【課題】容易に真空容器内を開放してメンテナンスを行うことができる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】真空容器の天井部及び側壁部を構成する容器本体と、この容器本体に対して着脱自在に設けられ、基板を載置する載置台を備えた真空容器の底板部と、前記真空容器の天井部に設けられ、前記載置台に載置された基板に前記処理ガスを供給するガス供給機構と、真空処理装置が設置される床面に前記容器本体を支持する支持体と、前記底板部を、容器本体に装着される上位置と、容器本体の下方側の下位置との間で昇降させる昇降部と、この昇降部を搭載し、前記床面に沿って移動可能な移動体と、を備えるように真空処理装置を構成し、天井部の真空容器からの取り外しによって必要になる管路の処理ガス及び液体原料の除去作業の手間を無くしてメンテナンスを容易にする。 （もっと読む）

【課題】クリーニングによる損傷を防止することができる半導体製造装置及びそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ＬＰＣＶＤ装置１において、処理チャンバー１１を設け、処理チャンバー１１の外部に配置され、水素ガスとフッ素ガスとを反応させてフッ化水素ガスを生成すると共に、このフッ化水素ガスを冷却する反応冷却手段２５を設ける。そして、反応冷却手段２５によって冷却されたフッ化水素ガスを、クリーニングガスとして処理チャンバー１１の内部に供給する。 （もっと読む）

【課題】良好な膜厚分布、組成分布、成膜レートを再現しつつ、パーティクル数が少なく、長期にわたって連続成膜を安定して行えることが可能な生産性、量産性に優れた薄膜製造装置及び製造方法の提供。
【解決手段】反応空間である反応室上部からシャワーヘッドを介して反応室内に成膜ガスを導入し、加熱基板上で成膜するＣＶＤ装置である薄膜製造装置において、上部の反応空間が回転又は昇降しない基板ステージとシャワーヘッドと防着板とで構成され、防着板と基板ステージとで構成される同心円の隙間をガス排気経路として設け、このガス排気経路の上方から防着板に沿って不活性ガスが流れるように構成し、そしてガス排気経路の２次側に下部空間を設ける。 （もっと読む）

ガス配送組立品の方法および装置が本明細書で提供される。いくつかの実施形態では、ガス配送組立品は、第１の容積を有するガス入口ファンネルと、ガス導管とを含み、ガス導管が、ガスを受け取るための入口と、ガス導管から出て第１の容積に入るガスの流れを容易にするための出口とを有し、ガス導管が、第１の容積よりも小さな第２の容積と、入口付近の第１の断面から出口付近の第２の断面へと増大する断面とを有しており、第２の断面が非円形である。いくつかの実施形態では、各導管は、ガス入口ファンネルの中心軸と交差する長手方向軸を有する。
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【課題】加熱することなく炉口部等の低温部への副生成物の付着を防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、インレットフランジ１６ａを支持するベースフランジ１６ｂとを含み基板を処理する反応炉と、反応炉を気密に閉塞するシールキャップ２０と、シールキャップ２０と離間してベースフランジ１６ｂ内側に設けられるカバーであるアイソレーションフランジ４２と、シールキャップ２０とベースフランジ１６ｂの内側壁面とで囲まれる空間により形成される小部屋４３と、シールキャップ２０に対して不活性な第１ガスを小部屋４３に供給する第１ガス供給管１９ｂと、アイソレーションフランジ４２形成され小部屋４３に供給された第１ガスを反応炉内に流出させる流出経路４２ａと、流出経路４２ａよりも下流側に設けられて反応炉内に第１ガスよりもシールキャップ２０に対して活性な第２ガスを供給する第２ガス供給管１９ａと、を有する。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ内においてガス分配プレートを支持するための装置および方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１００内においてガス分配プレート２０を支持するための装置であって、チャンバと、中央領域と中央領域に存在する少なくとも１つの開口とを有するチャンバ内におけるバッキングプレート２８と、中央領域を有するチャンバ内におけるガス分配プレートと、バッキングプレートにおける少なくとも１つの開口内に存在しかつガス分配プレートの中央領域に係合する少なくとも１つの支持部材１５であって、ガス分配プレートが、少なくとも１つの支持部材によって吊り下げられる、少なくとも１つの支持部材と、を備える装置。 （もっと読む）

