【課題】熱放射ランプの出力調節では十分にできない局所的な温度分布を解消する調整方法により、均一な厚さの、欠陥の少ない良好なエピタキシャルウェーハを製造する。
【解決手段】ハロゲンランプ等のような放射熱によりサセプターを加熱してその上に載置される基板となるシリコンウェーハを加熱するエピタキシャルウェーハ製造方法において、該サセプターを回転支持する回転軸を囲うように配置された円筒状のリフレクターの形状を変更することにより、局所的な温度調整をすることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

基板を処理するための装置は、プロセシングチャンバならびにチャンバ内に配置された基板支持部およびリフトピンアセンブリを備える。基板支持部およびリフトピンを設置することを制御し、基板支持部の回転を与えるリフト機構に、基板支持部およびリフトピンアセンブリを連結する。リフト機構は、基板支持部とリフトピンとの間のクリアランスが基板支持部の回転を始めることを許容するときに信号を発生することが可能な少なくとも１つのセンサを含む。同時の軸方向の動作および回転が可能な基板支持部を、端部リングによって分離された複数のプロセシングゾーンを備えるプロセシングチャンバ内で使用することができる。基板は、複数のプロセシングゾーン間を動かすことによって連続するプロセスまたは周期的なプロセスを受けることができる。
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【課題】 本発明は被処理体が載置される載置部材に酸化物が堆積しても、ある程度の量となるまで問題を生じることなく使用できる成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 載置台１２ａのカバープレート６２上にウェハＷを載置する。カバープレート６２はウェハＷが載置されたときにウェハＷの外周に沿って延在する環状の溝よりなる凹部６２ａを有する。凹部６２ａの内周は載置領域の外周と同じ、又は外周より小さい。また、カバープレート６２の載置領域の外側部分を覆うガイドリング６４が設けられ、ガイドリング６４の内周は、カバープレート６２の凹部６２ａの外周と同じか、外周より小さい。 （もっと読む）

【課題】Ａｓを含むシリコン単結晶基板にエピタキシャル膜を形成したエピタキシャルシリコンウェーハの周縁領域の抵抗率均一性を向上させ、効率的にデバイスの形成が可能なエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ上にエピタキシャル膜を形成する際に、シラン化合物と水素ガスからなる供給ガスを毎分５０リットル以上流し、かつウェーハを１０８０℃以上、１１００℃以下の温度範囲になるように加熱することにより、形成されたエピタキシャルシリコンウェーハの周縁領域のエピタキシャル層内の抵抗率特性が大幅に改善される。 （もっと読む）

