基板搬送方法、基板搬送装置、及び塗布現像装置
【課題】基板搬送装置のバキューム機構に用いられるパッドからの基板のずれを検出可能な基板搬送方法を提供する。
【解決手段】この基板搬送方法では、複数の載置部のうちの一の載置部の基板を保持部で受け取って保持し、保持部に保持される基板を一の載置部から搬出し、保持部に保持される基板の保持部に対する位置（第１の位置）を検出し、保持部に保持される基板を他の載置部に臨む場所まで搬送し、その場所において、保持部に保持される基板の保持部に対する位置（第２の位置）を検出し、第１の位置及び第２の位置に基づいて、搬送前後において生じた、基板の保持部に対する位置ずれ量を算出し、算出された位置ずれ量が所定の範囲に入るか否かを判定する。
【解決手段】この基板搬送方法では、複数の載置部のうちの一の載置部の基板を保持部で受け取って保持し、保持部に保持される基板を一の載置部から搬出し、保持部に保持される基板の保持部に対する位置（第１の位置）を検出し、保持部に保持される基板を他の載置部に臨む場所まで搬送し、その場所において、保持部に保持される基板の保持部に対する位置（第２の位置）を検出し、第１の位置及び第２の位置に基づいて、搬送前後において生じた、基板の保持部に対する位置ずれ量を算出し、算出された位置ずれ量が所定の範囲に入るか否かを判定する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を搬送する基板搬送方法、基板搬送装置、及び基板搬送装置を備える塗布現像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造工程においては、基板搬送装置により複数の処理モジュールに基板を順次搬送し、各処理モジュールにおいて所定の処理が行われる。基板搬送装置は、例えば、基板を保持するフォークと、フォークを回転及び進退可能に支持する基台とから構成される。
【０００３】
基板をしっかりと保持するため、フォークにはバキューム機構が設けられる場合がある。具体的には、フォークには、フォーク内に形成されフォークの端部に開口する導管と、導管と連通しフォークの表面に開口する例えば３つの吸引口と、基板裏面との密着性を向上するために、例えば弾性材料で形成されて各吸引口の周りに配置されるパッドとが設けられている。また、導管は所定の吸引装置に接続されている。このような構成によれば、フォーク表面のパッド上に基板が載置されたときに、基板を吸引してパッドに押し付けることができるため、基板をしっかりと保持することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−３１９０５号公報
【特許文献２】特開２００６−３５１８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、基板の裏面にパッドが接するため、パッドが摩耗することがある。そうすると、フォークにより搬送されるときに基板がパッドからずれてしまい、基板載置部に対して基板を適正に載置できないことともなる。パッドの摩耗は、例えば定期メンテナンスにおいて目視で検査することができるが、摩耗の程度を定性的に判定することは難しいため、製造中に基板がずれて基板処理装置を停止せざるを得ないという事態ともなる。
【０００６】
また、パッドの摩耗だけでなく、基板の反りや、吸引装置とパッドとの間の配管でのリークや吸引装置のトラブルによる吸着力の低下などによっても基板がパッドからずれてしまい、基板載置部に対して基板を適正に載置できない場合もある。
【０００７】
本発明は、上記の事情に照らしてなされ、基板搬送装置のバキューム機構の不具合に起因する基板のずれを検出することが可能な基板搬送方法及び基板搬送装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様によれば、基板を保持する保持部を有し、保持した基板を搬送する基板搬送装置と、該基板搬送装置により搬送される前記基板が載置される複数の載置部とを備える基板処理装置における基板搬送方法が提供される。