【課題】サセプタに複数枚の基板を設置して一度に複数枚の基板に薄膜を成長させる気相成長装置において、ゴミ等の介在やサセプタの設置不良を原因とする膜厚の不均一が生じない気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置１は、回転可能でかつ着脱可能なサセプタ５に複数の基板を載置して各基板に化合物半導体薄膜を成長させる気相成長装置１であって、
サセプタ５の載置状態を判定するサセプタ載置判定装置３を有し、サセプタ載置判定装置３は、回転するサセプタ５における少なくとも2カ所の高さ位置を計測する位置測定装置２２と、位置測定装置２２の計測値を入力してサセプタ５の高さ位置と傾斜が予め定めた許容値の範囲内かどうかを判定する判定手段４７とを備えたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】使用できる温度帯を広げることができる基板ホルダーを提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダー１３は、一端部が基板支持面４５に導通する接地軸５３の他端部に接続され、接地軸５３を接地電位に切替えるリレー回路６１と、接地軸５３の一端部のキャップを基板支持面４５に押し付けるように付勢する圧縮コイルばね５９と、接地軸５３の他端部を真空側に配置し、圧縮コイルばね５９の付勢方向に伸縮するベローズ５７と、圧縮コイルばね５９の付勢方向で狭持されるＯリング６３とを備えている。この構成により、接地軸５３が熱膨張しても基板支持面４５との導通を確保できる。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の生産性の向上を図ることができ、且つキャリアの洗浄回数を減らすことができる等のキャリアの管理コストの低減に寄与する真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置は、ロードロックチャンバＬＬとプロセスチャンバＰＣの間で移送されるキャリア７と、プロセスチャンバＰＣ内に移送されたキャリア７から基板７を受け取るフック１９を備えており、基板５への真空処理はキャリア７がロードロックチャンバＬＬに退避した後に行われる。 （もっと読む）

【課題】基板保持部品の交換に掛かるコストの削減を実現できると共に半導体製造のスループットを向上させることができるサセプタ及びこれを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】基板の表面をその下方の反応ガス流路に臨ませて基板の表面に半導体膜を気相成長させるフェースダウン型の半導体製造装置に用いられるサセプタにおいて、基板を支えるツメ部品が着脱自在に設けられるものである。 （もっと読む）

【課題】使用できる温度帯を広げることができる基板ホルダーを提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダー１３は、一端部が基板支持面４５に導通する接地軸５３の他端部に接続され、接地軸５３を接地電位に切替えるリレー回路６１と、接地軸５３の一端部のキャップを基板支持面４５に押し付けるように付勢する圧縮コイルばね５９と、接地軸５３の他端部を真空側に配置し、圧縮コイルばね５９の付勢方向に伸縮するベローズ５７と、圧縮コイルばね５９の付勢方向で狭持されるＯリング６３とを備えている。この構成により、接地軸５３が熱膨張しても基板支持面４５との導通を確保できる。 （もっと読む）

【課題】 熱応力によるウエハ保持体の破損が生じにくく、且つ均熱性に優れたウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 埋設された発熱体２を有し、窒化アルミニウムを主成分とする材料で構成される基板１と、この基板１に機械的に結合してこれを支持する筒状の支持体４とからなる半導体製造装置用ウエハ保持体であって、支持体４の内側には基板１の温度測定用の測温素子１１を収納する筒状体１２が設けられており、筒状体１２の内側は大気雰囲気であり且つ支持体４の内側の雰囲気から隔離されている （もっと読む）

【課題】
各処理室間のゲートバルブ等を設けずに長尺の基板を搬送し、且つ、各処理室を真空に保持し、連続的に成膜処理することである
【解決手段】
基板連続処理装置は、第１組の前処理室，成膜処理室，後処理室の連結可能な連続体からなり、またこの連続体と合体でき得る第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室の連結可能な連続体で構成される。また第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室には、基板が通過でき得る溝が設けられ、前処理室密封，成膜処理密封室及び後処理密封室にはシールするために、１つ若しくは複数の密封材（Ｏリング等）を設置するための、密封材用取り付け溝を設置してなる構成により課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基板搬送システムの構造設計上の自由度を向上させる基板トレイ及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを内側に収容する収容孔１１を複数有し、複数の基板Ｗと共にロボットアーム２０により搬送される円形状の基板トレイ１０において、ロボットアーム２０の挿入方向Ｄと反対の方向側となる一方の半円の領域１０ｂで、他方の半円の領域１０ａより収容孔１１の数を少なくすることにより、一方の半円の領域１０ｂの重さを、他方の半円の領域１０ａの重さより重くし、これにより、基板トレイ１０及び複数の基板Ｗによる重心Ｇ２の位置を、基板トレイ１０の中心Ｃから、ロボットアーム２０の挿入方向Ｄと反対の方向に移動させた。 （もっと読む）

【課題】基体を処理するための処理システムの基体搬送装置において、搬送チャンバ内でのケーブル引き回し処理を不要とする。
【解決手段】基体搬送装置は、チャンバ壁１２、テーブル１４、リニアモータ搬送機構１６、光学窓１８、及び、レーザ計測器を備える。チャンバ壁は、搬送空間Ｓを画成する。テーブルは、搬送空間内に収容されている。当該テーブル上には基体を載置可能である。リニアモータ搬送機構は、搬送空間内においてリニアモータによりテーブルを移動させる。光学窓は、搬送空間と当該搬送空間の外部空間との間に設けられている。例えば、光学窓は、チャンバ壁に画成された開口を封止するように設けられる。レーザ計測器は、光学窓を介してテーブルに向けてレーザ光を照射し、テーブルからの反射光を受けて、テーブルの位置を計測する。 （もっと読む）

