【課題】リアクター部への前駆物質の供給、特に有機金属化合物の供給に関係する改良された方法と装置を提供する。
【解決手段】有機金属化合物などの前駆物質を、バブラー１のようなバルク容器から複数のリアクター部１２、１４、１６、１８、２０へバルク供給するための方法および装置であって、前駆物質を取り込んでガス状混合物を作るためにキャリヤーガス２が前駆物質の容器１に導入される。このガス状混合物は、次に、複数のリアクター部１２、１４、１６、１８、２０に選択的に供給される。ガス状混合物は貯蔵部９に貯蔵され、必要とされる時に、圧力差または真空により各リアクター部に引き出される。 （もっと読む）

【課題】薄膜蒸着システム及び薄膜蒸着方法を提供する。
【解決手段】薄膜蒸着システムは、原料物質を提供する原料物質供給部２１０と、前記原料物質供給部に連結されて、前記原料物質供給部から原料物質を受け取って気化させる気化器２３１が設けられた原料ガス供給部２３０と、前記原料ガス供給部に連結されて、気化された原料物質を受け取って被処理物上に薄膜を蒸着する薄膜蒸着装置１００と、一端が前記気化器に連結されて、前記気化器の内部を排気する気化器排気ユニット３００と、前記気化器排気ユニットに連結されるように設けられて、前記気化器排気ユニットの圧力を調節することによって、前記気化器の内部に供給された原料物質の流速を制御する圧力調節部３５０と、を含む。 （もっと読む）

固体前駆体送出組立体（２００）は、概して、上部および下部を有する容器（２０２）と、入口チャンバ（２３８）、出口チャンバ（２４４）、ならびに第１の前駆体チャンバおよび第２の前駆体チャンバ（２４０、２４２）を含む容器内に画定される複数のチャンバを備える。第１の前駆体チャンバおよび第２の前駆体チャンバは、容器内に前駆体物質を保持するように構成される。焼結フリット（２４８、２５０、２５２）は、容器の内部部分に固定結合および封止され、容器内の複数のチャンバの少なくとも一部を画定する。焼結フリットのうちの少なくとも１つは、第１の前駆体チャンバ内で前駆体物質を上に保持するように構成され、焼結フリットのうちの少なくとも１つは、第２の前駆体チャンバ内で前駆体物質を上に保持するように構成される。入口（２０６）は、搬送ガスを容器に送出するために容器に結合され、出口（２０８）は、気化した前駆体物質および搬送ガスを容器から取り出すのに用いるために容器に結合される。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの発生を停止した際の気化器内における液体原料の残留を抑制し、液体原料供給経路内の洗浄を容易に行うことが可能な気化器を提供する。
【解決手段】気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔは、液体原料を気化する気化室５１ｓ，５１ｂ，５１ｔと、気化室内を加熱するヒータ６１ｓ，６１ｂ，６１ｔと、液体原料を気化室内に噴霧させる噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔと、噴霧ノズル内へのキャリアガス、液体原料および溶媒の供給を制御するバルブと、を有し、該バルブは噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔに直結されている。 （もっと読む）

【課題】常圧下で窒化源を用いたＩＩＩ−Ｖ族半導体薄膜の結晶成長を行う窒化物薄膜成膜装置において、ガスの流量を維持しつつ、成膜されるシリコン窒化膜の膜厚を均一にすることができる窒化物薄膜成膜装置を提供する
【解決手段】基板１０の表面に、常圧下において窒化源を用いてＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体薄膜を成膜するためのシランガスとアンモニアガスとを含むガスを供給源としてシリコン窒化膜を成膜する窒化物薄膜成膜装置１００であって、基板が載置されるサセプタ１２ａと、サセプタを下面から加熱するヒータ１３と、サセプタの上面の前記ヒータによる均熱領域内に、基板の上流側に設けた基板の上面より高さが高い石英製のリング（障壁部材）１１とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えば５００℃以上７００℃以下の低温において、原子状酸素Ｏの濃度をウエハ積層方向に渡りコントロールし、酸化膜の膜厚分布をウエハ積層方向に渡り均等化する。
【解決手段】処理室内の複数枚の基板が配列される基板配列領域の一端側から酸素含有ガスと水素含有ガスとを混合部を介して供給してその他端側に向かって流すと共に、処理室内の基板配列領域に対応する途中の複数箇所から水素含有ガスを供給して他端側に向かって流すことで複数枚の基板を酸化処理する工程を有し、混合部内で酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて原子状酸素を含む酸化種を生成させ、酸化種を混合部内から処理室内に噴出させる噴出口の位置にて酸化種の濃度が最大となるようにする。 （もっと読む）

