【課題】エピタキシャルウェハの裏面に異常成長を発生させることなくエピタキシャル膜の膜厚のばらつきを小さくできるエピタキシャルウェハの製造装置の提供。
【解決手段】サセプタ３１の中央とウェハＷの中央とが略一致する状態でウェハＷを設置してエピタキシャルウェハＷＥを製造する製造装置１に、上端が半球状の略円柱状のセンターロッド３３をサセプタ３１の非載置面３１２側において上下方向に延びるように、かつ、上端がサセプタ３１の中央と点接触する状態で設けた。このため、この点接触部分がセンターロッド３３により吸熱されて温度が低くなる。また、両者を面接触させる場合と比べて、接触による吸熱作用を小さくでき、サセプタ３１中央の局所的な温度低下を招くことがない。 （もっと読む）

【課題】熱放射ランプの出力調節では十分にできない局所的な温度分布を解消する調整方法により、均一な厚さの、欠陥の少ない良好なエピタキシャルウェーハを製造する。
【解決手段】ハロゲンランプ等のような放射熱によりサセプターを加熱してその上に載置される基板となるシリコンウェーハを加熱するエピタキシャルウェーハ製造方法において、該サセプターを回転支持する回転軸を囲うように配置された円筒状のリフレクターの形状を変更することにより、局所的な温度調整をすることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェハの裏面に異常成長を発生させることなくエピタキシャル膜の膜厚のばらつきを小さくできるエピタキシャルウェハの製造装置の提供。
【解決手段】サセプタ３１の中央とウェハＷの中央とが略一致する状態でウェハＷを設置してエピタキシャルウェハＷＥを製造する製造装置１に、センターロッド３３をサセプタ３１の非載置面３１２側において上下方向に延びるように、かつ、上端がサセプタ３１の中央と近接する状態で設けた。このため、サセプタ３１に向けて照射される一部の輻射光Ｌは、センターロッド３３で乱反射されてサセプタ３１の中央に到達せず、サセプタ３１中央への輻射光の照射量が少なくなり、この部分の温度を低くできる。また、センターロッド３３をサセプタ３１に面接触させていないため、サセプタ３１の熱が奪われることがなくサセプタ３１中央の局所的な温度低下を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 混色により白色となる２色以上の発光部を、単一の発光層内に、任意の面積比率で緻密に形成することができる白色ＬＥＤの製造装置と方法を提供する。
【解決手段】 基板上に有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により結晶を成長させる結晶成膜装置１０と、基板表面に加熱用レーザ光２１を照射する加熱レーザ照射装置２０とを備える。加熱用レーザ光２１は、成長基板のバンドギャップより大きいエネルギー範囲の波長を有する。加熱レーザ照射装置２０は、加熱用レーザ光２１を基板２上で１次元もしくは２次元的に照射するレーザ照射光学装置２３を備え、基板上の一部に加熱用レーザ光を局所的に照射し、発光層成膜時に、同一発光層１に混色により白色となる複数の発光部１ａ，１ｂ，１ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】焼きだし時の真空容器の内部の温度のばらつきを抑えることができ、より短時間で所望の真空度に到達可能な真空排気方法を提供する。
【解決手段】真空容器１内に防着シールド４を備え、真空排気下でプラズマを発生させて基板９上に薄膜を形成する真空処理装置の真空排気方法であって、不活性ガスを導入する手順と、不活性ガスの圧力下において、ランプヒータにより防着シールド４を加熱する加熱手順と、排気手段２、３により真空容器１を排気する排気手順と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内温度分布均一性を高める。
【解決手段】バッチ式熱処理装置において、プロセスチューブ３６外に電磁波を閉じ込めるシールド５２を同心円状に設置し、シールド５２の中央高さに電磁波導入ポート５３を穿設し、電磁波導入ポート５３に導波管５４の一端を接続し、導波管５４の他端にマイクロ波を供給するマイクロ波源５５を接続する。複数枚のウエハ１を処理室３７に搬入するボート４２の同一段の保持溝４６、４６、４６にシリコンからなるホルダ４７を架設して、ウエハ１をホルダ４７の保持穴４８に収容して保持する。マイクロ波のウエハ周縁部への集中をホルダによって吸収することにより、ウエハ周縁部が極端に加熱されるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板表面到達前にソースそれぞれに最適な分解効率を示す温度で加熱し、十分な分解をさせた後に結晶成長を行うようにしたＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】有機金属錯体を気化した複数の半導体材料ガスを供給して、基板上に金属化合物を成膜するＭＯＣＶＤ装置において、前記複数の半導体材料ガスが供給される反応室内は部分的に異なる複数の温度領域を有するように制御されている。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体に原料を溶解させた処理媒体を用いてトレンチ内部を埋め込むに際し、トレンチ内部にボイドが残されないように成膜を行う。
【解決手段】ヒータ２３に第１の電圧を印加する間に基板３０の表面３１側よりも裏面３２側の温度上昇速度を大きくする第１の工程と、ヒータ２３に第２の電圧を印加する間に基板３０の裏面３２側よりも表面３１側の温度下降速度を大きくする第２の工程とを繰り返し、基板３０の表面３１側と裏面３２側との間の温度勾配を大きくすることにより基板３０の表面３１側に成膜を行う。これにより、基板３０の表面３１側と裏面３２側との温度変化速度に差を生じさせ、基板３０の表面３１側と基板３０の裏面３２側との温度差を大きくする。したがって、溝３３の底部における成膜の速度が溝３３の開口部側よりも速くなり、溝３３の底から順に成膜することが可能となる。 （もっと読む）

