基板処理装置及び半導体装置の製造方法
【課題】 基板処理装置が備えるそれぞれの系への電力の供給を個別に制御することで、電力の消費量を低減する。
【解決手段】 処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、処理室内に搬入された基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、少なくとも処理系及び処理室内搬送系に電力を供給する主電源と、処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備える。
【解決手段】 処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、処理室内に搬入された基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、少なくとも処理系及び処理室内搬送系に電力を供給する主電源と、処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造方法の一工程を実施する基板処理装置は、処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、処理室内に搬入された基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、処理室内外へ基板を搬送する工程内搬送系と、少なくとも処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系に電力を供給する主電源と、を備えている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の基板処理装置は、基板の搬入を待っている間、メンテナンスを実施している間、及び基板に処理を施している間のいずれであっても、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系の全ての系に、電力が供給され続けている。
【０００４】
例えば、基板処理装置が基板の搬入を待っている場合、処理系、処理室内搬送系、及び工程内搬送系の全ての系はいずれも待機状態にある。すなわち、各系を構成する各部品は作動しておらず、いずれも未使用の状態にある。このように、各系が未使用の状態にある場合であっても、各系を構成する各部品には、電力が供給され続け、使用可能な状態にある。このため、待機電力等が必要であり、電力の消費量が多くなるという問題があった。
【０００５】
本発明は、基板処理装置が備えるそれぞれの系への電力の供給を個別に制御することで、電力の消費量を低減することができる基板処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、
処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、
前記処理室内に搬入された前記基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、
少なくとも前記処理系及び前記処理室内搬送系に電力を供給する主電源と、
前記処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、
前記処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備える基板処理装置が提供される。
【０００７】
本発明の他の態様によれば、
処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、前記処理室内に搬入された前記基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、前記処理室内外へ前記基板を搬送する工程内搬送系と、少なくとも前記処理系、前記処理室内搬送系及び前記工程内搬送系に電力を供給する主電源と、を備える基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
前記基板処理装置は、前記処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、前記処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備え、
前記基板処理装置への前記基板の搬送を待つスタンバイモード、前記基板処理装置の点検を行うメンテナンスモード、又は前記基板処理装置に搬送された前記基板をレシピに基づいて処理するレシピ運用モードのうち、前記基板処理装置がいずれのモードにあるかを判断する工程と、
前記スタンバイモードと判断された場合は、前記処理系への電力供給路及び前記処理室内搬送系への電力供給路を遮断するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制
御する工程と、
前記メンテナンスモードと判断された場合は、少なくとも前記処理系への電力供給路を遮断するように、前記第１の開閉器を制御する工程と、
前記レシピ運用モードと判断された場合は、前記レシピの進行状況に応じて、前記処理系への電力供給路又は前記処理室内搬送系への電力供給路の少なくとも一つを接続するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る基板処理装置及び半導体装置の製造方法によれば、基板処理装置が備えるそれぞれの系への電力の供給を個別に制御することで、電力の消費量を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係るクラスタ型の基板処理装置の横断面概略図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るクラスタ型の基板処理装置の縦断面概略図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る処理炉の縦断面概略図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る電力供給路を示す模式図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る開閉器の動作状況を示す表図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る電力供給路を示す模式図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る処理炉としてのＩＣＰ型プラズマ処理装置の縦断面概略図である。
【図８】本発明の更に他の実施形態に係る処理炉としてのＥＣＲ型プラズマ処理装置の縦断面概略図である。
【図９】従来の基板処理装置が備える電力供給路を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１１】
（１）基板処理装置の構成
本実施形態にかかるクラスタ型の基板処理装置は、工程内搬送系と、処理系と、処理室内搬送系とを具備して構成されている。そして、主に、処理系と処理室内搬送系とにより、基板を処理する処理炉が構成されている。
【００１２】
（２）工程内搬送系の構成
まず、本実施形態にかかる基板処理装置の工程内搬送系について、図１及び図２を用いて説明する。本発明が適用される基板処理装置では、基板としてのウエハ２００を搬送するキャリヤとしては、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ。以下、ポッドという。）が使用されている。本実施形態にかかるクラスタ型の基板処理装置の工程内搬送系は、真空側と大気側とに分かれている。なお、本明細書中における「真空」とは工業的真空を意味する。また、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、図１が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。
【００１３】
クラスタ型の基板処理装置１００は、内部を真空状態などの大気圧未満の圧力（減圧）に減圧可能なロードロックチャンバ構造に構成された第１搬送室としての真空搬送室１０３を備えている。真空搬送室１０３の筐体１０１は、平面視が例えば六角形で、上下両端
が閉塞した箱形状に形成されている。
【００１４】
真空搬送室１０３の筐体１０１を構成する六枚の側壁のうち、前側に位置する二枚の側壁には、ゲートバルブ１２６，１２７を介して，ロードロック室１２２，１２３が真空搬送室１０３と連通可能にそれぞれ設けられている。
【００１５】
真空搬送室１０３の他の四枚の側壁には、ゲートバルブ２４４ａ〜２４４ｄを介して、プロセスチャンバ２０２ａ〜２０２ｄが、真空搬送室１０３と連通可能にそれぞれ設けられている。プロセスチャンバ２０２ａ〜２０２ｄは、後述するように、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等によりウエハ２００上へ薄膜を形成する処理や、ウエハ２００表面を酸化、窒化、炭化等する処理や、ウエハ２００表面をエッチングする処理や、ウエハ２００を加熱するアニール処理等の各種基板処理を実施するように構成されている。プロセスチャンバ２０２ａ〜２０２ｄには、後述するガス供給部、排気部等が設けられている。
【００１６】
真空搬送室１０３内には、第１搬送機構としての真空搬送ロボット１１２が設けられている。真空搬送ロボット１１２は、ロードロック室１２２，１２３と、プロセスチャンバ２０２ａ〜２０２ｄとの間で、例えば２枚のウエハ２００（図１中、点線で示す）を同時に搬送可能に構成されている。真空搬送ロボット１１２は、エレベータ１１５によって、真空搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降可能に構成されている。また、ロードロック室１２２，１２３のゲートバルブ１２６，１２７、プロセスチャンバ２０２ａ〜２０２ｄのゲートバルブ２４４ａ〜２４４ｄのそれぞれの近傍には、ウエハ２００の有無を検知する基板検知部として図示しないウエハ有無センサが設けられている。
【００１７】
ロードロック室１２２，１２３は、内部が真空状態などの大気圧未満の圧力（減圧）に減圧可能なロードロックチャンバ構造に構成されている。すなわち、ロードロック室の前側には、ゲートバルブ１２８，１２９を介して、後述する第２搬送室としての大気搬送室１２１が設けられている。このため、ゲートバルブ１２６〜１２９を閉じてロードロック室１２２，１２３内部を真空排気した後、ゲートバルブ１２６，１２７を開けることで、真空搬送室１０３の真空状態を保持しつつ、ロードロック室１２２，１２３と真空搬送室１０３との間でウエハ２００を搬送可能に構成されている。
【００１８】
また、ロードロック室１２２，１２３は、真空搬送室１０３内へ搬入するウエハ２００を一時的に収納する予備室として、さらに、真空搬送室１０３内から搬出したウエハ２００を一時的に収納して冷却する冷却室として機能するように構成されている。この際、ロードロック室１２２内では基板支持部１４０上に、ロードロック室１２３内では基板支持部１４１上にそれぞれウエハ２００が載置されるように構成されている。また、ロードロック室１２２，１２３には隔壁板（中間プレート）１４２（図２参照）が設けられていてもよい。これにより、冷却途中のウエハ２００の冷却が、熱干渉により妨げられることを防止することができる。具体的には、例えば、複数枚の処理済みウエハ２００がロードロック室１２２，１２３内に搬入される場合、後に搬入された処理済みのウエハ２００の熱の影響で、先に搬入された冷却途中の処理済みのウエハ２００の温度の下がり具合が遅くなることを防止することができる。
【００１９】
基板処理装置１００の大気側には、略大気圧下で用いられる、第２搬送室としての大気搬送室１２１が設けられている。すなわち、ロードロック室１２２，１２３の前側には、ゲートバルブ１２８，１２９を介して、大気搬送室１２１が設けられている。なお、大気搬送室１２１は、ロードロック室１２２，１２３と連通可能に設けられている。
【００２０】
大気搬送室１２１には、ウエハ２００を移載する第２搬送機構としての大気搬送ロボット１２４が設けられている。大気搬送ロボット１２４は、大気搬送室１２１に設けられたエレベータ１３１（図２参照）によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２（図２参照）によって左右方向（図１における左右方向であり、図２では前後方向になる。）に往復移動されるように構成されている。また、大気搬送室１２１のゲートバルブ１２８，１２９の近傍には、ウエハ２００の有無を検知する基板検知部として図示しないウエハ有無センサが設けられている。
【００２１】
また、大気搬送室１２１内には、ウエハ２００位置の補正装置として、ウエハ２００の結晶方向や位置合わせ等をウエハ２００のノッチを用いて行うノッチ合わせ装置１０６が設けられている。なお、ノッチ合わせ装置１０６の代わりに、図示しないオリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｆｌａｔ）合わせ装置が設けられてもよい。そして、大気搬送室１２１の上部には、クリーンエアを供給するクリーンユニット１１８（図２参照）が設けられている。
【００２２】
大気搬送室１２１の筐体１２５の前側には、ウエハ２００を大気搬送室１２１内外に搬送する基板搬送口１３４と、ポッドオープナ１０８とが設けられている。基板搬送口１３４を挟んで、ポッドオープナ１０８と反対側、すなわち筐体１２５の外側にはロードポート（Ｉ／Ｏステージ）１０５が設けられている。ロードポート１０５上には、複数枚のウエハ２００を収納するポッド１０９が載置されている。また、大気搬送室１２１内には、基板搬送口１３４を開閉する蓋１３５や、ポッド１０９のキャップであるポッドキャップ１０９ａ等を開閉させる開閉機構１４３と、開閉機構１４３を駆動する開閉機構駆動部１３６とが設けられている。ポッドオープナ１０８は、ロードポート１０５に載置されたポッド１０９のキャップ１０９ａを開閉することにより、ポッド１０９に対するウェハ２００の出し入れを可能にする。また、ポッド１０９は図示しない搬送装置（ＲＧＶ）によって、ロードポート１０５に対して、搬入（供給）および搬出（排出）されるようになっている。
【００２３】
主に、真空搬送室１０３、ロードロック室１２２，１２３、大気搬送室１２１、及びゲートバルブ１２６〜１２９により、本実施形態に係る基板処理装置１００の工程内搬送系が構成される。
【００２４】
また、基板処理装置１００の工程内搬送系の構成各部には、後述する制御部２２１が電気的に接続されている。そして、上述した構成各部の動作を、それぞれ制御するように構成されている。
【００２５】
（３）工程内搬送系の動作
次に、本実施形態に係る基板処理装置１００内におけるウエハ２００の搬送動作を説明する。なお、基板処理装置１００の工程内搬送系の構成各部の動作は、制御部２２１によって制御される。
【００２６】
まず、例えば２５枚の未処理のウエハ２００を収納したポッド１０９が、図示しない搬送装置によって基板処理装置１００に搬入されてくる。搬入されてきたポッド１０９は、ロードポート１０５上に載置される。開閉機構１４３は、蓋１３５及びポッド１０９のキャップ１０９ａを取り外し、基板搬送口１３４及びポッド１０９のウエハ出入口を開放する。
【００２７】
ポッド１０９のウエハ出入口を開放すると、大気搬送室１２１内に設置されている大気搬送ロボット１２４は、ポッド１０９からウエハ２００を１枚ピックアップして、ノッチ合わせ装置１０６上へ載置する。
【００２８】
ノッチ合わせ装置１０６は、載置されたウエハ２００を、水平の縦横方向（Ｘ方向，Ｙ方向）及び円周方向に動かして、ウエハ２００のノッチ位置等を調整する。ノッチ合わせ装置１０６で１枚目のウエハ２００の位置調整を実施中に、大気搬送ロボット１２４は、２枚目のウエハ２００をポッド１０９からピックアップして大気搬送室１２１内に搬入し、大気搬送室１２１内で待機する。
【００２９】
ノッチ合わせ装置１０６により１枚目のウエハ２００の位置調整が終了した後、大気搬送ロボット１２４は、ノッチ合わせ装置１０６上の１枚目のウエハ２００をピックアップする。大気搬送ロボット１２４は、そのとき大気搬送ロボット１２４が保持している２枚目のウエハ２００を、ノッチ合わせ装置１０６上へ載置する。その後、ノッチ合わせ装置１０６は、載置された２枚目のウエハ２００のノッチ位置等を調整する。
【００３０】
次に、ゲートバルブ１２８が開けられ、大気搬送ロボット１２４は、１枚目のウエハ２００をロードロック室１２２内に搬入し、基板支持部１４０上に載置する。この移載作業中には、真空搬送室１０３側のゲートバルブ１２６は閉じられており、真空搬送室１０３内の減圧雰囲気は維持されている。１枚目のウエハ２００の基板支持部１４０上への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、ロードロック室１２２内が図示しない排気装置によって負圧になるよう排気される。
【００３１】
以降、大気搬送ロボット１２４は、上述の動作を繰り返す。但し、ロードロック室１２２が負圧状態の場合、大気搬送ロボット１２４は、ロードロック室１２２内へのウエハ２００の搬入を実行せず、ロードロック室１２２の直前位置で停止して待機する。
【００３２】
ロードロック室１２２内が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ１２６が開けられて、ロードロック室１２２と真空搬送室１０３とが連通される。続いて、真空搬送室１０３内に配置された真空搬送ロボット１１２は、基板支持部１４０から１枚目のウエハ２００をピックアップして、真空搬送室１０３内に搬入する。
【００３３】
真空搬送ロボット１１２が基板支持部１４０から１枚目のウエハ２００をピックアップした後、ゲートバルブ１２６が閉じられ、ロードロック室１２２内が大気圧に復帰させられ、ロードロック室１２２内に次のウエハ２００を搬入するための準備が行われる。それと並行して、プロセスチャンバ２０２ａのゲートバルブ２４４ａが開けられ、真空搬送ロボット１１２が１枚目のウエハ２００をプロセスチャンバ２０２ａ内に搬入する。プロセスチャンバ２０２ａ内へのウエハ２００の搬入が完了したら、ゲートバルブ２４４ａが閉じられる。そして、プロセスチャンバ２０２ａ内に後述するガス供給部から処理ガスが供給され、１枚目のウエハ２００に所定の処理が施される。
【００３４】
プロセスチャンバ２０２ａにおいて所定の処理が終了すると、ゲートバルブ２４４ａが開けられ、真空搬送ロボット１１２によって、ウエハ２００がプロセスチャンバ２０２ａ内から真空搬送室１０３へ搬出される。搬出された後、ゲートバルブ２４４ａが閉じられる。
【００３５】
続いて、ゲートバルブ１２７が開けられ、プロセスチャンバ２０２ａから搬出したウエハ２００は、ロードロック室１２３内へ搬入されて、基板支持部１４１上に載置される。なお、ロードロック室１２３は、図示しない排気装置によって、予め設定された圧力値に減圧されている。
【００３６】
そして、ゲートバルブ１２７が閉じられ、ロードロック室１２３内で処理済みのウエハ２００の冷却を開始する。また、ロードロック室１２３に接続された図示しない不活性ガ
ス供給部から不活性ガスが導入され、ロードロック室１２３内の圧力が大気圧に復帰させられる。
【００３７】
ロードロック室１２３において、予め設定された冷却時間が経過し、そしてロードロック室１２３内の圧力が大気圧に復帰させられると、ゲートバルブ１２９が開けられる。続いて、大気搬送ロボット１２４が基板支持部１４１上から処理済みのウエハ２００をピックアップして大気搬送室１２１内に搬出した後、ゲートバルブ１２９が閉じられる。その後、大気搬送ロボット１２４は、大気搬送室１２１の基板搬送口１３４を通して、処理済のウエハ２００をポッド１０９に収納する。ここで、ポッド１０９のキャップ１０９ａは、最大２５枚のウエハ２００が戻されるまでずっと開け続けていてもよく、空きのポッド１０９に収納せずにウエハを搬出してきたポッド１０９に戻してもよい。
【００３８】
前述の工程によってポッド１０９内の全てのウエハ２００に所定の処理が施され、処理済みの２５枚のウエハ２００のすべてが所定のポッド１０９へ収納されると、ポッド１０９のキャップ１０９ａと、基板搬送口１３４の蓋１３５とが開閉機構１４３によって閉じられる。その後、ポッド１０９は、ロードポート１０５上から次の工程へ、図示しない搬送装置によって搬送される。以上の動作が繰り返されることにより、ウエハ２００が２５枚ずつ順次処理されていく。
【００３９】
