【課題】 基板処理装置が備えるそれぞれの系への電力の供給を個別に制御することで、電力の消費量を低減する。
【解決手段】 処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、処理室内に搬入された基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、少なくとも処理系及び処理室内搬送系に電力を供給する主電源と、処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板を保持する基板ホルダー、該基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタ、及び該サセプタを回転自在に保持するサセプタ保持機構が備えられた気相成長装置であって、基板の入れ替え及びサセプタの脱着が容易な気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタを、該基板ホルダーを保持する円盤状部材、及び円盤状部材から分離できるリング状部材からなる構成とし、サセプタを回転自在に保持する保持機構の一部を該リング状部材に設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生器内のセンサの電源の具体的な構成を提供する。
【解決手段】プラズマ発生器は、容器１０と、容器１０に取り付けられ互いに対向するアンテナ（第一電極）２２および下部ステージ（第二電極）３２とを有し、アンテナ２２に所定の周波数の電圧が印加されて下部ステージ３２に交流バイアス電圧が印加されることにより、容器１０内にプラズマ１が発生する。プラズマ発生器内の下部ステージ（第二電極）３２にウェハ２が載せられており、測定装置４がウェハ２に載せられている。測定装置４は、電源装置４１、センサ４２、マイクロコンピュータ（測定結果処理器）４４を有する。センサ４２は、プラズマ発生器の内部の状態を測定する。電源装置４１は、センサ４２の電源となり、プラズマ１の発生に伴って生ずる光を受けて、電力に変換する太陽電池４１ａを備える。センサ４２は太陽電池４１ａから電力を受けて作動する。 （もっと読む）

【課題】混合ガス内の原料濃度を正確に調整し、プロセスチャンバへ安定して供給し、原料の残量管理を容易にする原料の気化供給装置を提供する。
【解決手段】原料４を貯留したソースタンク５と、キャリアガス供給源１からのキャリアガスＧ_１をソースタンク５の内部上方空間５ａへ供給する流路Ｌ_１と、コントロール弁ＣＶ_１の開度調整により内部上方空間５ａの圧力を制御する自動圧力調整装置１５と、原料４より生成した原料蒸気と前記キャリアガスとの混合体である混合ガスＧ_０をプロセスチャンバ１１へ供給する流路Ｌ_２と、コントロール弁ＣＶ_２の開度調整によりプロセスチャンバ１１へ供給する混合ガスＧ_０の流量を自動調整する流量制御装置１９と、流路Ｌ_１及び流路Ｌ_２を設定温度に加熱する恒温加熱部とから成り、内部上方空間５ａを所望の圧力に制御しつつプロセスチャンバ１１へ混合ガスＧ_０を供給する構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ソフトインターロックの切り替えを簡単に設定するとともに、設定内容を表示することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板処理に関する情報を操作する操作画面を表示する表示手段１８と、基板処理を実行するための基板処理レシピを実行する制御手段１４と、を有する基板処理装置であって、前記制御手段は、前記基板処理レシピに応じて、ソフトインターロックの設定を受け付けた場合、ソフトインターロックが設定されたことが前記基板処理レシピの先頭部に反映されるように制御するとともに、設定されたソフトインターロックの内容が表示されるように前記表示手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】アレイアンテナユニット３０を保持して真空チャンバ１内を移動可能なアンテナ搬送体は、複数本の電極棒５１、５２を垂下させた状態でアレイアンテナユニット３０を保持する一対の支柱７５ａ、７５ｂと、これら一対の支柱７５ａ、７５ｂ間に懸架され、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に長手方向を沿わせて位置する調整部材７８と、を備える。調整部材７８は、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に延在する延在部７８ａ、および、延在部７８ａから当該延在部７８ａの長手方向に交差する方向に突出し、隣り合う電極棒５１、５２の対向面に臨む移動制限部７８ｂを有する。移動制限部７８ｂは、延在部７８ａの長手方向に交差する方向にスライドして、電極棒５１、５２の対向面から退避可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内に基板を搬送する際の衝撃を低減する。
【解決手段】駆動モータ２０の出力軸に接続された駆動ピニオン２１を真空チャンバ１内に備え、駆動ピニオン２１を、基板搬送体６０に設けられたラック６４に噛合させて回転させることにより、基板搬送体６０を真空チャンバ１内に搬入するアレイアンテナ式プラズマＣＶＤ装置において、駆動モータ２０を真空用ダイレクトドライブモータで構成し、駆動ピニオン２１を所定の位相に停止させる。 （もっと読む）

