【課題】薄膜中の元素の組成比を均一化させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して所定の薄膜を形成するための成膜装置において、処理容器４と、被処理体を複数段に保持する保持手段１２と、処理容器の外周に設けられる加熱手段８６と、成膜用の複数の異なる原料ガスを混合させて混合ガスを形成する混合タンク部５０と、混合ガスを処理容器内へ供給する混合ガスノズル部３０と、混合ガスと反応する反応性ガスを処理容器内へ供給する反応性ガスノズル部２８と、混合ガスと反応性ガスとを交互に且つ間欠的に処理容器内へ供給するように前記混合ガスと反応性ガスの供給を制御する制御手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板以外の部分への成膜が抑制され、原料ガスの利用効率が良好であって稼働率の高いＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 被処理基板を内部に保持する処理容器と、前記処理容器内に、ターシャリブトキシル基を配位子とする金属アルコキシドよりなる第１の気相原料を供給する第１のガス供給手段と、前記処理容器内に、シリコンアルコキシド原料よりなる第２の気相原料を供給する第２のガス供給手段と、を有し、前記第１のガス供給手段と前記第２のガス供給手段は、前記第１の気相原料と前記第２の気相原料を予備反応させる予備反応手段に接続され、予備反応後の前記第１の気相原料と前記第２の気相原料が前記処理容器内に供給される構造であることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

蒸発装置１０は、液体の入口１２と、ガスの出口１４と、蒸発装置１０の出口１４へのガスの流れを制御するガス弁１６と、液体の入口１２とガス弁１６との間を流れる液体を加熱する手段２０とを備えている。蒸発装置１０は、また、液体の入口とガス弁との間を流れる液体に対する熱伝達量を増す手段１８を備え、液体の圧力は、ガス弁に到達したとき、液体の蒸気転移圧力以下に降下するよう液体にて圧力降下を生じさせる。圧力降下は、等温状態下にて生じ、弁１６が開いたときにのみ、液体は、需要に応じて蒸発する。熱伝達量を増し且つ圧力降下を生じさせる手段１８は、多孔性媒質の栓とすることができる。
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【課題】基板処理の加工レシピにおいて、各個々のステップ、プロセス、および／または段階用に複数のインジェクタの設定を最適化し得るガスインジェクタを提供する。
【解決手段】基板処理装置は、コンピュータ制御によるインジェクタ（１８Ａ〜１８Ｅ）を有している。コンピュータ（２２）は、傾斜層の堆積中、２つの異なる層を堆積させる合間に、または堆積ステップと反応室洗浄ステップとの間などに、複数のインジェクタ（１８Ａ〜１８Ｅ）を調節するように構成される。 （もっと読む）

【課題】 装置をコンパクトにでき、原料ガスを効率よく使用して、均一な半導体結晶を成長できるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 ガス排出口２６を有する反応菅１５と、この反応菅１５の上部に設けられ、反応菅１５に外部から結晶成長用のガスを供給するガス供給口を備えたフランジ１６と、反応菅１５中に基板１１を載置する載置台１２と、を有するＭＯＣＶＤ装置１０において、反応菅１５の内側にあって、かつガス供給口２６の下部のフランジ１６に対向配置された基板１１に対する前記結晶成長用のガスの流速を均一とする回転数で回転させる回転体２２を設けた。 （もっと読む）