上述した本実施形態では、搬入用の予備室としてロードロック室１２２、搬出用の予備室としてロードロック室１２３を使用する場合を例に説明した。本実施形態では、このような形態に限定されるものではない。すなわち、ロードロック室１２２を搬出用として使用し、ロードロック室１２３を搬入用として使用してもよい。さらに、ロードロック室１２２，１２３を搬入用及び搬出用として併用して使用してもよい。ここで、十分な冷却時間を経ずに大気側のゲートバルブ１２８または１２９を開けると、ウエハ２００の輻射熱によってロードロック室１２２，１２３、またはロードロック室１２２，１２３の周りに接続されている電気部品に損害を与える可能性がある。このため、高温である処理済みのウエハ２００を冷却する場合は、例えばロードロック室１２２を搬入用の予備室として使用し、ロードロック室を搬出用の予備室として使用することが好ましい。これにより、ロードロック室１２３内に処理済みのウエハ２００を搬入して冷却を行っている途中で、ロードロック室１２２のゲートバルブ１２６，１２８を開閉し、プロセスチャンバにウエハを搬入し、ウエハ２００の処理を行うことができる。
【００４０】
本実施形態では、処理炉としてプロセスチャンバ２０２ａが使用される場合を例に説明したが、本実施形態では、このような形態に限定されるものではない。すなわち、プロセスチャンバ２０２ｂ〜２０２ｄが使用される場合についても同様の動作が実施される。また、プロセスチャンバ２０２ａ〜２０２ｄの全てで、同じ処理を行ってもよいし、各プロセスチャンバ２０２ａ〜２０２ｄで別の処理を行ってもよい。そして、例えば、プロセスチャンバ２０２ａとプロセスチャンバ２０２ｂとで別の処理を行う場合、プロセスチャンバ２０２ａでウエハ２００に所定の処理を行った後、続けてプロセスチャンバ２０２ｂで別の処理を行ってもよい。さらに、プロセスチャンバ２０２ａでウエハ２００に所定の処理を行った後、プロセスチャンバ２０２ｂで別の処理を行う場合、ロードロック室１２２又はロードロック室１２３を経由するようにしてもよい。また、本実施形態では４つのプロセスチャンバ２０２ａ〜２０２ｄが設けられているが、設けられるプロセスチャンバは、３つ以下でもよいし、５つ以上であってもよい。さらにプロセスチャンバとして、複数枚のウエハ２００を処理することが可能な縦型の処理炉が用いられてもよい。
【００４１】
（４）処理炉の構成
続いて、本実施形態に係る処理系と処理室内搬送系とを備える処理炉について説明する。すなわち、本実施形態に係る処理炉としてのプロセスチャンバ２０２ａの構成について
、図３を用いて説明する。図３は、プロセスチャンバ２０２ａとしてのＭＭＴ装置の縦断面概略図である。なお、プロセスチャンバ２０２ｂ〜２０２ｄについては、プロセスチャンバ２０２ａと同様に構成されているため、説明を省略する。
【００４２】
ＭＭＴ装置とは、電界と磁界とにより高密度プラズマを発生できる変形マグネトロン型プラズマ源（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ Ｔｙｐｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅ）を用い、ウエハ２００をプラズマ処理する装置である。ＭＭＴ装置は、処理ガスをプラズマ状態として励起させて、例えば基板表面又は基板に形成された薄膜を酸化や窒化したり、基板上に薄膜を形成したり、基板表面をエッチングしたりする等、各種のプラズマ処理を施すことができる。
【００４３】
処理室２０１を構成する処理容器２０３は、第１の容器であるドーム型の上側容器２１０と、第２の容器である碗型の下側容器２１１と、を備えている。そして、上側容器２１０が下側容器２１１の上に被さることにより、処理室２０１が形成される。上側容器２１０は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）又は石英（ＳｉＯ２）等の非金属材料で形成されており、下側容器２１１は例えばアルミニウム（Ａｌ）等で形成されている。
【００４４】
下側容器２１１の側壁には、仕切弁としてのゲートバルブ２４４ａが設けられている。上述したように、プロセスチャンバ２０２ａは、ゲートバルブ２４４ａを介して真空搬送室１０３（図１参照）と連通可能に設けられている。すなわち、処理室２０１と真空搬送室１０３との間でウエハ２００が搬送可能に構成されている。ゲートバルブ２４４ａが開けられると、真空搬送ロボット１１２（図１参照）を用いて処理室２０１内へウエハ２００を搬入し、または処理室２０１外へとウエハ２００を搬出することができるようになっている。そして、ゲートバルブ２４４ａを閉めることにより、処理室２０１内を気密にすることができるようになっている。
【００４５】
処理室２０１内の底側中央には、ウエハ２００を支持するサセプタ２１７が配置されている。サセプタ２１７は、ウエハ２００の金属汚染を低減することができるように、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、セラミックス、石英等の非金属材料で形成されている。なお、サセプタ２１７は、下側容器２１１とは電気的に絶縁されている。
【００４６】
サセプタ２１７の内部には、加熱機構としてのヒータ２１７ｂが一体的に埋め込まれており、ウエハ２００を加熱できるようになっている。ヒータ２１７ｂに電力が供給されると、ウエハ２００表面が所定温度（例えば室温〜１０００℃程度）にまで加熱されるようになっている。なお、サセプタ２１７には、温度センサ（図中省略）が設けられている。ヒータ２１７ｂ及び温度センサには、後述する制御部２２１が電気的に接続されている。制御部２２１は、温度センサにより検出された温度情報に基づいてヒータ２１７ｂへの通電具合を制御するように構成されている。
【００４７】
また、サセプタ２１７の内部には、インピーダンスを変化させる図示しない電極が装備されている。この電極は、インピーダンス可変機構２７４を介して設置されている。インピーダンス可変機構２７４は、コイルや可変コンデンサを備えており、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することにより、電極（図中省略）及びサセプタ２１７を介してウエハ２００の電位を制御できるようになっている。なお、インピーダンス可変機構２７４は、後述する制御部２２１が電気的に接続されている。
【００４８】
サセプタ２１７には、サセプタ２１７を昇降させるサセプタ昇降機構２６８が設けられている。サセプタ２１７には、貫通孔２１７ａが設けられている。上述の下側容器２１１底面には、ウエハ２００を突き上げるウエハ突き上げピン２６６が、少なくとも３箇所設けられている。そして、貫通孔２１７ａ及びウエハ突き上げピン２６６は、サセプタ昇降
機構２６８によりサセプタ２１７が下降させられた時に、ウエハ突き上げピン２６６がサセプタ２１７とは非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるように、互いに配置されている。
【００４９】
処理室２０１の上部には、処理室２０１内へ処理ガス２３０を供給するシャワーヘッド２３６が設けられている。シャワーヘッド２３６は、キャップ状の蓋体２３３、ガス導入部２３４、バッファ室２３７、遮蔽プレート２４０及びガス吹出口２３９を備えている。
【００５０】
蓋体２３３は、上側容器２１０の上部に開設された開口に気密に設けられている。蓋体２３３の下部には、遮蔽プレート２４０が設けられている。蓋体２３３と遮蔽プレート２４０との間の空間がバッファ室２３７である。バッファ室２３７は、ガス導入部２３４より導入される処理ガス２３０を分散する分散空間として機能する。そして、バッファ室２３７を通過した処理ガス２３０が、遮蔽プレート２４０の側部のガス吹出口２３９から処理室２０１内に供給される。また、蓋体２３３には、開口が設けられている。蓋体２３３の開口には、ガス導入部２３４の下流端が気密に設けられている。ガス導入部２３４の上流端には、ガス供給管２３２の下流端が接続されている。
【００５１】
ガス供給管２３２には、上流側から順に、処理ガス２３０や不活性ガスを供給する図示しないガス供給源、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２４１、開閉弁であるバルブ２４３ａが設けられている。ガス供給管２３２は、例えば石英、酸化アルミニウム等の非金属材料、及びＳＵＳ等の金属材料等により構成されている。マスフローコントローラ２４１及びバルブ２４３ａには、後述する制御部２２１が電気的に接続されている。制御部２２１は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ２４１及びバルブ２４３ａの開閉を制御するように構成されている。このように、バルブ２４３ａを開閉させることにより、マスフローコントローラ２４１により流量制御しながら、ガス供給管２３２、バッファ室２３７及びガス吹出口２３９を介して処理室２０１内に、処理ガス２３０や不活性ガスを自在に供給できるように構成されている。主にガス供給管２３２、図示しないガス供給源、マスフローコントローラ２４１及びバルブ２４３ａにより、本実施形態にかかるガス供給部が構成されている。
【００５２】
下側容器２１１の側壁下方には、処理室２０１内から処理ガス２３０等を排気するガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５には、ガスを排気するガス排気管２３１の上流端が接続されている。ガス排気管２３１には、圧力調整器であるＡＰＣ２４２、開閉弁であるバルブ２４３ｂ、排気装置である真空ポンプ２４６が、上流から順に設けられている。ＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ、真空ポンプ２４６には、後述する制御部２２１が電気的に接続されている。真空ポンプ２４６を作動させ、バルブ２４３ｂを開けることにより、処理室２０１内を排気することが可能なように構成されている。また、ＡＰＣ２４２の開度を調整することにより、処理室２０１内の圧力値を調整できるように構成されている。主にガス排気口２３５、ガス排気管２３１、ＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ及び真空ポンプ２４６により、本実施形態に係る排気部が構成されている。
【００５３】
処理容器２０３（上側容器２１０）の外周には、処理室２０１内のプラズマ生成領域２２４を囲うように、筒状電極２１５が設けられている。筒状電極２１５は、筒状、例えば円筒状に形成されている。筒状電極２１５は、インピーダンスの整合を行う整合器２７２を介して、高周波電力を発生する高周波電源２７３に接続されている。筒状電極２１５は、処理室２０１内に供給される処理ガス２３０をプラズマ励起させる放電機構として機能する。
【００５４】
筒状電極２１５の外側表面の上下端部には、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂがそれぞれ取り付けられている。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂは、それぞれ筒状
、例えばリング状に形成された永久磁石として構成されている。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂは、処理室２０１の半径方向に沿った両端（すなわち、各磁石の内周端及び外周端）にそれぞれ磁極を有している。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂの磁極の向きは、互いに逆向きになるよう配置されている。すなわち、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂの内周部の磁極同士は異極となっている。これにより、筒状電極２１５の内側表面に沿って、円筒軸方向の磁力線が形成されている。
【００５５】
主に、筒状電極２１５、整合器２７２、高周波電源２７３、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂにより、本実施形態に係るプラズマ生成部が構成されている。
【００５６】
処理室２０１内に少なくとも処理ガス２３０を供給した後、筒状電極２１５に高周波電力を供給して電界を形成するとともに、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂを用いて磁界を形成することにより、処理室２０１内のプラズマ生成領域２２４にマグネトロン放電プラズマが生成される。この際、放出された電子を上述の電磁界が周回運動させることにより、プラズマの電離生成率が高まり、長寿命の高密度プラズマを生成させることができる。
【００５７】
なお、筒状電極２１５、上部磁石２１６ａ、及び下部磁石２１６ｂの周囲には、これらが形成する電磁界が外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさないように、電磁界を有効に遮蔽する金属製の遮蔽板２２３が設けられている。
【００５８】
主に、ヒータ２１７ｂ、インピーダンス可変機構２７４、ガス供給部、排気部、整合器２７２及び高周波電源２７３により、本実施形態に係る処理系が構成される。
【００５９】
また、主に、サセプタ昇降機構２６８及びゲートバルブ２４４ａより、本実施形態に係る処理室内搬送系が構成される。なお、ゲートバルブ２４４ａ〜２４４ｄは、上述した工程内搬送系に含めて考えてもよい。
【００６０】
また、基板処理装置１００の処理系及び処理室内搬送系には、制御部２２１が電気的に接続されている。制御部２２１は、信号線Ａを通じてＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ及び真空ポンプ２４６の動作を、信号線Ｂを通じてサセプタ昇降機構２６８の動作を、信号線Ｃを通じてヒータ２１７ｂへの通電量やインピーダンス可変機構２７４のインピーダンス値を、信号線Ｄを通じてゲートバルブ２４４ａの動作を、信号線Ｅを通じて整合器２７２及び高周波電源２７３の動作を、信号線Ｆを通じてマスフローコントローラ２４１及びバルブ２４３ａの動作を、それぞれ制御するように構成されている。
【００６１】
（５）処理炉の動作
続いて、半導体製造工程の一工程として、上述したＭＭＴ装置であるプロセスチャンバ２０２ａを用いて実施される基板処理工程について説明する。なお、基板処理装置１００のプロセスチャンバ２０２ａの構成各部の動作は、制御部２２１により制御される。
【００６２】
（処理室内搬送系の動作）
まず、ウエハ２００の搬送位置までサセプタ昇降機構２６８を用いてサセプタ２１７を下降させ、サセプタ２１７の貫通孔２１７ａにウエハ突上げピン２６６を貫通させる。その結果、突き上げピン２６６が、サセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。続いて、ゲートバルブ２４４ａを開き、真空搬送ロボット１１２を用いて処理室２０１内にウエハ２００を搬入する。その結果、ウエハ２００は、サセプタ２１７の表面から突出したウエハ突上げピン２６６上に水平姿勢で支持される。
【００６３】
処理室２０１内にウエハ２００を搬入したら、真空搬送ロボット１１２（図１及び図２
参照）を処理室２０１外へ退避させ、ゲートバルブ２４４ａを閉じて処理室２０１内を気密にする。そして、サセプタ昇降機構２６８を用いてサセプタ２１７を上昇させる。その結果、ウエハ２００はサセプタ２１７の上面に配置される。その後、サセプタ２１７を所定の位置まで上昇させて、ウエハ２００を所定の処理位置まで上昇させる。
【００６４】
なお、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する際には、排気部により処理室２０１内を排気しつつ、ガス供給部から処理室２０１内にパージガスとしての不活性ガスを供給することが好ましい。すなわち、真空ポンプ２４６を作動させ、バルブ２４３ｂを開けることにより、処理室２０１内を排気しつつ、バルブ２４３ａを開けることにより、バッファ室２３７を介して処理室２０１内に不活性ガスを供給することが好ましい。これにより、処理室２０１内へのパーティクルの侵入や、ウエハ２００上へのパーティクルの付着を抑制することが可能となる。なお、真空ポンプ２４６は、少なくともウエハ２００が、処理室２０１内に搬入されてから搬出されるまでの間は、常に作動させた状態とする。
【００６５】
（処理系の動作）
続いて、サセプタ２１７の内部に埋め込まれたヒータ２１７ｂに電力を供給し、所定の温度に加熱されたサセプタ２１７によって、ウエハ２００の表面が所定の温度（例えば２００℃以上であって７５０℃未満、好ましくは３５０℃〜５５０℃）となるように加熱する。この際、ヒータ２１７ｂの温度は、図中省略の温度センサにより検出された温度情報に基づいてヒータ２１７ｂへの通電具合を制御することによって調整される。
【００６６】
また、処理室２０１内が所望の圧力（例えば０．１〜３００Ｐａ、好ましくは２０〜４０Ｐａ）となるように、処理室２０１内を真空ポンプ２４６によって真空排気する。この際、処理室２０１内の圧力は図中省略の圧力センサで測定され、この測定された圧力に基づきＡＰＣ２４２の開度をフィードバック制御する。
【００６７】
次に、バルブ２４３ａを開け、処理ガス２３０を、ガス供給管２３２からバッファ室２３７を介して処理室２０１内に供給する。このとき、処理ガス２３０の流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ２４１を調整する。また、処理ガス２３０を処理室２０１内に供給する際には、同時にキャリアガスとしての不活性ガスを処理室２０１内に供給することが好ましい。これにより、処理室２０１内への処理ガス２３０の供給を促進させることができる。
【００６８】
処理ガス２３０の供給を開始した後、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂによる磁界が形成されている所に、筒状電極２１５に対して、高周波電源２７３から整合器２７２を介して所定の高周波電力（例えば１００Ｗ〜１０００Ｗ、好ましくは１００Ｗ〜５００Ｗ）を処理室２０１内に印加する。この結果、処理室２０１内にマグネトロン放電が発生し、ウエハ２００の上方のプラズマ生成領域２２４に高密度プラズマが発生する。このようにプラズマ状態とすることにより、処理室２０１内に供給された処理ガス２３０が励起されて活性化されて活性種が形成される。そして、活性種が、ウエハ２００上に供給されて基板処理が行われる。
【００６９】
所定の処理時間が経過し、処理が終了したら、筒状電極２１５に対する電力供給を停止する。そして、処理室２０１内への処理ガス２３０の供給を停止する。同時に、ガス排気管２３１を用いて、処理室２０１内の処理ガス２３０や処理ガス２３０が反応した排ガス等の残留ガスを排気する。このとき、バルブ２４３ａを開き、処理室２０１内に不活性ガスを供給することで、処理室２０１内からの残留ガスの排出を促すことができる。
【００７０】
残留ガスの排出が完了したら、ＡＰＣ２４２の開度を調整し、処理室２０１内の圧力を大気圧に復帰させつつ、ウエハ２００を降温させる。具体的には、バルブ２４３ｂを開け
たままとして、処理室２０１内に不活性ガスを供給しつつ、図中省略の圧力センサにより検出された圧力情報に基づいて排気部のＡＰＣ２４２及びバルブ２４３ｂの開度を制御し、処理室２０１内の圧力を大気圧に昇圧する。そして、ヒータ２１７ｂの通電量を制御して、ウエハ２００の温度を降温させる。
【００７１】
（処理室内搬送系の動作）
そして、サセプタ２１７を下降させて、ウエハ２００を、処理室２０１内のウエハ２００の搬送位置まで移動させ、サセプタ２１７の表面から突出させたウエハ突き上げピン２６６上にウエハ２００を支持させる。そして、ゲートバルブ２４４ａを開き、真空搬送ロボット１１２（図１及び図２参照）を用いてウエハ２００を処理室２０１の外へ搬出し、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。なお、上記において、ウエハ２００の温度、処理室２０１内の圧力、各ガスの流量、筒状電極２１５に印加する電力、処理時間等の条件等は、改質対象の膜の材料や膜厚等によって任意に調整する。
【００７２】
このように、工程内搬送系によって、プロセスチャンバ２０２ａ内に搬送されたウエハ２００は、処理室内搬送系によって、ウエハ２００の位置調整がされた後、処理系によって処理され、その後、処理室内搬送系によって、再びウエハ２００の位置調整がされる。その後、処理済みのウエハは２００は、上述した真空搬送室１０３（図１参照）に搬送され、ポッド１０９（図１参照）へ格納される。
【００７３】
（６）電力供給系の構成及び動作
