【課題】ＧａＮ系半導体のエピタキシャル成長において、良質の結晶を得るための最適化されたガス組成や成長条件を実現することができる化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】１つの円周上に配置された複数のサセプタ７と、サセプタ７に向けて反応ガスを供給するための複数のガス通路と、サセプタ７を加熱するための加熱手段とを有する化学気相成長装置において、加熱手段を、円環状の光源３０と、光源３０が発する光をサセプタに集光するための円環状の反射鏡３２ａ、３３ａとから構成する。 （もっと読む）

【課題】 多元系金属酸化物膜を形成するに際して、含有元素の組成比や膜厚等の再現性を向上させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 複数の有機金属原料を気化させて発生した有機金属原料ガスを真空引き可能になされた処理容器４内へ供給し、被処理体Ｗの表面に多元系金属酸化物膜を形成するようにした成膜方法において、前記被処理体に対する成膜処理を開始する直前に、前記処理容器４内にダミー被処理体を搬入して前記有機金属原料ガスを流すことにより少なくとも３回分相当のダミー成膜処理を行うようにする。これにより、多元系金属酸化物膜を形成するに際して、含有元素の組成比や膜厚等の再現性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

配線パターンやレジストパターンを直接基板上に描写する手段と、成膜やエッチングなどの気相プロセスを大気圧または大気圧近傍下で局地的に行なう手段を適用することにより、製造ラインの省スペース化、効率化、材料の利用効率の向上、さらには作製費用の削減を実現する。
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【課題】 加熱効率が良く、温度分布の均一性の良い、高精度で安価な基板保持具、このような基板保持具を用いた基板搬送方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 被加熱基板１は被加熱基板１の外径より小さい径の開口部２ａと被加熱基板１の外径より大きい径の段差部２ｂとを有する基板保持部材２の段差部２ｂに載置され、基板保持部材２は係止部３ａを介して成膜装置（不図示）に整合される整合部材３により保持され、被加熱基板１は成膜装置の熱源１０に対向して配置される。被加熱基板１の背面には均熱部材４が接触して載置される。整合部材３は基板保持部材２の外周を囲むように形成された壁部３ｗを有し、壁部３ｗは熱源１０からの放射熱を包囲、反射して、基板保持具（基板保持部材２、整合部材３）から外部へ放出される放射熱を低減する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な部材を追加するだけでサセプタの加熱量を調節することができ、サセプタを介して基板を均一に加熱することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 気相原料が供給されるフローライナー１１内にサセプタ１２の表面に支持した基板１３を配置し、サセプタの裏面に配置したヒーター１５により前記サセプタを加熱し、サセプタを介して前記基板を設定温度に加熱するとともに、前記フローライナー内に気相原料を供給して基板上に薄膜を堆積させる気相成長装置において、前記サセプタと前記ヒーターとの間に、前記ヒーターから前記サセプタへの熱輻射を遮断するための熱量調節部材１９を部分的に配置する。 （もっと読む）

コストアップを抑制しつつ良好な耐圧強度を発揮する耐圧構造体を提供する。ウエハＷが配置される第一空間９３と、ヒータ８１、８２が設置された第二空間９４と、第一空間９３と第二空間９４とに仕切る仕切パネル９５を備え、仕切パネル９５は内部が中空の中空体９６と、少なくとも第二空間９４側の部分には固着しない状態で中空体９６の中空部内に収容された耐圧支持体９７とから構成され、中空体９６の中空部は第一空間９３の圧力よりも低圧に減圧されている。中空体９６の第一空間９３に接する上側壁９６ａにも上側壁９６ａを耐圧支持体９７の上面に押接する力Ｆｃが作用するので、中空体９６は耐圧支持体９７で補強され、仕切パネル９５は所期の耐圧強度を発揮する。 （もっと読む）

【課題】 処理対象となる半導体ウェハ（基板）の面内温度分布の均一性が向上されるサセプタを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 サセプタ２２上面のウェハ保持エリア５０において、ウェハＷとウェハ加熱面５２との間に所定距離の隙間を生じるようにウェハ支持部５４でウェハＷを支持する。さらに、ウェハ加熱面５２上に、ウェハＷとの隙間の距離が小さくなる凸部５８を設ける。このとき、サセプタ２２からウェハＷへの加熱条件がウェハ保持エリア５０の各部位での隙間の距離によって調整され、これによって、ウェハＷ面内での温度分布の均一性、及び成膜される膜厚分布の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）