【課題】原料溶液を気化して反応室に供給する気化器を備えた溶液気化型のＣＶＤ装置及びＣＶＤ装置の操作方法に関する技術であって、装置の休止中に原料溶液が配管に漏れ出す等して気化器のノズル詰まりが生じるのを防止し、原料溶液の安定供給とメンテナンスの低減を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】原料溶液を噴霧用ガスと合流させてから気化器５０に導入する溶液気化型のＣＶＤ装置１００において、原料溶液輸送管３０における原料溶液供給部１０との連結点及び溶媒供給部２０との連結点より下流側であって、ガス輸送管４０との合流点より上流側にストップバルブＶＥを設け、このストップバルブＶＥより上流を溶媒で充填可能とする。 （もっと読む）

【課題】配管昇温時の無駄なエネルギーを排除し、効率よく昇温させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理容器と、前記処理容器内にガスを供給するガス供給系と、前記処理容器内に排気する排気系と、前記処理容器、前記ガス供給系および前記排気系の接ガス部分を加熱する複数の加熱部と、前記複数の加熱部のうち最も昇温時間の長い加熱部の昇温が完了する時間に昇温が完了するように他の加熱部の昇温開始時間を設定する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】不純物窒素が高い精度で面内に均一にドーピングされた、しかも広い面積の炭化珪素半導体を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長を利用して炭化珪素の結晶を成長させつつその内部に窒素をドーピングする炭化珪素半導体の製造方法であって、窒素源として供給する窒素化合物のガスを炭化珪素の結晶が形成される基板上に導入する前に、予め熱分解させておくための予備加熱ステップを有していることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。前記予備加熱ステップは、前記窒素化合物のガスを、１３００℃以上の部屋内を流すステップであることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持するサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉、反応炉へ原料ガスを供給する原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、半導体の膜厚分布の均一性、反応速度の向上を図ることが可能なIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 原料ガス導入部が、アンモニア、有機金属化合物、及びキャリアガスの３種を任意の割合で混合してなる混合ガスを噴出できる第一の混合ガス噴出口と、アンモニア、有機金属化合物、及びキャリアガスから選択される２種または３種を任意の割合で混合してなる混合ガスを噴出できる第二の混合ガス噴出口を備えてなるIII族窒化物半導体の気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に第１の金属元素および第２の金属元素を含む第３の金属酸化膜を形成する際に、第３の金属酸化膜の膜厚方向における組成の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内２０２で、基板２００に対し、第１の金属元素を含む第１の金属酸化膜を形成する工程と、第２の金属元素を含む第２の金属酸化膜を形成する工程と、を交互に複数回繰り返すことで、基板上に前記第１の金属元素および前記第２の金属元素を含む所定組成の第３の金属酸化膜を形成する工程を有し、第３の金属酸化膜を構成する第１の金属元素および第２の金属元素のうち組成比の大きい方の金属元素を含む金属酸化膜をＣＶＤモードもしくはＡＬＤ飽和モードにて形成し、組成比の小さい方の金属元素を含む金属酸化膜をＡＬＤ非飽和モードにて形成する。 （もっと読む）

【課題】ガスライン圧力を適正に校正する機構により原料ガス供給量を制御し、成長速度、或いは組成比変動による歩留低下を抑制することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】流量制御部１０の制御により、キャリアガス流量×原料ガス濃度／（１−原料ガス濃度）が一定となるように、バブリングマスフローコントローラー６によりキャリアガス１５の流量を制御することにより、原料ガスの濃度を一定に保つ。 （もっと読む）

