【課題】加熱されるウェハ面内の温度分布の均一性を向上させ、結晶膜を均一に生成させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１と、チャンバ１０１内に収容されるウェハ１０２が載置されるサセプタ１０３を有するホルダ１０４と、ホルダ１０４内に設けられ、ウェハ１０２を裏面から加熱するインヒータ１０５及びアウトヒータ１０６と、インヒータ１０５に対向して設けられた冷却ガスを噴射する送気管１０７と、チャンバ１０１外に設けられた、ウェハ１０２の表面温度を計測する温度計測部１０８とが備えられることを特徴とする。これにより、ウェハ１０２上に生じる、温度分布の誤差部分である温度の特異点の位置を把握することができる。そして、温度の特異点を局所的に冷却することでウェハ１０２面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
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【課題】化合物半導体ウェハに温度歪みによる結晶欠陥を生じさせないための化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び化合物半導体エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】化合物半導体ウェハの表面に、有機金属気相成長法を用いて化合物半導体結晶を成長させる方法において、上記化合物半導体ウェハの外周部の表面温度が、上記化合物半導体ウェハの中心部の表面温度の＋１５℃〜＋３０℃の範囲内となるように面内温度分布を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶の収率を向上することができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびそのＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法により成長させたＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】基板８を保持するためのサセプタ６の表面６ａに対向する対向面１１ａとサセプタの周囲を覆うように配置された側面１１ｂとによって区画される成長室１９を形成し、対向面１１ａ、側面１１ｂ、および対向面と側面との境界からなる群から選択された少なくとも１箇所から原料ガスを成長室１９に導入し、原料ガス中の窒素含有ガスとＩＩＩ族元素のハロゲン化物ガスとの反応による基板８上へのＩＩＩ族窒化物結晶の成長時に対向面１１ａの温度および側面１１ｂの温度をそれぞれサセプタ６の表面６ａに保持された基板８の温度よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの中間反応が低減された結晶成長方法及び結晶成長装置を提供する。
【解決手段】基板を回転軸のまわりに公転させつつ、前記回転軸の側から前記基板の主面に対して略平行な方向に原料ガスおよびキャリアガスを流し、前記原料ガスの熱分解により形成される半導体膜の成長速度が最大となる位置よりも前記基板の中心が前記回転軸の側となるように配置して前記半導体膜を形成することを特徴とする結晶成長方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相エピタキシャル成長法においてアルミニウム系III族窒化物結晶膜を製造するに当たり、より高速で、より欠陥の少ない単結晶からなる結晶膜であって、膜の平坦性が良好な結晶膜を製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】反応容器内でハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応させて、加熱基板２４上にアルミニウム系III族窒化物結晶を成長させる工程を含むアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法において、内部に発熱抵抗体が埋設された窒化アルミニウムと窒化ホウ素との複合焼結体のようなセラミックスからなり加熱機能を有する支持台２３の上に基板２４を保持し、基板２４を、たとえば１１５０℃以上といった高温であって、反応領域における反応容器壁の温度より高い温度に保持して結晶の成長を行う。 （もっと読む）

【課題】簡単な部材を追加するだけで基板の温度を効果的に上げることができ、ヒーター寿命の延長や消費電力の低減を図ることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】フローチャンネル１１内に設置したサセプタ１２に保持した基板１３を、サセプタ１２を介してヒーター１４で加熱するとともに、前記フローチャンネル１１内に原料ガスを供給して基板面に反応生成物を堆積させて薄膜を成長させる気相成長装置において、前記基板面に対向するフローチャンネル１１の壁面に、前記反応生成物よりも熱反射率が高い反射部材１８を設け、基板１３から放射された輻射熱を反射部材で反射して基板１３を再加熱する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンＴＦＴやＳｉＯ_２ゲート絶縁膜等を高圧下で容易に蒸気処理することができる蒸気処理装置及び蒸気処理方法を提供する。
【解決手段】所定の圧力Ｐで被処理物２１を処理するための圧力容器１１と、圧力容器１１内を温度の異なる少なくとも２つの温度領域に制御するための温度制御手段１２とを備えるものであって、圧力容器１１が、所定の温度Ｔ１に設定されて所定の蒸気圧Ｐの下で被処理物２１を処理するための第１領域１３と、第１領域１３よりも低い温度Ｔ２に設定されて前記蒸気圧Ｐと同じ圧力Ｐの下で飽和蒸気を発生させるための第２領域１４とを有するように構成して、上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】基板面内の膜質の均一性が高く、成膜速度も速い、特にＣＶＤ法による半導体薄膜の製造方法と装置を提供すること。
【解決手段】反応炉のチャネルおよびこのチャネルに配置した基板を加熱しながら、チャネルの入り口から反応ガスをキャリアガスとともにチャネル内に導入し，基板上に半導体薄膜を形成する半導体薄膜の製造方法において、反応ガス、または反応ガスとキャリアガスの各一部を、チャネルの入り口から分岐した補助ガス流路に案内し、前記基板の上方部からチャネル内に導入する方法、かつこの方法を実施するよう構成した装置。 （もっと読む）

