【課題】本発明は、材料や工程の追加を抑制しつつ、被吸着物をチャックステージに適切に真空吸着させることができる真空吸着保持装置および真空吸着保持方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる真空吸着保持装置は、被吸着物２を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージ３と、被吸着物２に関する所定の情報を付与されることにより、所定の情報に応じて、チャックステージ３に吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】ワークの板厚が薄く形成されたとしても、簡易な構成で、ワークの利用部位を非接触状態に維持したまま安定してチャックできる。
【解決手段】チャック装置１は、ワークＷと対向する本体２と、本体に配され、ワークと接触する突出部３と、本体と突出部とワークとで囲繞される囲繞空間Ｎから気体を吸引する吸引手段５と、ワークまでの相対距離ｄを測定する測定センサ６と、相対距離に基づいて、相対距離が所定の目標値で安定化するように吸引手段の吸引力を制御する吸引制御部７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】粘着シート５から基板Ｗを剥離する際に、基板Ｗが破損してしまうといった問題の発生を抑制する。
【解決手段】粘着シート５と基板Ｗとの間に気体（窒素ガス）を圧入することで、粘着シート５から基板Ｗを剥離している。したがって、基板Ｗに対して局所的に大きな力を作用させることなく、圧入した気体（窒素ガス）が基板Ｗに及ぼす比較的分散化された力によって、粘着シート５から基板Ｗを剥離することができる。その結果、粘着シート５から基板Ｗを剥離する際に、基板Ｗが破損してしまうといった問題の発生を抑制することが可能となっている。 （もっと読む）

【課題】 基板処理装置が備えるそれぞれの系への電力の供給を個別に制御することで、電力の消費量を低減する。
【解決手段】 処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、処理室内に搬入された基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、少なくとも処理系及び処理室内搬送系に電力を供給する主電源と、処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】装置自体の有する能力を超えた処理条件が設定されるのを防止することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供するを提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを格納し、真空排気可能な少なくとも１つの真空容器と、この真空容器にガスを供給するガス供給部と、開度を調整することにより真空容器内からの排気量を制御するAPCバルブと、真空容器内の圧力を、ガス供給部によるガス供給量とAPCバルブの開度とに対応付けて記憶する記憶部と、操作者から所定の圧力、ガス供給量、及び開度に関する指示を受付ける受付部と、受付部が受付けたガス供給量の範囲及び開度の範囲のうち、受付部が受付けた所定の圧力に対応する記憶部が記憶するガス供給量の範囲及び開度の範囲に含まれる範囲を算出する算出部と、算出部が算出した範囲を表示する表示部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 反りと反発力の大きいウェハであっても、確実に吸着して保持しながら搬送することができる搬送技術を提供することを課題とする。
【解決手段】 基板搬送装置は、基板を吸着保持しながら搬送する搬送ピック４０を有する。搬送ピック４０の吸着面４０ａは複数の領域４６ａ，４６ｂに分割され、複数の領域の各々に対して吸着経路が設けられる。制御部６０は、吸着経路への負圧の導入を制御して、搬送ピック４０による基板の吸着保持動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】 極めて簡単な構成で液中でも半導体基板を安全かつ確実に保持でる半導体基板の保持機構を提供し、さらに、ウエット状態で密着した半導体基板同士を破損することなく自動的に、高速で分離し、保持して搬送することが可能な半導体基板の保持装置とこれを用いた分離装置および分離方法を提供する
【解決手段】チャック本体１１０に２以上の液体流入口１１３とこの液体流入口に接続されている中空円筒状のノズル本体１２０とを有し、前記ノズル本体にはその前端を閉鎖する蓋１２１とこの蓋から僅かに離れた位置に径方向に向けて開口形成された吐出口１２２を有し、吐出口から排出された流体の流路に所定角度に傾斜した斜面を有する液流規制部１１９を有し、前記液流規制部の外周に基板面と平行な平坦部１１８を有し、前記平坦部の一部領域に半導体基板に接するように突出した保持部材１２５が配置されている構成の基板保持機構とした。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、反った基板であっても確実に保持できる技術を提供する。
【解決手段】基板に対して描画処理を施す描画装置１は、基板Ｗの裏面に対向する保持面１１１が形成された保持板１１と、保持面１１１に形成され、真空吸引により基板Ｗを保持面１１１に吸引する真空吸引口１２と、保持面１１１に形成され、ベルヌーイ吸引により基板Ｗを保持面１１１に吸引する複数のベルヌーイ吸引口１３とを備える。保持面１１１には、その中心と同心に配置された円形領域Ｍ１と、円形領域Ｍ１と同心に配置された円環状領域Ｍ２とが規定されており、円形領域Ｍ１と円環状領域Ｍ２とのそれぞれにベルヌーイ吸引口１３が配置される。 （もっと読む）

