サセプタ装置、エピタキシャルウェハの製造装置、および、エピタキシャルウェハの製造方法
【課題】エピタキシャルウェハの裏面に異常成長を発生させることなくエピタキシャル膜の膜厚のばらつきを小さくできるエピタキシャルウェハの製造装置の提供。
【解決手段】サセプタ３１の中央とウェハＷの中央とが略一致する状態でウェハＷを設置してエピタキシャルウェハＷＥを製造する製造装置１に、上端が半球状の略円柱状のセンターロッド３３をサセプタ３１の非載置面３１２側において上下方向に延びるように、かつ、上端がサセプタ３１の中央と点接触する状態で設けた。このため、この点接触部分がセンターロッド３３により吸熱されて温度が低くなる。また、両者を面接触させる場合と比べて、接触による吸熱作用を小さくでき、サセプタ３１中央の局所的な温度低下を招くことがない。
【解決手段】サセプタ３１の中央とウェハＷの中央とが略一致する状態でウェハＷを設置してエピタキシャルウェハＷＥを製造する製造装置１に、上端が半球状の略円柱状のセンターロッド３３をサセプタ３１の非載置面３１２側において上下方向に延びるように、かつ、上端がサセプタ３１の中央と点接触する状態で設けた。このため、この点接触部分がセンターロッド３３により吸熱されて温度が低くなる。また、両者を面接触させる場合と比べて、接触による吸熱作用を小さくでき、サセプタ３１中央の局所的な温度低下を招くことがない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サセプタ装置、エピタキシャルウェハの製造装置、および、エピタキシャルウェハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ウェハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
この特許文献１には、サセプタを石英製の支持シャフトにより裏面側から三点で支持している構成が開示されている。この支持シャフトで支えられたサセプタの上方および下方には、ハロゲンランプなどで構成されて、輻射熱でサセプタとウェハを加熱する加熱装置が設けられている。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２６９１３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の構成では、支持シャフトによりサセプタの非載置面の周縁のみを支えているため、サセプタの非載置面中央に前後左右の加熱装置からの輻射光が集中し、サセプタにおけるエピタキシャルウェハの中央（中央の１点のみを意味する）に対応する部分およびその近傍部分（以下、サセプタ中央対応部と称す）の温度がその周りの部分と比べて高くなってしまう。その結果、エピタキシャルウェハ中央のエピタキシャル膜の膜厚（以下、エピ中央膜厚と適宜称す）がその周りの部分と比べて極めて厚くなってしまう。つまり、エピタキシャルウェハの中央部（エピタキシャルウェハの直径をＡとしたときに、エピタキシャルウェハの中央を中心とした直径が約Ａ／２の略円形部分を意味する）の膜厚のばらつき（以下、中央部膜厚ばらつきと称す）が大きくなってしまう。
このような中央部膜厚ばらつきを小さくするためには、エピタキシャル膜の気相成長に用いる反応ガスの量を大きく減らすことが考えられる。
しかし、反応ガスの量を大きく減らすと、中央部膜厚ばらつきが改善されるが、エピタキシャルウェハの裏面に異常成長が発生してしまい、ナノトポグラフィが悪化してしまうという問題がある。
【０００５】
本発明の目的は、エピタキシャルウェハの裏面に異常成長を発生させることなくエピタキシャル膜の膜厚のばらつきを小さくできるサセプタ装置、エピタキシャルウェハの製造装置、および、エピタキシャルウェハの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のサセプタ装置は、ウェハに輻射光を照射して前記ウェハを加熱しつつ、前記ウェハの成膜面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造するエピタキシャルウェハの製造装置に設けられ、前記ウェハを保持するサセプタ装置であって、前記ウェハが載置される載置面を有するサセプタと、このサセプタの周縁近傍を支持する周縁支持手段と、前記ウェハが載置されたときの前記サセプタにおけるウェハの中央に対応する部分の温度を制御する温度制御手段と、を備え、前記温度制御手段は、略棒状または略板状に形成されて、前記載置面と反対の非載置面側において前記非載置面と略直交する方向に延び、かつ、前記非載置面側の端部が前記非載置面におけるウェハの中央に対応する部分と略点接触または略線接触する状態で設けられていることを特徴とする。
【０００７】
ここで、略点接触および略線接触とは、温度制御手段とサセプタとの接触面積がウェハの面積と比べて極めて小さいことを意味し、接触面積はサセプタの材質や厚さなどにより適宜設定される。この接触面積としては、例えば、ウェハの面積の０．０５％以下であることが好ましい。
ところで、サセプタの非載置面と温度制御手段の端部とを面接触させた場合、この面接触している部分が温度制御手段で吸熱されてしまい、他の部分と比べて局所的に低くなってしまう。このため、エピ中央膜厚がその周囲と比べて局所的に薄くなってしまうおそれがある。
これに対して、本発明では、温度制御手段の端部を非載置面のサセプタ中央対応部と略点接触または略線接触させているため、両者を面接触させる構成と比べて、接触によるサセプタ中央対応部の吸熱作用を小さくでき、局所的な温度低下を招くことなく、サセプタ中央対応部の温度を低くすることができる。
したがって、サセプタ中央対応部の温度を適度に低下させることができ、反応ガスの量を大きく減らすことなく中央部膜厚ばらつきが小さいエピタキシャル膜を気相成長させることができる。また、中央部膜厚ばらつきを小さくするために反応ガスを減らす必要がないため、エピタキシャルウェハの裏面に異常成長が発生することを防止できる。
なお、サセプタの中央と、このサセプタに載置されたウェハの中央とが一致する場合、サセプタ中央対応部はサセプタの中央を中心とした部分となる。このため、温度制御手段は、その端部が非載置面の中央に略点接触または略線接触する状態で設けられる。また、サセプタの中央と、このサセプタに載置されたウェハの中央とが一致しない場合、サセプタ中央対応部はサセプタの中央からずれた位置を中心とした部分となる。このため、温度制御手段は、その端部が非載置面の中央からずれた位置に略点接触または略線接触する状態で設けられる。