続いて、本実施形態に係る基板処理装置１００の電力供給系について、図４及び図５を用いて説明する。図４は、本発明の一実施形態に係る電力供給路を示す模式図である。図５は、本発明の一実施形態に係る開閉器の動作状況を示す表図である。
【００７４】
図４に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置１００は、処理系、処理室搬送系及び工程内搬送系の構成各部に電力を供給する主電源３００に接続されている。そして、処理系への電力供給路３０１ｂ上、すなわち主電源３００と処理系の構成各部との間には、第１の開閉器３０１ａが設けられている。また、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ上、すなわち主電源３００と処理室内搬送系の構成各部との間には、第２の開閉器３０２ａが設けられている。また、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂ上、すなわち主電源３００と工程内搬送系の構成各部との間には、第３の開閉器３０３ａが設けられている。そして、第１の開閉器３０１ａ、第２の開閉器３０２ａ、及び第３の開閉器３０３ａには、各開閉器３０１ａ〜３０３ａを制御する制御部２２１が、それぞれ接続されている。なお、制御部２２１も、主電源３００に接続され、主電源３００から電力が供給されるように構成されている。
【００７５】
第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａには、制御部２２１が電気的に接続されている。すなわち、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａは、制御部２２１からの制御信号に基づいて開閉が制御される電磁開閉器として構成されている。
【００７６】
このように、本実施形態にかかる基板処理装置１００では、処理系、処理室内搬送系、及び工程内搬送系への各電力供給路３０１ｂ〜３０３ｂ上に第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａがそれぞれ設けられている。これにより、各電力供給路３０１ｂ〜３０３ｂの遮断や接続を個別に制御することができる。すなわち、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系の構成各部への電力の供給及び停止を個別に制御することができる。従って、待機状態にある系への電力供給路を遮断し、各系の構成各部への電力の供給を停止することができるので、待機電力等の電力の消費量を低減することができる。
【００７７】
具体的には、まず、基板処理装置１００がスタンバイモード、メンテナンスモード、又
はレシピ運用モードのうち、いずれのモードにあるかを制御部２２１が判断する。そして、制御部２２１で判断されたモードに基づいて、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａの開閉を個別に制御する。
【００７８】
（スタンバイモードの場合）
スタンバイモードとは、基板処理装置１００が、基板処理装置１００へのウエハ２００の搬送を待っているモードである。具体的には、上述したように、ポッド１０９が、ロードポート１０５上に載置され、基板搬送口１３４を介してウエハ２００が工程内搬送系に搬入されることを待っているモードである。
【００７９】
制御部２２１がスタンバイモードと判断した場合は、処理系、処理室内搬送系、及び工程内搬送系のいずれも、待機状態にある。すなわち、各系の構成各部はいずれも未使用の状態にある。このため、図５に示すように、制御部２２１がスタンバイモードと判断した場合は、処理系への電力供給路３０１ｂ、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ、及び工程内搬送系への電力供給路３０３ｂをすべて遮断するように、制御部２２１で第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａの開閉がそれぞれ制御される。これにより、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系の構成各部への電力の供給をすべて停止することができ、待機電力等の電力の消費量を低減することができる。
【００８０】
なお、制御部２２１は、基板処理装置１００の基板搬送口１３４にウエハ２００が所定時間内に搬入されないとき、又は操作者からの操作コマンドの入力を受け付けたときに、基板処理装置１００をスタンバイモードに切り替える。
【００８１】
（メンテナンスモードの場合）
メンテナンスモードとは、基板処理装置１００の点検を行うモードである。例えば、生産用のウエハ２００を所定回数処理したプロセスチャンバ２０２ａ、真空搬送室１０３及び大気搬送室１２１では、内部の汚染具合などに応じて適宜メンテナンスが実施される。このメンテナンスの対象となるのは、例えば、プロセスチャンバ２０２ａの壁面へのガス分子や反応生成物の付着等による真空到達度の劣化、センサ面の汚れの付着により感度の低下による異常発生を知らせるアラームの誤作動、等である。メンテナンスは、真空搬送室１０３からプロセスチャンバ２０２ａを切り離さずに実施される。また、メンテナンスは、プロセスチャンバ２０２ａを真空搬送室１０３から取り外して行ってもよい。なお、プロセスチャンバ２０２ａを真空搬送室１０３から切り離さずにメンテナンスを行う利点としては、プロセスチャンバ２０２ａの取り外し作業および取り付け作業を行う必要がなく、メンテナンス時間を短縮できることがあげられる。
【００８２】
メンテナンスを行う際は、少なくとも処理系の構成各部が未使用の状態にあればよい。従って、図５に示すように、制御部２２１がメンテナンスモードと判断した場合は、少なくとも処理系への電力供給路３０１ｂを遮断するように、制御部２２１で第１の開閉器３０１ａの開閉が制御される。ここで、処理室内搬送系及び工程内搬送系の構成各部は、実施されるメンテナンスによって、作動されたり、作動されなかったりする。従って、実施されるメンテナンスによって、処理室内搬送系の構成各部を作動させる必要がない場合は、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂをさらに遮断するように、制御部２２１で第２の開閉器３０２ａの開閉を制御することが好ましい。同様に、工程内搬送系の構成各部を作動させる必要がない場合は、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂをさらに遮断するように、制御部２２１で第３の開閉器３０３ａの開閉を制御することが好ましい。
【００８３】
なお、制御部２２１は、処理系、処理室内搬送系または工程内搬送系のいずれかからエラー情報を受信したとき、又は操作者からの操作コマンドの入力を受け付けたときに、基板処理装置１００をメンテナンスモードに切り替える。
【００８４】
（レシピ運用モードの場合）
レシピ運用モードとは、基板処理装置１００に搬送されたウエハ２００をレシピに基づいて処理するモードである。具体的には、例えば、レシピ運用モードは次の５つのレシピを有する。すなわち、（ａ）基板処理装置１００の基板搬送口１３４に搬入されたウエハ２００を、工程内搬送系により処理室２０１内に搬入する（工程内搬送）。（ｂ）処理室２０１内に搬入されたウエハ２００を、処理室内搬送系により処理室２００内の処理位置に移動させる（処理室内搬送）。（ｃ）処理位置に到達したウエハ２００に、処理系により処理を実行する（基板処理）。（ｄ）処理が終了したウエハ２００を、処理室内搬送系により処理室２０１内の搬出位置に移動させる（処理室内搬送）。（ｅ）処理室２０１内の搬出位置に到達したウエハ２００を、工程内搬送系により基板処理装置１００の基板搬送口１３４まで搬出する（工程内搬送）。レシピ運用モードでは、例えば、このような（ａ）〜（ｅ）の５つのレシピに基づいて、ウエハ２００の搬送及び処理が実施される。
【００８５】
レシピ運用モードでは、レシピの進行状況に応じて、待機状態にある系が変化する。すなわち、上記（ａ）〜（ｅ）のレシピのうち、いずれのレシピを実行しているかにより、使用される系が変わる。従って、図５に示すように、制御部２２１がレシピ運用モードと判断した場合、レシピの進行状況に応じて、処理系への電力供給路３０１ｂ、処理室内搬送系電力供給路３０２ｂ、又は工程内搬送系３０３ｂの電力供給路のうち、少なくとも一つを接続するように、制御部２２１が第１の開閉器３０１ａ、第２の開閉器３０２ａ及び第３の開閉器３０３ａの開閉をそれぞれ制御する。
【００８６】
具体的には、上記（ａ）のレシピを実行している場合は、少なくとも工程内搬送系の構成各部が使用可能な状態にあればよい。すなわち、ポッド１０９がロードポート１０５上に載置され、ウエハ２００が、基板搬送口１３４を介して基板処理装置１００内に搬入された後、ウエハ２００が処理室２０１内に搬入されるまでは、少なくとも工程内搬送系の構成各部に電力が供給されていればよい。従って、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂを接続するように、制御部２２１で第３の開閉器３０３ａの開閉が制御される。このとき、処理系及び処理室内搬送系への電力供給路３０１ｂ，３０２ｂが遮断するように、第１の開閉器３０１ａ及び第２の開閉器３０２ａを制御することが好ましい。これにより、待機状態にある処理系及び処理室内搬送系の構成各部への電力の供給を停止することができる。従って、待機電力等の電力の消費量を低減することができる。
【００８７】
上記（ｂ）のレシピを実行している場合は、少なくとも処理室内搬送系の構成各部が使用可能な状態にあればよい。すなわち、ウエハ２００が処理室２０１内に搬入された後、サセプタ昇降機構２６８を用いてサセプタ２１７を昇降させて、ウエハ２００が処理室２０１内の処理位置に到達するまでは、少なくとも処理室内搬送系の構成各部に電力が供給されていればよい。従って、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂを接続するように、制御部２２１で第２の開閉器３０２ａの開閉が制御される。このとき、処理系及び工程内搬送系への電力供給路３０１ｂ，３０３ｂが遮断するように、第１の開閉器３０１ａ及び第３の開閉器３０３ａを制御することが好ましい。これにより、待機状態にある処理系及び工程内搬送系の構成各部への電力の供給を停止することができる。従って、待機電力等の電力の消費量を低減することができる。
【００８８】
上記（ｃ）のレシピを実行している場合は、少なくとも処理系の構成各部が使用可能な状態にあればよい。すなわち、ウエハ２００が処理室２０１内の処理位置に到達した後、ウエハ２００への所定の処理が終了するまでは、少なくとも処理系の構成各部に電力が供給されていればよい。従って、処理系への電力供給路３０１ｂを接続するように、制御部２２１で第１の開閉器３０１ａの開閉が制御される。このとき、処理室内搬送系及び工程内搬送系への電力供給路３０２ｂ，３０３ｂが遮断するように、第２の開閉器３０２ａ及
び第３の開閉器３０３ａを制御することが好ましい。これにより、処理室内搬送系及び工程内搬送系の構成各部への電力の供給を停止することができる。従って、待機電力等の電力の消費量を低減することができる。
【００８９】
上記（ｄ）のレシピを実行している場合は、少なくとも処理室内搬送系の構成各部が使用可能な状態にあればよい。すなわち、ウエハ２００への所定の処理が終了した後、サセプタ昇降機構２６８を用いてサセプタ２１７を昇降させて、ウエハ２００が処理室２０１内の搬出位置に到達するまでは、少なくとも処理室内搬送系の構成各部に電力が供給されていればよい。従って、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂを接続するように、制御部２２１で第２の開閉器３０２ａの開閉が制御される。このとき、処理系及び工程内搬送系への電力供給路３０１ｂ，３０３ｂが遮断するように、第１の開閉器３０１ａ及び第３の開閉器３０３ａを制御することが好ましい。これにより、待機状態にある処理系及び工程内搬送系の構成各部への電力の供給を停止することができる。従って、待機電力等の電力の消費量を低減することができる。
【００９０】
上記（ｅ）のレシピを実行している場合は、少なくとも工程内搬送系の構成各部が使用可能な状態にあればよい。すなわち、ウエハ２００が処理室２０１内の搬出位置に到達した後、ウエハ２００が基板搬送口１３４を介して、ロードポート１０５上に載置されたポッド１０９に収納されて基板処理装置１００から搬出されるまでは、少なくとも工程内搬送系の構成各部に電力が供給されていればよい。従って、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂを接続するように、制御部２２１で第３の開閉器３０３ａの開閉が制御される。このとき、処理系及び処理室内搬送系への電力供給路３０１ｂ，３０２ｂが遮断するように、第１の開閉器３０１ａ及び第２の開閉器３０２ａを制御することが好ましい。これにより、待機状態にある処理系及び処理室内搬送系の構成各部への電力の供給を停止することができる。従って、待機電力等の電力の消費量を低減することができる。
【００９１】
なお、制御部２２１は、工程内搬送系へのウエハ２００の搬入を受信したとき、又は操作者からの操作コマンドの入力を受け付けたときに、基板処理装置１００をレシピ運用モードに切り替える。
【００９２】
上述したように、本実施形態にかかる基板処理装置１００には、処理系への電力供給路３０１ｂ上に第１の開閉器３０１ａが設けられ、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ上に第２の開閉器３０２ａが設けられ、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂ上に第３の開閉器３０３ａが設けられている。これにより、基板処理装置１００のモードに応じて、待機状態にあり、使用されていない状態にある系への電力供給路をそれぞれ遮断することができ、電力の供給を個別に停止することができる。これにより、待機電力等の電力消費量を低減することができる。
【００９３】
なお、上述した第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａの開閉の制御は、半導体装置の製造工程の一工程として行われる。
【００９４】
すなわち、処理系への電力供給路３０１ｂ上に設けられた第１の開閉器３０１ａと、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ上に設けられた第２の開閉器３０２ａと、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂ上に設けられた第３の開閉器３０３ａと、を備える基板処理装置１００は、スタンバイモード、メンテナンスモード、又はレシピ運用モードのうち、いずれのモードにあるかを判断する工程を有する。この工程で、スタンバイモードと判断された場合は、処理系への電力供給路３０１ｂ、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ及び工程内搬送系への電力供給路３０３ｂをすべて遮断するように、第１の開閉器３０１ａ、第２の開閉器３０２ａ及び第３の開閉器３０３ａを制御する工程へと進む。メンテナンスモードと判断された場合は、少なくとも処理系への電力供給路３０１ｂを遮断するよ
うに、少なくとも第１の開閉器３０１ａを制御する工程へと進む。そして、レシピ運用モードと判断された場合は、レシピの進行状況に応じて、処理系への電力供給路３０１ｂ、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ、又は工程内搬送系への電力供給路３０３ｂのうち、少なくとも一つを接続するように、第１の開閉器３０１ａ、第２の開閉器３０２ａ及び第３の開閉器３０３ａを制御する工程と進み、ウエハ２００の処理が行われる。
【００９５】
本実施形態では、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａの開閉を制御する制御部２２１は、上述した処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系を制御する制御部と併用する場合について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、第１〜第３の開閉器の開閉を制御する制御部と、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系の構成各部を制御する制御部とはそれぞれ、別の制御部であってもよい。
【００９６】
また、本実施形態では、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａとして、制御部２２１によって電気的に開閉される電磁開閉器が用いられる場合について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａとして、手動で開閉を切り替える開閉器を用いてもよい。
【００９７】
（７）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【００９８】
（ａ）本実施形態によれば、処理系への電力供給路３０１ｂ上に、第１の開閉器３０１ａを設けている。そして、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ上に、第２の開閉器３０２ａを設けている。そして、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂ上に、第３の開閉器３０３ａを設けている。これにより、それぞれの系への電力供給路３０１ｂ〜３０３ｂの遮断及び接続を個別に制御することができる。従って、待機状態にあり、使用されていない系への電力供給路を遮断し、電力の供給を停止することができる。このため、待機電力等の電力の消費量を低減することができる。
【００９９】
（ｂ）本実施形態によれば、第１の開閉器３０１ａ、第２の開閉器３０２ａ及び第３の開閉器３０３ａが制御部２２１に接続されている。そして、制御部２２１は、基板処理装置１００がスタンバイモード、メンテナンスモード又はレシピ運用モードのいずれのモードにあるかを判断する。これにより、制御部２２１が判断したモードに応じて、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系への電力供給路３０１ｂ〜３０３ｂを効果的に個別に遮断したり、接続することができる。従って、電力の消費量をより低減することができる。
【０１００】
（ｃ）制御部２２１が、基板処理装置１００がレシピ運用モードにあると判断した場合、レシピの進行状況に応じて、処理系への電力供給路３０１ｂ、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ、又は工程内搬送系への電力供給路３０３ｂのうち、少なくとも一つを接続するように、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａの開閉が個別に制御される。従って、電力の消費量を効果的に低減することができる。
【０１０１】
（ｄ）制御部２２１が、基板処理装置１００がメンテナンスモードにあると判断した場合、少なくとも処理系への電力供給路３０１ｂを遮断するように、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａの開閉が制御される。従って、電力の消費量をより効果的に低減することができる。
【０１０２】
（ｅ）制御部２２１が、基板処理装置１００がスタンバイモードにあると判断した場合、処理系への電力供給路３０１ｂ、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ及び工程内搬送系への電力供給路３０３ｂの全ての電力供給路を遮断するように、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａの開閉が個別に制御される。従って、電力の消費量をさらに効果的に低
減することができる。
【０１０３】
（ｆ）本実施形態によれば、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａが制御部２２１に接続されて、電気的に制御されている。従って、基板処理装置１００のモードに応じて、確実に第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａの開閉を個別に制御することができる。このため、電力の消費量をより低減することができる。