【課題】脆弱な構造物が搭載されたウェハへのテープ貼り付け時の負荷を低減し、ウェハの破損や損傷を防ぐ。
【解決手段】テープ貼付装置１は、チャンバ６に形成された気密空間５を第１及び第２の気密空間７、８に仕切り、上面にウェハ９が載置されるゴムシート１０と、ゴムシート１０の上方でテープ１１を保持するテープフレーム１２と、第１及び第２の気密空間７、８に対する気体の供給及び吸引により加圧及び減圧を切り替える給排気機構３とを備え、第１及び第２の気密空間７、８を減圧した後、第２の気密空間８の加圧によりゴムシート１０を膨張させてウェハ９をテープ１１に貼り付け、第１の気密空間７を加圧してゴムシート１０を収縮させる。給排気機構３は、第１の気密空間７の減圧時に、吸引する気体の流量を制御する第１の流量制御弁２７と、第１の気密空間７の加圧時に、供給する気体の流量を制御する第２の流量制御弁２８とを有する。 （もっと読む）

【課題】加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、被処理基板の非接合面の酸化を抑制する。
【解決手段】剥離装置３０は、加熱機構１２８を備え、且つ被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、加熱機構１５１を備え、且つ支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、少なくとも第１の保持部１１０又は第２の保持部１１１を相対的に水平方向に移動させる移動機構１７０と、第１の保持部１１０の外周部に沿って環状に設けられ、且つ複数の孔が形成され、被処理ウェハＷを保持した第１の保持部１１０の外周部に対して不活性ガスを水平に供給するポーラスリング１３０と、を有している。第１の保持部１１０において被処理ウェハＷを保持するポーラス１２１の保持面１２１ａの径は、被処理ウェハＷの径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】待機中の基板収容器内の基板に対し、基板表面へのパーティクルの付着等の問題を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を複数収容した基板収容器を複数載置する載置台と、前記載置台に載置された基板収容器の蓋を開閉する蓋開閉部と、蓋を開けられた基板収容器内の基板の有無又は位置を確認する基板確認を行う基板確認部と、基板収容器内の基板を処理室へ搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構により搬送された前記処理室内の基板に対して処理を行う基板処理部とを備えた基板処理装置において、前記載置台に載置された第１の基板収容器内の基板を対象として基板処理中に、第２の基板収容器が前記載置台に載置された場合、前記第２の基板収容器の蓋を開けて、前記第２の基板収容器内の基板に対して前記基板確認部による基板確認を行った後に、前記第２の基板収容器の蓋を閉じる。 （もっと読む）

【課題】基板搬送装置のバキューム機構に用いられるパッドからの基板のずれを検出可能な基板搬送方法を提供する。
【解決手段】この基板搬送方法では、複数の載置部のうちの一の載置部の基板を保持部で受け取って保持し、保持部に保持される基板を一の載置部から搬出し、保持部に保持される基板の保持部に対する位置（第１の位置）を検出し、保持部に保持される基板を他の載置部に臨む場所まで搬送し、その場所において、保持部に保持される基板の保持部に対する位置（第２の位置）を検出し、第１の位置及び第２の位置に基づいて、搬送前後において生じた、基板の保持部に対する位置ずれ量を算出し、算出された位置ずれ量が所定の範囲に入るか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持することによる保持体の撓みを抑えること。
【解決手段】 基板を保持するために搬送基体に進退自在に設けられた板状の保持体４１の下面に、薄膜状の圧電体５を設ける。この圧電体５は、電圧を印加すると伸長するように構成され、これにより、保持体４１に上向きに反る方向の曲げ応力が与えられる。保持体４１にウエハＷを保持させると、ウエハＷの自重により保持体４１の先端が下方に垂れるように撓むが、圧電体５に電圧を印加すると、保持体４１の下面側が伸長するので、ウエハＷの自重による保持体４１の撓みに抗して、当該保持体に上向きに反る方向に曲げ応力が与えられ、保持体４１の撓みが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング処理の実施中に異常が発生した場合に、基板とステージとの間に供給される冷却用ガスの圧力に起因して基板がステージ上より跳ね上がって位置ズレが生じることを防止する。
【解決手段】ドライエッチング処理の異常発生が検出された場合に、ステージおよび基板の間に供給される第１流路内の冷却用ガスの圧力と処理室内の圧力との間の差圧を減少させる処理を開始する。これにより、エッチング処理中に異常が発生した場合であっても、処理室内の圧力と第１流路内の圧力との差圧が減少されるため、差圧により基板がステージより跳ね上がって位置ズレ等が生じることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板をそれぞれ搭載する複数のサセプタに高周波電力を印加して、誘導加熱により当該複数のサセプタを加熱して基板を処理する基板処理装置であって、積層方向において均熱領域をより長く確保することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のサセプタ１５０を積層して保持するサセプタ保持部材２１７と、複数のサセプタを収容する容器２０３と、容器の外側に配置された誘導コイル２０７と、容器２０３の外側に配置された保温材３６０と、を備え、容器２０３は上側の閉塞部２７０と、側壁部２７２とを有し、保温材３６０は、容器２０３の閉塞部２７０を覆うと共に、閉塞部２７０から側壁部２７２の一部までを覆って側壁部２７２と誘導コイル２０７との間を延在して設けられている。 （もっと読む）