【０００８】
本発明のサセプタ装置では、前記温度制御手段における前記非載置面側の端部は、錐状または半球状に形成されており、前記非載置面と略点接触する状態で設けられている構成が好ましい。
この発明によれば、温度制御手段の端部を錐状または半球状に形成することで、細かい設置調整をすることなく温度制御手段と非載置面とを略点接触させることができる。
【０００９】
本発明のサセプタ装置では、前記温度制御手段は、前記周縁支持手段に着脱自在に取り付けられている構成が好ましい。
この発明によれば、温度制御手段を周縁支持手段に着脱自在に取り付けているため、温度制御手段が腐食性ガスでエッチングされて、長さや太さの変化に伴い接触面積が変化する前に温度制御手段を交換することができる。したがって、必要に応じて温度制御手段を交換することで、吸熱作用を略一定にでき、安定した品質のエピタキシャルウェハを製造できる。
【００１０】
本発明のエピタキシャルウェハの製造装置は、ウェハの成膜面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造するエピタキシャルウェハの製造装置であって、前記ウェハを保持する上述のサセプタ装置と、このサセプタ装置が内部に設置され、前記ウェハの成膜面にエピタキシャル膜を気相成長させるための反応ガスを内部に供給可能とする反応容器と、前記ウェハに向けて輻射光を照射して前記ウェハを加熱する発光加熱手段と、を備えていることを特徴とする。
ここで、発光加熱手段としては、ウェハの成膜面側およびこの成膜面と反対の裏面側のうち少なくとも一方から輻射光を照射するものを適用できる。
【００１１】
本発明のエピタキシャルウェハの製造方法は、ウェハを保持するサセプタ装置に前記ウェハを保持させ、前記ウェハに輻射光を照射して前記ウェハを加熱しつつ前記ウェハに反応ガスを供給し、前記ウェハの成膜面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造するエピタキシャルウェハの製造方法であって、前記サセプタ装置は、前記ウェハが載置される載置面を有するサセプタと、このサセプタの周縁近傍を支持する周縁支持手段と、前記ウェハが載置されたときの前記サセプタにおけるウェハの中央に対応する部分の温度を制御する温度制御手段と、を備え、前記温度制御手段は、略棒状または略板状に形成されて、前記載置面と反対の非載置面側において前記非載置面と略直交する方向に延び、かつ、前記非載置面側の端部が前記非載置面におけるウェハの中央に対応する部分と略点接触または略線接触する状態で設けられており、前記非載置面におけるウェハの中央に対応する部分の熱を前記温度制御手段により吸熱することで、前記サセプタにおけるウェハの中央に対応する部分の温度を制御することを特徴とする。
【００１２】
以上の発明によれば、上述のサセプタ装置と同様の構成を製造装置に設けることで、エピタキシャルウェハの裏面に異常成長を発生させることなく中央部膜厚ばらつきを小さくできるエピタキシャルウェハの製造装置および製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の一実施形態を図面を参照して説明する。
[エピタキシャルウェハの製造装置の構成]
まず、エピタキシャルウェハの製造装置の構成について説明する。
図１は、エピタキシャルウェハの製造装置の要部を示す断面図である。図２は、エピタキシャルウェハの製造装置の平面図である。
エピタキシャルウェハの製造装置１は、図１に示すように、半導体結晶を板状に加工したウェハＷの成膜面Ｗ１にエピタキシャル膜Ｅを気相成長させて、エピタキシャルウェハＷＥを製造する。この製造装置１は、図１および図２に示すように、反応容器２と、サセプタ装置３と、加熱部４と、を備えている。
【００１４】
反応容器２は、サセプタ装置３が内部に設置され、内部に反応ガスおよびパージガスを供給可能に構成されている。そして、反応ガスをサセプタ装置３上に載置されたウェハＷに供給することで、ウェハＷの成膜面Ｗ１にエピタキシャル膜Ｅを気相成長させる。この反応容器２は、上部チャンバ部材２１と、下部チャンバ部材２２と、を備えている。
上部チャンバ部材２１および下部チャンバ部材２２は、詳細は図示しないが、石英などの複数の透光性部材を組み合わせることにより、平面視中央部分が窪む略凹状に形成されている。そして、上部チャンバ部材２１の略凹状の開口が下側を向き、下部チャンバ部材２２の開口が上側を向く状態で両者が取り外し可能に固定されることで、反応容器２内部に反応室２Ａが形成される。
また、下部チャンバ部材２２の上端側の内周面には、予備加熱リング２３が取り付けられている。この予備加熱リング２３の内径寸法は、後述するサセプタ３１の外径寸法よりも大きく設定されている。
【００１５】
反応容器２の側面には、ウェハＷの成膜面Ｗ１上において反応ガスを略水平方向に流通させるための、図示しない反応ガス供給管および反応ガス排出管が設けられている。また、反応容器２の側面には、サセプタ３１の下方においてパージガスを反応ガスと略等しい方向に流通させるための、図示しないパージガス供給管およびパージガス排出管が設けられている。
ここで、反応ガスとしては、エピタキシャル膜Ｅを気相成長させるための原料ガスの他、キャリアガスを混合させたものを採用できる。原料ガスとしては、気相成長させるエピタキシャル膜Ｅに応じたものを採用すればよく、例えば、シリコンソースであるＳｉＨＣｌ３およびボロンドーパントソースＢ２Ｈ６を水素ガスで希釈した混合反応ガスを採用できる。また、キャリアガスとしては、例えば水素（キャリア水素）を含んだものを採用できる。
さらに、パージガスとしては、種々のものを採用でき、例えば水素ガス（スリット水素）などを採用できる。
【００１６】
サセプタ装置３は、直径が２００ｍｍまたは３００ｍｍのウェハＷを保持し、反応容器２内部に設置される。そして、サセプタ装置３は、サセプタ３１と、周縁支持手段３２と、温度制御手段としてのセンターロッド３３と、を備えている。
サセプタ３１は、平面視略円盤形状に形成されている。このサセプタ３１の一面は、ウェハＷが載置される載置面３１１である。この載置面３１１の中央には、ウェハＷの外形形状に応じた平面視円形状の図示しない凹部が形成されており、この凹部内にサセプタ３１の中央とウェハＷの中央とが略一致する状態でウェハＷが設置される。