この基板搬送方法は、前記複数の載置部のうちの一の載置部の前記基板を前記保持部で受け取って保持するステップと、前記保持部に保持される前記基板を前記一の載置部から搬出するステップと、前記保持部に保持される前記基板の前記保持部に対する位置を検出する第１の位置検出ステップと、前記保持部に保持される前記基板を他の載置部に臨む場所まで搬送するステップと、前記臨む場所において、前記保持部に保持される前記基板の前記保持部に対する位置を検出する第２の位置検出ステップと、前記第１の位置検出ステップ及び前記第２の位置検出ステップで得られた、前記保持部に保持される前記基板の前記保持部に対する位置に基づいて、前記搬送するステップにおいて生じた、前記基板の前記保持部に対する位置ずれを算出するステップと、前記測定するステップにおいて算出された前記位置ずれが所定の範囲に入るか否かを判定するステップとを含む。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、基板を保持する保持部と、前記保持部により搬送される前記基板が載置される複数の載置部と、前記保持部に対する、前記保持部に保持される前記基板の位置ずれを検出する検出部と、前記複数の載置部のうちの一の載置部から前記基板を受け取って保持する前記保持部に対して前記検出部により検出される前記基板の位置ずれと、前記基板搬送装置が他の載置部に臨む場所まで搬送した後に、当該臨む場所において前記検出部により検出される前記基板との位置ずれとに基づいて、搬送中に生じた、前記基板の前記保持部に対する位置ずれを算出する制御部とを備える基板搬送装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の実施形態によれば、基板搬送装置のバキューム機構の不具合に起因する基板のずれを検出することが可能な基板搬送方法及び基板搬送装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係るフォトレジスト塗布現像装置の構成を示す平面図である。
【図２】実施形態に係るフォトレジスト塗布現像装置の構成を示す概略斜視図である。
【図３】実施形態に係るフォトレジスト塗布現像装置の構成を示す側面図である。
【図４】第３のブロックの構成を示す斜視図である。
【図５】実施形態に係る搬送アームを示す斜視図である。
【図６】実施形態に係る搬送アームを示す平面図及び側面図である。
【図７】実施形態に係る搬送アームのフォークを拡大して示す平面図である。
【図８】検出部及び制御部の構成を示すブロック図である。
【図９】制御部を第３のブロックにおける搬送アーム及び冷却モジュールとともに示す構成図である。
【図１０】本発明の実施形態による基板搬送方法を示すフローチャートである。
【図１１】本発明の実施形態による基板搬送方法を説明する説明図である。
【図１２】４個の検出部のいずれもウエハのノッチを検出していないと判定される場合における、リニアイメージセンサ及びウエハを示す平面図である。
【図１３】４個の検出部のいずれかがウエハのノッチを検出したと判定される場合における、リニアイメージセンサ及びウエハを示す平面図である。
【図１４】搬送前後でのウエハのずれ量の差を説明する説明図である。
【図１５】本発明の実施形態による他の基板搬送方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一または対応する部材または部品については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１３】
先ず、図１から図４までを参照しながら、本発明の実施形態によるフォトレジスト塗布現像装置（以下、塗布現像装置）を説明する。図１及び図２に示すように、塗布現像装置１００には、キャリアステーションＳ１、処理ステーションＳ２、及びインターフェイスステーションＳ３がこの順に設けられている。また、塗布現像装置１００のインターフェイスステーションＳ３側に露光装置Ｓ４が結合されている。
【００１４】
キャリアステーションＳ１は載置台２１および搬送機構Ｃを有する。載置台２１上には、所定の枚数（例えば２５枚）の半導体ウエハ（以下、ウエハ）Ｗが収容されるキャリア２０が載置される。本実施形態では、載置台２１には４つのキャリア２０を並べて載置することができる。以下、図１に示すように、キャリア２０が並ぶ方向をＸ方向とし、これと直交する方向をＹ方向とする。搬送機構Ｃは、キャリア２０からウエハＷを取り出し、処理ステーションＳ２に搬送するとともに、処理ステーションＳ２において処理された処理済みのウエハＷを受け取り、キャリア２０に収容する。
【００１５】
処理ステーションＳ２は、図１及び図２に示すように、キャリアステーションＳ１の＋Ｙ方向側に結合され、棚ユニットＵ１、棚ユニットＵ２、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を有している。