【課題】ノズルを縦型反応管に適正に取り付ける方法を提供する。
【解決手段】マニホールド２０９にノズル２０を取り付けるに際して、保持治具１０をノズル２０の上下両端部に取り付け、ノズル２０の水平部をマニホールド２０９の取付口２１０に処理室２０１側から挿入し、上下の保持治具１０の前端面を処理室２０１の内周面に当接させることでノズル２０と処理室２０１の内周面とのクリアランスおよび平行を自動的に保持する。ノズル２０を保持治具１０で位置決めした状態で、ノズル２０の水平部を取付口２１０に設置された継手２１１に固定し、その後、上下の保持治具１０をノズル２０９から取り外す。 （もっと読む）

【課題】複数本の誘導結合型電極５３の着脱作業を含む一連の誘導結合型電極５３のメンテナンス作業を簡略化すること。
【解決手段】真空チャンバー３の天井壁１５の内壁面に可動ガイドレール２９が上下方向へ移動可能に設けられ、可動ガイドレール２９に複数の分割ホルダ４１Ｓが左右方向に移動可能に支持され、各分割ホルダ４１Ｓにおける各一対の第１保持孔４５及び第２保持孔４７に誘導結合型電極５３が挿通した状態で保持され、可動ガイドレール２９に複数の分割ホルダ４１Ｓをセットした状態で、可動ガイドレール２９を基準のレール高さ位置まで上方向へ移動させると、各第１アンテナ側コネクタ５７が第１天井側コネクタ１７に接続しかつ各第２アンテナ側コネクタ６１が第２天井側コネクタ１９に接続すること。 （もっと読む）

【課題】作業効率が良く精度の高いティーチングを行って処理の効率を向上できる真空処理装置の調整方法を提供する。
【解決手段】その上面に所定の波長の光の反射の特性を局所的に異ならせた特定の箇所を有した調整用の試料を前記試料台の上面の特定の位置と前記特定の箇所とを合わせて載置した後、前記真空容器の内部を封止した状態で前記ロボットを移動させて前記ロボットのアーム上の所定の位置に配置され前記反射した所定の波長の光の通過部を前記調整用の試料の前記特定の箇所の上方に移動させ、その移動の際に前記調整用の試料から向かって前記通過部を通過した光を前記板部材の外側で検知し、検出した前記光の量に応じて前記試料の特定の箇所と前記ロボットの所定の位置との位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】小型で設置面積の小さい真空処理装置を提供する。
【解決手段】中心に搬送ユニット１０５配置し、処理室に設けられた処理台を備え、被処理物を処理台に設置し、ガスを利用して被処理物を処理する処理室１０３，１０３’、１０４、１０４’を複数有する真空処理装置において、ガスを供給する流量調節ユニット１０７，１０７’を二つの処理室１０３―１０４、１０３’―１０４’間に配置した。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスを実行するか否かを適切に判断することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板を処理する手順を記述したレシピを実行することにより、基板に処理を施す基板処理部と、前記基板処理部が基板に処理を施すことにより累積される、前記基板処理部を構成する部品に関する情報を記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶された情報を複製する複製部と、前記記憶部に記憶された情報又は前記複製部によって複製された情報に基づいて、メンテナンスを実行するか否かを判断する判断部とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理炉内温度補正方法の作業性を向上し、コストを低減する。
【解決手段】処理室内温度補正方法実施前に、温度計測器支持機構１０の位置を定義し記憶する（Ａ１）。温度補正方法実施時、温度計測器支持機構１０を格納状態から突出状態に移行させ、温度計測器支持機構１０をシールキャップ２１９の開口させた挿入口２０の真下に搬送する。温度計測器支持機構１０をウエハ移載装置エレベータ１２５ｂで上昇させて温度計測器１８を挿入口２０に挿入する。シールキャップ２１９をボートエレベータ１５１で上昇させて、処理炉２０２をシールキャップ２１９で閉塞する（Ａ２）。処理炉２０２内温度をヒータ２０６で上昇させる（Ａ３）。同時に、処理炉２０２内温度を温度計測器１８で計測する（Ａ４）。温度補正値を算出し記憶する（Ａ５）。均熱温度が規定値内に入るまで繰り返し（Ａ６−７）、規定値に入ると、温度補正方法を終了する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の調整作業の際、作業の順番や作業の着手、終了を分りやすく作業者に知らせ、また、引継ぎ作業を効率よく行うことにより、調整作業を効率よく行う。
【解決手段】装置立上げに関する複数の作業項目を操作画面上に表示する操作部２２１を備えた基板処理装置であって、操作部は、各作業項目を作業順に並べて表示すると共に各作業項目の近傍にチェック欄及び矢印アイコンを設け、チェック欄がチェックされると、作業項目の終了時刻が表示されると共に次の作業項目の実施を促すように前記矢印アイコンの色が切り替わるように構成される。 （もっと読む）