【０１０４】
以下、参考までに、従来の基板処理装置が備える電力供給路について、図９を用いて説明する。図９に示すように、従来の基板処理装置は、主電源と、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系とが、直接接続されていた。従って、例えば基板処理装置１００がスタンバイモードにあり、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系が待機状態で、使用されていない場合であっても、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系への電力供給路は接続されたままであった。すなわち、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系の構成各部は使用されていないにもかかわらず、使用可能な状態に電力が供給されていた。このため、基板処理装置１００の電力の消費量が多くなるという問題があった。これに対し、本実施形態によれば、処理系への電力供給路３０１ｂ、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ及び工程内搬送系への電力供給路３０３ｂにそれぞれ、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａが設けられている。このため、この課題を効果的に解決することができる。
【０１０５】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【０１０６】
上述した実施形態では、処理系への電力供給路３０１ｂ上に第１の開閉器３０１ａを設け、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ上に第２の開閉器３０２ａを設け、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂ上に第３の開閉器３０３ａを設ける構成とした。すなわち、基板処理装置に３つの開閉器３０１ａ〜３０３ａが設けられる構成とした。しかしながら、第１の開閉器３０１ａ及び第２の開閉器３０２ａを設け、２つの開閉器３０１ａ，３０２ａの開閉を制御する構成としてもよい。以下、このような構成を備えた実施形態について説明する。
【０１０７】
図６は、本実施形態に係る基板処理装置が備える電力供給路を示す模式図である。図６に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置は、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂと、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂとを合流させて搬送系への電力供給路３０４とし、この搬送系への電力供給路３０４上に第２の開閉器３０２ａを設ける構成とした点が、上述した実施形態と異なる。その他の形態は、上述の実施形態と同様である。
【０１０８】
本実施形態にかかる基板処理装置１００には、処理系の電力供給路３０１ｂ上に第１の開閉器３０１ａが設けられている。そして、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂと工程内搬送系への電力供給路３０３ｂとを合流させて搬送系の電力供給路３０４とし、この搬送系の電力供給路３０４上に第２の開閉器３０２ａが設けられている。すなわち、主電源３００と、搬送系（処理室内搬送系及び工程内搬送系）の構成各部との間に、第２の開閉器３０２ａが設けられている。そして、第１の開閉器３０１ａ及び第２の開閉器３０２ａには、制御部２２１がそれぞれ電気的に接続されている。
【０１０９】
また、本実施形態は、例えば処理系への電力供給路３０１ｂ上に第１の開閉器３０１ａを設け、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ上に第２の開閉器３０２ａを設ける構成としてもよい。
【０１１０】
上述した実施形態では、２つ又は３つの開閉器が設けられている。しかしながら、基板
処理装置の電力供給路を４つ以上にし、４つ以上の開閉器が設けられてもよい。
【０１１１】
本実施形態においても、上述の実施形態と同様の効果を奏する。
【０１１２】
＜本発明の更に他の実施形態＞
上述した実施形態では、基板処理装置としてＭＭＴ装置１００を用いて実施する場合を説明したが、本発明は、それに限らずその他の装置、例えばＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）装置、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）装置を用いても実施可能である。
【０１１３】
図７は、本発明の更に他の実施形態に係る基板処理装置であるＩＣＰ方式プラズマ処理装置１００ａを示している。本実施形態にかかる構成の詳細な説明は、前記実施形態と同様の機能を有する構成要件に同一の符号を付して省略する。本実施形態に係るＩＣＰ方式プラズマ処理装置１００ａは、電力を供給してプラズマを生成するプラズマ生成部としての誘電コイル３１５ａ，３１５ｂを備えている。誘電コイル３１５ａは、処理容器２０３の天井側の外側に敷設されている。誘電コイル３１５ｂは、処理容器２０３の外周壁の外側に敷設されている。本実施形態においても、少なくとも処理ガス２３０をガス供給管２３２から、ガス導入部２３４を経由して処理室２０１内へ供給する。また、ガス供給と前後して、プラズマ生成部である誘電コイル３１５ａ，３１５ｂへ高周波電力を流すと、電磁誘導により電界が生じる。この電界をエネルギーとして、供給された処理ガス２３０をプラズマ状態として励起させて、活性種を生成することができる。
【０１１４】
図８は、本発明の更に他の実施形態に係る基板処理装置であるＥＣＲ方式プラズマ処理装置１００ｂを示している。本実施形態にかかる構成の詳細な説明は、前記実施形態と同様の機能を有する構成要件に同一の符号を付して省略する。本実施形態に係るＥＣＲ方式プラズマ処理装置１００ｂは、マイクロ波を供給してプラズマを生成するプラズマ生成部としてのマイクロ波生成器４１５ａ、マイクロ波導入管４１５ｂ及び図示しない誘電コイルを備えている。マイクロ波導入管４１５ｂは、処理容器２０３の天井壁の外側に敷設されている。図示しない誘電コイルは、処理容器２０３の外周壁の外側に敷設されている。本実施形態においても、少なくとも処理ガス２３０をガス供給管２３２から、ガス導入部２３４を経由して処理室２０１内へ供給する。また、ガス供給と前後して、プラズマ生成部であるマイクロ波導入管４１５ｂへ、マイクロ波生成器４１５ａで生成されたマイクロ波４１８ａを導入し、その後、マイクロ波４１８ａを処理室２０１へ放射させる。このマイクロ波４１８ａと、図示しない誘電コイルからの高周波電力とにより、供給された処理ガス２３０をプラズマ状態として励起させ、活性種を生成することができる。
【０１１５】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【０１１６】
本発明の一態様によれば、
処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、
前記処理室内に搬入された前記基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、
少なくとも前記処理系及び前記処理室内搬送系に電力を供給する主電源と、
前記処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、
前記処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備える基板処理装置が提供される。
【０１１７】
好ましくは、
少なくとも前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する制御部を有し、
前記制御部は、
前記基板処理装置が、前記基板処理装置への前記基板の搬送を待つスタンバイモード、前記基板処理装置の点検を行うメンテナンスモード又は前記基板処理装置に搬送された前記基板をレシピに基づいて処理するレシピ運用モードのうち、いずれのモードにあるかを判断し、
前記スタンバイモードと判断した場合は、前記処理系への電力供給路及び前記処理室内搬送系への電力供給路を遮断し、
前記メンテナンスモードと判断した場合は、少なくとも前記処理系への電力供給路を遮断し、
前記レシピ運用モードと判断した場合は、前記レシピの進行状況に応じて、前記処理系への電力供給路又は前記処理室内搬送系への電力供給路の少なくとも一つを接続するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する。
【０１１８】
さらに好ましくは、
前記制御部は、前記レシピ運用モードと判断した場合、
前記基板が前記処理室内に搬入され、前記基板が前記処理室内の前記処理位置に到達するまでは、少なくとも前記処理室内搬送系への電力供給路を接続し、
前記基板が前記処理位置に到達した後、処理が終了するまでは、少なくとも前記処理系への電力供給路を接続し、
処理が終了した後、前記基板が前記処理室内の搬出位置に到達するまでは、少なくとも前記処理室内搬送系への電力供給路を接続するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する。
【０１１９】
本発明の他の態様によれば、
処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、
前記処理室内に搬入された前記基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、
前記処理室内外へ前記基板を搬送する工程内搬送系と、
少なくとも前記処理系、前記処理室内搬送系及び前記工程内搬送系に電力を供給する主電源と、
前記処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、
前記処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、
前記工程内搬送系への電力供給路上に設けられた第３の開閉器と、を備える基板処理装置が提供される。
【０１２０】
好ましくは、
少なくとも前記第１の開閉器、前記第２の開閉器及び前記第３の開閉器を制御する制御部を有し、
前記制御部は、
前記基板処理装置が、前記基板処理装置への前記基板の搬送を待つスタンバイモード、前記基板処理装置の点検を行うメンテナンスモード、又は前記基板処理装置に搬送された前記基板をレシピに基づいて処理するレシピ運用モードのうち、いずれのモードにあるかを判断し、
前記スタンバイモードと判断した場合は、前記処理系への電力供給路、前記処理室内搬送系への電力供給路及び前記工程内搬送系への電力供給路を遮断し、
前記メンテナンスモードと判断した場合は、少なくとも前記処理系への電力供給路を遮断し、
前記レシピ運用モードと判断した場合は、前記レシピの進行状況に応じて、前記処理系への電力供給路、前記処理室内搬送系電力供給路、又は前記工程内搬送系の電力供給路のうち、少なくとも一つを接続するように、前記第１の開閉器、前記第２の開閉器及び前記第３の開閉器を制御する。
【０１２１】
さらに好ましくは、
前記制御部は、前記レシピ運用モードと判断した場合、
前記基板が前記基板処理装置の基板搬送口に搬入された後、前記基板が前記処理室内に搬入されるまでは、少なくとも前記工程内搬送系の電力供給路を接続し、
前記基板が前記処理室内に搬入された後、前記基板が前記処理室内の前記処理位置に到達するまでは、少なくとも前記処理室内搬送系の電力供給路を接続し、
前記基板が前記処理位置に到達した後、処理が終了するまでは、少なくとも前記処理系の電力供給路を接続し、
処理が終了した後、前記基板が前記処理室内の搬出位置に到達するまでは、少なくとも前記処理室内搬送系の電力供給路を接続し、
前記基板が前記処理室内の前記搬出位置に到達した後、前記基板が前記基板処理装置の前記基板搬送口まで搬出されるまでは、少なくとも前記工程内搬送系の電力供給路を接続するように、前記第１の開閉器、前記第２の開閉器及び前記第３の開閉器を制御する。
【０１２２】
さらに好ましくは、
前記制御部は、前記基板処理装置の前記基板搬送口に前記基板が所定時間内に搬入されないとき、又は操作者からの操作コマンドの入力を受け付けたときに、前記基板処理装置を前記スタンバイモードに切り替える。
【０１２３】
さらに好ましくは、
前記制御部は、前記処理系、前記処理室内搬送系または前記工程内搬送系のいずれかからエラー情報を受信したとき、又は操作者からの操作コマンドの入力を受け付けたときに、前記基板処理装置を前記メンテナンスモードに切り替える。
【０１２４】
さらに好ましくは、
前記制御部は、前記工程内搬送系への前記基板の搬入を受信したとき、又は操作者からの操作コマンドの入力を受け付けたときに、前記基板処理装置を前記レシピ運用モードに切り替える。
【０１２５】
本発明のさらに他の態様によれば、
処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、前記処理室内に搬入された前記基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、前記処理室内外へ前記基板を搬送する工程内搬送系と、少なくとも前記処理系、前記処理室内搬送系及び前記工程内搬送系に電力を供給する主電源と、を備える基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
前記基板処理装置は、前記処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、前記処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備え、
前記基板処理装置への前記基板の搬送を待つスタンバイモード、前記基板処理装置の点検を行うメンテナンスモード、又は前記基板処理装置に搬送された前記基板をレシピに基づいて処理するレシピ運用モードのうち、前記基板処理装置がいずれのモードにあるかを判断する工程と、
前記スタンバイモードと判断された場合は、前記処理系への電力供給路及び前記処理室内搬送系への電力供給路を遮断するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する工程と、
前記メンテナンスモードと判断された場合は、少なくとも前記処理系への電力供給路を遮断するように、前記第１の開閉器を制御する工程と、
前記レシピ運用モードと判断された場合は、前記レシピの進行状況に応じて、前記処理系への電力供給路又は前記処理室内搬送系への電力供給路の少なくとも一つを接続するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１２６】
本発明のさらに他の態様によれば、
処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、前記処理室内に搬入された前記基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、前記処理室内外へ前記基板を搬送する工程内搬送系と、少なくとも前記処理系、前記処理室内搬送系及び前記工程内搬送系に電力を供給する主電源と、を備える基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
前記基板処理装置は、前記処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、前記処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、前記工程内搬送系への電力供給路上に設けられた第３の開閉器と、を備え、
前記基板処理装置への前記基板の搬送を待つスタンバイモード、前記基板処理装置の点検を行うメンテナンスモード、又は前記基板処理装置に搬送された前記基板をレシピに基づいて処理するレシピ運用モードのうち、前記基板処理装置がいずれのモードにあるかを判断する工程と、
前記スタンバイモードと判断された場合は、前記処理系への電力供給路、前記処理室内搬送系への電力供給路及び前記工程内搬送系への電力供給路を遮断するように、前記第１の開閉器、前記第２の開閉器及び前記第３の開閉器を制御する工程と、
前記メンテナンスモードと判断された場合は、少なくとも前記処理系への電力供給路を遮断するように、前記第１の開閉器を制御する工程と、
前記レシピ運用モードと判断された場合は、前記レシピの進行状況に応じて、前記処理系への電力供給路、前記処理室内搬送系への電力供給路、又は前記工程内搬送系への電力供給路のうち、少なくとも一つを接続するように、前記第１の開閉器、前記第２の開閉器及び前記第３の開閉器を制御する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【符号の説明】
【０１２７】
１１２ 真空搬送ロボット
１２５ 大気搬送ロボット
２００ ウエハ
２０１ 処理室
２１７ｂ ヒータ
２６８ サセプタ昇降機構
２７２ 整合器
２７３ 高周波電源
３００ 主電源
３０１ａ，３０２ａ，３０３ａ 開閉器
３０１ｂ，３０２ｂ，３０３ｂ 電力供給路
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造方法の一工程を実施する基板処理装置は、処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、処理室内に搬入された基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、処理室内外へ基板を搬送する工程内搬送系と、少なくとも処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系に電力を供給する主電源と、を備えている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の基板処理装置は、基板の搬入を待っている間、メンテナンスを実施している間、及び基板に処理を施している間のいずれであっても、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系の全ての系に、電力が供給され続けている。
【０００４】
例えば、基板処理装置が基板の搬入を待っている場合、処理系、処理室内搬送系、及び工程内搬送系の全ての系はいずれも待機状態にある。すなわち、各系を構成する各部品は作動しておらず、いずれも未使用の状態にある。このように、各系が未使用の状態にある場合であっても、各系を構成する各部品には、電力が供給され続け、使用可能な状態にある。このため、待機電力等が必要であり、電力の消費量が多くなるという問題があった。
【０００５】
本発明は、基板処理装置が備えるそれぞれの系への電力の供給を個別に制御することで、電力の消費量を低減することができる基板処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、
処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、
前記処理室内に搬入された前記基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、
少なくとも前記処理系及び前記処理室内搬送系に電力を供給する主電源と、
前記処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、
前記処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備える基板処理装置が提供される。
【０００７】
本発明の他の態様によれば、
処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、前記処理室内に搬入された前記基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、前記処理室内外へ前記基板を搬送する工程内搬送系と、少なくとも前記処理系、前記処理室内搬送系及び前記工程内搬送系に電力を供給する主電源と、を備える基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