化学蒸着装置において、ウエハキャリア（３２）は、ウエハを保持する上面（３４）および加熱要素（２８）からの輻射熱伝達によって加熱される底面（３６）を有している。ウエハキャリアの底面（３６）は、ウエハキャリアが互いに異なる箇所において互いに異なる厚みを有するように、凹部（５４）のような特徴部によって非平面になっている。ウエハキャリアのより厚い部分は、より高い熱抵抗を有している。互いに異なる箇所における互いに異なる熱抵抗によって、ウエハへの望ましくない熱伝達の不均一が打ち消されることになる。ウエハキャリアは、ウエハの縁の互いに離間している箇所と係合するための突起（５５３，８５３）を備えるポケットを有していてもよい。
（もっと読む）

【課題】特に、縦型熱処理炉に熱処理用ボートをローディングする際に発生するウェーハ表面のキズやパーティクルを、生産性を落とすこと無く抑制することができる熱処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反応管と、該反応管内に配置され、被処理基板を保持するための熱処理用ボートと、反応管の外側に配置されたヒータとを有する縦型熱処理炉を用いて結晶面が（１００）のシリコンウェーハを熱処理する方法であって、結晶面が（１００）のシリコンウェーハ裏面の結晶方位＜１１０＞方向の外縁領域を熱処理用ボートのウェーハ支持部により４点支持して、反応管内温度を反応管の下方の炉口側が上方の炉奥側より低い温度分布になるようにした反応管内へ、ウェーハを保持した熱処理用ボートをローディングしてウェーハの熱処理をするシリコンウェーハの熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】低コストで短時間に均一な膜厚のエピタキシャル膜を得ることを可能とする。
【解決手段】チャンバと、ガス流を横断する方向に設けられた開度調節可能な複数のバッフル孔を有するバッフルと、各バッフル孔の開度を調節する開度調節手段と、チャンバ内に投入されたウェーハの温度を検出する温度検出手段と、開度調節手段におけるバッフル孔の開度から算出されたチャンバ内のガス流量と温度検出手段により検出されたウェーハ温度とをパラメータとして入力し、予め定められたシミュレーションモデルにしたがってエピタキシャル膜が最も均一となるときのバッフル孔の開度の最適状態を求め、これを開度調節手段に出力する制御手段と、を有してなる。 （もっと読む）

【課題】基板の主表面上に、基板の主表面を構成する材料の格子定数とは格子定数の異なる材料からなる薄膜を成膜することによりヘテロエピタキシャル膜を成膜させる際に、膜の界面付近において組成が急峻に変化していない遷移層が出現する。この遷移層が、ヘテロエピタキシャル膜の界面付近における結晶の特性を劣化させる。
【解決手段】成膜させたい薄膜を構成する材料の格子定数と、薄膜が成膜される基板の一方の主表面を構成する材料の格子定数とに応じて、主表面に沿った方向に対して基板を湾曲させる。そして、基板を湾曲させた状態で、その基板の一方の主表面上に薄膜を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】電力使用系に対する電圧及び電流を正確に測定して精度の高い抵抗値を求め、断線の予測を精度良く行うことができる電力使用系の断線予測装置を提供する。
【解決手段】電力使用系４２Ａ〜４２Ｅに対して個別に各給電ライン４６Ａ〜４６Ｅを介して供給される電力を制御するようにした電力供給回路系２４に設けた断線予測装置２６において、各給電ライン毎に設けられ、異なる周波数のパルス波をオフ期間に対応させて発生するパルス波発生手段５２Ａ〜５２Ｅと、自己のパルス波発生手段にて発生したパルス波を混合させるパルス波混合手段５４Ａ〜５４Ｅと、伝送される自己のパルス波を検出するパルス波検出手段５６Ａ〜５６Ｅと、パルス波検出手段にて検出されたパルス波に基づいて電力使用系の断線予測を判断する判断手段５８とを備える。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に膜を効率よく形成することができる加熱装置およびこれを具備した膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台２６上に載置されたガラス基板２４の表面２５に、このガラス基板の軟化点温度よりも高い高温ガスを垂直に吹き付ける加熱装置を有し、高温ガスとともに加熱分解して膜堆積を発生する堆積用ガス４３を前記ガラス基板の表面に同時に吹き付ける膜形成装置である。 （もっと読む）