【課題】ＨＶＰＥ法で膜を成長させる方法において、基板の温度制御を容易にして、工程数を減少できる成膜方法および被成膜基板を提供する。
【解決手段】処理室１１０内の基板保持部１０上に基板１６を支持する工程と、基板１６の下側に配置された加熱部材２０で、基板１６の外周縁１６ａを基板１６の中心部１６ｂより高い温度に加熱する加熱工程と、基板１６上にＨＶＰＥ法により膜を成長させる成膜工程とを備えている。加熱部材２０は、それぞれ独立して温度制御可能な複数のヒータ１４ａ，１４ｂ，１４ｃを有し、加熱工程において、基板１６は複数のヒータ１４ａ，１４ｂ，１４ｃで温度制御することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】処理室内に配置され、温度制御に使用される温度検出手段の着脱を行った場合でも、安定した処理均一性を確保することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室内の温度を検出する熱電対８ａ〜８ｄを収容する保護管８５に位置規制手段を設ける。また、保護管８５は、位置合わせ手段２１を用いて、処理室に対する保護管８５の軸周りの取り付け方向が常に同一方向となるように固定される。これにより、保護管８５内での熱電対８ａ〜８ｄの位置変動量が縮小され、熱電対８ａ〜８ｄを処理室内に再現性よく配置することができる。上記位置規制手段は、例えば、保護管８５内部を軸方向に沿って複数の空間に区分する仕切板９１により構成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの外周部まで均一に加熱することが可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、被処理ウェーハ１が導入される反応室２と、反応室に反応ガスを供給するためのガス供給手段３と、反応室２より反応ガスを排出するためのガス排出手段４と、被処理ウェーハ１を外周部において保持するためのホルダー６と、ホルダー６を介して被処理ウェーハ１を回転させるための回転駆動手段５と、被処理ウェーハ１を下部より加熱するための第１のヒータ７と、ホルダー６下部に設けられる第２のヒータ８と、第２のヒータ８の内周側端部から２〜１５ｍｍ内周側に設置され、輻射熱を遮蔽する遮蔽板１１を備える。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮなどの半導体薄膜成長装置おいて、原料噴射管の開口端付近で固体状のＡｌＮの微粒子が生成しても、この微粒子がそのまま第２フローライナー内の成長領域に流入せず、成長領域での薄膜形成が阻害されないようにする。
【解決手段】原料ガスの一部を流す原料噴射管３と原料ガスの残部を流す原料ガス流路４とが内部に設けられた第１フローライナー１と、上記第１フローライナーに連続する第２フローライナー２と、第２フローライナー２の外周に配された第１加熱部２１および第２加熱部２２を備え、第１加熱部２１は、第２フローライナー２内の第１加熱部２１が位置する解離領域Ａを加熱するものであり、第２加熱部２２は、第２フローライナー２内の第２加熱部２２が位置する成長領域Ｂを加熱するものであり、解離領域Ａの温度が成長領域Ｂの温度よりも高温とされる。これにより解離領域では微粒子が気体に解離される。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ元素を含むIII族窒化物を作製する場合であっても、破損が生じることのない作製装置を提供する。
【解決手段】第１反応管１は、ＡｌＣｌとの反応性が十分に小さい物質、例えばサファイアによって形成する。第１反応ゾーンを１０００℃に、第２反応ゾーンを１２００℃に加熱する。第１反応管１にはＨＣｌを供給し、第２反応管２にはＮＨ₃を供給する。第１反応管１内部では、ＨＣｌと固体源８である固体Ａｌとが反応して、ＡｌＣｌガスが生成する。第１反応管１の内面はサファイアで形成されているので、ＡｌＣｌとは反応しない。ＡｌＣｌは、第２反応ゾーンへと送られる。第２反応管２内部では、ＮＨ₃ガス流が第１反応管１を取り囲むように存在するので、ＡｌＣｌは領域ＲＥ付近でＮＨ₃と直ちに反応し、気体ＡｌＮが生成される。ＡｌＣｌは全て消費されるので、第２反応管２が石英だとしてもこれと反応することはほとんどない。 （もっと読む）

