【課題】基板面内の組成及び膜厚の均一性を向上し得る気相成長装置、及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】反応室２の中央部から導入され、反応室２の高さ方向に各層の第１ガス導入経路３ａ、第２ガス導入経路３ｂ、第３ガス導入経路３ｃを形成する複数種類のガスにおける各ガス経路の間を仕切る複数のガイド板１３ａ・１３ｂを備えている。少なくとも１つの第２ガス導入経路３ｂにおけるガイド板１３ａ・１３ｂは閉塞されている。閉塞されたガイド板１３ａには隣接する底面側の第１ガス導入経路３ａへガスを基板１の手前にて混入させる複数の拡散孔１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 多段のシャワーヘッドを実用的に実現する方策を確立する。
【解決手段】 本発明の多層構造のＣＶＤ用マルチシャワーヘッドの製造方法は、反応ガスを被処理物の近傍で混合しＣＶＤ法で被処理物の表面に被膜を形成するシャワーヘッドであって、貫通孔が形成された３枚の板を積層して形成される多層構造のＣＶＤ用マルチシャワーヘッドにおいて、貫通孔に、その内径よりも十分に小さい外径の流体通路パイプを挿通し、両者間の間隙にパイプガイドを挿入して気密接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特に複数枚の基板をサセプタ上に載置して同時に成膜を行うことができる形態の薄膜製造装置において、簡便な構成で均一な薄膜形成が行えるようにする。
【解決手段】反応室内に基板を保持し、回転可能なサセプタと、反応室に連接され、基板表面に平行にガスを導入するガス導入部と、を含む薄膜製造装置であって、ガス導入部が基板に対してガスが吐出される開口部と、該開口部に連接され、前記基板表面に平行に且つ該開口部からのガスの吐出方向に対して垂直にガスを導入するガス入力部とから成るようにする。これにより、サセプタ上に供給されるガスが不均一となり、結果として非常に簡便な構成で以て均一な薄膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】効率的なクリーニングの可能な処理装置およびそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１１と、被処理体を載置するサセプタ１７と、チャンバ１１と排気手段を接続する排気ラインＬ３と、所定のプロセスガスをチャンバ１１内に供給するプロセスガスラインＬ１と、プロセスガスラインＬ１に接続されてプロセスガスラインＬ１から導入されるプロセスガスを拡散させる拡散路２９ａと、拡散路２９ａに接続されて拡散路２９ａにより拡散されたプロセスガスをチャンバ１１内に供給する複数のガス孔２８ａと、を有するシャワーヘッドと、チャンバ１１の内部をクリーニングするためのクリーニングガスをチャンバ１１内に供給するクリーニングガスラインＬ２と、チャンバ１１内からクリーニングガスを排気するために、一端が拡散路２９ａに接続され、他端が排気ラインＬ３に接続されたクリーニングガス排気ラインＬ４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で、導入されるガスの流量や種類により容積の大きさが左右されず、重量の異なる複数のガスを効率よく低い圧力で均一に混合することができる混合器を提供する。
【解決手段】 重量の異なるガスを導入するための二つのガス導入管がそれぞれのガス導入口５ａ、５ｂを互いに対向するようにして設けられたガス攪拌・混合用攪拌室２と、攪拌・混合されて得られた混合ガスを拡散させる拡散室３と、該攪拌室と該拡散室との間で該攪拌室の容積よりも該拡散室の容積の方が大きくなるように攪拌室及び拡散室を仕切る仕切り板４と備える。仕切り板に、それぞれのガス導入口を結ぶ直線の鉛直方向下側の所定位置に一つのガス吹き出し口が形成され、ガス吹き出し口を介して該攪拌室で攪拌、混合された混合ガスを該拡散室に流入させ、該拡散室で拡散させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置に腐食性ガスを供給する際に，被処理基板に対する金属性汚染物質の混入を極力抑える。
【解決手段】 複数の流体制御機器（ハンドバルブ２３１，減圧弁（レギュレータ）２３２，圧力計（ＰＴ）２３３，逆止弁２３４，第１遮断弁２３５，第２遮断弁２３６，マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３７，ガスフィルタ（ＦＥ）２３８）を備え，これらを接続する流路を構成する流路ブロック２４１〜２４９を非金属の炭素材料で構成した。 （もっと読む）

【課題】コールドウォールを用いるＭＯＣＶＤ反応炉中で、高品質の３−５族系化合物半導体を高速成長させることができるようにすること。
【解決手段】気相成長炉２内の基板Ｓ上に３−５族系化合物半導体を有機金属気相成長法によって気相成長させて３−５族系化合物半導体を製造する場合、原料ガス供給装置３の第１乃至第４供給路３１〜３４を用い、所要の原料ガスとキャリアガスとを互いに分離して気相成長炉２内に供給すると共に、ハロゲン化水素を５族元素のガス以外の原料ガス或いはキャリアガスと共に気相成長炉２内に供給する。 （もっと読む）