【課題】特に蒸着重合膜を形成するに際し、原料モノマーが基板の裏面側や支持台側に入り込むことによる、前記基板裏面側及び前記支持台等における重合膜の形成を抑制し、前記原料モノマーの使用効率を向上させるとともに、ゴミの発生及び混入による前記重合膜の製造歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】基板１４の外周端部１４Ａを露出させるようにして支持台１１上に前記基板１４を支持し、前記基板１４の前記外周端部１４Ａをヒータ１２で加熱するとともに、前記基板１４の中央部に位置する膜形成領域を温度調節機構１３で所定温度に保持する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ表面にエピタキシャル膜を均一な膜厚分布で成膜することが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】成膜室１８のガス噴出口１１の近傍には、半導体ウェーハ１０の外周縁の外側を加熱する副加熱手段７が形成されている。この副加熱手段７は、例えばサセプタ９の周縁に対して所定の間隔を開けて、サセプタ９を取り巻くように配されたリング状の発熱媒体である。発熱媒体としては、例えば、電磁波を発生させるコイルと、このコイルの近傍に配された金属との組み合わせによる電磁誘導加熱、あるいは、ニクロム線などの抵抗加熱などであればよい。 （もっと読む）

【課題】成膜容器の壁面上の熱重合反応を抑制して有機膜の形成を抑制し、パーティクルの発生による有機膜の品質劣化及び製造歩留まりを低減するとともに、それに伴う原料モノマーの使用効率を向上させる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器１１の壁面に沿って設けられた外部ヒータ１４によって、前記成膜容器１１の前記壁面を有機膜の形成に供する原料モノマーの蒸発温度以上に加熱し、前記外部ヒータ１４と離隔し、基板を搭載した基板支持容器１２に近接して配置された内部ヒータ１３によって、前記基板を前記原料モノマーの熱重合反応温度に加熱し、前記成膜容器１１内に前記原料モノマーを供給し、前記基板上での熱重合を通じて前記有機膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において、プラズマ照射部の熱を効率的に利用し、処理効率を高める。
【解決手段】プラズマ照射部１０から処理位置Ｐに向けてプラズマを照射する。被処理物９を移動手段２０によって処理位置Ｐを横切るように一方向に移動させる。処理位置Ｐを挟んでプラズマ照射部１０側とは反対側に熱授受部材３０を設ける。熱授受部材３０の受熱部３０ａは、プラズマ照射部１０と対向するよう配置され、プラズマ照射部１０からの熱を受ける。この受熱部１０から前記移動方向の少なくとも上流側に放熱部３０ｂを延出する。放熱部３０ｂは、受熱部１０から伝播された熱を放射する。熱授受部材３０の裏面に凸条３２を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板に形成する膜の厚さの均一性を制御する。
【解決手段】処理室で基板を処理する基板処理方法であって、基板を処理室へ収容する工程と、加熱装置の設定温度と、冷却装置が供給する流体の流量と、前記処理室内に収容された基板の中心側の温度と該基板の外周側との温度偏差との相関関係に基づいて、補正された前記設定温度にて前記加熱装置が前記処理室内に収容された基板の外周側から光加熱しつつ前記冷却装置が前記処理室の外側に流体を前記相関関係に基づいた流量で供給して基板の外周側を冷却した状態で、前記処理室で前記基板を処理する工程とを有する基板処理方法。 （もっと読む）

【課題】表面の面方位が｛０１１｝であり、製造コストが低く、接合強度が十分であって、高速動作のｐ型トランジスタの製造に好適な半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面の面方位が｛０１１｝の第１の基板４０の直上に、エピタキシャル層４１を形成する。このとき、基板のエッジロールオフを相殺するように、すなわちエピタキシャル層４１の端部の厚さが他の領域の厚さよりも若干厚くなるように、エピタキシャル層４１を形成する。次に、エピタキシャル層４１に水素イオンを注入し、第２の基板（ベース基板）４５と張り合せる。その後、水素濃度が高い部分でエピタキシャル層４１を劈開する。これにより、第２の基板４５上に｛０１１｝シリコン単結晶層４１が設けられた半導体基板４６が得られる。一方、劈開後に残った第１の基板４０は、その表面を研磨して再使用する。 （もっと読む）