周縁支持手段３２は、石英などの透光性部材から構成され、反応容器２の下部チャンバ部材２２の中央部分から反応室２Ａ内に突出し、サセプタ３１を水平状態で反応容器２内に設置するとともに、ウェハＷをサセプタ３１に設置するものである。この周縁支持手段３２は、回転軸Ｒを中心として回転自在に構成されている。そして、周縁支持手段３２は、下部チャンバ部材２２の中央部分から反応室２Ａ内に突出する支持本体部３２１と、この支持本体部３２１の上端部から斜め上方に延びる３個の周縁支持ロット３２２と、を備えている。
周縁支持ロット３２２は、平面視で約１２０°間隔で設けられている。そして、この３個の周縁支持ロット３２２の先端部分にて、サセプタ３１の非載置面３１２の周縁近傍を３点で支持することで、サセプタ３１は、反応室２Ａ内で水平状態に設置される。
なお、周縁支持ロット３２２を３個以上設けてもよいし、周縁支持ロット３２２の代わりに支持本体部３２１の上端部から放射状に拡がる略円錐筒状の部材を設けてもよい。
【００１７】
また、支持本体部３２１の上端面には、センターロッド３３の下端が着脱自在に嵌合されるロッド嵌合凹部３２１Ａが設けられている。センターロッド３３は、石英などの透明部材により先端が半球状の略円柱状に形成されており、その下端がロッド嵌合凹部３２１Ａに嵌合されることで、サセプタ３１の非載置面３１２側において非載置面３１２と略直交する方向（上下方向）に延びるように設置される。また、センターロッド３３は、表面がサンドブラスト処理により荒らされている。ここで、センターロッド３３の長さ寸法は、センターロッド３３の上端と非載置面３１２の中央とが点接触する大きさに設定されている。また、センターロッド３３におけるロッド嵌合凹部３２１Ａに嵌合していない部分の直径は、３．０ｍｍ以上、２２．０ｍｍ以下に設定されている。ここで、センターロッド３３の直径は、ウェハＷの直径に応じた大きさに設定できる。すなわち、センターロッド３３の直径としては、ウェハＷの直径が２００ｍｍの場合は、４．７ｍｍ、ウェハＷの直径が３００ｍｍの場合は、２０．５ｍｍにすることが例示できる。
【００１８】
加熱部４は、反応容器２の上方に設けられた複数の表面側発光加熱手段４１と、反応容器２の下方に設けられた複数の裏面側発光加熱手段４２と、を備えている。裏面側発光加熱手段４２は、サセプタ３１と略同心のリング状に並んで配置されており、反応容器２の下方から輻射光を照射して、ウェハＷおよびサセプタ３１を加熱する。表面側発光加熱手段４１は、ここでは図示しないが、裏面側発光加熱手段４２と同様にサセプタ３１と略同心のリング状に並んで配置されており、反応容器２の上方からウェハＷおよびサセプタ３１を加熱する。
この表面側発光加熱手段４１および裏面側発光加熱手段４２としては、例えば、ハロゲンランプや赤外ランプなどを採用できる。
また、加熱部４は、それぞれ略筒状に形成された、表内反射部４３と、裏内反射部４４と、表外反射部４５と、裏外反射部４６と、を備えている。表内反射部４３および裏内反射部４４は、表面側発光加熱手段４１および裏面側発光加熱手段４２で構成される略リング状の内部空間からサセプタ３１に近づく方向に、突出して設けられている。表外反射部４５および裏外反射部４６は、表内反射部４３および裏内反射部４４における上述の突出部分を囲むように設けられている。そして、表面側発光加熱手段４１から出射される輻射光は、表内反射部４３と表外反射部４５との間を通過するとともに、これらにより反射されてウェハＷに照射される。また、裏面側発光加熱手段４２から出射される輻射光は、裏内反射部４４と裏外反射部４６との間を通過するとともに、これらにより反射されてサセプタ３１の非載置面３１２に照射される。
【００１９】
[エピタキシャルウェハの製造方法]
次に、上述の製造装置１を用いたエピタキシャルウェハＷＥの製造方法について説明する。
まず、表面側発光加熱手段４１および裏面側発光加熱手段４２を駆動して、ウェハＷが載置されたサセプタ３１を所望の成長温度に加熱する。
そして、回転軸Ｒを中心として周縁支持手段３２を回転させながら、以下に示すように、ウェハＷの成膜面Ｗ１上にエピタキシャル膜Ｅを気相成長させる。
具体的には、まず、気相成長の直前に、例えば腐食性ガスである塩化水素ガスをウェハＷの成膜面Ｗ１に流すことにより気相エッチングを実施して、成膜面Ｗ１の自然酸化膜を除去する。この後、ウェハＷの成膜面Ｗ１上に水平に反応ガスを常時供給し、サセプタ３１の下方にパージガスを所定のタイミングで導入する。
すなわち、反応ガスの流量とパージガスの流量を制御することで、エピタキシャル膜Ｅの気相成長時に、ウェハＷの上方側を反応ガスが流通する反応ガス流が形成され、サセプタ３１の下方にパージガスが流通するパージガス流が形成される。このようにして気相成長を実施することにより、ウェハＷの表面上にエピタキシャル膜Ｅが形成され、エピタキシャルウェハＷＥが製造される。
【００２０】
ところで、裏面側発光加熱手段４２は、略リング状に配置されている。このため、センターロッド３３を設けない場合、サセプタ３１における裏面側発光加熱手段４２からの輻射光の照射量が周縁側よりも中央の方が多くなり、サセプタ３１の温度は、周縁側よりも中央の方が高くなる。
一方、製造装置１にはサセプタ３１の中央に点接触するセンターロッド３３が設けられているため、この点接触部分がセンターロッド３３により吸熱されて温度が低くなる。また、両者を面接触させる場合、例えば、接触面積がウェハの面積の０．０５％を超えるようにする場合と比べて、接触による吸熱作用を小さくでき、サセプタ３１中央の局所的な温度低下を招くことがない。
以上のことから、サセプタ３１は、センターロッド３３を設けない構成と比べて、中央の温度が適度に下げられた状態に加熱される。したがって、反応ガスの量を大きく減らすことなく、中央部膜厚ばらつきが小さいエピタキシャル膜Ｅを気相成長させることができる。
【００２１】
［実施形態の作用効果］
上述したような一実施形態では、以下のような作用効果を奏することができる。
（１）製造装置１に、センターロッド３３を、サセプタ３１の非載置面３１２側において上下方向に延びるように、かつ、上端がサセプタ３１の中央（サセプタ中央対応部）に点接触する状態で設けている。
このため、上述したように、反応ガスの量を大きく減らすことなく中央部膜厚ばらつきを小さくできるとともに、エピタキシャルウェハＷＥの裏面に異常成長が発生することを防止できる。
【００２２】
（２）センターロッド３３の上端を半球状に形成しているため、細かい設置のための調整をすることなくセンターロッド３３とサセプタ３１とを点接触させることができる。
