと、第１ガスユニット７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃに接続し、複数の流体制御機器３１〜３４、３８Ａ〜４３Ａ、３８Ｂ〜４３Ｂ、３８Ｃ〜４３Ｃにより第１ガスユニット７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃに合流させるパージガスを制御する第２ガスユニット７３と、第１ガスユニット７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃに積み重ねられる積層ブロック６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃと、を設け、流体制御機器の一部３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃを積層ブロック６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃに積み重ねる。 （もっと読む）

【課題】 載置台とガラス基板との間の空間が設定圧力となるような量の伝熱ガスを短時間で供給することができ、しかも、この空間を設定圧力に正確に保持することができる伝熱ガス供給機構を提供する。
【解決手段】 伝熱ガス供給機構３は、サセプタ４と基板Ｇとの間の空間Ｄに伝熱ガスを供給するための伝熱ガス供給源３０と、伝熱ガス供給源３０からの伝熱ガスを一時的に貯留するための伝熱ガスタンク３１と、一端が伝熱ガス供給源３０、他端が空間Ｄに接続された第１の伝熱ガス流路３４と、第１の伝熱ガス流路３４から分岐して伝熱ガスタンク３１に接続された第２の伝熱ガス流路３５とを具備し、第１および第２の伝熱ガス流路３４、３５を介し、伝熱ガスが伝熱ガス供給源３０から伝熱ガスタンク３１に一旦貯留され、伝熱ガスタンク３１に貯留された伝熱ガスが空間Ｄに供給される。 （もっと読む）

【課題】処理装置で処理ガスを使用しない場合には，処理ガス供給源から処理装置までの配管内を不活性ガス充填状態にしてその間に配管内に堆積物が発生することを防止する。
【解決手段】ガスボンベ２１０からの処理ガスを処理装置へ供給する処理ガス供給配管２２０と，ガス供給配管に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源２３０とを備え，システム稼働中はガス供給配管内に不活性ガスを充填して待機し，処理装置から処理ガス使用開始信号（Ｓ）を受信すると，ガス供給配管内の不活性ガスを真空引き排気して処理ガスを充填して処理ガス供給源からの処理ガス供給を開始し，処理装置から処理ガス使用終了信号（Ｆ）を受信すると，処理ガス供給源からの処理ガス供給を停止してガス供給配管内の処理ガスを真空引き排気して不活性ガスを充填する。 （もっと読む）

【課題】ビューポート内面への反応生成物の付着を効率よく防止することができ、気流の影響を抑制してレーザー光等による光学的な観察、測定を確実に行うことができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板観測用のビューポート２０を有するチャンバー１４内にフローチャンネル１３を収納した気相成長装置において、フローチャンネルの基板対向壁に、ビューポートを介して基板面を光学的に観測する際の光路となる通孔１３ｂを設け、該通孔を設けたフローチャンネル壁外面（上部壁１３ａの上面）とビューポートのチャンバー内側部との間にパージガス流路２４を設けるとともに、該パージガス流路内に、フローチャンネル内を流れる原料ガスの流れ方向と同一方向で、実質的に同一速度、同一圧力で、かつ、層流状態でパージガスを流すためのパージガス導入手段２５を設ける。 （もっと読む）

【課題】フットスペースを小さくできるパージガスユニット及びパージガス供給集積ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】入力ブロック４と出力ブロック６とを連通ブロック５に取り付け、入力ブロック４から連通ブロック５を介して出力ブロック６へパージガスを流す流路を形成するパージガスユニット１であって、入力ブロック４が、パージガス共通流路を形成するパージ流路１１と、パージ流路１１から分岐する入力路１２，１３とを備えており、パージ流路１１を別のパージガスユニット１のパージ流路１１に接続するように、入力ブロック４を別のパージガスユニット１の入力ブロック４に面接触させた状態で連結する連結部材５１，５２を設ける。 （もっと読む）