前記基板処理装置は、前記処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、前記処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備え、
前記基板処理装置への前記基板の搬送を待つスタンバイモード、前記基板処理装置の点検を行うメンテナンスモード、又は前記基板処理装置に搬送された前記基板をレシピに基づいて処理するレシピ運用モードのうち、前記基板処理装置がいずれのモードにあるかを判断する工程と、
前記スタンバイモードと判断された場合は、前記処理系への電力供給路及び前記処理室内搬送系への電力供給路を遮断するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制
御する工程と、
前記メンテナンスモードと判断された場合は、少なくとも前記処理系への電力供給路を遮断するように、前記第１の開閉器を制御する工程と、
前記レシピ運用モードと判断された場合は、前記レシピの進行状況に応じて、前記処理系への電力供給路又は前記処理室内搬送系への電力供給路の少なくとも一つを接続するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る基板処理装置及び半導体装置の製造方法によれば、基板処理装置が備えるそれぞれの系への電力の供給を個別に制御することで、電力の消費量を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係るクラスタ型の基板処理装置の横断面概略図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るクラスタ型の基板処理装置の縦断面概略図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る処理炉の縦断面概略図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る電力供給路を示す模式図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る開閉器の動作状況を示す表図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る電力供給路を示す模式図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る処理炉としてのＩＣＰ型プラズマ処理装置の縦断面概略図である。
【図８】本発明の更に他の実施形態に係る処理炉としてのＥＣＲ型プラズマ処理装置の縦断面概略図である。
【図９】従来の基板処理装置が備える電力供給路を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１１】
（１）基板処理装置の構成
本実施形態にかかるクラスタ型の基板処理装置は、工程内搬送系と、処理系と、処理室内搬送系とを具備して構成されている。そして、主に、処理系と処理室内搬送系とにより、基板を処理する処理炉が構成されている。
【００１２】
（２）工程内搬送系の構成
まず、本実施形態にかかる基板処理装置の工程内搬送系について、図１及び図２を用いて説明する。本発明が適用される基板処理装置では、基板としてのウエハ２００を搬送するキャリヤとしては、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ。以下、ポッドという。）が使用されている。本実施形態にかかるクラスタ型の基板処理装置の工程内搬送系は、真空側と大気側とに分かれている。なお、本明細書中における「真空」とは工業的真空を意味する。また、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、図１が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。
【００１３】
クラスタ型の基板処理装置１００は、内部を真空状態などの大気圧未満の圧力（減圧）に減圧可能なロードロックチャンバ構造に構成された第１搬送室としての真空搬送室１０３を備えている。真空搬送室１０３の筐体１０１は、平面視が例えば六角形で、上下両端
が閉塞した箱形状に形成されている。
【００１４】
真空搬送室１０３の筐体１０１を構成する六枚の側壁のうち、前側に位置する二枚の側壁には、ゲートバルブ１２６，１２７を介して，ロードロック室１２２，１２３が真空搬送室１０３と連通可能にそれぞれ設けられている。
【００１５】
真空搬送室１０３の他の四枚の側壁には、ゲートバルブ２４４ａ〜２４４ｄを介して、プロセスチャンバ２０２ａ〜２０２ｄが、真空搬送室１０３と連通可能にそれぞれ設けられている。プロセスチャンバ２０２ａ〜２０２ｄは、後述するように、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等によりウエハ２００上へ薄膜を形成する処理や、ウエハ２００表面を酸化、窒化、炭化等する処理や、ウエハ２００表面をエッチングする処理や、ウエハ２００を加熱するアニール処理等の各種基板処理を実施するように構成されている。プロセスチャンバ２０２ａ〜２０２ｄには、後述するガス供給部、排気部等が設けられている。
【００１６】
真空搬送室１０３内には、第１搬送機構としての真空搬送ロボット１１２が設けられている。真空搬送ロボット１１２は、ロードロック室１２２，１２３と、プロセスチャンバ２０２ａ〜２０２ｄとの間で、例えば２枚のウエハ２００（図１中、点線で示す）を同時に搬送可能に構成されている。真空搬送ロボット１１２は、エレベータ１１５によって、真空搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降可能に構成されている。また、ロードロック室１２２，１２３のゲートバルブ１２６，１２７、プロセスチャンバ２０２ａ〜２０２ｄのゲートバルブ２４４ａ〜２４４ｄのそれぞれの近傍には、ウエハ２００の有無を検知する基板検知部として図示しないウエハ有無センサが設けられている。
【００１７】
ロードロック室１２２，１２３は、内部が真空状態などの大気圧未満の圧力（減圧）に減圧可能なロードロックチャンバ構造に構成されている。すなわち、ロードロック室の前側には、ゲートバルブ１２８，１２９を介して、後述する第２搬送室としての大気搬送室１２１が設けられている。このため、ゲートバルブ１２６〜１２９を閉じてロードロック室１２２，１２３内部を真空排気した後、ゲートバルブ１２６，１２７を開けることで、真空搬送室１０３の真空状態を保持しつつ、ロードロック室１２２，１２３と真空搬送室１０３との間でウエハ２００を搬送可能に構成されている。
【００１８】
また、ロードロック室１２２，１２３は、真空搬送室１０３内へ搬入するウエハ２００を一時的に収納する予備室として、さらに、真空搬送室１０３内から搬出したウエハ２００を一時的に収納して冷却する冷却室として機能するように構成されている。この際、ロードロック室１２２内では基板支持部１４０上に、ロードロック室１２３内では基板支持部１４１上にそれぞれウエハ２００が載置されるように構成されている。また、ロードロック室１２２，１２３には隔壁板（中間プレート）１４２（図２参照）が設けられていてもよい。これにより、冷却途中のウエハ２００の冷却が、熱干渉により妨げられることを防止することができる。具体的には、例えば、複数枚の処理済みウエハ２００がロードロック室１２２，１２３内に搬入される場合、後に搬入された処理済みのウエハ２００の熱の影響で、先に搬入された冷却途中の処理済みのウエハ２００の温度の下がり具合が遅くなることを防止することができる。
【００１９】
基板処理装置１００の大気側には、略大気圧下で用いられる、第２搬送室としての大気搬送室１２１が設けられている。すなわち、ロードロック室１２２，１２３の前側には、ゲートバルブ１２８，１２９を介して、大気搬送室１２１が設けられている。なお、大気搬送室１２１は、ロードロック室１２２，１２３と連通可能に設けられている。
【００２０】
大気搬送室１２１には、ウエハ２００を移載する第２搬送機構としての大気搬送ロボット１２４が設けられている。大気搬送ロボット１２４は、大気搬送室１２１に設けられたエレベータ１３１（図２参照）によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２（図２参照）によって左右方向（図１における左右方向であり、図２では前後方向になる。）に往復移動されるように構成されている。また、大気搬送室１２１のゲートバルブ１２８，１２９の近傍には、ウエハ２００の有無を検知する基板検知部として図示しないウエハ有無センサが設けられている。
【００２１】
また、大気搬送室１２１内には、ウエハ２００位置の補正装置として、ウエハ２００の結晶方向や位置合わせ等をウエハ２００のノッチを用いて行うノッチ合わせ装置１０６が設けられている。なお、ノッチ合わせ装置１０６の代わりに、図示しないオリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｆｌａｔ）合わせ装置が設けられてもよい。そして、大気搬送室１２１の上部には、クリーンエアを供給するクリーンユニット１１８（図２参照）が設けられている。
【００２２】
大気搬送室１２１の筐体１２５の前側には、ウエハ２００を大気搬送室１２１内外に搬送する基板搬送口１３４と、ポッドオープナ１０８とが設けられている。基板搬送口１３４を挟んで、ポッドオープナ１０８と反対側、すなわち筐体１２５の外側にはロードポート（Ｉ／Ｏステージ）１０５が設けられている。ロードポート１０５上には、複数枚のウエハ２００を収納するポッド１０９が載置されている。また、大気搬送室１２１内には、基板搬送口１３４を開閉する蓋１３５や、ポッド１０９のキャップであるポッドキャップ１０９ａ等を開閉させる開閉機構１４３と、開閉機構１４３を駆動する開閉機構駆動部１３６とが設けられている。ポッドオープナ１０８は、ロードポート１０５に載置されたポッド１０９のキャップ１０９ａを開閉することにより、ポッド１０９に対するウェハ２００の出し入れを可能にする。また、ポッド１０９は図示しない搬送装置（ＲＧＶ）によって、ロードポート１０５に対して、搬入（供給）および搬出（排出）されるようになっている。
【００２３】
主に、真空搬送室１０３、ロードロック室１２２，１２３、大気搬送室１２１、及びゲートバルブ１２６〜１２９により、本実施形態に係る基板処理装置１００の工程内搬送系が構成される。
【００２４】
また、基板処理装置１００の工程内搬送系の構成各部には、後述する制御部２２１が電気的に接続されている。そして、上述した構成各部の動作を、それぞれ制御するように構成されている。
【００２５】
（３）工程内搬送系の動作
次に、本実施形態に係る基板処理装置１００内におけるウエハ２００の搬送動作を説明する。なお、基板処理装置１００の工程内搬送系の構成各部の動作は、制御部２２１によって制御される。
【００２６】
まず、例えば２５枚の未処理のウエハ２００を収納したポッド１０９が、図示しない搬送装置によって基板処理装置１００に搬入されてくる。搬入されてきたポッド１０９は、ロードポート１０５上に載置される。開閉機構１４３は、蓋１３５及びポッド１０９のキャップ１０９ａを取り外し、基板搬送口１３４及びポッド１０９のウエハ出入口を開放する。
【００２７】
ポッド１０９のウエハ出入口を開放すると、大気搬送室１２１内に設置されている大気搬送ロボット１２４は、ポッド１０９からウエハ２００を１枚ピックアップして、ノッチ合わせ装置１０６上へ載置する。
【００２８】
ノッチ合わせ装置１０６は、載置されたウエハ２００を、水平の縦横方向（Ｘ方向，Ｙ方向）及び円周方向に動かして、ウエハ２００のノッチ位置等を調整する。ノッチ合わせ装置１０６で１枚目のウエハ２００の位置調整を実施中に、大気搬送ロボット１２４は、２枚目のウエハ２００をポッド１０９からピックアップして大気搬送室１２１内に搬入し、大気搬送室１２１内で待機する。
【００２９】
ノッチ合わせ装置１０６により１枚目のウエハ２００の位置調整が終了した後、大気搬送ロボット１２４は、ノッチ合わせ装置１０６上の１枚目のウエハ２００をピックアップする。大気搬送ロボット１２４は、そのとき大気搬送ロボット１２４が保持している２枚目のウエハ２００を、ノッチ合わせ装置１０６上へ載置する。その後、ノッチ合わせ装置１０６は、載置された２枚目のウエハ２００のノッチ位置等を調整する。
【００３０】
次に、ゲートバルブ１２８が開けられ、大気搬送ロボット１２４は、１枚目のウエハ２００をロードロック室１２２内に搬入し、基板支持部１４０上に載置する。この移載作業中には、真空搬送室１０３側のゲートバルブ１２６は閉じられており、真空搬送室１０３内の減圧雰囲気は維持されている。１枚目のウエハ２００の基板支持部１４０上への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、ロードロック室１２２内が図示しない排気装置によって負圧になるよう排気される。
【００３１】
以降、大気搬送ロボット１２４は、上述の動作を繰り返す。但し、ロードロック室１２２が負圧状態の場合、大気搬送ロボット１２４は、ロードロック室１２２内へのウエハ２００の搬入を実行せず、ロードロック室１２２の直前位置で停止して待機する。
【００３２】
ロードロック室１２２内が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ１２６が開けられて、ロードロック室１２２と真空搬送室１０３とが連通される。続いて、真空搬送室１０３内に配置された真空搬送ロボット１１２は、基板支持部１４０から１枚目のウエハ２００をピックアップして、真空搬送室１０３内に搬入する。
【００３３】
真空搬送ロボット１１２が基板支持部１４０から１枚目のウエハ２００をピックアップした後、ゲートバルブ１２６が閉じられ、ロードロック室１２２内が大気圧に復帰させられ、ロードロック室１２２内に次のウエハ２００を搬入するための準備が行われる。それと並行して、プロセスチャンバ２０２ａのゲートバルブ２４４ａが開けられ、真空搬送ロボット１１２が１枚目のウエハ２００をプロセスチャンバ２０２ａ内に搬入する。プロセスチャンバ２０２ａ内へのウエハ２００の搬入が完了したら、ゲートバルブ２４４ａが閉じられる。そして、プロセスチャンバ２０２ａ内に後述するガス供給部から処理ガスが供給され、１枚目のウエハ２００に所定の処理が施される。
【００３４】
プロセスチャンバ２０２ａにおいて所定の処理が終了すると、ゲートバルブ２４４ａが開けられ、真空搬送ロボット１１２によって、ウエハ２００がプロセスチャンバ２０２ａ内から真空搬送室１０３へ搬出される。搬出された後、ゲートバルブ２４４ａが閉じられる。
【００３５】
続いて、ゲートバルブ１２７が開けられ、プロセスチャンバ２０２ａから搬出したウエハ２００は、ロードロック室１２３内へ搬入されて、基板支持部１４１上に載置される。なお、ロードロック室１２３は、図示しない排気装置によって、予め設定された圧力値に減圧されている。
【００３６】
そして、ゲートバルブ１２７が閉じられ、ロードロック室１２３内で処理済みのウエハ２００の冷却を開始する。また、ロードロック室１２３に接続された図示しない不活性ガ
ス供給部から不活性ガスが導入され、ロードロック室１２３内の圧力が大気圧に復帰させられる。
【００３７】
ロードロック室１２３において、予め設定された冷却時間が経過し、そしてロードロック室１２３内の圧力が大気圧に復帰させられると、ゲートバルブ１２９が開けられる。続いて、大気搬送ロボット１２４が基板支持部１４１上から処理済みのウエハ２００をピックアップして大気搬送室１２１内に搬出した後、ゲートバルブ１２９が閉じられる。その後、大気搬送ロボット１２４は、大気搬送室１２１の基板搬送口１３４を通して、処理済のウエハ２００をポッド１０９に収納する。ここで、ポッド１０９のキャップ１０９ａは、最大２５枚のウエハ２００が戻されるまでずっと開け続けていてもよく、空きのポッド１０９に収納せずにウエハを搬出してきたポッド１０９に戻してもよい。
【００３８】
前述の工程によってポッド１０９内の全てのウエハ２００に所定の処理が施され、処理済みの２５枚のウエハ２００のすべてが所定のポッド１０９へ収納されると、ポッド１０９のキャップ１０９ａと、基板搬送口１３４の蓋１３５とが開閉機構１４３によって閉じられる。その後、ポッド１０９は、ロードポート１０５上から次の工程へ、図示しない搬送装置によって搬送される。以上の動作が繰り返されることにより、ウエハ２００が２５枚ずつ順次処理されていく。
【００３９】
上述した本実施形態では、搬入用の予備室としてロードロック室１２２、搬出用の予備室としてロードロック室１２３を使用する場合を例に説明した。本実施形態では、このような形態に限定されるものではない。すなわち、ロードロック室１２２を搬出用として使用し、ロードロック室１２３を搬入用として使用してもよい。さらに、ロードロック室１２２，１２３を搬入用及び搬出用として併用して使用してもよい。ここで、十分な冷却時間を経ずに大気側のゲートバルブ１２８または１２９を開けると、ウエハ２００の輻射熱によってロードロック室１２２，１２３、またはロードロック室１２２，１２３の周りに接続されている電気部品に損害を与える可能性がある。このため、高温である処理済みのウエハ２００を冷却する場合は、例えばロードロック室１２２を搬入用の予備室として使用し、ロードロック室を搬出用の予備室として使用することが好ましい。これにより、ロードロック室１２３内に処理済みのウエハ２００を搬入して冷却を行っている途中で、ロードロック室１２２のゲートバルブ１２６，１２８を開閉し、プロセスチャンバにウエハを搬入し、ウエハ２００の処理を行うことができる。
【００４０】
本実施形態では、処理炉としてプロセスチャンバ２０２ａが使用される場合を例に説明したが、本実施形態では、このような形態に限定されるものではない。すなわち、プロセスチャンバ２０２ｂ〜２０２ｄが使用される場合についても同様の動作が実施される。また、プロセスチャンバ２０２ａ〜２０２ｄの全てで、同じ処理を行ってもよいし、各プロセスチャンバ２０２ａ〜２０２ｄで別の処理を行ってもよい。そして、例えば、プロセスチャンバ２０２ａとプロセスチャンバ２０２ｂとで別の処理を行う場合、プロセスチャンバ２０２ａでウエハ２００に所定の処理を行った後、続けてプロセスチャンバ２０２ｂで別の処理を行ってもよい。さらに、プロセスチャンバ２０２ａでウエハ２００に所定の処理を行った後、プロセスチャンバ２０２ｂで別の処理を行う場合、ロードロック室１２２又はロードロック室１２３を経由するようにしてもよい。また、本実施形態では４つのプロセスチャンバ２０２ａ〜２０２ｄが設けられているが、設けられるプロセスチャンバは、３つ以下でもよいし、５つ以上であってもよい。さらにプロセスチャンバとして、複数枚のウエハ２００を処理することが可能な縦型の処理炉が用いられてもよい。
【００４１】
（４）処理炉の構成
続いて、本実施形態に係る処理系と処理室内搬送系とを備える処理炉について説明する。すなわち、本実施形態に係る処理炉としてのプロセスチャンバ２０２ａの構成について
、図３を用いて説明する。図３は、プロセスチャンバ２０２ａとしてのＭＭＴ装置の縦断面概略図である。なお、プロセスチャンバ２０２ｂ〜２０２ｄについては、プロセスチャンバ２０２ａと同様に構成されているため、説明を省略する。
【００４２】
ＭＭＴ装置とは、電界と磁界とにより高密度プラズマを発生できる変形マグネトロン型プラズマ源（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ Ｔｙｐｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅ）を用い、ウエハ２００をプラズマ処理する装置である。ＭＭＴ装置は、処理ガスをプラズマ状態として励起させて、例えば基板表面又は基板に形成された薄膜を酸化や窒化したり、基板上に薄膜を形成したり、基板表面をエッチングしたりする等、各種のプラズマ処理を施すことができる。
【００４３】
処理室２０１を構成する処理容器２０３は、第１の容器であるドーム型の上側容器２１０と、第２の容器である碗型の下側容器２１１と、を備えている。そして、上側容器２１０が下側容器２１１の上に被さることにより、処理室２０１が形成される。上側容器２１０は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）又は石英（ＳｉＯ２）等の非金属材料で形成されており、下側容器２１１は例えばアルミニウム（Ａｌ）等で形成されている。
【００４４】