【００２３】
（３）センターロッド３３を周縁支持手段３２の支持本体部３２１に着脱自在に設けているため、センターロッド３３が塩化水素ガスでエッチングされて接触面積が変化する前にセンターロッド３３を交換することで、吸熱作用を略一定にでき、安定した品質のエピタキシャルウェハＷＥを製造できる。
【００２４】
［他の実施形態］
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能である。
【００２５】
すなわち、図３に示すように、上端が円錐状に形成された略棒状のセンターロッド３３Ａを、サセプタ３１に点接触させて設けてもよい。ここで、上端の形状としては、角錐状にしてもよい。
また、図４に示すように、円柱部３３Ｂ１と、この円柱部３３Ｂ１の先端に設けられた球状部３３Ｂ２とを有する略棒状のセンターロッド３３Ｂを適用して、球状部３３Ｂ２の先端３３Ｂ３をサセプタ３１に点接触させてもよい。
そして、図５に示すように、略棒状としての円錐状に形成されたセンターロッド３３Ｃを適用して、先端３３Ｃ３をサセプタ３１に点接触させてもよい。
さらに、図６に示すように、縦断面が三角形の略壁状に形成されたセンターロッド３３Ｄを適用して、先端３３Ｄ３をサセプタ３１に線接触させてもよい。
また、上端が円弧面状に形成された略棒状の温度制御部材を、サセプタ３１に線接触させて設けてもよい。
また、石英などの透明部材で形成されたセンターロッド３３をサンドブラスト処理しなくてもよいし、センターロッド３３を不透明石英、ＳｉＣ（炭化珪素）などの不透明部材で形成してもよい。そして、センターロッド３３と周縁支持手段３２とを一体的に形成して、センターロッド３３を周縁支持手段３２から脱着できないような構成としてもよい。
さらに、サセプタ３１の中央と、このサセプタ３１に載置されたウェハＷの中央とが一致しない状態で成膜をする構成の場合、センターロッド３３の上端を、非載置面３１２の中央ではなく、非載置面３１２の中央からずれたウェハＷの中央に対応する位置に略点接触または略線接触する状態で設けることにより、上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本発明は、サセプタ装置、エピタキシャルウェハの製造装置、および、エピタキシャルウェハの製造方法に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態に係るエピタキシャルウェハの製造装置の要部を示す断面図である。
【図２】前記エピタキシャルウェハの製造装置の平面図である。
【図３】本発明の変形例に係るセンターロッドの側面図である。
【図４】本発明のさらに他の変形例に係るセンターロッドの側面図である。
【図５】本発明のさらに他の変形例に係るセンターロッドの側面図である。
【図６】本発明のさらに他の変形例に係るセンターロッドの側面図である。
【符号の説明】
【００２８】
１…製造装置
２…反応容器
３…サセプタ装置
３１…サセプタ
３２…周縁支持手段
３３，３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄ…温度制御手段としてのセンターロッド
４２…裏面側発光加熱手段
３１１…載置面
３１２…非載置面
Ｅ…エピタキシャル膜
Ｗ…ウェハ
Ｗ１…成膜面
ＷＥ…エピタキシャルウェハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サセプタ装置、エピタキシャルウェハの製造装置、および、エピタキシャルウェハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ウェハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
この特許文献１には、サセプタを石英製の支持シャフトにより裏面側から三点で支持している構成が開示されている。この支持シャフトで支えられたサセプタの上方および下方には、ハロゲンランプなどで構成されて、輻射熱でサセプタとウェハを加熱する加熱装置が設けられている。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２６９１３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の構成では、支持シャフトによりサセプタの非載置面の周縁のみを支えているため、サセプタの非載置面中央に前後左右の加熱装置からの輻射光が集中し、サセプタにおけるエピタキシャルウェハの中央（中央の１点のみを意味する）に対応する部分およびその近傍部分（以下、サセプタ中央対応部と称す）の温度がその周りの部分と比べて高くなってしまう。その結果、エピタキシャルウェハ中央のエピタキシャル膜の膜厚（以下、エピ中央膜厚と適宜称す）がその周りの部分と比べて極めて厚くなってしまう。つまり、エピタキシャルウェハの中央部（エピタキシャルウェハの直径をＡとしたときに、エピタキシャルウェハの中央を中心とした直径が約Ａ／２の略円形部分を意味する）の膜厚のばらつき（以下、中央部膜厚ばらつきと称す）が大きくなってしまう。
このような中央部膜厚ばらつきを小さくするためには、エピタキシャル膜の気相成長に用いる反応ガスの量を大きく減らすことが考えられる。
しかし、反応ガスの量を大きく減らすと、中央部膜厚ばらつきが改善されるが、エピタキシャルウェハの裏面に異常成長が発生してしまい、ナノトポグラフィが悪化してしまうという問題がある。
【０００５】
本発明の目的は、エピタキシャルウェハの裏面に異常成長を発生させることなくエピタキシャル膜の膜厚のばらつきを小さくできるサセプタ装置、エピタキシャルウェハの製造装置、および、エピタキシャルウェハの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のサセプタ装置は、ウェハに輻射光を照射して前記ウェハを加熱しつつ、前記ウェハの成膜面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造するエピタキシャルウェハの製造装置に設けられ、前記ウェハを保持するサセプタ装置であって、前記ウェハが載置される載置面を有するサセプタと、このサセプタの周縁近傍を支持する周縁支持手段と、前記ウェハが載置されたときの前記サセプタにおけるウェハの中央に対応する部分の温度を制御する温度制御手段と、を備え、前記温度制御手段は、略棒状または略板状に形成されて、前記載置面と反対の非載置面側において前記非載置面と略直交する方向に延び、かつ、前記非載置面側の端部が前記非載置面におけるウェハの中央に対応する部分と略点接触または略線接触する状態で設けられていることを特徴とする。