【課題】 プロセスガスの添加成分が雰囲気ガス成分と同じである場合、雰囲気ガスをプロセスガス流に混入することにより、設備の簡素化を図る。
【解決手段】 プラズマ処理装置Ａの一対の電極３１を保持部２１にて支持する。保持部２１のフレーム２２には、雰囲気導入路２５を形成する。雰囲気導入路２５は、保持部２１の外面から延び、電極間のプラズマ放電部２０ｂより上流側のプロセスガス通路２０ｅに斜めに連なっている。プロセスガス通路におけるプロセスガスの流れによって雰囲気ガスが雰囲気導入路２５を経てプロセスガス通路に引き込まれる。これによって、雰囲気ガスをプロセスガスに混入できる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ用の原料溶液の流量を長時間にわたって精度よく制御することができるＣＶＤ用気化器、溶液気化式ＣＶＤ装置及びＣＶＤ用気化方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＣＶＤ用気化器は、キャリアガス中に１種又は２種以上の原料溶液を微粒子状又は霧状に分散させるオリフィス管と、前記オリフィス管に前記１種又は２種以上の原料溶液を互いに分離して供給する１種又は２種以上の原料溶液用通路２１〜２５と、前記オリフィス管に前記キャリアガスを前記１種又は２種以上の原料溶液それぞれと互いに分離して供給するキャリアガス用通路３３と、前記オリフィス管で分散された前記１種又は２種以上の原料溶液を気化する気化管３１と、前記気化管と前記オリフィス管が繋げられ、前記オリフィス管で分散された前記原料溶液が前記気化管に導入される細孔と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 気化器にて、高い効率で液体原料を気化して、処理ガスの流量の増大化を図り、成膜装置に大流量の処理ガスを供給すること。
【解決手段】 気液混合部３にて液体原料の一部を気化して気化原料ガスと液体原料とを含む気液混合流体を得、気化器４では気液混合流体をさらに気化して気化原料ガスを得ると共に、この気化原料ガスに含まれる処理ガスとミストとを分離する。つまり気化器４では、加熱された気化器本体４１の内部に３本の気化ノズル４５から気液混合流体を拡散した状態で供給することにより、効率よく熱交換を行い、高い気化率を確保する。また処理ガスは、重力方向に対して屈曲する通気路を介して成膜処理部１００へ通気していき、ミストは、屈曲部にて重力により落下してミスト溜まり部に溜まるので、処理ガスとミストとが分離される。これにより成膜処理部１００に、大流量の処理ガスを供給することができる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い異常検出システムを提供する。
【解決手段】 マスフローコントローラ１１ｂの検出情報を２重に検出し，当該各検出情報毎に，入力部や判定部を有する回路Ｃ１，Ｃ２が備えられる。入力部６０，７０は，入力したアナログの検出情報をデジタル化できる。各判定部６３，７３は，同じ回路の入力部から出力された検出情報に基づき，マスフローコントローラ１１ｂで制御されているガス流量の適否を判定できる。また，各判定部６３，７３は，同じ回路の入力部から出力された検出情報と，異なる回路の入力部から出力された検出情報との整合の適否を判定できる。 （もっと読む）

本発明は、原子層堆積（ＡＬＤ）方法及びそのシステムを提供するものである。一部の実施形態では、一つ以上の気化チャンバーに一種類以上の堆積前駆体を注入するように構成された少なくとも一つの直接液体注入システムと、一種類以上の堆積前駆体を気化させるように構成された少なくとも一つのバブルシステムと、前記直接液体注入システム及びバブラーシステムと連結されたプロセスチャンバーとを備えたシステムが提供され、このプロセスチャンバーは前記直接液体注入システム及びバブラーシステムから堆積前駆体を受け取るように構成され、かつＡＬＤプロセスを行うように構成されている。別の実施形態では、このシステムは二つの別々のバブラーシステムを備えている。また別の実施形態では、このシステムは二つの別々の直接液体注入システムを備えている。
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【課題】基板表面を高温加熱して清浄化する際に、装置内に残存している有機金属の未反応原料や反応生成物が再蒸発して基板に付着することを回避しうる成膜方法および装置を提供する。
【解決手段】被処理物５を加熱する加熱空間１Ａと、被処理物５が露出し少なくとも成膜用の原料ガスが供給される成膜空間１Ｂとを含んで構成された反応処理装置Ａを準備し、上記反応処理装置Ａの外側に配置された清浄化処理装置Ｂにより被処理物５の表面を加熱してあらかじめ清浄化処理を行い、上記清浄化処理がなされた被処理物５を反応処理装置Ａの所定の箇所に取り付けて被処理物５に成膜を行う方法と装置である。このため、清浄化処理装置Ｂを不純物が被処理物５に付着しない環境で動作できるので、良質な清浄化表面に高品質の成膜ができる。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内でのドープガスの拡散速度を高く維持しつつドープガス源の交換頻度を抑制してスループットを向上させることが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体を収容することができる処理容器Ｗと、前記被処理体を複数段に亘って支持する保持手段１８と、前記処理容器内を真空引きする排気系１４と、成膜を行う原料ガスを供給する原料ガス供給手段４２と、薄膜中に不純物を導入するためのドープガスを供給するドープガス供給手段４６と、前記被処理体を加熱する加熱手段３８と、を有する熱処理装置において、前記処理容器内へ希釈ガスを供給するための希釈ガス供給手段のガス供給通路からの希釈ガスと前記ドープガス供給手段のガス供給通路からのドープガスとを混合させて混合ガスを形成するための所定の容量のガス混合タンク６６が設けられる。 （もっと読む）