【課題】空隙に供給されたガスを被処理基板に接触させ、該被処理基板の温度を制御するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理槽１０１と、処理槽１０１内に配され、基板１０２を一面に接して載置する支持部材１０３と、処理槽１０１外に配されたガス供給手段１０４から、支持部材１０３と基板１０２との間の空隙１０３Ｄ内へ、ガスを供給する流路１０５と、を有し、空隙１０３Ｄは、空隙１０３Ｄを通してプラズマ処理槽１０１内にガスを誘導するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板同士の接合の良否を検査し、基板接合後の処理を円滑に行う。
【解決手段】上ウェハと下ウェハを接合する（工程Ｓ１〜Ｓ１３）。その後、上部チャックにおいて上ウェハに対する真空引きを行い、吸引管の内部の圧力に基づいて、上ウェハと下ウェハの接着の良否を判定する（工程Ｓ１４）。その後、上部チャックにおいて上ウェハに対する真空引きを行い、吸引管の内部の圧力に基づいて、上ウェハと下ウェハの接合強度の良否を判定する（工程Ｓ１５）。その後、重合ウェハの外径を測定し、当該測定結果に基づいて、上ウェハと下ウェハの接合位置の良否を判定する（工程Ｓ１６）。工程Ｓ１６では、測定結果が所定の閾値未満である場合、接合位置が正常であると判定し、測定結果が所定の閾値以上である場合、接合位置が異常であると判定する。 （もっと読む）

【課題】冷却液の流通が仕切りによって過度に妨げられてしまうことを回避でき、基板支持台の冷却効率を向上させる。
【解決手段】基板支持台は、基板を支持する支持板と、支持板によって上端が閉塞され支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、周壁の下端を閉塞し流路の底部を構成する下蓋と、流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、冷却液供給部と排出部との間に設けられた仕切りと、を備え、流路の底部と仕切りとの間に空隙が設けられている。 （もっと読む）

【課題】トレイに対するマスクの位置ずれをより正確に検知する。
【解決手段】真空処理装置は、基板を真空処理する真空処理室と、前記基板と、前記基板を載置可能なトレイと、前記トレイに載置されるマスクと、からなる組体と、前記組体を前記真空処理室内に搬送する搬送アームと、前記真空処理室内に設置され、前記組体を支持する支持台と、前記真空処理室内に設置され、前記搬送アームと前記支持台の間で前記組体を移動させるリフタと、を備え、前記組体の状態を検出可能な複数の検出手段を有し、前記検出手段からの複数の検出結果によって前記マスクと前記トレイとの位置がずれた状態と判断する判断手段が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣやサファイヤ等の難切削性硬質材料基板やメタル膜付基板であっても基板劈開およびメタル膜分断が確実に実施可能な半導体基板のエキスパンド装置を提供する。
【解決手段】エキスパンド装置は、半導体基板１が中央に貼り付けられた弾性体のダイシングテープ３の外周縁部を固定するための環状のダイシングフレーム２を保持するダイシングフレーム保持部（４〜７）と、凸型円盤面１１ａによってダイシングテープ３側から半導体基板１を押圧してダイシングテープ３を引き伸ばすテープ拡張ステージ１１と、凸型円盤面１１ａに対応する凹型円盤面１２ａが形成され、テープ拡張ステージ１１によって引き伸ばされたダイシングテープ３を半導体基板１とともに凹型円盤面１２ａと凸型円盤面１１ａとの間に挟み込む押さえ治具１２とから構成される。 （もっと読む）