【課題】反応ガスの濃度分布を改善できる気相成長装置を提供すること。
【解決手段】内部で半導体ウェーハＷの主表面にエピタキシャル層ＥＰを成長させる反応容器と、シリコンソースとキャリアガスとを含む反応ガスを、前記半導体ウェーハＷの主表面に沿って該主表面に供給可能な第一のガス供給管３３１と、シリコンソースとキャリアガスとドーパントガスとのうち少なくとも一つを含むガスを、前記半導体ウェーハＷの主表面に沿って該主表面に供給可能な第二のガス供給管３３２と、を備え、前記第一のガス供給管３３１から供給される前記反応ガスの供給方向と前記第二のガス供給管３３２から供給される前記ガスの供給方向とのなす角度が３０〜１２０度であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで短時間に均一な膜厚のエピタキシャル膜を得ることを可能とする。
【解決手段】チャンバと、ガス流を横断する方向に設けられた開度調節可能な複数のバッフル孔を有するバッフルと、各バッフル孔の開度を調節する開度調節手段と、チャンバ内に投入されたウェーハの温度を検出する温度検出手段と、開度調節手段におけるバッフル孔の開度から算出されたチャンバ内のガス流量と温度検出手段により検出されたウェーハ温度とをパラメータとして入力し、予め定められたシミュレーションモデルにしたがってエピタキシャル膜が最も均一となるときのバッフル孔の開度の最適状態を求め、これを開度調節手段に出力する制御手段と、を有してなる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の凹部が逆テーパ形状やオーバーハング形状を有する場合においても、埋め込み性や膜質の劣化を抑制しつつ、埋め込み絶縁膜の応力を低減することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上にトレンチ５を形成し、熱ＣＶＤ法を用いることで、トレンチ５内の一部を埋め込む埋め込み絶縁膜６を半導体基板１上に成膜し、埋め込み絶縁膜６の成膜時よりも高い温度にて埋め込み絶縁膜６を熱処理した後、熱ＣＶＤ法を用いることで、トレンチ５内の一部を埋め込む埋め込み絶縁膜７を埋め込み絶縁膜６上に成膜し、埋め込み絶縁膜７の成膜時よりも高い温度にて埋め込み絶縁膜７を熱処理した後、熱ＣＶＤ法を用いることで、トレンチ５内を完全に埋め込む埋め込み絶縁膜を埋め込み絶縁膜７上に成膜し、埋め込み絶縁膜の成膜時よりも高い温度にて埋め込み絶縁膜を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハとサセプタとの間のスティッキングの発生を防止しつつ、ウェーハ載置部の外周部に設けられた当接部とウェーハとが当接した際に、ウェーハのテーパー加工の違いによらずウェーハ載置部の内周面とウェーハ外周縁との距離が一定となるようなサセプタを提供すること。
【解決手段】半導体ウェーハ８を載置する円形凹状のウェーハ載置部７を上面に有し、ウェーハ載置部７に載置された半導体ウェーハ８の外周部に対して、実質的に点接触又はウェーハ載置部７の深さ方向に延びる線に沿って線接触した状態で当接可能に形成された当接部９が、ウェーハ載置部７の外周部に沿って少なくとも３箇所設けられており、ウェーハ載置部７を平面視した場合に、ウェーハ載置部７の任意の直径で分けられる２つの領域のそれぞれに当接部９が少なくとも１つ含まれ、当接部９の高さが半導体ウェーハ８の厚さの１／２〜１倍であるサセプタを使用する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハが載置されていないサセプタの上面での反応ガスの消費を抑制することでエピタキシャル層の厚さを均一にすること。
【解決手段】本発明の気相成長装置用のサセプタ２は、半導体ウェーハＷを載置する少なくとも一つの凹状のウェーハ載置部を上面に有する気相成長装置用のサセプタ２であって、半導体ウェーハＷの主表面にエピタキシャル層ＥＰを成長させる反応ガスと反応しない非エピタキシャル成長領域２２が前記サセプタ２の上面に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハの裏面の歪みを低減させるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウェーハＷを載置する凹状のウェーハ載置部２１を上面に有する気相成長装置用のサセプタ２を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法であって、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に酸化膜Ｏｘを形成させる酸化膜形成工程と、酸化膜形成工程を経た後、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２を下側にして、半導体ウェーハＷをウェーハ載置部２１に載置するウェーハ載置工程と、ウェーハ載置工程を経た後、半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】加熱温度の制御性に優れた加熱装置および半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置は、光放射加熱用ヒータとしての加熱ランプ５６と、加熱ランプ５６を冷却する冷却部材（冷却ベース５１、被覆層５５、下地被覆層、配管６１、温度センサ６２、熱交換器６３、ポンプ６４、制御部６５、冷却媒体６６からなる冷却機構部）とを備える。加熱ランプ５６の外周表面の少なくとも一部は冷却部材（冷却機構部）と接触している。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長の際、最外周付近におけるエピタキシャル層の厚さ（あるいはエピタキシャル層のロールオフ、ＺＤＤ）を任意に制御してエピタキシャルウエーハを製造することができる方法を提供する。
【解決手段】被処理ウエーハ上に原料ガスおよびキャリアガスを供給してエピタキシャル層を気相成長させることによりエピタキシャルウエーハを製造する方法において、
前記供給するキャリアガスの流量を制御することにより、前記被処理ウエーハの周辺部に形成されるエピタキシャル層の厚さを制御するエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】温度変更を迅速に行なうことが可能な気相成長装置および当該気相成長装置を用いた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、処理室４と、サセプタ２と、ヒータ５と、壁部冷却部材５２と、反応ガス供給部材９とを備える。サセプタ２は、処理室４の内部に表面が露出し、当該表面に基板８を搭載する。ヒータ５は、サセプタ２を加熱する。壁部冷却部材５２は、処理室４の壁面を冷却する。反応ガス供給部材９は、処理室４の内部に反応ガスを供給する。ヒータ５の昇温速度は１００℃／分以上であり、かつ、投入可能最大熱量は１０ｋＷ以上である。壁部冷却部材５２の冷却能力はヒータ５の投入可能最大熱量より大きい。反応ガス供給部材９は、水素ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれか一方を含むガスを処理室４の内部に１００ｓｃｃｍ以上の流量で供給可能である。サセプタ２の熱容量は５０Ｊ／Ｋ以上５００Ｊ／Ｋ以下である。ヒータ５の熱容量は１０Ｊ／Ｋ以上１００Ｊ／Ｋ以下である。 （もっと読む）