【課題】多重シール構造の内部微小リークを検出することができる基板処理装置の提供。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理容器４７と、処理容器４７を閉塞する蓋部４６と、蓋部４６に設けられ処理容器４７内にガスを供給する第１ガス流路７２が形成された第１マニホールド７１と、処理容器４７に設けられ第１ガス流路７２に接続される第２ガス流路７４が形成された第２マニホールド７３と、第１マニホールド７１と第２マニホールド７３との間に第１ガス流路７２と第２ガス流路７４との接続部を囲むように設けられてシールする内側シール部材７６および外側シール部材７８と、内側シール部材７６と外側シール部材７８との間に不活性ガスを導入するガス導入路８０と、内側シール部材７６と外側シール部材７８との間に導入された不活性ガスを排気するガス排出路８１と、ガス排出路８１における排気圧を測定する圧力計８４と、を有する。 （もっと読む）

プロセシングチャンバで使用するための装置が提供される。一態様では、環状プレートを含むブロッカプレートが提供され、環状プレートは、第１の厚さの内側部分を有しており、且つ中心部分と、中心部分の周りに同心円状に配置されて第１の数のアパーチャを有する第１の複数のアパーチャを備えた第１のパターン付き部分と、第１のパターン付き部分の周りに同心円状に配置されて、第１の数のアパーチャよりも多い第２の数のアパーチャを有する第２の複数のアパーチャを備えた第２のパターン付き部分と、第２のパターン付き部分の周りに同心円状に配置された外縁部分とを含むアパーチャパターンを有し、更には環状プレートの外縁上に位置する一段高くなった同心円部分を備えた外側部分を含んでいる。別の態様では、第２、第３、及び第４のブロッカプレートが提供される。加えて、プロセシングチャンバで使用するための混合装置及び液体気化装置が提供される。
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【課題】経済的に安価であり、大面積化およびへき開が可能な六方晶窒化ホウ素構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶窒化ホウ素構造は、サファイア単結晶基板４１と、基板４１上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素４２を有する。また、Ｖ族原料であるアンモニアと、III族原料であるトリエチルボロン、トリメチルボロン、ジボラン、三塩化ホウ素、または三フッ化ホウ素とを用いる気相成長法により、サファイア単結晶基板４１上に単結晶六方晶窒化ホウ素４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理空間を不活性ガスで高速に浄化する場合、排ガス圧力制御手段で加圧状態が発生してしまうことを防止する。
【解決手段】処理空間を提供する処理容器１１と、処理空間に処理用ガス及び不活性ガスを供給するガス供給手段１４と、処理空間のガスを排出するガス排出手段１５と、ガス排出手段に挿入され、このガス排出手段の排ガス圧力を制御する排ガス圧力制御手段１６と、ガス排出手段に挿入され、排ガス圧力制御手段の上流側および下流側で、排ガス圧力制御手段と並列に接続されるバイパス手段１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】装置アボート後にポンプが再起動不能状態になるのを回避することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ２００を処理する処理室２０１と、液体原料が気化したガスを処理室２０１に供給する第１液体原料供給管２３２ａおよび第２液体原料供給管２３２ｄと、処理室２０１を排気する排気管２３１と、排気管２３１に接続され処理室２０１を排気する真空ポンプ２４６とを有する処理炉において、排気管２３１の真空ポンプ２４６よりも上流側にストップバルブ２４５を設ける。メインコントローラ２５６はストップバルブ２４５と真空ポンプ２４６とを、リセット時にストップバルブ２４５を閉じ、リセット中に真空ポンプ２４６の稼働を継続させるように制御する。液体原料が真空ポンプ内で固化するのを防止できるので、真空ポンプが再起動が不能となるのを未然に防止できる。 （もっと読む）

【課題】供給管内を高速で流れてきた原料ガスを、短い距離で均等に分配して反応室に導くことができ、また原料ガス流量が非常に多い場合であっても、ウエーハ上の原料ガスの流速分布を均一にすることができる薄膜の気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室のサセプタ上にウエーハを載置し、該ウエーハ上に薄膜を気相成長させる方法であって、少なくとも、原料ガスを、２つのラインに分岐し、その後該分岐させた原料ガスの各々を一旦２つに分岐させた後に合流させ、その後更に２つに分岐させて、原料ガスを前記反応室に供給しながら気相成長させることを特徴とする薄膜の気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】処理ガス供給管とパージガス供給管とが合流する部分でのデッドスペースを解消し、パーティクルの発生を防止し、パージガス供給管の圧力が大きくなり、気化器の気化性能を低下させることを回避できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収納する処理室と、前記処理室にガスを供給するガス供給手段とを有し、前記ガス供給手段は、液体原料を気化する気化器と、前記気化器からの気化ガスを前記処理室に供給する第１のガス供給管４７ａ，bと、不活性ガスを前記処理室に供給する第２のガス供給管５３と、前記第１のガス供給管４７ａ，bと前記第２のガス供給管とが接続される合流部７１とを備え、該合流部７１は拡散室７３を有し、前記第２のガス供給管５３の下流側の先端部分には前記拡散室７３の方向に向かって内径を絞る絞り部７７を有し、該拡散室７３には前記気化器からの気化ガスが流入すると共に絞り部７７を通して不活性ガスが流入する。 （もっと読む）