【課題】温度センサを用いて熱処理を制御する際の不具合を抑制する基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板２００を収容する処理室２０１を加熱する加熱手段２０６と、第１の熱電対２６３により基板の近傍の温度を検出する第１の温度検出手段と、第２の熱電対２６４により加熱手段の近傍の温度を検出する第２の温度検出手段と、第１の温度検出手段により検出された温度、及び第２の温度検出手段により検出された温度に基づき制御する第１の制御手段と、第２の熱電対により検出された温度に基づき制御する第２の制御手段と、検出された温度に従って、第１の制御手段と第２の制御手段による制御とを切り替える制御切り替え手段を有し、第１の熱電対２６３は第２の熱電対２６４に比べて耐熱性に優れた特性を有し、第２の熱電対２６４は第１の熱電対２６３と比べて温度検出性能が優れた特性を有する。 （もっと読む）

【課題】メインコントローラの起動後に必要に応じて破損ファイルの発生を操作画面に表示し、警告を促すことで安全性を向上した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１のメインコントローラ２４０は、立ち上げ時にレシピ実行時に使用されるパラメータファイルの破損を発見した場合、起動後に破損ファイル一覧ダイアログを操作端末２４１に表示するとともにレシピを実行させないように構成される。もし、レシピ開始ボタンが押されたとしても、アラームメッセージが表示されるだけであり、レシピ開始ボタンは無効となる。 （もっと読む）

【課題】放電電極内に特別な加熱機構を保有してない放電電極の温度制御が可能な製膜装置および製膜方法を提供する。
【解決手段】基板３０に製膜するためのプラズマを生成する放電電極５と、放電電極５の温度を計測する電極温度計測手段と、基板３０を表面で保持する基板テーブルと、放電電極５、電極温度計測手段、および基板テーブルと、を有する製膜室１と、製膜室１内の圧力を計測する製膜室圧力計測手段と、製膜室１に気体を導入する気体導入手段と、製膜室１内を所定の圧力となるように気体を排気する気体排気手段８と、放電電極５の温度に基づいて、気体導入手段と気体排気手段８との少なくとも１つの作動状況の変化を繰り返す間欠動作を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】現在、良質な膜を得るために、下地膜から非晶質シリコン膜までの形成プロセスは、各々の成膜室にて行われている。これらの成膜条件をそのまま用いて同一成膜室にて下地膜から非晶質シリコン膜までを連続形成すると、結晶化工程で十分に結晶化されない。
【解決手段】水素希釈したシランガスを用いて非晶質シリコン膜を形成することにより、下地膜から非晶質シリコン膜までを同一成膜室内で連続形成しても、結晶化工程で十分に結晶化可能となる。 （もっと読む）

【課題】
流体貯蔵・計量分配装置であって、内部容積を有する流体貯蔵・計量分配容器として内部容積は流体を吸着して保持する物理的吸着剤を含みかつ容器から計量分配するために流体は該吸着剤から脱着可能である容器と、脱着された流体を容器から計量分配するため容器に結合された計量分配アセンブリと、を含んでいる。
【解決手段】
物理的吸着剤はモノリス炭素質物理的吸着剤を含み、該モノリス炭素質物理的吸着剤は、（ａ）アルシンガスについて２５℃、圧力６５０トルで測定した充填密度がアルシン４００ｇ／吸着剤１Ｌより高い充填密度であり、（ｂ）吸着剤の気孔率全体の少なくとも３０％は、約０．３〜約０．７２ｎｍの範囲のサイズのスリット形状の気孔を含み、並びに気孔率全体の少なくとも２０％は、直径２ｎｍ未満のミクロ細孔を含んでおり、（ｃ）１０００℃未満の温度で、熱分解及び随意的活性化により形成されており、約０．８０〜約２．０ｇ／ｃｍ^３のかさ密度を有する、という特性のうち少なくとも１つを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】反応管下部周囲に設置されるガスノズルや熱電対等の石英部品と干渉することがなく、取り付けや取り外しが容易な耐震構造を実現する基板処理装置を提供する。
【解決手段】下端が開放された筒状であって内部に基板を収容して処理する反応容器と、反応容器の下端が開放された状態を保ちつつ前記反応容器の外方向から下端部まで水平に延在し、反応容器の下端部を下方から支持する支持部と、該支持部に固定され反応容器の揺れを抑制するための固定具とを備え、反応容器は、反応容器の下端部内壁に内方向に突出して設けられる内側鍔部、若しくは、前記反応容器の下端側壁を内から外へ貫通して形成される貫通口を有し、固定具は、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から前記内側鍔部の側方及び上方まで延在するか、若しくは、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から反応容器の内壁及び貫通口内部まで延在するよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）