【課題】基板の位置決め精度が向上すると共に、プロセスへの影響が低減する基板の載置構造及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を内側に収容する複数の貫通孔と、貫通孔の内壁の３箇所に突設され、基板を上面に保持する保持部とを備える基板トレイと、貫通孔に対応して突設された複数の載置台１１と、保持部に対応して、載置台１１の外周部分の３箇所に形成され、保持部を収容する切欠部１３とを備える載置板１０とを有し、基板トレイを載置板１０上に載置すると、貫通孔の内側に載置台１１が配置されて、基板が載置台１１の上面に各々載置される基板の載置構造において、載置台１１の外径を基板の外径より大きくすると共に、大きくした載置台１１の外周部分に基板の外縁を案内するガイド１２を設けた。 （もっと読む）

【課題】基板の位置決め精度を向上させること無く、プロセスへの影響を低減できる基板トレイ、基板の載置構造及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を載置して、複数の基板と共に搬送される基板トレイ２０において、載置する基板の数に対応して、基板の外径より大きい貫通孔２１を複数設け、貫通孔２１に、当該貫通孔２１の内側を横断する梁２２を少なくとも２本設け、梁２２の上であって、貫通孔２１の内側に基板を各々載置する。 （もっと読む）

【課題】突発故障が発生しても、生産性の高い成膜を行うことのできる薄膜製造装置及び薄膜製造方法、並びに薄膜製造装置のメンテナンス方法を提供することである。
【解決手段】成膜室を有し当該成膜室内で基体に薄膜を成膜する成膜チャンバーの集合である成膜チャンバー群４２と、基体を搬送可能な移動チャンバー６と、基体を仮置き可能な基体仮置き装置を３基以上有し、前記移動装置はいずれの成膜チャンバーに対しても基体の受け渡しが可能であり、且つ前記移動装置は前記３基以上の基体仮置き装置に対して基体の受け取りまたは払い出しの少なくともいずれかが可能である薄膜製造装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】空間を分離する際のシール性及びメンテナンス性に優れた駆動装置を提供する。
【解決手段】同軸上に２つの回転軸（外側出力軸１５０及び内側出力軸２５０）を有する駆動装置８０において、本体ケース３００と外側出力軸１５０との間に真空シール１７０を配置し、更に、外側出力軸１５０と内側出力軸２５０との間に真空シール２７０を配置することで、駆動装置８０の本体ケース３００内の空間と、本体ケース３００外の空間とを分離する。これにより、駆動装置８０を減圧環境下で用いる場合であっても、駆動装置８０の本体ケース３００内の空間（大気圧環境側）と減圧環境側の空間とを分離することができるので、駆動装置８０の減圧環境下での使用が可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板を保持した基板ホルダを搬送装置内に高精度に収納する。
【解決手段】複数枚のウエハを収納可能なポッド（フープ）にウエハホルダによって保持されたウエハを収納する際に用いられる治具であり、台座部９１と位置決めブロック９２とグリップ部９３とを有しており、台座部９１に一段下がったザグリ面９１ｂが形成され、ザグリ面９１ｂにウエハホルダの回転方向を位置決めする３つの突起部９１ｆが設けられ、位置決めブロック９２の突出部９２ａとポッドとで位置決めを行ってポッドに前記ウエハホルダを収納する。 （もっと読む）

【課題】 基板処理装置が備えるそれぞれの系への電力の供給を個別に制御することで、電力の消費量を低減する。
【解決手段】 処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、処理室内に搬入された基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、少なくとも処理系及び処理室内搬送系に電力を供給する主電源と、処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電子部品製造装置に異常が発生した場合に、基板の加熱が継続されることを抑制すること。
【解決手段】基板１０を上面に搭載するステージ２０と、前記ステージを加熱することにより前記基板を加熱するヒータ２２と、電子部品製造装置に異常が発生すると、前記ステージから前記基板を離間させる離間機構１１と、を具備する電子部品製造装置。 （もっと読む）

【課題】光を用いて基板を処理する基板処理装置において、処理基板の大型化に対応することのできる技術を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に設けられ基板を載置した状態で水平回転する基板載置部と、基板載置部に載置された基板に対向するように前記処理室外に設けられ処理室内へ光を照射する発光部と、処理室と発光部の間に設けられ処理室と発光部を隔てる仕切り部と、処理室内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、処理室内の雰囲気を排気する排気部とを備えた基板処理装置において、仕切り部は、発光部から処理室内へ照射される光を透過する複数の透過窓と、該透過窓と透過窓との間に設けられ透過窓を固定する窓固定部とを備え、複数の透過窓のうち少なくとも１つの透過窓の面積は、基板の面積よりも小さくなるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の面内温度分布を解消し、基板表面に形成する薄膜の面内均一性を向上させて歩留まりを改善することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板保持部材２０に設けた基板保持凹部２３に基板２２を保持し、加熱手段によって加熱される基板保持部材を介して基板を加熱するとともに、基板上に原料ガスを供給して基板表面に薄膜を形成する気相成長装置において、基板保持凹部は、基板の裏面に平行な平面部２６と、平面部から上方に突出して上端に基板載置部２７ａが設けられた基板支持凸部２７と、基板支持凸部に隣接する平面部に設けられた凹溝部２８とを備えている。 （もっと読む）