下側容器２１１の側壁には、仕切弁としてのゲートバルブ２４４ａが設けられている。上述したように、プロセスチャンバ２０２ａは、ゲートバルブ２４４ａを介して真空搬送室１０３（図１参照）と連通可能に設けられている。すなわち、処理室２０１と真空搬送室１０３との間でウエハ２００が搬送可能に構成されている。ゲートバルブ２４４ａが開けられると、真空搬送ロボット１１２（図１参照）を用いて処理室２０１内へウエハ２００を搬入し、または処理室２０１外へとウエハ２００を搬出することができるようになっている。そして、ゲートバルブ２４４ａを閉めることにより、処理室２０１内を気密にすることができるようになっている。
【００４５】
処理室２０１内の底側中央には、ウエハ２００を支持するサセプタ２１７が配置されている。サセプタ２１７は、ウエハ２００の金属汚染を低減することができるように、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、セラミックス、石英等の非金属材料で形成されている。なお、サセプタ２１７は、下側容器２１１とは電気的に絶縁されている。
【００４６】
サセプタ２１７の内部には、加熱機構としてのヒータ２１７ｂが一体的に埋め込まれており、ウエハ２００を加熱できるようになっている。ヒータ２１７ｂに電力が供給されると、ウエハ２００表面が所定温度（例えば室温〜１０００℃程度）にまで加熱されるようになっている。なお、サセプタ２１７には、温度センサ（図中省略）が設けられている。ヒータ２１７ｂ及び温度センサには、後述する制御部２２１が電気的に接続されている。制御部２２１は、温度センサにより検出された温度情報に基づいてヒータ２１７ｂへの通電具合を制御するように構成されている。
【００４７】
また、サセプタ２１７の内部には、インピーダンスを変化させる図示しない電極が装備されている。この電極は、インピーダンス可変機構２７４を介して設置されている。インピーダンス可変機構２７４は、コイルや可変コンデンサを備えており、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することにより、電極（図中省略）及びサセプタ２１７を介してウエハ２００の電位を制御できるようになっている。なお、インピーダンス可変機構２７４は、後述する制御部２２１が電気的に接続されている。
【００４８】
サセプタ２１７には、サセプタ２１７を昇降させるサセプタ昇降機構２６８が設けられている。サセプタ２１７には、貫通孔２１７ａが設けられている。上述の下側容器２１１底面には、ウエハ２００を突き上げるウエハ突き上げピン２６６が、少なくとも３箇所設けられている。そして、貫通孔２１７ａ及びウエハ突き上げピン２６６は、サセプタ昇降
機構２６８によりサセプタ２１７が下降させられた時に、ウエハ突き上げピン２６６がサセプタ２１７とは非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるように、互いに配置されている。
【００４９】
処理室２０１の上部には、処理室２０１内へ処理ガス２３０を供給するシャワーヘッド２３６が設けられている。シャワーヘッド２３６は、キャップ状の蓋体２３３、ガス導入部２３４、バッファ室２３７、遮蔽プレート２４０及びガス吹出口２３９を備えている。
【００５０】
蓋体２３３は、上側容器２１０の上部に開設された開口に気密に設けられている。蓋体２３３の下部には、遮蔽プレート２４０が設けられている。蓋体２３３と遮蔽プレート２４０との間の空間がバッファ室２３７である。バッファ室２３７は、ガス導入部２３４より導入される処理ガス２３０を分散する分散空間として機能する。そして、バッファ室２３７を通過した処理ガス２３０が、遮蔽プレート２４０の側部のガス吹出口２３９から処理室２０１内に供給される。また、蓋体２３３には、開口が設けられている。蓋体２３３の開口には、ガス導入部２３４の下流端が気密に設けられている。ガス導入部２３４の上流端には、ガス供給管２３２の下流端が接続されている。
【００５１】
ガス供給管２３２には、上流側から順に、処理ガス２３０や不活性ガスを供給する図示しないガス供給源、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２４１、開閉弁であるバルブ２４３ａが設けられている。ガス供給管２３２は、例えば石英、酸化アルミニウム等の非金属材料、及びＳＵＳ等の金属材料等により構成されている。マスフローコントローラ２４１及びバルブ２４３ａには、後述する制御部２２１が電気的に接続されている。制御部２２１は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ２４１及びバルブ２４３ａの開閉を制御するように構成されている。このように、バルブ２４３ａを開閉させることにより、マスフローコントローラ２４１により流量制御しながら、ガス供給管２３２、バッファ室２３７及びガス吹出口２３９を介して処理室２０１内に、処理ガス２３０や不活性ガスを自在に供給できるように構成されている。主にガス供給管２３２、図示しないガス供給源、マスフローコントローラ２４１及びバルブ２４３ａにより、本実施形態にかかるガス供給部が構成されている。
【００５２】
下側容器２１１の側壁下方には、処理室２０１内から処理ガス２３０等を排気するガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５には、ガスを排気するガス排気管２３１の上流端が接続されている。ガス排気管２３１には、圧力調整器であるＡＰＣ２４２、開閉弁であるバルブ２４３ｂ、排気装置である真空ポンプ２４６が、上流から順に設けられている。ＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ、真空ポンプ２４６には、後述する制御部２２１が電気的に接続されている。真空ポンプ２４６を作動させ、バルブ２４３ｂを開けることにより、処理室２０１内を排気することが可能なように構成されている。また、ＡＰＣ２４２の開度を調整することにより、処理室２０１内の圧力値を調整できるように構成されている。主にガス排気口２３５、ガス排気管２３１、ＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ及び真空ポンプ２４６により、本実施形態に係る排気部が構成されている。
【００５３】
処理容器２０３（上側容器２１０）の外周には、処理室２０１内のプラズマ生成領域２２４を囲うように、筒状電極２１５が設けられている。筒状電極２１５は、筒状、例えば円筒状に形成されている。筒状電極２１５は、インピーダンスの整合を行う整合器２７２を介して、高周波電力を発生する高周波電源２７３に接続されている。筒状電極２１５は、処理室２０１内に供給される処理ガス２３０をプラズマ励起させる放電機構として機能する。
【００５４】
筒状電極２１５の外側表面の上下端部には、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂがそれぞれ取り付けられている。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂは、それぞれ筒状
、例えばリング状に形成された永久磁石として構成されている。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂは、処理室２０１の半径方向に沿った両端（すなわち、各磁石の内周端及び外周端）にそれぞれ磁極を有している。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂの磁極の向きは、互いに逆向きになるよう配置されている。すなわち、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂの内周部の磁極同士は異極となっている。これにより、筒状電極２１５の内側表面に沿って、円筒軸方向の磁力線が形成されている。
【００５５】
主に、筒状電極２１５、整合器２７２、高周波電源２７３、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂにより、本実施形態に係るプラズマ生成部が構成されている。
【００５６】
処理室２０１内に少なくとも処理ガス２３０を供給した後、筒状電極２１５に高周波電力を供給して電界を形成するとともに、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂを用いて磁界を形成することにより、処理室２０１内のプラズマ生成領域２２４にマグネトロン放電プラズマが生成される。この際、放出された電子を上述の電磁界が周回運動させることにより、プラズマの電離生成率が高まり、長寿命の高密度プラズマを生成させることができる。
【００５７】
なお、筒状電極２１５、上部磁石２１６ａ、及び下部磁石２１６ｂの周囲には、これらが形成する電磁界が外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさないように、電磁界を有効に遮蔽する金属製の遮蔽板２２３が設けられている。
【００５８】
主に、ヒータ２１７ｂ、インピーダンス可変機構２７４、ガス供給部、排気部、整合器２７２及び高周波電源２７３により、本実施形態に係る処理系が構成される。
【００５９】
また、主に、サセプタ昇降機構２６８及びゲートバルブ２４４ａより、本実施形態に係る処理室内搬送系が構成される。なお、ゲートバルブ２４４ａ〜２４４ｄは、上述した工程内搬送系に含めて考えてもよい。
【００６０】
また、基板処理装置１００の処理系及び処理室内搬送系には、制御部２２１が電気的に接続されている。制御部２２１は、信号線Ａを通じてＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ及び真空ポンプ２４６の動作を、信号線Ｂを通じてサセプタ昇降機構２６８の動作を、信号線Ｃを通じてヒータ２１７ｂへの通電量やインピーダンス可変機構２７４のインピーダンス値を、信号線Ｄを通じてゲートバルブ２４４ａの動作を、信号線Ｅを通じて整合器２７２及び高周波電源２７３の動作を、信号線Ｆを通じてマスフローコントローラ２４１及びバルブ２４３ａの動作を、それぞれ制御するように構成されている。
【００６１】
（５）処理炉の動作
続いて、半導体製造工程の一工程として、上述したＭＭＴ装置であるプロセスチャンバ２０２ａを用いて実施される基板処理工程について説明する。なお、基板処理装置１００のプロセスチャンバ２０２ａの構成各部の動作は、制御部２２１により制御される。
【００６２】
（処理室内搬送系の動作）
まず、ウエハ２００の搬送位置までサセプタ昇降機構２６８を用いてサセプタ２１７を下降させ、サセプタ２１７の貫通孔２１７ａにウエハ突上げピン２６６を貫通させる。その結果、突き上げピン２６６が、サセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。続いて、ゲートバルブ２４４ａを開き、真空搬送ロボット１１２を用いて処理室２０１内にウエハ２００を搬入する。その結果、ウエハ２００は、サセプタ２１７の表面から突出したウエハ突上げピン２６６上に水平姿勢で支持される。
【００６３】
処理室２０１内にウエハ２００を搬入したら、真空搬送ロボット１１２（図１及び図２
参照）を処理室２０１外へ退避させ、ゲートバルブ２４４ａを閉じて処理室２０１内を気密にする。そして、サセプタ昇降機構２６８を用いてサセプタ２１７を上昇させる。その結果、ウエハ２００はサセプタ２１７の上面に配置される。その後、サセプタ２１７を所定の位置まで上昇させて、ウエハ２００を所定の処理位置まで上昇させる。
【００６４】
なお、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する際には、排気部により処理室２０１内を排気しつつ、ガス供給部から処理室２０１内にパージガスとしての不活性ガスを供給することが好ましい。すなわち、真空ポンプ２４６を作動させ、バルブ２４３ｂを開けることにより、処理室２０１内を排気しつつ、バルブ２４３ａを開けることにより、バッファ室２３７を介して処理室２０１内に不活性ガスを供給することが好ましい。これにより、処理室２０１内へのパーティクルの侵入や、ウエハ２００上へのパーティクルの付着を抑制することが可能となる。なお、真空ポンプ２４６は、少なくともウエハ２００が、処理室２０１内に搬入されてから搬出されるまでの間は、常に作動させた状態とする。
【００６５】
（処理系の動作）
続いて、サセプタ２１７の内部に埋め込まれたヒータ２１７ｂに電力を供給し、所定の温度に加熱されたサセプタ２１７によって、ウエハ２００の表面が所定の温度（例えば２００℃以上であって７５０℃未満、好ましくは３５０℃〜５５０℃）となるように加熱する。この際、ヒータ２１７ｂの温度は、図中省略の温度センサにより検出された温度情報に基づいてヒータ２１７ｂへの通電具合を制御することによって調整される。
【００６６】
また、処理室２０１内が所望の圧力（例えば０．１〜３００Ｐａ、好ましくは２０〜４０Ｐａ）となるように、処理室２０１内を真空ポンプ２４６によって真空排気する。この際、処理室２０１内の圧力は図中省略の圧力センサで測定され、この測定された圧力に基づきＡＰＣ２４２の開度をフィードバック制御する。
【００６７】
次に、バルブ２４３ａを開け、処理ガス２３０を、ガス供給管２３２からバッファ室２３７を介して処理室２０１内に供給する。このとき、処理ガス２３０の流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ２４１を調整する。また、処理ガス２３０を処理室２０１内に供給する際には、同時にキャリアガスとしての不活性ガスを処理室２０１内に供給することが好ましい。これにより、処理室２０１内への処理ガス２３０の供給を促進させることができる。
【００６８】
処理ガス２３０の供給を開始した後、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂによる磁界が形成されている所に、筒状電極２１５に対して、高周波電源２７３から整合器２７２を介して所定の高周波電力（例えば１００Ｗ〜１０００Ｗ、好ましくは１００Ｗ〜５００Ｗ）を処理室２０１内に印加する。この結果、処理室２０１内にマグネトロン放電が発生し、ウエハ２００の上方のプラズマ生成領域２２４に高密度プラズマが発生する。このようにプラズマ状態とすることにより、処理室２０１内に供給された処理ガス２３０が励起されて活性化されて活性種が形成される。そして、活性種が、ウエハ２００上に供給されて基板処理が行われる。
【００６９】
所定の処理時間が経過し、処理が終了したら、筒状電極２１５に対する電力供給を停止する。そして、処理室２０１内への処理ガス２３０の供給を停止する。同時に、ガス排気管２３１を用いて、処理室２０１内の処理ガス２３０や処理ガス２３０が反応した排ガス等の残留ガスを排気する。このとき、バルブ２４３ａを開き、処理室２０１内に不活性ガスを供給することで、処理室２０１内からの残留ガスの排出を促すことができる。
【００７０】
残留ガスの排出が完了したら、ＡＰＣ２４２の開度を調整し、処理室２０１内の圧力を大気圧に復帰させつつ、ウエハ２００を降温させる。具体的には、バルブ２４３ｂを開け
たままとして、処理室２０１内に不活性ガスを供給しつつ、図中省略の圧力センサにより検出された圧力情報に基づいて排気部のＡＰＣ２４２及びバルブ２４３ｂの開度を制御し、処理室２０１内の圧力を大気圧に昇圧する。そして、ヒータ２１７ｂの通電量を制御して、ウエハ２００の温度を降温させる。
【００７１】
（処理室内搬送系の動作）
そして、サセプタ２１７を下降させて、ウエハ２００を、処理室２０１内のウエハ２００の搬送位置まで移動させ、サセプタ２１７の表面から突出させたウエハ突き上げピン２６６上にウエハ２００を支持させる。そして、ゲートバルブ２４４ａを開き、真空搬送ロボット１１２（図１及び図２参照）を用いてウエハ２００を処理室２０１の外へ搬出し、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。なお、上記において、ウエハ２００の温度、処理室２０１内の圧力、各ガスの流量、筒状電極２１５に印加する電力、処理時間等の条件等は、改質対象の膜の材料や膜厚等によって任意に調整する。
【００７２】
このように、工程内搬送系によって、プロセスチャンバ２０２ａ内に搬送されたウエハ２００は、処理室内搬送系によって、ウエハ２００の位置調整がされた後、処理系によって処理され、その後、処理室内搬送系によって、再びウエハ２００の位置調整がされる。その後、処理済みのウエハは２００は、上述した真空搬送室１０３（図１参照）に搬送され、ポッド１０９（図１参照）へ格納される。
【００７３】
（６）電力供給系の構成及び動作
続いて、本実施形態に係る基板処理装置１００の電力供給系について、図４及び図５を用いて説明する。図４は、本発明の一実施形態に係る電力供給路を示す模式図である。図５は、本発明の一実施形態に係る開閉器の動作状況を示す表図である。
【００７４】
図４に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置１００は、処理系、処理室搬送系及び工程内搬送系の構成各部に電力を供給する主電源３００に接続されている。そして、処理系への電力供給路３０１ｂ上、すなわち主電源３００と処理系の構成各部との間には、第１の開閉器３０１ａが設けられている。また、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ上、すなわち主電源３００と処理室内搬送系の構成各部との間には、第２の開閉器３０２ａが設けられている。また、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂ上、すなわち主電源３００と工程内搬送系の構成各部との間には、第３の開閉器３０３ａが設けられている。そして、第１の開閉器３０１ａ、第２の開閉器３０２ａ、及び第３の開閉器３０３ａには、各開閉器３０１ａ〜３０３ａを制御する制御部２２１が、それぞれ接続されている。なお、制御部２２１も、主電源３００に接続され、主電源３００から電力が供給されるように構成されている。
【００７５】
第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａには、制御部２２１が電気的に接続されている。すなわち、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａは、制御部２２１からの制御信号に基づいて開閉が制御される電磁開閉器として構成されている。
【００７６】
このように、本実施形態にかかる基板処理装置１００では、処理系、処理室内搬送系、及び工程内搬送系への各電力供給路３０１ｂ〜３０３ｂ上に第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａがそれぞれ設けられている。これにより、各電力供給路３０１ｂ〜３０３ｂの遮断や接続を個別に制御することができる。すなわち、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系の構成各部への電力の供給及び停止を個別に制御することができる。従って、待機状態にある系への電力供給路を遮断し、各系の構成各部への電力の供給を停止することができるので、待機電力等の電力の消費量を低減することができる。
【００７７】
具体的には、まず、基板処理装置１００がスタンバイモード、メンテナンスモード、又
はレシピ運用モードのうち、いずれのモードにあるかを制御部２２１が判断する。そして、制御部２２１で判断されたモードに基づいて、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａの開閉を個別に制御する。
【００７８】
（スタンバイモードの場合）
スタンバイモードとは、基板処理装置１００が、基板処理装置１００へのウエハ２００の搬送を待っているモードである。具体的には、上述したように、ポッド１０９が、ロードポート１０５上に載置され、基板搬送口１３４を介してウエハ２００が工程内搬送系に搬入されることを待っているモードである。
【００７９】
制御部２２１がスタンバイモードと判断した場合は、処理系、処理室内搬送系、及び工程内搬送系のいずれも、待機状態にある。すなわち、各系の構成各部はいずれも未使用の状態にある。このため、図５に示すように、制御部２２１がスタンバイモードと判断した場合は、処理系への電力供給路３０１ｂ、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ、及び工程内搬送系への電力供給路３０３ｂをすべて遮断するように、制御部２２１で第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａの開閉がそれぞれ制御される。これにより、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系の構成各部への電力の供給をすべて停止することができ、待機電力等の電力の消費量を低減することができる。