【課題】配管に残留した自己分解性でかつ酸素または水分と反応して不揮発性物質（例えばパーティクル）を発生する性質を有する原料液を目標とするレベルまで除去することが可能な配管のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】（ａ）前記出口ポート管を流通配管から切り離す前に、前記流通配管部分に対して次の処理を行う工程；１）前記流通配管部分を減圧状態にする、２）溶剤を前記流通配管部分に注入し、その流通配管部分内に満たす、３）不活性ガスを前記流通配管部分にパージしてそこに満たされた溶剤を押し流す、
（ｂ）前記１）〜３）の処理を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返して前記流通配管部分に残留した原料液を洗い流す工程；および
（ｃ）前記複数回のサイクルの任意の間に、不活性ガスを前記流通配管部分に流通させて乾燥する工程；を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置において、大気圧ベント配管の閉塞を防止することにより、反応室での異物の発生を抑制する。
【解決手段】反応室２に生成ガスを供給して反応させ、未反応ガスを反応室２に接続された排気管６を通して排気する機能を有し、排気管６につながる大気圧ベント配管１０の一端は反応室２と第１バルブ７との間の排気管６に連結され、他端は真空ポンプ８と除害設備９との間の排気管６に連結されたＬＰＣＶＤ装置１を用いて、大気圧ベント配管１０にパージ配管１４からパージガスを供給しながら、反応室２に装填された半導体ウエハ３上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】インナチューブの外周面に異物が付着するのを防止する。
【解決手段】処理室４を形成したインナチューブ２と、インナチューブ２を取り囲むアウタチューブ３と、アウタチューブ３の内部を加熱するヒータユニット２０と、複数枚のウエハ１０を保持して処理室４に搬入するボート１１と、処理室４に原料ガス３０を導入するガス導入ノズル２２と、インナチューブ２の筒壁に開設されて処理室４を排気する排気スリット２５とを備えたＣＶＤ装置において、インナチューブ２とアウタチューブ３との隙間５には窒素ガス３１を周方向に噴出する窒素ガス供給ノズル２６が垂直に敷設されている。
【効果】隙間に窒素ガスを充満させることで排気スリットから隙間に排気された処理ガスの隙間での拡散を阻止できるので、異物がインナチューブの外周面に堆積するのを防止でき、堆積に伴うパーティクルの発生を未然に防止できる。 （もっと読む）

【課題】 気密において、ボンベ内のガスを有効に利用することができるようにする。
【解決手段】被試験配管５２とガス供給ボンベ１を接続する供給用配管２２と、供給用配管２２に設けられたバルブ４と、被試験配管５４とガス供給ボンベ１を接続する供給用配管２３と、供給用配管２３に設けられたバルブ５と、被試験配管５２とガス供給ボンベ１ａを接続する供給用配管２２ａと、供給用配管２２ａに設けられたバルブ４ａと、被試験配管５４とガス供給ボンベ１ａを接続する供給用配管２３ａと、供給用配管２３ａに設けられたバルブ５ａと、ガス供給ボンベ１の残圧を検出する残圧検出部３と、ガス供給ボンベ１ａの残圧を検出する残圧検出部３ａと、残圧検出部３，３ａそれぞれが検出した残圧に基づいて、バルブ４，４ａ，５，５ａを制御することにより、ガス供給ボンベ１，１ａの一方を被試験配管５２に接続し、他方を被試験配管５４に接続する制御部３０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内の常圧復帰時におけるパーティクルの飛散を防止することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた縦型の処理容器２２内に、複数段に支持された被処理体Ｗを収容し、前記被処理体を加熱しつつ前記処理容器内に成膜用ガスを流して減圧雰囲気中で前記被処理体に薄膜を堆積させるようにした成膜方法において、前記処理容器内を常圧復帰させる際に、前記処理容器内に前記成膜用ガスの流れ方向とは逆方向になるように常圧復帰用ガスを流すようにする。これにより、処理容器内の常圧復帰時におけるパーティクルの飛散を防止する。 （もっと読む）