【課題】装置の簡素化を図ることのできる有機金属気化供給装置、有機金属気相成長装置、有機金属気相成長方法、ガス流量調節器、半導体製造装置、および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】有機金属気化供給装置は、有機金属原料１３を貯留するための貯留容器１と、貯留容器１に接続され、かつ有機金属原料１３にバブリングガスを供給するためのバブリングガス供給路３と、貯留容器１に接続され、かつ貯留容器１で発生した有機金属ガスおよび希釈ガスを成膜室へ供給するための有機金属ガス供給路５と、有機金属ガス供給路５に接続され、かつ希釈ガスを有機金属ガス供給路５に供給するための希釈ガス供給路７と、バブリングガス供給路３に設けられ、バブリングガスの流量を調節するための流量調節部９と、希釈ガスの圧力を調節するための圧力調節部１１と、有機金属ガス供給路５と希釈ガス供給路７との接続位置よりも下流側の有機金属ガス供給路５に配置された音速ノズルＳとを備えている。 （もっと読む）

【課題】
装置の複雑化や、大型化を招くことなく、多様な成膜条件に適用可能なガス混合器、これを用いた成膜装置、及び面内均一性の高い薄膜を形成できる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】
少なくとも二以上の混合室を備えるガス混合器において、第一混合室に、混合しようとする二種以上のガスがそれぞれ導入される二以上の導入口と、一以上の排出口とを設けるとともに、第二混合室に、第一混合室に設けられた排出口と連通し、第一混合室から排出されたガスが導入される一以上の導入口と、一以上の排出口とを設け、第一混合室及び／又は第二混合室に設けた排出口を、同じ混合室に設けられた導入口に対して、ガスの流れ方向において重ならないように配設する。 （もっと読む）

【課題】HVPE法によりアルミニウム系III族窒化物などのIII族窒化物を成長するにあたり、従来法と同等程度の良好な品質を有しかつ高い収率で製造する方法およびそれに用いる装置を提供する。
【解決手段】三塩化アルミニウムガス等のIII族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等の窒素源ガスとを成長室４１内で反応させて、成長室４１内に保持された基板４３上にIII族窒化物を成長させる窒化アルミニウム等のIII族窒化物の製造方法において、III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを予め混合して混合ガスとした後、ガス混合時並びに導入時の温度を制御するなどの方法によりガス中に析出物を実質的に生成させることなく成長室４１内に導入して反応させる。 （もっと読む）

【課題】目詰まりなどを起こすことがなく長期使用が可能であり、かつ、反応部への安定的な原料供給が可能な気化器を提供する。
【解決手段】分散部本体１の内部に形成されたガス通路２と、ガス通路２に加圧されたキャリアガス３を導入するガス導入口４と、ガス通路２を通過するキャリアガスに原料溶液５を供給するための手段６と、分散された原料溶液５を含むキャリアガスを気化部２２に送るためのガス出口７と、ガス通路２内を冷却する手段１８と、を有する分散部８と、装置の反応部と分散部８のガス出口７に接続された気化管２０と、気化管２０を加熱するヒータ２１と、を有し、原料溶液が分散されたキャリアガスを加熱・気化させる気化部２２と、を有し、ガス出口７の外側に細孔１０１を有する輻射防止部１０２を設けてある。 （もっと読む）

【課題】成膜品質に大きく寄与する気相反応をより広範囲にわたりより均一な条件にすることにより成膜品質が向上する装置を提供する。
【解決手段】仕切り板によって成膜原料成分を含有する複数の原料ガスおよび不活性ガスを、それぞれ分離して反応管に導入し、反応管内部に設置した被処理基板付近で混合させ、混合させた原料ガスを加熱することによって化学反応させながら、被処理基板の成膜される面に沿う方向に流すことで、成膜原料成分を被処理基板上に成長させる横型の気相成長装置において、被処理基板側の前記仕切り板の終端部には、仕切り板で隔てられた両領域の原料ガスを混合させるための貫通口を一つないしは複数配置した気相成長装置に関する。貫通口を備える仕切り板は、反応管に１つないしは２つ以上配置されており、貫通口を備える仕切り板の終端は、被処理基板よりも上流側に位置することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】安全かつ安価に薄膜を形成可能な薄膜形成装置、及び薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１は、反応室２内に載置された基板21上にシリコンと炭素とを含む薄膜を形成する。有機シラン化合物を含有する原料ガスを前記反応室２へ供給する原料ガス供給手段と、前記反応室２内において、ＣＶＤ法によって前記被薄膜形成対象物上に前記薄膜を形成するＣＶＤ部３とを備える。前記原料ガス供給手段は、ＣＶＤ用気化器４と気化機構40とを備え、薄膜を形成する。また、炭化水素を供給する炭化水素供給機構を備え、前記有機シラン化合物と前記炭化水素を含有する原料ガスを用い、所望のシリコン原子と炭素原子の組成比からなる前記薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