【００８０】
なお、制御部２２１は、基板処理装置１００の基板搬送口１３４にウエハ２００が所定時間内に搬入されないとき、又は操作者からの操作コマンドの入力を受け付けたときに、基板処理装置１００をスタンバイモードに切り替える。
【００８１】
（メンテナンスモードの場合）
メンテナンスモードとは、基板処理装置１００の点検を行うモードである。例えば、生産用のウエハ２００を所定回数処理したプロセスチャンバ２０２ａ、真空搬送室１０３及び大気搬送室１２１では、内部の汚染具合などに応じて適宜メンテナンスが実施される。このメンテナンスの対象となるのは、例えば、プロセスチャンバ２０２ａの壁面へのガス分子や反応生成物の付着等による真空到達度の劣化、センサ面の汚れの付着により感度の低下による異常発生を知らせるアラームの誤作動、等である。メンテナンスは、真空搬送室１０３からプロセスチャンバ２０２ａを切り離さずに実施される。また、メンテナンスは、プロセスチャンバ２０２ａを真空搬送室１０３から取り外して行ってもよい。なお、プロセスチャンバ２０２ａを真空搬送室１０３から切り離さずにメンテナンスを行う利点としては、プロセスチャンバ２０２ａの取り外し作業および取り付け作業を行う必要がなく、メンテナンス時間を短縮できることがあげられる。
【００８２】
メンテナンスを行う際は、少なくとも処理系の構成各部が未使用の状態にあればよい。従って、図５に示すように、制御部２２１がメンテナンスモードと判断した場合は、少なくとも処理系への電力供給路３０１ｂを遮断するように、制御部２２１で第１の開閉器３０１ａの開閉が制御される。ここで、処理室内搬送系及び工程内搬送系の構成各部は、実施されるメンテナンスによって、作動されたり、作動されなかったりする。従って、実施されるメンテナンスによって、処理室内搬送系の構成各部を作動させる必要がない場合は、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂをさらに遮断するように、制御部２２１で第２の開閉器３０２ａの開閉を制御することが好ましい。同様に、工程内搬送系の構成各部を作動させる必要がない場合は、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂをさらに遮断するように、制御部２２１で第３の開閉器３０３ａの開閉を制御することが好ましい。
【００８３】
なお、制御部２２１は、処理系、処理室内搬送系または工程内搬送系のいずれかからエラー情報を受信したとき、又は操作者からの操作コマンドの入力を受け付けたときに、基板処理装置１００をメンテナンスモードに切り替える。
【００８４】
（レシピ運用モードの場合）
レシピ運用モードとは、基板処理装置１００に搬送されたウエハ２００をレシピに基づいて処理するモードである。具体的には、例えば、レシピ運用モードは次の５つのレシピを有する。すなわち、（ａ）基板処理装置１００の基板搬送口１３４に搬入されたウエハ２００を、工程内搬送系により処理室２０１内に搬入する（工程内搬送）。（ｂ）処理室２０１内に搬入されたウエハ２００を、処理室内搬送系により処理室２００内の処理位置に移動させる（処理室内搬送）。（ｃ）処理位置に到達したウエハ２００に、処理系により処理を実行する（基板処理）。（ｄ）処理が終了したウエハ２００を、処理室内搬送系により処理室２０１内の搬出位置に移動させる（処理室内搬送）。（ｅ）処理室２０１内の搬出位置に到達したウエハ２００を、工程内搬送系により基板処理装置１００の基板搬送口１３４まで搬出する（工程内搬送）。レシピ運用モードでは、例えば、このような（ａ）〜（ｅ）の５つのレシピに基づいて、ウエハ２００の搬送及び処理が実施される。
【００８５】
レシピ運用モードでは、レシピの進行状況に応じて、待機状態にある系が変化する。すなわち、上記（ａ）〜（ｅ）のレシピのうち、いずれのレシピを実行しているかにより、使用される系が変わる。従って、図５に示すように、制御部２２１がレシピ運用モードと判断した場合、レシピの進行状況に応じて、処理系への電力供給路３０１ｂ、処理室内搬送系電力供給路３０２ｂ、又は工程内搬送系３０３ｂの電力供給路のうち、少なくとも一つを接続するように、制御部２２１が第１の開閉器３０１ａ、第２の開閉器３０２ａ及び第３の開閉器３０３ａの開閉をそれぞれ制御する。
【００８６】
具体的には、上記（ａ）のレシピを実行している場合は、少なくとも工程内搬送系の構成各部が使用可能な状態にあればよい。すなわち、ポッド１０９がロードポート１０５上に載置され、ウエハ２００が、基板搬送口１３４を介して基板処理装置１００内に搬入された後、ウエハ２００が処理室２０１内に搬入されるまでは、少なくとも工程内搬送系の構成各部に電力が供給されていればよい。従って、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂを接続するように、制御部２２１で第３の開閉器３０３ａの開閉が制御される。このとき、処理系及び処理室内搬送系への電力供給路３０１ｂ，３０２ｂが遮断するように、第１の開閉器３０１ａ及び第２の開閉器３０２ａを制御することが好ましい。これにより、待機状態にある処理系及び処理室内搬送系の構成各部への電力の供給を停止することができる。従って、待機電力等の電力の消費量を低減することができる。
【００８７】
上記（ｂ）のレシピを実行している場合は、少なくとも処理室内搬送系の構成各部が使用可能な状態にあればよい。すなわち、ウエハ２００が処理室２０１内に搬入された後、サセプタ昇降機構２６８を用いてサセプタ２１７を昇降させて、ウエハ２００が処理室２０１内の処理位置に到達するまでは、少なくとも処理室内搬送系の構成各部に電力が供給されていればよい。従って、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂを接続するように、制御部２２１で第２の開閉器３０２ａの開閉が制御される。このとき、処理系及び工程内搬送系への電力供給路３０１ｂ，３０３ｂが遮断するように、第１の開閉器３０１ａ及び第３の開閉器３０３ａを制御することが好ましい。これにより、待機状態にある処理系及び工程内搬送系の構成各部への電力の供給を停止することができる。従って、待機電力等の電力の消費量を低減することができる。
【００８８】
上記（ｃ）のレシピを実行している場合は、少なくとも処理系の構成各部が使用可能な状態にあればよい。すなわち、ウエハ２００が処理室２０１内の処理位置に到達した後、ウエハ２００への所定の処理が終了するまでは、少なくとも処理系の構成各部に電力が供給されていればよい。従って、処理系への電力供給路３０１ｂを接続するように、制御部２２１で第１の開閉器３０１ａの開閉が制御される。このとき、処理室内搬送系及び工程内搬送系への電力供給路３０２ｂ，３０３ｂが遮断するように、第２の開閉器３０２ａ及
び第３の開閉器３０３ａを制御することが好ましい。これにより、処理室内搬送系及び工程内搬送系の構成各部への電力の供給を停止することができる。従って、待機電力等の電力の消費量を低減することができる。
【００８９】
上記（ｄ）のレシピを実行している場合は、少なくとも処理室内搬送系の構成各部が使用可能な状態にあればよい。すなわち、ウエハ２００への所定の処理が終了した後、サセプタ昇降機構２６８を用いてサセプタ２１７を昇降させて、ウエハ２００が処理室２０１内の搬出位置に到達するまでは、少なくとも処理室内搬送系の構成各部に電力が供給されていればよい。従って、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂを接続するように、制御部２２１で第２の開閉器３０２ａの開閉が制御される。このとき、処理系及び工程内搬送系への電力供給路３０１ｂ，３０３ｂが遮断するように、第１の開閉器３０１ａ及び第３の開閉器３０３ａを制御することが好ましい。これにより、待機状態にある処理系及び工程内搬送系の構成各部への電力の供給を停止することができる。従って、待機電力等の電力の消費量を低減することができる。
【００９０】
上記（ｅ）のレシピを実行している場合は、少なくとも工程内搬送系の構成各部が使用可能な状態にあればよい。すなわち、ウエハ２００が処理室２０１内の搬出位置に到達した後、ウエハ２００が基板搬送口１３４を介して、ロードポート１０５上に載置されたポッド１０９に収納されて基板処理装置１００から搬出されるまでは、少なくとも工程内搬送系の構成各部に電力が供給されていればよい。従って、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂを接続するように、制御部２２１で第３の開閉器３０３ａの開閉が制御される。このとき、処理系及び処理室内搬送系への電力供給路３０１ｂ，３０２ｂが遮断するように、第１の開閉器３０１ａ及び第２の開閉器３０２ａを制御することが好ましい。これにより、待機状態にある処理系及び処理室内搬送系の構成各部への電力の供給を停止することができる。従って、待機電力等の電力の消費量を低減することができる。
【００９１】
なお、制御部２２１は、工程内搬送系へのウエハ２００の搬入を受信したとき、又は操作者からの操作コマンドの入力を受け付けたときに、基板処理装置１００をレシピ運用モードに切り替える。
【００９２】
上述したように、本実施形態にかかる基板処理装置１００には、処理系への電力供給路３０１ｂ上に第１の開閉器３０１ａが設けられ、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ上に第２の開閉器３０２ａが設けられ、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂ上に第３の開閉器３０３ａが設けられている。これにより、基板処理装置１００のモードに応じて、待機状態にあり、使用されていない状態にある系への電力供給路をそれぞれ遮断することができ、電力の供給を個別に停止することができる。これにより、待機電力等の電力消費量を低減することができる。
【００９３】
なお、上述した第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａの開閉の制御は、半導体装置の製造工程の一工程として行われる。
【００９４】
すなわち、処理系への電力供給路３０１ｂ上に設けられた第１の開閉器３０１ａと、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ上に設けられた第２の開閉器３０２ａと、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂ上に設けられた第３の開閉器３０３ａと、を備える基板処理装置１００は、スタンバイモード、メンテナンスモード、又はレシピ運用モードのうち、いずれのモードにあるかを判断する工程を有する。この工程で、スタンバイモードと判断された場合は、処理系への電力供給路３０１ｂ、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ及び工程内搬送系への電力供給路３０３ｂをすべて遮断するように、第１の開閉器３０１ａ、第２の開閉器３０２ａ及び第３の開閉器３０３ａを制御する工程へと進む。メンテナンスモードと判断された場合は、少なくとも処理系への電力供給路３０１ｂを遮断するよ
うに、少なくとも第１の開閉器３０１ａを制御する工程へと進む。そして、レシピ運用モードと判断された場合は、レシピの進行状況に応じて、処理系への電力供給路３０１ｂ、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ、又は工程内搬送系への電力供給路３０３ｂのうち、少なくとも一つを接続するように、第１の開閉器３０１ａ、第２の開閉器３０２ａ及び第３の開閉器３０３ａを制御する工程と進み、ウエハ２００の処理が行われる。
【００９５】
本実施形態では、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａの開閉を制御する制御部２２１は、上述した処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系を制御する制御部と併用する場合について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、第１〜第３の開閉器の開閉を制御する制御部と、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系の構成各部を制御する制御部とはそれぞれ、別の制御部であってもよい。
【００９６】
また、本実施形態では、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａとして、制御部２２１によって電気的に開閉される電磁開閉器が用いられる場合について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａとして、手動で開閉を切り替える開閉器を用いてもよい。
【００９７】
（７）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【００９８】
（ａ）本実施形態によれば、処理系への電力供給路３０１ｂ上に、第１の開閉器３０１ａを設けている。そして、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ上に、第２の開閉器３０２ａを設けている。そして、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂ上に、第３の開閉器３０３ａを設けている。これにより、それぞれの系への電力供給路３０１ｂ〜３０３ｂの遮断及び接続を個別に制御することができる。従って、待機状態にあり、使用されていない系への電力供給路を遮断し、電力の供給を停止することができる。このため、待機電力等の電力の消費量を低減することができる。
【００９９】
（ｂ）本実施形態によれば、第１の開閉器３０１ａ、第２の開閉器３０２ａ及び第３の開閉器３０３ａが制御部２２１に接続されている。そして、制御部２２１は、基板処理装置１００がスタンバイモード、メンテナンスモード又はレシピ運用モードのいずれのモードにあるかを判断する。これにより、制御部２２１が判断したモードに応じて、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系への電力供給路３０１ｂ〜３０３ｂを効果的に個別に遮断したり、接続することができる。従って、電力の消費量をより低減することができる。
【０１００】
（ｃ）制御部２２１が、基板処理装置１００がレシピ運用モードにあると判断した場合、レシピの進行状況に応じて、処理系への電力供給路３０１ｂ、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ、又は工程内搬送系への電力供給路３０３ｂのうち、少なくとも一つを接続するように、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａの開閉が個別に制御される。従って、電力の消費量を効果的に低減することができる。
【０１０１】
（ｄ）制御部２２１が、基板処理装置１００がメンテナンスモードにあると判断した場合、少なくとも処理系への電力供給路３０１ｂを遮断するように、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａの開閉が制御される。従って、電力の消費量をより効果的に低減することができる。
【０１０２】
（ｅ）制御部２２１が、基板処理装置１００がスタンバイモードにあると判断した場合、処理系への電力供給路３０１ｂ、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ及び工程内搬送系への電力供給路３０３ｂの全ての電力供給路を遮断するように、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａの開閉が個別に制御される。従って、電力の消費量をさらに効果的に低
減することができる。
【０１０３】
（ｆ）本実施形態によれば、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａが制御部２２１に接続されて、電気的に制御されている。従って、基板処理装置１００のモードに応じて、確実に第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａの開閉を個別に制御することができる。このため、電力の消費量をより低減することができる。
【０１０４】
以下、参考までに、従来の基板処理装置が備える電力供給路について、図９を用いて説明する。図９に示すように、従来の基板処理装置は、主電源と、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系とが、直接接続されていた。従って、例えば基板処理装置１００がスタンバイモードにあり、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系が待機状態で、使用されていない場合であっても、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系への電力供給路は接続されたままであった。すなわち、処理系、処理室内搬送系及び工程内搬送系の構成各部は使用されていないにもかかわらず、使用可能な状態に電力が供給されていた。このため、基板処理装置１００の電力の消費量が多くなるという問題があった。これに対し、本実施形態によれば、処理系への電力供給路３０１ｂ、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ及び工程内搬送系への電力供給路３０３ｂにそれぞれ、第１〜第３の開閉器３０１ａ〜３０３ａが設けられている。このため、この課題を効果的に解決することができる。
【０１０５】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【０１０６】
上述した実施形態では、処理系への電力供給路３０１ｂ上に第１の開閉器３０１ａを設け、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ上に第２の開閉器３０２ａを設け、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂ上に第３の開閉器３０３ａを設ける構成とした。すなわち、基板処理装置に３つの開閉器３０１ａ〜３０３ａが設けられる構成とした。しかしながら、第１の開閉器３０１ａ及び第２の開閉器３０２ａを設け、２つの開閉器３０１ａ，３０２ａの開閉を制御する構成としてもよい。以下、このような構成を備えた実施形態について説明する。
【０１０７】
図６は、本実施形態に係る基板処理装置が備える電力供給路を示す模式図である。図６に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置は、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂと、工程内搬送系への電力供給路３０３ｂとを合流させて搬送系への電力供給路３０４とし、この搬送系への電力供給路３０４上に第２の開閉器３０２ａを設ける構成とした点が、上述した実施形態と異なる。その他の形態は、上述の実施形態と同様である。
【０１０８】
本実施形態にかかる基板処理装置１００には、処理系の電力供給路３０１ｂ上に第１の開閉器３０１ａが設けられている。そして、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂと工程内搬送系への電力供給路３０３ｂとを合流させて搬送系の電力供給路３０４とし、この搬送系の電力供給路３０４上に第２の開閉器３０２ａが設けられている。すなわち、主電源３００と、搬送系（処理室内搬送系及び工程内搬送系）の構成各部との間に、第２の開閉器３０２ａが設けられている。そして、第１の開閉器３０１ａ及び第２の開閉器３０２ａには、制御部２２１がそれぞれ電気的に接続されている。
【０１０９】
また、本実施形態は、例えば処理系への電力供給路３０１ｂ上に第１の開閉器３０１ａを設け、処理室内搬送系への電力供給路３０２ｂ上に第２の開閉器３０２ａを設ける構成としてもよい。
【０１１０】
上述した実施形態では、２つ又は３つの開閉器が設けられている。しかしながら、基板
処理装置の電力供給路を４つ以上にし、４つ以上の開閉器が設けられてもよい。
【０１１１】
本実施形態においても、上述の実施形態と同様の効果を奏する。
【０１１２】
＜本発明の更に他の実施形態＞