【０００７】
ここで、略点接触および略線接触とは、温度制御手段とサセプタとの接触面積がウェハの面積と比べて極めて小さいことを意味し、接触面積はサセプタの材質や厚さなどにより適宜設定される。この接触面積としては、例えば、ウェハの面積の０．０５％以下であることが好ましい。
ところで、サセプタの非載置面と温度制御手段の端部とを面接触させた場合、この面接触している部分が温度制御手段で吸熱されてしまい、他の部分と比べて局所的に低くなってしまう。このため、エピ中央膜厚がその周囲と比べて局所的に薄くなってしまうおそれがある。
これに対して、本発明では、温度制御手段の端部を非載置面のサセプタ中央対応部と略点接触または略線接触させているため、両者を面接触させる構成と比べて、接触によるサセプタ中央対応部の吸熱作用を小さくでき、局所的な温度低下を招くことなく、サセプタ中央対応部の温度を低くすることができる。
したがって、サセプタ中央対応部の温度を適度に低下させることができ、反応ガスの量を大きく減らすことなく中央部膜厚ばらつきが小さいエピタキシャル膜を気相成長させることができる。また、中央部膜厚ばらつきを小さくするために反応ガスを減らす必要がないため、エピタキシャルウェハの裏面に異常成長が発生することを防止できる。
なお、サセプタの中央と、このサセプタに載置されたウェハの中央とが一致する場合、サセプタ中央対応部はサセプタの中央を中心とした部分となる。このため、温度制御手段は、その端部が非載置面の中央に略点接触または略線接触する状態で設けられる。また、サセプタの中央と、このサセプタに載置されたウェハの中央とが一致しない場合、サセプタ中央対応部はサセプタの中央からずれた位置を中心とした部分となる。このため、温度制御手段は、その端部が非載置面の中央からずれた位置に略点接触または略線接触する状態で設けられる。
【０００８】
本発明のサセプタ装置では、前記温度制御手段における前記非載置面側の端部は、錐状または半球状に形成されており、前記非載置面と略点接触する状態で設けられている構成が好ましい。
この発明によれば、温度制御手段の端部を錐状または半球状に形成することで、細かい設置調整をすることなく温度制御手段と非載置面とを略点接触させることができる。
【０００９】
本発明のサセプタ装置では、前記温度制御手段は、前記周縁支持手段に着脱自在に取り付けられている構成が好ましい。
この発明によれば、温度制御手段を周縁支持手段に着脱自在に取り付けているため、温度制御手段が腐食性ガスでエッチングされて、長さや太さの変化に伴い接触面積が変化する前に温度制御手段を交換することができる。したがって、必要に応じて温度制御手段を交換することで、吸熱作用を略一定にでき、安定した品質のエピタキシャルウェハを製造できる。
【００１０】
本発明のエピタキシャルウェハの製造装置は、ウェハの成膜面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造するエピタキシャルウェハの製造装置であって、前記ウェハを保持する上述のサセプタ装置と、このサセプタ装置が内部に設置され、前記ウェハの成膜面にエピタキシャル膜を気相成長させるための反応ガスを内部に供給可能とする反応容器と、前記ウェハに向けて輻射光を照射して前記ウェハを加熱する発光加熱手段と、を備えていることを特徴とする。
ここで、発光加熱手段としては、ウェハの成膜面側およびこの成膜面と反対の裏面側のうち少なくとも一方から輻射光を照射するものを適用できる。
【００１１】
本発明のエピタキシャルウェハの製造方法は、ウェハを保持するサセプタ装置に前記ウェハを保持させ、前記ウェハに輻射光を照射して前記ウェハを加熱しつつ前記ウェハに反応ガスを供給し、前記ウェハの成膜面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造するエピタキシャルウェハの製造方法であって、前記サセプタ装置は、前記ウェハが載置される載置面を有するサセプタと、このサセプタの周縁近傍を支持する周縁支持手段と、前記ウェハが載置されたときの前記サセプタにおけるウェハの中央に対応する部分の温度を制御する温度制御手段と、を備え、前記温度制御手段は、略棒状または略板状に形成されて、前記載置面と反対の非載置面側において前記非載置面と略直交する方向に延び、かつ、前記非載置面側の端部が前記非載置面におけるウェハの中央に対応する部分と略点接触または略線接触する状態で設けられており、前記非載置面におけるウェハの中央に対応する部分の熱を前記温度制御手段により吸熱することで、前記サセプタにおけるウェハの中央に対応する部分の温度を制御することを特徴とする。
【００１２】
以上の発明によれば、上述のサセプタ装置と同様の構成を製造装置に設けることで、エピタキシャルウェハの裏面に異常成長を発生させることなく中央部膜厚ばらつきを小さくできるエピタキシャルウェハの製造装置および製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の一実施形態を図面を参照して説明する。
[エピタキシャルウェハの製造装置の構成]
まず、エピタキシャルウェハの製造装置の構成について説明する。
図１は、エピタキシャルウェハの製造装置の要部を示す断面図である。図２は、エピタキシャルウェハの製造装置の平面図である。
エピタキシャルウェハの製造装置１は、図１に示すように、半導体結晶を板状に加工したウェハＷの成膜面Ｗ１にエピタキシャル膜Ｅを気相成長させて、エピタキシャルウェハＷＥを製造する。この製造装置１は、図１および図２に示すように、反応容器２と、サセプタ装置３と、加熱部４と、を備えている。
【００１４】
反応容器２は、サセプタ装置３が内部に設置され、内部に反応ガスおよびパージガスを供給可能に構成されている。そして、反応ガスをサセプタ装置３上に載置されたウェハＷに供給することで、ウェハＷの成膜面Ｗ１にエピタキシャル膜Ｅを気相成長させる。この反応容器２は、上部チャンバ部材２１と、下部チャンバ部材２２と、を備えている。
上部チャンバ部材２１および下部チャンバ部材２２は、詳細は図示しないが、石英などの複数の透光性部材を組み合わせることにより、平面視中央部分が窪む略凹状に形成されている。そして、上部チャンバ部材２１の略凹状の開口が下側を向き、下部チャンバ部材２２の開口が上側を向く状態で両者が取り外し可能に固定されることで、反応容器２内部に反応室２Ａが形成される。