インライン堆積システムにおいて有機材料層を基板上に形成する方法であって、有機材料は、所定の一定でない堆積レートプロファイルで堆積される。該プロファイルは、所定の第１平均堆積レートで有機材料層の少なくとも第１単分子層を堆積するために用意した所定の第１堆積レート範囲と、所定の第２平均堆積レートで有機材料層の少なくとも第２単分子層を堆積するために用意した所定の第２堆積レート範囲とを含む。インジェクタの開口を経由した有機材料の注入は、所定の堆積レートプロファイルを実現するために制御される。
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【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】原料容器内のガスあるいは原料容器内の液体原料を気化したガスにより処理容器内の基板に対して成膜処理を行い、成膜処理の回数が予め設定した回数に達したときにクリーニングガスにより処理容器内をクリーニング処理するガス処理装置において、原料容器の交換による当該ガス処理装置の処理効率の低下を防ぐこと。
【解決手段】クリーニング処理を終了した後、次のクリーニング処理に至るまでのガスの予測消費量を、使用する処理レシピと成膜処理の回数とに基づいてガスの種類毎に算出する手段と、前記残量とガスの予測消費量とに基づいて次のクリーニング処理時に至るまでに原料容器が空になるか否かを判断する手段と、原料容器が空になると判断されたときにはアラームを発生する手段と、を備えている。従って、このアラームに基づいて原料容器が空になるタイミングを知ることができる。 （もっと読む）

【課題】反応ガスの混合性の向上及び被処理基板上のガス濃度分布の均一化を実現する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、反応炉１内の被処理基板３を載置する基板保持部材４に対向して配置され、被処理基板３に対し第一ガスを供給するシャワープレート２０Ａと、シャワープレート２０Ａにおける基板保持部材４と反対側に配置され、被処理基板４に対し第二ガスを供給するシャワープレート２０Ｂとを備え、シャワープレート２０Ａには、第一ガス流路Ｈ３が形成され、シャワープレート２０Ｂは、基板保持部材４側に突出し、第一ガス流路Ｈ３内部に挿入された第二ガス供給管２３ｂを有し、第一ガス流路Ｈ３のガス出口２２ｃは、第二ガス供給管２３ｂのガス出口２２ｃよりも基板保持部材４側に配され、第二ガス供給管２３ｂの外壁が、第一ガス流路Ｈ３の内壁に接触し、第二ガス供給管２３ｂ内の第二ガスは、第一ガス流路Ｈ３内の第一ガスに対し平行に流れている。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の処理室内に渦流やガス溜りが形成されるのを防止する。
【解決手段】処理容器１０の処理室１０ａ内に支持部２１を設け、この支持部２１にて被処理物９を支持する。処理ガス供給系６０によって処理ガスを被処理物９に供給する。排気系７０によって、処理室１０ａ内のガスを排出する。排気系７０の排気孔７１を被処理物９と直交する方向から見て被処理物９（処理領域）を囲むように環状に分布させて設ける。 （もっと読む）

化学気相成長反応器１０用の流入口要素２２は、反応器の上流から下流への方向に対して横切る面において互いに並んで延在する、複数の細長い管状の要素６４、６５から形成される。管状の要素は、ガスを下流方向に放出する入口を有する。ウェハキャリア１４は、上流から下流への軸を中心に回転する。ガス分配要素は、軸を通って延在する中央面１０８に対して非対称であるガス分布パターンを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板及び半導体膜の形成された基板における基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面に形成されたシリコン膜の膜質を改善するための基板処理方法であって、触媒反応部内に、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを導入し、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを触媒と接触させることによりＨ_２Ｏガスを生成し、Ｈ_２Ｏガスをシリコン膜に対し噴出させることにより、シリコン膜の膜質を改善することを特徴とする基板処理方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ガス供給システム１００を構成する部品点数を削減し、小型化及び低コスト化が実現可能なガス供給システム１００を提供する。
【解決手段】複数種のガスを選択的にチャンバ２００内に供給するガス供給システム１００であって、流量を測定する流量測定部２、及び流量測定部２からの流量測定信号に基づいて制御される流量制御弁３が設けられるメイン流路４と、チャンバ２００内に同時に供給しない複数のガス種毎に対応して設けられ、メイン流路４に並列接続される複数のサブ流路５と、サブ流路５毎に設けられ、メイン流路４を流れるガスを切り替える切替機構６と、を有する。 （もっと読む）