【課題】 ＣＯＰ痕跡の発生を防止し得るエピタキシャル膜の製造法を提供する。
【解決手段】 シリコンウェーハ２を裏面２ｂ側からサセプタ３で支持するとともにシリコンウェーハ２の表面２ａ側及び裏面２ｂ側に表側ヒータ群７及び裏側ヒータ群８をそれぞれ配置し、表側ヒータ群７及び裏側ヒータ群８をそれぞれ、シリコンウェーハ２の表面２ａ及び裏面２ｂにそれぞれ対向する内周部７Ａ、８Ａと内周部７Ａ、８Ａの外側に配置された外周部７Ｂ、８Ｂとに区分し、各ヒータ７Ａ、７Ｂ、８Ａ、８Ｂでシリコンウェーハ２を加熱しながらシリコンウェーハ２の表面２ａにエピタキシャル膜を生成する際に、表側ヒータ群７の内周部７Ａの出力を外周部７Ｂの出力より大きくするとともに、裏側ヒータ群８の内周部８Ａの出力を外周部８Ｂの出力より小さくして、エピタキシャル膜を生成することを特徴とするエピタキシャル膜の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】熟練作業者がいなくても、目標温度で熱処理すべきウェーハ領域の全領域に渡って、短時間かつ正確に誤差の少ない均熱調整を行うことができ、コンピュータシステムにより自動化も可能な温度制御方法を提供する。
【解決手段】所定位置での検出温度をその目標温度とするよう、少なくとも２つの加熱ゾーンを有する加熱装置を制御する温度制御方法であって、前記加熱ゾーンの数よりも多く、且つ各加熱ゾーンにおいて少なくとも一つの所定位置での温度を検出し、検出された複数の所定位置における検出温度と、前記目標温度との差を、縮小するように前記加熱装置を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

基質の上で炭化珪素の結晶を成長させるためのシステムが記載されている。このシステムは軸に沿って延びた室（１）を具備し、該室（１）は炭素を含むガスおよび珪素を含むガスに対する別々の供給装置（２、３）、該室の第１の端の区域（Ｚ１）に配置された基質の支持装置（４）、該支持装置（４）の近傍に配置された排ガス放出装置（５）、および該室（１）を約１８００℃よりも高い温度に加熱するようにつくられた加熱装置を具備し、ここで珪素を含むガスに対する供給装置（２）は、珪素を含むガスが該室の第２の端の区域（Ｚ２）に入るように配置され、またそのような形および寸法をもっており、炭素を含むガスに対する供給装置（３）は、第１の端の区域（Ｚ１）および第２の端の区域（Ｚ２）の両方から遠い所にある該室の中央の区域（ＺＣ）において炭素と珪素とが実質的に接触するように配置され、またそのような形および寸法をもっている。
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不純物の密度を低減し、熱応力なく基板の電気特性の均一性を改善するための、複数のウェハを処理する装置および方法。ウェハは、化学処理され、封止された反応チューブにおいてヒ素過圧下で調整された温度プロフィールによりウェハを加熱するように加熱処理される。温度プロフィールは、封止された反応チューブを含む炉内のそれぞれのゾーンの温度を調整する。ウェハの不純物は、溶解され、ウェハの内部から外部へ外方拡散される。 （もっと読む）

【課題】 従来の装置をプロセス室内の温度分布が均一になるように改善すること。
【解決手段】 本発明は、導電性を有しかつ接触領域（２’、２”、３’、３”）が形成されて相互に突き当たる複数の壁部（１、２、３、４）からなるプロセス室（５）と、プロセス室の壁部（１、２、３、４）を収容し絶縁材料からなるリアクタ筐体（６）と、プロセス室の壁部（１、２、３、４）を取り囲むＲＦ−加熱コイルとを備え、特に結晶膜を特に少なくとも１つの結晶基板上に堆積する装置に関する。リアクタ筐体（６）とプロセス室の壁部（１、２、３、４）との間配置され、導電性を有する材料から一体に形成されかつ体積を有し、ＲＦ−加熱コイル（７）を介して生成されるＲＦ−電磁界によってそこに誘導される渦電流によって加熱され、ＲＦ−電磁界を大幅に減衰させ、プロセス室の壁部（１、２、３、４）を加熱する熱遮蔽管（８）を備える。 （もっと読む）

【課題】 ハウジング５の温度変動に拘わらず、熱処理部６で熱処理される被処理物３の熱処理のばらつきを低減する。
【解決手段】 予め計測したハウジング５および被処理物３の熱処理における温度の相関データに基いて、補正式を求め、温度調節器２は、ハウジング５の温度を、第２の温度センサ１０で検出し、この検出温度に基いて、前記補正式に従って補正値を算出し、この補正値によって、熱処理部６の設定温度および熱処理部６の検出温度の少なくとも一方を補正するようにしている。 （もっと読む）

【課題】短期間で所定の温度に安定させる温度制御を実現することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１０４と、ボート１０２の昇降手段と、ヒータ１０１と、前記処理室１０４内の温度を検出する熱電対１０７と、前記検出温度に基づき、所定の温度制御条件により前記ヒータ１０１を制御するヒータコントローラ１１３と、前記複数の基板１０３の種類および枚数のうち少なくとも一方と、前記検出温度との相関関係に関する情報を予め記憶する記憶手段とを備え、前記ヒータコントローラ１１３は、前記昇降手段により前記ボート１０２に保持された前記複数の基板１０３を前記処理室１０４内に搬送する際に、前記熱電対１０７により検出される処理室１０４内の温度の変化量と前記相関関係に関する情報とに基づいて前記所定の温度制御条件を補正し、該補正後の温度制御条件により前記ヒータ１０１を制御する。 （もっと読む）