また、下部チャンバ部材２２の上端側の内周面には、予備加熱リング２３が取り付けられている。この予備加熱リング２３の内径寸法は、後述するサセプタ３１の外径寸法よりも大きく設定されている。
【００１５】
反応容器２の側面には、ウェハＷの成膜面Ｗ１上において反応ガスを略水平方向に流通させるための、図示しない反応ガス供給管および反応ガス排出管が設けられている。また、反応容器２の側面には、サセプタ３１の下方においてパージガスを反応ガスと略等しい方向に流通させるための、図示しないパージガス供給管およびパージガス排出管が設けられている。
ここで、反応ガスとしては、エピタキシャル膜Ｅを気相成長させるための原料ガスの他、キャリアガスを混合させたものを採用できる。原料ガスとしては、気相成長させるエピタキシャル膜Ｅに応じたものを採用すればよく、例えば、シリコンソースであるＳｉＨＣｌ３およびボロンドーパントソースＢ２Ｈ６を水素ガスで希釈した混合反応ガスを採用できる。また、キャリアガスとしては、例えば水素（キャリア水素）を含んだものを採用できる。
さらに、パージガスとしては、種々のものを採用でき、例えば水素ガス（スリット水素）などを採用できる。
【００１６】
サセプタ装置３は、直径が２００ｍｍまたは３００ｍｍのウェハＷを保持し、反応容器２内部に設置される。そして、サセプタ装置３は、サセプタ３１と、周縁支持手段３２と、温度制御手段としてのセンターロッド３３と、を備えている。
サセプタ３１は、平面視略円盤形状に形成されている。このサセプタ３１の一面は、ウェハＷが載置される載置面３１１である。この載置面３１１の中央には、ウェハＷの外形形状に応じた平面視円形状の図示しない凹部が形成されており、この凹部内にサセプタ３１の中央とウェハＷの中央とが略一致する状態でウェハＷが設置される。
周縁支持手段３２は、石英などの透光性部材から構成され、反応容器２の下部チャンバ部材２２の中央部分から反応室２Ａ内に突出し、サセプタ３１を水平状態で反応容器２内に設置するとともに、ウェハＷをサセプタ３１に設置するものである。この周縁支持手段３２は、回転軸Ｒを中心として回転自在に構成されている。そして、周縁支持手段３２は、下部チャンバ部材２２の中央部分から反応室２Ａ内に突出する支持本体部３２１と、この支持本体部３２１の上端部から斜め上方に延びる３個の周縁支持ロット３２２と、を備えている。
周縁支持ロット３２２は、平面視で約１２０°間隔で設けられている。そして、この３個の周縁支持ロット３２２の先端部分にて、サセプタ３１の非載置面３１２の周縁近傍を３点で支持することで、サセプタ３１は、反応室２Ａ内で水平状態に設置される。
なお、周縁支持ロット３２２を３個以上設けてもよいし、周縁支持ロット３２２の代わりに支持本体部３２１の上端部から放射状に拡がる略円錐筒状の部材を設けてもよい。
【００１７】
また、支持本体部３２１の上端面には、センターロッド３３の下端が着脱自在に嵌合されるロッド嵌合凹部３２１Ａが設けられている。センターロッド３３は、石英などの透明部材により先端が半球状の略円柱状に形成されており、その下端がロッド嵌合凹部３２１Ａに嵌合されることで、サセプタ３１の非載置面３１２側において非載置面３１２と略直交する方向（上下方向）に延びるように設置される。また、センターロッド３３は、表面がサンドブラスト処理により荒らされている。ここで、センターロッド３３の長さ寸法は、センターロッド３３の上端と非載置面３１２の中央とが点接触する大きさに設定されている。また、センターロッド３３におけるロッド嵌合凹部３２１Ａに嵌合していない部分の直径は、３．０ｍｍ以上、２２．０ｍｍ以下に設定されている。ここで、センターロッド３３の直径は、ウェハＷの直径に応じた大きさに設定できる。すなわち、センターロッド３３の直径としては、ウェハＷの直径が２００ｍｍの場合は、４．７ｍｍ、ウェハＷの直径が３００ｍｍの場合は、２０．５ｍｍにすることが例示できる。
【００１８】
加熱部４は、反応容器２の上方に設けられた複数の表面側発光加熱手段４１と、反応容器２の下方に設けられた複数の裏面側発光加熱手段４２と、を備えている。裏面側発光加熱手段４２は、サセプタ３１と略同心のリング状に並んで配置されており、反応容器２の下方から輻射光を照射して、ウェハＷおよびサセプタ３１を加熱する。表面側発光加熱手段４１は、ここでは図示しないが、裏面側発光加熱手段４２と同様にサセプタ３１と略同心のリング状に並んで配置されており、反応容器２の上方からウェハＷおよびサセプタ３１を加熱する。
この表面側発光加熱手段４１および裏面側発光加熱手段４２としては、例えば、ハロゲンランプや赤外ランプなどを採用できる。
また、加熱部４は、それぞれ略筒状に形成された、表内反射部４３と、裏内反射部４４と、表外反射部４５と、裏外反射部４６と、を備えている。表内反射部４３および裏内反射部４４は、表面側発光加熱手段４１および裏面側発光加熱手段４２で構成される略リング状の内部空間からサセプタ３１に近づく方向に、突出して設けられている。表外反射部４５および裏外反射部４６は、表内反射部４３および裏内反射部４４における上述の突出部分を囲むように設けられている。そして、表面側発光加熱手段４１から出射される輻射光は、表内反射部４３と表外反射部４５との間を通過するとともに、これらにより反射されてウェハＷに照射される。また、裏面側発光加熱手段４２から出射される輻射光は、裏内反射部４４と裏外反射部４６との間を通過するとともに、これらにより反射されてサセプタ３１の非載置面３１２に照射される。
【００１９】
[エピタキシャルウェハの製造方法]
次に、上述の製造装置１を用いたエピタキシャルウェハＷＥの製造方法について説明する。
まず、表面側発光加熱手段４１および裏面側発光加熱手段４２を駆動して、ウェハＷが載置されたサセプタ３１を所望の成長温度に加熱する。
そして、回転軸Ｒを中心として周縁支持手段３２を回転させながら、以下に示すように、ウェハＷの成膜面Ｗ１上にエピタキシャル膜Ｅを気相成長させる。
具体的には、まず、気相成長の直前に、例えば腐食性ガスである塩化水素ガスをウェハＷの成膜面Ｗ１に流すことにより気相エッチングを実施して、成膜面Ｗ１の自然酸化膜を除去する。この後、ウェハＷの成膜面Ｗ１上に水平に反応ガスを常時供給し、サセプタ３１の下方にパージガスを所定のタイミングで導入する。