上述した実施形態では、基板処理装置としてＭＭＴ装置１００を用いて実施する場合を説明したが、本発明は、それに限らずその他の装置、例えばＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）装置、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）装置を用いても実施可能である。
【０１１３】
図７は、本発明の更に他の実施形態に係る基板処理装置であるＩＣＰ方式プラズマ処理装置１００ａを示している。本実施形態にかかる構成の詳細な説明は、前記実施形態と同様の機能を有する構成要件に同一の符号を付して省略する。本実施形態に係るＩＣＰ方式プラズマ処理装置１００ａは、電力を供給してプラズマを生成するプラズマ生成部としての誘電コイル３１５ａ，３１５ｂを備えている。誘電コイル３１５ａは、処理容器２０３の天井側の外側に敷設されている。誘電コイル３１５ｂは、処理容器２０３の外周壁の外側に敷設されている。本実施形態においても、少なくとも処理ガス２３０をガス供給管２３２から、ガス導入部２３４を経由して処理室２０１内へ供給する。また、ガス供給と前後して、プラズマ生成部である誘電コイル３１５ａ，３１５ｂへ高周波電力を流すと、電磁誘導により電界が生じる。この電界をエネルギーとして、供給された処理ガス２３０をプラズマ状態として励起させて、活性種を生成することができる。
【０１１４】
図８は、本発明の更に他の実施形態に係る基板処理装置であるＥＣＲ方式プラズマ処理装置１００ｂを示している。本実施形態にかかる構成の詳細な説明は、前記実施形態と同様の機能を有する構成要件に同一の符号を付して省略する。本実施形態に係るＥＣＲ方式プラズマ処理装置１００ｂは、マイクロ波を供給してプラズマを生成するプラズマ生成部としてのマイクロ波生成器４１５ａ、マイクロ波導入管４１５ｂ及び図示しない誘電コイルを備えている。マイクロ波導入管４１５ｂは、処理容器２０３の天井壁の外側に敷設されている。図示しない誘電コイルは、処理容器２０３の外周壁の外側に敷設されている。本実施形態においても、少なくとも処理ガス２３０をガス供給管２３２から、ガス導入部２３４を経由して処理室２０１内へ供給する。また、ガス供給と前後して、プラズマ生成部であるマイクロ波導入管４１５ｂへ、マイクロ波生成器４１５ａで生成されたマイクロ波４１８ａを導入し、その後、マイクロ波４１８ａを処理室２０１へ放射させる。このマイクロ波４１８ａと、図示しない誘電コイルからの高周波電力とにより、供給された処理ガス２３０をプラズマ状態として励起させ、活性種を生成することができる。
【０１１５】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【０１１６】
本発明の一態様によれば、
処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、
前記処理室内に搬入された前記基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、
少なくとも前記処理系及び前記処理室内搬送系に電力を供給する主電源と、
前記処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、
前記処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備える基板処理装置が提供される。
【０１１７】
好ましくは、
少なくとも前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する制御部を有し、
前記制御部は、
前記基板処理装置が、前記基板処理装置への前記基板の搬送を待つスタンバイモード、前記基板処理装置の点検を行うメンテナンスモード又は前記基板処理装置に搬送された前記基板をレシピに基づいて処理するレシピ運用モードのうち、いずれのモードにあるかを判断し、
前記スタンバイモードと判断した場合は、前記処理系への電力供給路及び前記処理室内搬送系への電力供給路を遮断し、
前記メンテナンスモードと判断した場合は、少なくとも前記処理系への電力供給路を遮断し、
前記レシピ運用モードと判断した場合は、前記レシピの進行状況に応じて、前記処理系への電力供給路又は前記処理室内搬送系への電力供給路の少なくとも一つを接続するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する。
【０１１８】
さらに好ましくは、
前記制御部は、前記レシピ運用モードと判断した場合、
前記基板が前記処理室内に搬入され、前記基板が前記処理室内の前記処理位置に到達するまでは、少なくとも前記処理室内搬送系への電力供給路を接続し、
前記基板が前記処理位置に到達した後、処理が終了するまでは、少なくとも前記処理系への電力供給路を接続し、
処理が終了した後、前記基板が前記処理室内の搬出位置に到達するまでは、少なくとも前記処理室内搬送系への電力供給路を接続するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する。
【０１１９】
本発明の他の態様によれば、
処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、
前記処理室内に搬入された前記基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、
前記処理室内外へ前記基板を搬送する工程内搬送系と、
少なくとも前記処理系、前記処理室内搬送系及び前記工程内搬送系に電力を供給する主電源と、
前記処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、
前記処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、
前記工程内搬送系への電力供給路上に設けられた第３の開閉器と、を備える基板処理装置が提供される。
【０１２０】
好ましくは、
少なくとも前記第１の開閉器、前記第２の開閉器及び前記第３の開閉器を制御する制御部を有し、
前記制御部は、
前記基板処理装置が、前記基板処理装置への前記基板の搬送を待つスタンバイモード、前記基板処理装置の点検を行うメンテナンスモード、又は前記基板処理装置に搬送された前記基板をレシピに基づいて処理するレシピ運用モードのうち、いずれのモードにあるかを判断し、
前記スタンバイモードと判断した場合は、前記処理系への電力供給路、前記処理室内搬送系への電力供給路及び前記工程内搬送系への電力供給路を遮断し、
前記メンテナンスモードと判断した場合は、少なくとも前記処理系への電力供給路を遮断し、
前記レシピ運用モードと判断した場合は、前記レシピの進行状況に応じて、前記処理系への電力供給路、前記処理室内搬送系電力供給路、又は前記工程内搬送系の電力供給路のうち、少なくとも一つを接続するように、前記第１の開閉器、前記第２の開閉器及び前記第３の開閉器を制御する。
【０１２１】
さらに好ましくは、
前記制御部は、前記レシピ運用モードと判断した場合、
前記基板が前記基板処理装置の基板搬送口に搬入された後、前記基板が前記処理室内に搬入されるまでは、少なくとも前記工程内搬送系の電力供給路を接続し、
前記基板が前記処理室内に搬入された後、前記基板が前記処理室内の前記処理位置に到達するまでは、少なくとも前記処理室内搬送系の電力供給路を接続し、
前記基板が前記処理位置に到達した後、処理が終了するまでは、少なくとも前記処理系の電力供給路を接続し、
処理が終了した後、前記基板が前記処理室内の搬出位置に到達するまでは、少なくとも前記処理室内搬送系の電力供給路を接続し、
前記基板が前記処理室内の前記搬出位置に到達した後、前記基板が前記基板処理装置の前記基板搬送口まで搬出されるまでは、少なくとも前記工程内搬送系の電力供給路を接続するように、前記第１の開閉器、前記第２の開閉器及び前記第３の開閉器を制御する。
【０１２２】
さらに好ましくは、
前記制御部は、前記基板処理装置の前記基板搬送口に前記基板が所定時間内に搬入されないとき、又は操作者からの操作コマンドの入力を受け付けたときに、前記基板処理装置を前記スタンバイモードに切り替える。
【０１２３】
さらに好ましくは、
前記制御部は、前記処理系、前記処理室内搬送系または前記工程内搬送系のいずれかからエラー情報を受信したとき、又は操作者からの操作コマンドの入力を受け付けたときに、前記基板処理装置を前記メンテナンスモードに切り替える。
【０１２４】
さらに好ましくは、
前記制御部は、前記工程内搬送系への前記基板の搬入を受信したとき、又は操作者からの操作コマンドの入力を受け付けたときに、前記基板処理装置を前記レシピ運用モードに切り替える。
【０１２５】
本発明のさらに他の態様によれば、
処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、前記処理室内に搬入された前記基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、前記処理室内外へ前記基板を搬送する工程内搬送系と、少なくとも前記処理系、前記処理室内搬送系及び前記工程内搬送系に電力を供給する主電源と、を備える基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
前記基板処理装置は、前記処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、前記処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備え、
前記基板処理装置への前記基板の搬送を待つスタンバイモード、前記基板処理装置の点検を行うメンテナンスモード、又は前記基板処理装置に搬送された前記基板をレシピに基づいて処理するレシピ運用モードのうち、前記基板処理装置がいずれのモードにあるかを判断する工程と、
前記スタンバイモードと判断された場合は、前記処理系への電力供給路及び前記処理室内搬送系への電力供給路を遮断するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する工程と、
前記メンテナンスモードと判断された場合は、少なくとも前記処理系への電力供給路を遮断するように、前記第１の開閉器を制御する工程と、
前記レシピ運用モードと判断された場合は、前記レシピの進行状況に応じて、前記処理系への電力供給路又は前記処理室内搬送系への電力供給路の少なくとも一つを接続するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１２６】
本発明のさらに他の態様によれば、
処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、前記処理室内に搬入された前記基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、前記処理室内外へ前記基板を搬送する工程内搬送系と、少なくとも前記処理系、前記処理室内搬送系及び前記工程内搬送系に電力を供給する主電源と、を備える基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
前記基板処理装置は、前記処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、前記処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、前記工程内搬送系への電力供給路上に設けられた第３の開閉器と、を備え、
前記基板処理装置への前記基板の搬送を待つスタンバイモード、前記基板処理装置の点検を行うメンテナンスモード、又は前記基板処理装置に搬送された前記基板をレシピに基づいて処理するレシピ運用モードのうち、前記基板処理装置がいずれのモードにあるかを判断する工程と、
前記スタンバイモードと判断された場合は、前記処理系への電力供給路、前記処理室内搬送系への電力供給路及び前記工程内搬送系への電力供給路を遮断するように、前記第１の開閉器、前記第２の開閉器及び前記第３の開閉器を制御する工程と、
前記メンテナンスモードと判断された場合は、少なくとも前記処理系への電力供給路を遮断するように、前記第１の開閉器を制御する工程と、
前記レシピ運用モードと判断された場合は、前記レシピの進行状況に応じて、前記処理系への電力供給路、前記処理室内搬送系への電力供給路、又は前記工程内搬送系への電力供給路のうち、少なくとも一つを接続するように、前記第１の開閉器、前記第２の開閉器及び前記第３の開閉器を制御する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【符号の説明】
【０１２７】
１１２ 真空搬送ロボット
１２５ 大気搬送ロボット
２００ ウエハ
２０１ 処理室
２１７ｂ ヒータ
２６８ サセプタ昇降機構
２７２ 整合器
２７３ 高周波電源
３００ 主電源
３０１ａ，３０２ａ，３０３ａ 開閉器
３０１ｂ，３０２ｂ，３０３ｂ 電力供給路
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、
前記処理室内に搬入された前記基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、
少なくとも前記処理系及び前記処理室内搬送系に電力を供給する主電源と、
前記処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、
前記処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備える
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
少なくとも前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する制御部を有し、
前記制御部は、
前記基板処理装置が、前記基板処理装置への前記基板の搬送を待つスタンバイモード、前記基板処理装置の点検を行うメンテナンスモード又は前記基板処理装置に搬送された前記基板をレシピに基づいて処理するレシピ運用モードのうち、いずれのモードにあるかを判断し、
前記スタンバイモードと判断した場合は、前記処理系への電力供給路及び前記処理室内搬送系への電力供給路を遮断し、
前記メンテナンスモードと判断した場合は、少なくとも前記処理系への電力供給路を遮断し、
前記レシピ運用モードと判断した場合は、前記レシピの進行状況に応じて、前記処理系への電力供給路又は前記処理室内搬送系への電力供給路の少なくとも一つを接続するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、前記処理室内に搬入された前記基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、前記処理室内外へ前記基板を搬送する工程内搬送系と、少なくとも前記処理系、前記処理室内搬送系及び前記工程内搬送系に電力を供給する主電源と、を備える基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
前記基板処理装置は、前記処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、前記処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備え、
前記基板処理装置への前記基板の搬送を待つスタンバイモード、前記基板処理装置の点検を行うメンテナンスモード、又は前記基板処理装置に搬送された前記基板をレシピに基づいて処理するレシピ運用モードのうち、前記基板処理装置がいずれのモードにあるかを判断する工程と、
前記スタンバイモードと判断された場合は、前記処理系への電力供給路及び前記処理室内搬送系への電力供給路を遮断するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する工程と、
前記メンテナンスモードと判断された場合は、少なくとも前記処理系への電力供給路を遮断するように、前記第１の開閉器を制御する工程と、
前記レシピ運用モードと判断された場合は、前記レシピの進行状況に応じて、前記処理系への電力供給路又は前記処理室内搬送系への電力供給路の少なくとも一つを接続するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する工程と、を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、
前記処理室内に搬入された前記基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、
少なくとも前記処理系及び前記処理室内搬送系に電力を供給する主電源と、
前記処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、
前記処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備える
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
少なくとも前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する制御部を有し、
前記制御部は、
前記基板処理装置が、前記基板処理装置への前記基板の搬送を待つスタンバイモード、前記基板処理装置の点検を行うメンテナンスモード又は前記基板処理装置に搬送された前記基板をレシピに基づいて処理するレシピ運用モードのうち、いずれのモードにあるかを判断し、
前記スタンバイモードと判断した場合は、前記処理系への電力供給路及び前記処理室内搬送系への電力供給路を遮断し、
前記メンテナンスモードと判断した場合は、少なくとも前記処理系への電力供給路を遮断し、
前記レシピ運用モードと判断した場合は、前記レシピの進行状況に応じて、前記処理系への電力供給路又は前記処理室内搬送系への電力供給路の少なくとも一つを接続するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、前記処理室内に搬入された前記基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、前記処理室内外へ前記基板を搬送する工程内搬送系と、少なくとも前記処理系、前記処理室内搬送系及び前記工程内搬送系に電力を供給する主電源と、を備える基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
前記基板処理装置は、前記処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、前記処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備え、
前記基板処理装置への前記基板の搬送を待つスタンバイモード、前記基板処理装置の点検を行うメンテナンスモード、又は前記基板処理装置に搬送された前記基板をレシピに基づいて処理するレシピ運用モードのうち、前記基板処理装置がいずれのモードにあるかを判断する工程と、
前記スタンバイモードと判断された場合は、前記処理系への電力供給路及び前記処理室内搬送系への電力供給路を遮断するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する工程と、
前記メンテナンスモードと判断された場合は、少なくとも前記処理系への電力供給路を遮断するように、前記第１の開閉器を制御する工程と、
前記レシピ運用モードと判断された場合は、前記レシピの進行状況に応じて、前記処理系への電力供給路又は前記処理室内搬送系への電力供給路の少なくとも一つを接続するように、前記第１の開閉器及び前記第２の開閉器を制御する工程と、を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−６２４１８（Ｐ２０１３−６２４１８Ａ）
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２００５８１（Ｐ２０１１−２００５８１）
【出願日】平成２３年９月１４日（２０１１．９．１４）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１４日（２０１１．９．１４）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【Ｆターム（参考）】
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