所望の質量の気体を搬送するシステムであって、チャンバと、前記チャンバへの気体フローを制御する第１の弁と、前記チャンバからの気体フローを制御する第２の弁と、前記チャンバ内部の圧力の測定値を提供する圧力トランスデューサと、このシステムから搬送される所望の質量の気体を提供する入力装置と、前記第１及び第２の弁と前記圧力トランスデューサと前記入力装置とに接続されたコントローラであって、前記所望の質量の気体を前記入力装置を介して受け取り、前記第２の弁を閉鎖し、前記第１の弁を開放し、前記圧力トランスデューサからチャンバ圧力測定値を受け取り、前記チャンバ内部の圧力が所定のレベルに到達すると前記入口弁を閉鎖し、所定の待機期間を待機して前記チャンバ内部の気体が平衡状態に近づくことを可能にし、時刻ｔ_０において出口弁を開放し、放出された気体の質量が前記所望の質量と等しくなる時刻ｔ^＊において前記出口弁を閉鎖するようにプログラムされているコントローラと、を含む。
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本発明は、天井（２）と基板（４）を載せるための垂直に反対側の加熱された床（３）を有する反応チャンバー（１）中の少なくとも１の特に結晶基板の上に、特に結晶層を堆積するための装置に関するものである。垂直に重ねられたガス入口域（６、７）を形成するガス入口部材（５）は、少なくとも１の第一および１の第二ガス状出発物質を分離して導入し、前記出発物質は、キャリヤガスとともに前記反応チャンバー（１）を通過して水平方向に流れる。前記ガスの流れは、前記ガス入口部材（５）に直接隣接した入口域（ＥＺ）で均質化し、前記出発物質は少なくとも一部分解され、前記入口域（EZ）に隣接した成長域（GZ）中の基板（４）上に堆積される分解物を生成し、ガスの流れは連続的に使い尽くされる。前記入口域（EZ）の水平方向の広がりを減少させるためには、ガス入口部材（５）の追加ガス入口域（８）は、２つの出発物質のうちの一方に必須である。
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濃度１から１０％のＳｉＨ_３ＣＨ_３をＨ_２により希釈し、希釈したＳｉＨ_３ＣＨ_３の一部と、ＧｅＨ_４と、ＳｉＨ_４（またはＤＣＳ）とをそれぞれ所定の流量でエピタキシャル装置のチャンバへ供給し、ＳｉＧｅ：Ｃをエピタキシャル成長技術により形成する。ＳｉＨ_３ＣＨ_３を希釈することにより、ＳｉＨ_３ＣＨ_３に含まれる酸素系不純物の濃度が低減するので、チャンバへ供給される酸素系不純物が低減して、成膜されるＳｉＧｅ：Ｃに含まれる酸素系不純物の濃度が低減する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、溶液配管等における目詰まりを抑制して連続使用時間を長くしたＣＶＤ用気化器、溶液気化式ＣＶＤ装置及びＣＶＤ用気化方法に関する。【解決手段】 本発明に係るＣＶＤ用気化器は、複数の原料溶液を互いに分離して供給する複数の原料溶液用配管１，２と、前記複数の原料溶液用配管１，２の外側を包むように配置され、加圧されたキャリアガスが前記複数の原料溶液用配管１，２それぞれの外側に流さ
れるキャリアガス用配管３と、前記キャリアガス用配管３の先端に設けられ、前記原料溶液用配管１，２の先端から離隔された細孔と、前記キャリアガス用配管３の先端に接続され、前記細孔によって該キャリアガス用配管３の内部に繋げられた気化管１３と、前記気化管１３を加熱する加熱手段であるヒーターと、を具備する。
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【課題】 プロセスガスのシール用ガス放出板の目詰まりが生じ難く、面内均一性の良好なＣＶＤ膜をウエハ上に成膜できる常圧ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 本装置は、ウエハに向けプロセスガスを吹き出すガスインジェクタと、ガスインジェクタから吹き出されたプロセスガスをシールするガスシール機構とを有するプロセスチャンバを備え、常圧下でウエハ上にＣＶＤ膜を成膜する常圧ＣＶＤ装置である。本装置のガスシール機構６０のガス放出板６１に設けた多孔板の板厚Ｔを０．４mmにすることにより、多孔板に設けられたガス放出孔の開口径を大きくし、かつ開口ピッチを小さくして、目詰まりを防止している。これにより、プロセスガスの流れが安定し、面内均一性の良好なＣＶＤ膜をウエハ上に成膜できる。第１Ｎ₂ ガス供給管２６と第２Ｎ₂ ガス供給管４０とを止め金具７６により相互に連結、固定している。これにより、従来のようなＮ₂ ガスの漏れが生じない。 （もっと読む）