すなわち、反応ガスの流量とパージガスの流量を制御することで、エピタキシャル膜Ｅの気相成長時に、ウェハＷの上方側を反応ガスが流通する反応ガス流が形成され、サセプタ３１の下方にパージガスが流通するパージガス流が形成される。このようにして気相成長を実施することにより、ウェハＷの表面上にエピタキシャル膜Ｅが形成され、エピタキシャルウェハＷＥが製造される。
【００２０】
ところで、裏面側発光加熱手段４２は、略リング状に配置されている。このため、センターロッド３３を設けない場合、サセプタ３１における裏面側発光加熱手段４２からの輻射光の照射量が周縁側よりも中央の方が多くなり、サセプタ３１の温度は、周縁側よりも中央の方が高くなる。
一方、製造装置１にはサセプタ３１の中央に点接触するセンターロッド３３が設けられているため、この点接触部分がセンターロッド３３により吸熱されて温度が低くなる。また、両者を面接触させる場合、例えば、接触面積がウェハの面積の０．０５％を超えるようにする場合と比べて、接触による吸熱作用を小さくでき、サセプタ３１中央の局所的な温度低下を招くことがない。
以上のことから、サセプタ３１は、センターロッド３３を設けない構成と比べて、中央の温度が適度に下げられた状態に加熱される。したがって、反応ガスの量を大きく減らすことなく、中央部膜厚ばらつきが小さいエピタキシャル膜Ｅを気相成長させることができる。
【００２１】
［実施形態の作用効果］
上述したような一実施形態では、以下のような作用効果を奏することができる。
（１）製造装置１に、センターロッド３３を、サセプタ３１の非載置面３１２側において上下方向に延びるように、かつ、上端がサセプタ３１の中央（サセプタ中央対応部）に点接触する状態で設けている。
このため、上述したように、反応ガスの量を大きく減らすことなく中央部膜厚ばらつきを小さくできるとともに、エピタキシャルウェハＷＥの裏面に異常成長が発生することを防止できる。
【００２２】
（２）センターロッド３３の上端を半球状に形成しているため、細かい設置のための調整をすることなくセンターロッド３３とサセプタ３１とを点接触させることができる。
【００２３】
（３）センターロッド３３を周縁支持手段３２の支持本体部３２１に着脱自在に設けているため、センターロッド３３が塩化水素ガスでエッチングされて接触面積が変化する前にセンターロッド３３を交換することで、吸熱作用を略一定にでき、安定した品質のエピタキシャルウェハＷＥを製造できる。
【００２４】
［他の実施形態］
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能である。
【００２５】
すなわち、図３に示すように、上端が円錐状に形成された略棒状のセンターロッド３３Ａを、サセプタ３１に点接触させて設けてもよい。ここで、上端の形状としては、角錐状にしてもよい。
また、図４に示すように、円柱部３３Ｂ１と、この円柱部３３Ｂ１の先端に設けられた球状部３３Ｂ２とを有する略棒状のセンターロッド３３Ｂを適用して、球状部３３Ｂ２の先端３３Ｂ３をサセプタ３１に点接触させてもよい。
そして、図５に示すように、略棒状としての円錐状に形成されたセンターロッド３３Ｃを適用して、先端３３Ｃ３をサセプタ３１に点接触させてもよい。
さらに、図６に示すように、縦断面が三角形の略壁状に形成されたセンターロッド３３Ｄを適用して、先端３３Ｄ３をサセプタ３１に線接触させてもよい。
また、上端が円弧面状に形成された略棒状の温度制御部材を、サセプタ３１に線接触させて設けてもよい。
また、石英などの透明部材で形成されたセンターロッド３３をサンドブラスト処理しなくてもよいし、センターロッド３３を不透明石英、ＳｉＣ（炭化珪素）などの不透明部材で形成してもよい。そして、センターロッド３３と周縁支持手段３２とを一体的に形成して、センターロッド３３を周縁支持手段３２から脱着できないような構成としてもよい。
さらに、サセプタ３１の中央と、このサセプタ３１に載置されたウェハＷの中央とが一致しない状態で成膜をする構成の場合、センターロッド３３の上端を、非載置面３１２の中央ではなく、非載置面３１２の中央からずれたウェハＷの中央に対応する位置に略点接触または略線接触する状態で設けることにより、上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本発明は、サセプタ装置、エピタキシャルウェハの製造装置、および、エピタキシャルウェハの製造方法に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態に係るエピタキシャルウェハの製造装置の要部を示す断面図である。
【図２】前記エピタキシャルウェハの製造装置の平面図である。
【図３】本発明の変形例に係るセンターロッドの側面図である。
【図４】本発明のさらに他の変形例に係るセンターロッドの側面図である。
【図５】本発明のさらに他の変形例に係るセンターロッドの側面図である。
【図６】本発明のさらに他の変形例に係るセンターロッドの側面図である。
【符号の説明】
【００２８】
１…製造装置
２…反応容器
３…サセプタ装置
３１…サセプタ
３２…周縁支持手段
３３，３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄ…温度制御手段としてのセンターロッド
４２…裏面側発光加熱手段
３１１…載置面
３１２…非載置面
Ｅ…エピタキシャル膜
Ｗ…ウェハ
Ｗ１…成膜面
ＷＥ…エピタキシャルウェハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハに輻射光を照射して前記ウェハを加熱しつつ、前記ウェハの成膜面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造するエピタキシャルウェハの製造装置に設けられ、前記ウェハを保持するサセプタ装置であって、
前記ウェハが載置される載置面を有するサセプタと、
このサセプタの周縁近傍を支持する周縁支持手段と、
前記ウェハが載置されたときの前記サセプタにおけるウェハの中央に対応する部分の温度を制御する温度制御手段と、を備え、
前記温度制御手段は、略棒状または略板状に形成されて、前記載置面と反対の非載置面側において前記非載置面と略直交する方向に延び、かつ、前記非載置面側の端部が前記非載置面におけるウェハの中央に対応する部分と略点接触または略線接触する状態で設けられている
ことを特徴とするサセプタ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のサセプタ装置であって、