本発明は、キャリアガス（２）と液体複合物（３）または溶液とを蒸発チャンバ（４）に導入するための装置（１）に関し、当該装置（１）は、少なくとも−上記複合物または上記溶液（３）の吸入のための第１注入口（８）と、−キャリアガス（２）の吸入のための第２注入口（９）と、注入器（１４）の注入口に接続される排出口（１３）と、を備え、キャリアガスと上記複合物または上記溶液の液滴との混合物が単一の注入器の排出口（１４）を介して蒸発チャンバ（４）に周期的に注入される。
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【課題】Ｖ族として窒素を含むIII−Ｖ化合物半導体を成長するためのプロセスウインドウを広げることが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】Ｖ族として窒素および他の元素を含むIII−Ｖ化合物半導体層を成長する方法では、III−Ｖ化合物半導体層を成長するための有機窒素原料Ｇ４をヒータ５９を用いて加熱して、有機窒素原料Ｇ４の少なくとも一部分を分解させる。有機窒素原料Ｇ４の少なくとも一部分を分解させた後に、分解された原料を有機金属気相成長炉５１の反応室５７に供給してIII−Ｖ化合物半導体層を基板Ｗ上に成長する。有機窒素原料は、ジメチルヒドラジン、モノメチルヒドラジン、およびターシャリブチルヒドラジンの少なくともいずれかを含む。 （もっと読む）

【課題】
従来のプラズマ処理装置においては、複数種のガスを導入することによりプラズマ処理を行う場合、複数ガスの混合のためにミキシングボックスが設けられており、ガス導入配管の構成が複雑になるといった問題がある。
【解決手段】
本発明においては、反応ガスと比較して希釈ガスの流量が多い場合に、希釈ガス供給部とプラズマ処理反応容器を接続する希釈ガス導入管の一部に、反応ガス導入管を接続することにより、希釈ガス導入管内において希釈ガスと反応ガスを十分に混合することができ、かつ、ガス供給配管をより簡易な構成とすることができる。
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複数種の前駆体を製造ツールへとディスペンスする装置は、相互接続された複数のサブマニホールドを有した流体マニホールドと、各々のタンクが別々の前駆体を収容した複数のタンクとを含み、先のサブマニホールドの各々が、先のタンクのうちの１つへと接続されている。複数種の前駆体を製造ツールへとディスペンスするシステムは、流体マニホールド及び複数のタンクを有し、各々のタンクが、別々の前駆体を収容し且つ先の流体マニホールドの別々のサブマニホールドへと接続されており、先の複数のサブマニホールドが相互接続されている複数種の前駆体のディスペンサと、複数のキャニスタを有し、各々のキャニスタが別々の前駆体を収容している製造ツール流体プロセッサとを含み、第１ディスペンサタンクは同じ前駆体を有した第１ツールキャニスタと通じており、第２ディスペンサタンクは同じ前駆体を有した第２ツールキャニスタと通じている。関連したシステムの方法も、ここに記載されている。 （もっと読む）

気体を活性化し且つ解離する方法及び装置は、室１０８内に配置されたプラズマ１３２により活性化した気体１３４を発生させるステップを含む。活性化した気体が気体の供給口により導入された下流気体の解離を促進することを可能にし、解離した下流気体１５２が室の内面と実質的に反応しないようにするため、下流気体の供給口１７６は、室の出口１７２に対して配置されている。
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【課題】化学的気相成膜法により特に、ガラス基板等にSiO₂膜、ITO膜(透明導電膜)、SnO₂ (ATO,FTO)膜、酸化マグネシウム(MgO)膜、酸化亜鉛 (ZnO) 膜などの薄膜生成過程において、その膜厚を均一なものにするとともに、成膜装置の大型化に適用することを可能とした成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】原料ガスを成膜室に配置した基板の表面に沿って流動させ、原料ガスを成膜室の手前上流側で混合し、成膜室の入口開口全面から供給する化学的気相成膜方法、及びサセプター13と基板の厚み分の凹部30に保持されてサセプタ表面と同一平面を形成する基板18と、成膜室入口端部に連接して開口された混合室15とを備え、成膜室の基板上の空間は極薄型の直方体状の空間であり、混合室には，原料ガス供給管が接続され、混合室の成膜室側端部の幅は成膜室17入口開口の幅と同等またはそれより広い幅を有する化学的気相成膜装置10である。 （もっと読む）

反応槽（２）、少なくとも一つの種（９）のための支持手段（３）、少なくとも一つの反応ガスのための吸気手段（５０、５１、５２）燃焼ガスのための吸気手段（５０、５１、５２）、および前記燃焼ガスの間に燃焼を誘発する手段から構成される、基材上に結晶を成長させるためのリアクター（１）。反応槽（２）の内部（２０）に設置された種（９）上の結晶成長は、少なくとも一つのガスを反応槽（２）に導入し、燃焼ガスを反応槽（２）に導入し、燃焼ガスの間に燃焼を誘発し、および前記種（９）の上に生成した材料を堆積するステップから構成される。 （もっと読む）