【課題】回折格子を被測定体に設けることによって、金属汚染を生ずることなく、温度の測定精度を大幅に向上させることが可能な温度測定装置を提供する。
【解決手段】被測定体４２の温度を測定する温度測定装置５０において、被測定体に形成した回折格子６８と、温度測定用の測定光Ｌ１を発生する発光部７５と、測定光を回折格子まで導く第１の光導波路７０Ａ−１（７０）と、回折格子からの回折光を導く第２の光導波路７０Ａ−２（７０）と、第２の光導波路により導かれた回折光を受けて周波数を分析する周波数分析部７８と、周波数分析部の出力に基づいて被測定体の温度を求める温度分析部８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ表面にエピタキシャル膜を均一な膜厚分布で成膜することが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】成膜室１８のガス噴出口１１の近傍には、半導体ウェーハ１０の外周縁の外側を加熱する副加熱手段７が形成されている。この副加熱手段７は、例えばサセプタ９の周縁に対して所定の間隔を開けて、サセプタ９を取り巻くように配されたリング状の発熱媒体である。発熱媒体としては、例えば、電磁波を発生させるコイルと、このコイルの近傍に配された金属との組み合わせによる電磁誘導加熱、あるいは、ニクロム線などの抵抗加熱などであればよい。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置において、サセプタの外周側に配置されるランプの寿命が短くならないようにする。
【解決手段】複数のランプ５０は円環状に配置された複数の円配列５１〜５３を構成すると共に、複数の円配列５１〜５３がサセプタ４０の中心軸を中心に同心円状に配置されている。また、複数のランプ５０それぞれは、サセプタ４０の中心軸に垂直な面に平行に配置され、一端部５０ａが他端部５０ｂよりもサセプタ４０の中心軸側に配置されている。そして、複数の円配列５１〜５３それぞれにおいて、各ランプ５０は、サセプタ４０の中心軸とランプ５０の一端部５０ａとを通ると共にサセプタ４０の中心軸に垂直な方向に延びる直線７０に対し、他端部５０ｂ側が同一方向および同一角度にそれぞれ傾けられている。 （もっと読む）

複合窒化物半導体デバイスを作製するための処理システムの一実施形態は、複合窒化物半導体層を基板上に形成する１つ以上の処理チャンバと、処理チャンバに連結された搬送チャンバと、搬送チャンバに連結されたロードロックチャンバと、ロードロックチャンバに連結されたロードステーションとを備え、ロードステーションは、１枚以上の基板を積載したキャリアプレートをロードロックチャンバ内へと運ぶための可動性のコンベヤトレイを備える。単一チャンバのリアクタと比較すると、このマルチチャンバ処理システムは複合構造の潜在的な複雑性及び多様性を発展させるものである。加えて、このシステムは、個々のチャンバを特定のエピタキシャル成長処理に合わせて特別仕様とすることによってより高い質と歩留まりを達成することができる。スループットは、複数のチャンバにおける同時処理によって上昇する。
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本発明の実施形態は概して、基板上への化学気相蒸着（ＣＶＤ）のための方法及び装置、特には有機金属化学気相蒸着における使用のための処理チャンバ及び部品に関する。本装置は、処理容積を画成するチャンバ本体を備える。第１平面のシャワーヘッドが、処理容積の上部を画成する。第２平面のキャリアプレートが処理容積を横断して延び、シャワーヘッドとサセプタプレートとの間に上方処理容積を形成する。第３平面の透明材が処理容積の底部を画成し、キャリアプレートとの間で下方処理容積を形成する。複数のランプが、透明材の下に位置する１つ以上のゾーンを形成する。本装置は、より大型の基板全体で温度を均一に維持しながらも均等な前駆体流れと前駆体の混合をもたらし、これに対応してスループットが上昇する。
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【課題】 酸素濃度及びアルゴン濃度が制御され、且つ密閉された雰囲気下で、強誘電体膜の熱処理工程を実施することができる半導体装置の製造方法及び熱処理装置を提供する。
【解決手段】 部材が挿入でき、且つ減圧可能である熱処理室と、熱処理室に設けられた、熱処理室内への気体導入及び気体排気が可能である開口と、熱処理室内における気体の圧力を検出し、圧力に関する検出情報を出力する検出部と、熱処置室内の部材を加熱する加熱部と、開口による熱処理室内の気体排気を可能にする制御と、熱処理室内の密閉、開口による熱処理室内の気体導入、及び加熱部による部材の加熱を検出情報に基づいて行う制御と、を行う制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 載置台における温度分布の面内均一性を高く保持して処理の面内均一性を向上させることが可能な枚葉式の処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器３６内に設けられた薄板状の載置台５８にリフトピン７０を昇降させることによって被処理体Ｗを載置し、前記載置台をその下方に配置した加熱ランプ１０８により加熱することにより前記被処理体を間接的に加熱して所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、前記被処理体の周辺のエッジ部を支持できるように前記リフトピンを配置すると共に、前記載置台には前記エッジ部に対応する部分に前記昇降するリフトピンを通すためのピン挿通部６０が形成される。これにより、ピン挿通部を通過する加熱ランプからの照射光が載置台の加熱温度の分布特性に与える悪影響を大幅に抑制する。 （もっと読む）