【００１６】
棚ユニットＵ１は、図３に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ１、ＣＰＬ１１、ＣＰＬ２、ＢＦ２、ＣＰＬ３、ＢＦ３、ＣＰＬ４、及びＴＲＳ４を有する。また、図１に示すように、棚ユニットＵ１の＋Ｘ方向側には、昇降自在な搬送機構Ｄが設けられている。棚ユニットＵ１の各モジュール間では、搬送機構ＤによりウエハＷが搬送される。
棚ユニットＵ２は、図３に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ６、ＴＲＳ６、及びＣＰＬ１２を有する。
【００１７】
なお、受け渡しモジュールのうち、参照符号ＣＰＬ＋数字が付されている受け渡しモジュールには、ウエハＷを加熱する加熱モジュールを兼ねるものがあり、ウエハＷを冷却して所定の温度（例えば２３℃）に維持する冷却モジュールを兼ねるものがある。参照符号ＢＦ＋数字が付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウエハＷを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。また、受け渡しモジュールＴＲＳ、ＣＰＬ、ＢＦ等には、ウエハＷが載置される載置部が設けられている。
【００１８】
第１のブロックＢ１は、図１及び図３に示すように、現像モジュール２２、搬送アームＡ１、及びシャトルアームＥを有する。詳しくは、第１のブロックＢ１内には２つの現像モジュール２２があり、これらは上下に積層されている。各現像モジュール２２は、図示を省略するが、ウエハＷを保持して回転するチャック（載置部）と、チャックにより保持されるウエハＷに薬液を供給する薬液供給ノズルと、チャックに保持されるウエハＷの周縁を取り囲むように配置されるカップとを有している。薬液としての現像液を、ウエハＷの表面に形成され露光されたフォトレジスト膜に供給することにより、フォトレジスト膜が現像される。搬送アームＡ１は、２つの現像モジュール２２にウエハＷを搬送する。シャトルアームＥは、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１１と、棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２との間で、ウエハＷを搬送する。
【００１９】
図４を参照すると、第３のブロックＢ３は、塗布モジュール２３、棚ユニットＵ３、及び搬送アームＡ３を有している。塗布モジュール２３は、上述の現像モジュール２２と同様の構成を有しており、薬液としてフォトレジスト液がウエハＷ上に供給されフォトレジスト膜が形成される。棚ユニットＵ３は、塗布モジュール２３と対向するように配列され、加熱モジュール、冷却モジュール等の熱処理モジュールＴＭを有している。熱処理モジュールＴＭにおいて、フォトレジスト膜形成の前処理及び後処理が行われる。また、各熱処理モジュールＴＭにはウエハＷの搬送口２４が形成されている。搬送アームＡ３は、塗布モジュール２３と棚ユニットＵ３との間に設けられている。
【００２０】
第２のブロックＢ２及び第４のブロックＢ４は、第３のブロックＢ３と同様の構成を有している。第２のブロックＢ２では、反射防止膜用の薬液が供給され、フォトレジスト膜の下地層となる下部反射防止膜が形成される。第４のブロックＢ４においても反射防止膜用の薬液が供給され、フォトレジスト膜の上に上部反射防止膜が形成される。
なお、図３に示すように、第２のブロックＢ２の搬送アームに参照符号Ａ２を付し、第４のブロックＢ４の搬送アームに参照符号Ａ４を付す。
【００２１】
インターフェイスステーションＳ３は、処理ステーションＳ２の＋Ｙ方向側に結合され、図１に示すように、インターフェイスアームＦを有する。インターフェイスアームＦは、処理ステーションＳ２の棚ユニットＵ２の＋Ｙ方向側に配置されている。棚ユニットＵ２の各モジュール間、及び各モジュールと露光装置Ｓ４との間においては、インターフェイスアームＦによりウエハＷが搬送される。
【００２２】
