【課題】薄膜中への不純物の取り込みを抑制し、膜質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室内にハロゲン含有ガスを供給するハロゲン含有ガス供給工程と、処理室内にハロゲン含有ガスとは異なる原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で原料ガスの活性種を生成する原料ガス活性種生成工程と、を有し、原料ガスの活性種とハロゲン含有ガスとを反応させて基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、処理室内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で水素含有ガスの活性種を生成する水素活性種生成工程と、を有し、水素含有ガスの活性種と、基板上に形成した薄膜中のハロゲン元素と、を反応させて基板上に形成した薄膜を改質する薄膜改質工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】薄膜への不純物の混入をできるだけ防止し得る薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内に設けられて薄膜を形成するための基板Ｋを水平面内で回転させる回転ステージ２と、真空容器１内の基板に２種類の原料ガスの超音速分子線Ｍを略９０度の交差角でもって供給する第１及び第２分子線発生装置4A，4Bと、超音速分子線Ｍにそれぞれ励起用のレーザ光Ｒ１を照射する第１及び第２レーザ照射装置5A，5Bと、回転ステージ２の基板Ｋ表面の前方位置に配置されて各超音速分子線Ｍの交差領域に生成した反応生成物を選択し通過させるためのピンホール3aが形成された生成物選択部材３とから構成すると共に、予め検出されている反応生成物の散乱角を入力して反応生成物が生成物選択部材３のピンホール3aを通過するように回転ステージ２の回転位置を制御するようにしたもの。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーが制御された電子を大量に照射することが可能な電子線照射装置を提供する。
【解決手段】 電子線照射装置１は、１次電子を取り出す電子線出射窓１５を備えた電子線源３と、２次電子生成空間Ｓを挟んで電子線源３と対向するように配置された載置台２３と、２次電子生成空間Ｓ中に電子線出射窓１５及び載置台２３に離間して配置されたグリッド電極２９と、を備え、２次電子生成空間Ｓが、ガス雰囲気の下で電子線出射窓１５から取り出された１次電子により２次電子が生成される空間であり、載置台２３は電気的に接地されており、グリッド電極２９が載置台２３及び電子線出射窓１５に対して負電位となっている。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された塗布膜を減圧雰囲気下で熱処理するにあたり、処理室内へのパージガスの供給量が少ない場合でも基板への昇華物の付着を抑制することができる熱処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室２１の天井の中央部に、基板載置台３１と対向するように当該処理室２１にパージガスを導入するためのガス供給ノズル５１を設けて、処理室２１の底部に当該処理室２１内を減圧雰囲気とするための排気口６４ａ、６４ｂを設ける。また、処理室２１の中央部にウエハＷを水平に載置するための基板載置台３１を設けると共に、この基板載置台３１を加熱するヒータ３３を設けて、前記基板載置台３１の外縁から外方に突出し、当該基板載置台３１の周方向に沿って形成されると共に処理室２１の底面との間に空間を形成する整流部３４を設ける。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内の処理空間に対して給排気を行うための給排気構造を有する基板処理装置において、処理チャンバから漏洩するＸ線を効果的に減衰させる。
【解決手段】壁面側での孔形成禁止範囲以外にアルゴンガス供給孔２７を形成して漏洩Ｘ線Ｘ２の経路上にチャンバ壁２６が位置し、また壁面対向面側での孔形成禁止範囲以外に供給孔８３２を形成して漏洩Ｘ線Ｘ１の経路上に供給カバー８３１の壁面が位置するように、アルゴンガス供給孔２７および供給孔８３２が配置されている。したがって、処理空間２１内で発生したＸ線は必ず供給カバー壁および／またはチャンバ壁２６を透過し、処理チャンバ２から漏洩するＸ線を効果的に減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来プロセスを大幅に省略でき、微細な直描が可能な製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、材料を貯留するための試料室と、前記材料又は前記材料を前駆体とする化学種を吐出する少なくとも１つのノズルと、前記化学種を発生させる化学種発生部と、を含む製膜装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ層を表層部に備えた金属板よりなる平面状の電子ビーム発生手段を設けることにより、電子ビームを基板面内に亘ってほぼ均一に照射し、高い面内均一性で処理を行うこと。
【解決手段】 気密に形成された処理容器２の内部に、基板例えばウエハＷを保持するための載置台３と、この載置台３と対向するように、前記載置台３と対向する面の表層部にカーボンナノチューブ層４２を備えた金属板４１よりなる平面状の電子ビーム発生手段４を設ける。前記処理容器２内を真空排気しながら、前記金属板４１に負の直流電圧を印加すると、カーボンナノチューブ層４２から高密度の電子が発生し、このカーボンナノチューブ層４２は平面状に構成されていることから、電子ビームはウエハＷ面内に高い均一性で照射され、面内均一性の高い処理を行うことができる。 （もっと読む）