有機金属化学気相成長の方法は、第１のガスを提供するように濃縮物質源を変換するステップを含み、該物質源は、金、銀、およびカリウムから成る群より選択される少なくとも１つの元素を含む。方法はさらに、亜鉛を含む第２のガスおよび酸素を含む第３のガスを提供するステップと、第１のガス、第２のガス、および第３のガスを、基板に移送するステップと、基板上でｐ型酸化亜鉛系半導体層を形成するステップとを含む。本発明の関連する実施形態によれば、濃縮物質源は、非ハロゲン化および非シリル化源であってもよい。非ハロゲン化および非シリル化濃縮物質源は、固相であってもよく、変換するステップは、物質源を昇華させるステップを含んでもよい。
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本発明の実施形態は、気相堆積処理システムにおいて使用され得るガス状の化学前駆物質を発生させるための機器および方法を提供する。１つの実施形態では、機器は、バルブマニホールド組立体を含有し、このバルブマニホールド組立体は、少なくとも１つの内蔵された電気加熱器を有するバルブ組立体本体と、バルブ組立体本体を通過する入口チャネルと、バルブ組立体本体に結合され、入口チャネル内の流体の流れを制御するように配置された第１の空気バルブおよび第１の手動バルブと、バルブ組立体本体を通過する出口チャネルと、バルブ組立体本体に結合され、出口チャネル内の流体の流れを制御するように配置された第２の空気バルブおよび第２の手動バルブとを含む。バルブマニホールド組立体は、さらに、入口チャネルおよび出口チャネルに連結され、その間にあるバイパスチャネルであって、バイパスチャネル内の流体の流れを制御するように配置されたバイパスバルブを含有するバイパスチャネルを含有する。
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【課題】 気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】 処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に複数種類の反応物質を複数回供給することにより基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有し、複数種類の反応物質のうち少なくともいずれか一つは、液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行うと共に、少なくとも液体原料の気化動作時以外の時に、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒を第１の流量で流し、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を第１の流量よりも大きな第２の流量で流す。 （もっと読む）

【課題】触媒反応に伴う化学エネルギーを利用することによって使用電力量を低減でき、酸化亜鉛等の金属酸化物の薄膜、窒化ガリウムや窒化アルミニウム等の金属窒化物の薄膜、および珪素窒化物の薄膜などを、低コストで効率良く基板に堆積させる堆積装置および堆積方法を提供する。
【解決手段】第１の原料ガスを導入する導入部と、前記導入部から導入された前記第１の原料ガスから反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器と、前記触媒容器から前記反応性ガスを噴出する反応性ガス噴出部であって、前記反応性ガスの噴出方向に沿って内径が小さくなる縮径部と、前記噴出方向に沿って内径が大きくなる拡径部と、を含む当該反応性ガス噴出部とを含む触媒反応装置；基板を支持する基板支持部；および、前記反応性ガス噴出部から噴出される前記反応性ガスと反応して前記基板に膜を堆積させる第２の原料ガスを供給する供給部；を備える堆積装置。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させることが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００上にチタン酸ストロンチウムまたはチタン酸ストロンチウムバリウムの薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、薄膜を形成する工程は、基板上に二酸化チタンの層を数層形成する工程と、数層形成した二酸化チタンの層の上に酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜、または酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 表面に金属薄膜が形成された基板上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、金属薄膜の酸化が起こらない温度であって、かつ、金属酸化膜がアモルファス状態となる第１温度で形成する第１ステップと、第１ステップで形成した金属酸化膜上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、第１温度を超える第２温度で、目標の膜厚まで形成する第２ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】熱分解を起こしやすい液体材料であってもこれを熱分解させることなく確実に気化させることのできる液体材料気化装置を提供する。
【解決手段】液体材料とキャリアガスとが供給され、前記液体材料を流量制御しながらキャリアガスと混合する流量制御機能を備えた制御バルブよりなる気液混合部１と、この気液混合部１と独立して設けられ、管路３を介して導入される気液混合部１からの気液混合体をノズル部から放出して減圧することにより前記液体材料を気化し、この気化によって生じたガスを前記キャリアガスによって導出する気化部２とから構成されている。 （もっと読む）