前記温度制御手段における前記非載置面側の端部は、錐状または半球状に形成されており、前記非載置面と略点接触する状態で設けられている
ことを特徴とするサセプタ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のサセプタ装置であって、
前記温度制御手段は、前記周縁支持手段に着脱自在に取り付けられている
ことを特徴とするサセプタ装置。
【請求項４】
ウェハの成膜面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造するエピタキシャルウェハの製造装置であって、
前記ウェハを保持する請求項１から請求項３のいずれかに記載のサセプタ装置と、
このサセプタ装置が内部に設置され、前記ウェハの成膜面にエピタキシャル膜を気相成長させるための反応ガスを内部に供給可能とする反応容器と、
前記ウェハに向けて輻射光を照射して前記ウェハを加熱する発光加熱手段と、
を備えていることを特徴とするエピタキシャルウェハの製造装置。
【請求項５】
ウェハを保持するサセプタ装置に前記ウェハを保持させ、前記ウェハに輻射光を照射して前記ウェハを加熱しつつ前記ウェハに反応ガスを供給し、前記ウェハの成膜面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造するエピタキシャルウェハの製造方法であって、
前記サセプタ装置は、前記ウェハが載置される載置面を有するサセプタと、このサセプタの周縁近傍を支持する周縁支持手段と、前記ウェハが載置されたときの前記サセプタにおけるウェハの中央に対応する部分の温度を制御する温度制御手段と、を備え、
前記温度制御手段は、略棒状または略板状に形成されて、前記載置面と反対の非載置面側において前記非載置面と略直交する方向に延び、かつ、前記非載置面側の端部が前記非載置面におけるウェハの中央に対応する部分と略点接触または略線接触する状態で設けられており、
前記非載置面におけるウェハの中央に対応する部分の熱を前記温度制御手段により吸熱することで、前記サセプタにおけるウェハの中央に対応する部分の温度を制御する
ことを特徴とするエピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項１】
ウェハに輻射光を照射して前記ウェハを加熱しつつ、前記ウェハの成膜面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造するエピタキシャルウェハの製造装置に設けられ、前記ウェハを保持するサセプタ装置であって、
前記ウェハが載置される載置面を有するサセプタと、
このサセプタの周縁近傍を支持する周縁支持手段と、
前記ウェハが載置されたときの前記サセプタにおけるウェハの中央に対応する部分の温度を制御する温度制御手段と、を備え、
前記温度制御手段は、略棒状または略板状に形成されて、前記載置面と反対の非載置面側において前記非載置面と略直交する方向に延び、かつ、前記非載置面側の端部が前記非載置面におけるウェハの中央に対応する部分と略点接触または略線接触する状態で設けられている
ことを特徴とするサセプタ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のサセプタ装置であって、
前記温度制御手段における前記非載置面側の端部は、錐状または半球状に形成されており、前記非載置面と略点接触する状態で設けられている
ことを特徴とするサセプタ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のサセプタ装置であって、
前記温度制御手段は、前記周縁支持手段に着脱自在に取り付けられている
ことを特徴とするサセプタ装置。
【請求項４】
ウェハの成膜面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造するエピタキシャルウェハの製造装置であって、
前記ウェハを保持する請求項１から請求項３のいずれかに記載のサセプタ装置と、
このサセプタ装置が内部に設置され、前記ウェハの成膜面にエピタキシャル膜を気相成長させるための反応ガスを内部に供給可能とする反応容器と、
前記ウェハに向けて輻射光を照射して前記ウェハを加熱する発光加熱手段と、
を備えていることを特徴とするエピタキシャルウェハの製造装置。
【請求項５】
ウェハを保持するサセプタ装置に前記ウェハを保持させ、前記ウェハに輻射光を照射して前記ウェハを加熱しつつ前記ウェハに反応ガスを供給し、前記ウェハの成膜面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造するエピタキシャルウェハの製造方法であって、
前記サセプタ装置は、前記ウェハが載置される載置面を有するサセプタと、このサセプタの周縁近傍を支持する周縁支持手段と、前記ウェハが載置されたときの前記サセプタにおけるウェハの中央に対応する部分の温度を制御する温度制御手段と、を備え、
前記温度制御手段は、略棒状または略板状に形成されて、前記載置面と反対の非載置面側において前記非載置面と略直交する方向に延び、かつ、前記非載置面側の端部が前記非載置面におけるウェハの中央に対応する部分と略点接触または略線接触する状態で設けられており、
前記非載置面におけるウェハの中央に対応する部分の熱を前記温度制御手段により吸熱することで、前記サセプタにおけるウェハの中央に対応する部分の温度を制御する
ことを特徴とするエピタキシャルウェハの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１０−１１４１３９（Ｐ２０１０−１１４１３９Ａ）
【公開日】平成２２年５月２０日（２０１０．５．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２８３１８３（Ｐ２００８−２８３１８３）
【出願日】平成２０年１１月４日（２００８．１１．４）
【出願人】（０００１８４７１３）ＳＵＭＣＯ ＴＥＣＨＸＩＶ株式会社 (265)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年５月２０日（２０１０．５．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１１月４日（２００８．１１．４）
【出願人】（０００１８４７１３）ＳＵＭＣＯ ＴＥＣＨＸＩＶ株式会社 (265)
【Ｆターム（参考）】
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