上記の構成を有する塗布現像装置１００においては、以下のようにウエハＷが各モジュールに搬送され、モジュールに対応した処理がウエハＷに対して行われる。まず、キャリアステーションＳ１の搬送機構Ｃによって載置台２１上のキャリア２０からウエハＷが取り出され、処理ステーションＳ２の棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ２へ搬送される（図３参照）。受け渡しモジュールＣＰＬ２に搬送されたウエハＷは、第２のブロックＢ２の搬送アームＡ２により、第２のブロックＢ２の各モジュール（熱処理モジュール及び塗布モジュール）に順次搬送され、ウエハＷ上に下部反射防止膜が形成される。
【００２３】
下部反射防止膜が形成されたウエハＷは、搬送アームＡ２により棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ２へ搬送され、搬送機構Ｄ（図１）により棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ３へ搬送される。次に、ウエハＷは、第３のブロックＢ３の搬送アームＡ３により受け取られ、第３のブロックＢ３の各モジュール（図３に示す熱処理モジュールＴＭ及び塗布モジュール２３）に順次搬送され、下部反射防止膜上にフォトレジスト膜が形成される。
フォトレジスト膜が形成されたウエハＷは、搬送アームＡ３により、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ３に搬送される。
【００２４】
なお、フォトレジスト膜が形成されたウエハＷは、第４のブロックＢ４において更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウエハＷは受け渡しモジュールＣＰＬ４を介し、第４のブロックＢ４の搬送アームＡ４に受け取られ、第４のブロックＢ４の各モジュール（熱処理モジュール及び塗布モジュール）に順次搬送され、フォトレジスト膜上に上部反射防止膜が形成される。この後、ウエハＷは、搬送アームＡ４により、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ４に受け渡される。
【００２５】
フォトレジスト膜（又は、その上に更に上部反射防止膜）が形成されたウエハＷは、搬送機構Ｄにより、受け渡しモジュールＢＦ３（又は受け渡しモジュールＴＲＳ４）から受け渡しモジュールＣＰＬ１１へ搬送される。受け渡しモジュールＣＰＬ１１に搬送されたウエハＷは、シャトルアームＥにより棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２に搬送された後、インターフェイスステーションＳ３のインターフェイスアームＦに受け取られる。
【００２６】
この後、ウエハＷはインターフェイスアームＦにより露光装置Ｓ４に搬送され、所定の露光処理が行われる。露光処理が行われたウエハＷは、インターフェイスアームＦにより、棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ６に搬送され、処理ステーションＳ２に戻される。処理ステーションＳ２に戻されたウエハＷは、第１のブロックＢ１へ搬送され、ここで現像処理が行われる。現像処理が行われたウエハＷは、搬送アームＡ１により棚ユニットＵ１のいずれかの受け渡しモジュールへ搬送され、搬送機構Ｃによりキャリア２０に戻される。
【００２７】
次に、図４から図６までを参照し、第３のブロックＢ３に設けられた搬送アームＡ３について説明する。
図４に示すように、搬送アームＡ３は、２枚のフォーク３Ａ、３Ｂ、基台３１、回転機構３２、進退機構３３Ａ、３３Ｂ（図５及び図６）、及び昇降台３４を有している。また、搬送アームＡ３には後述する検出部５Ａ〜５Ｄが設けられている。さらに、搬送アームＡ３及び検出部５Ａ〜５Ｄは、後述する制御部６により制御される。
【００２８】
フォーク３Ａはフォーク３Ｂの上方に配置されている。基台３１は、回転機構３２により鉛直軸周りに回転自在である。また、図５に示すように、フォーク３Ａ、３Ｂは、その基端側でそれぞれ進退機構３３Ａ、３３Ｂに支持されている。進退機構３３Ａ、３３Ｂは、ボールネジ機構やタイミングベルト等の伝達機構を用いてモータＭ（図９）に連結されており、フォーク３Ａ、３Ｂを基台３１に対して進退自在に駆動する。
【００２９】
再び図４を参照すると、昇降台３４は回転機構３２の下方側に設けられている。昇降台３４は、上下方向（図４中Ｚ軸方向）に直線状に延びる図示しないＺ軸ガイドレールに沿って、昇降機構により昇降自在に設けられている。昇降機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等を用いることができる。この例ではＺ軸ガイドレール及び昇降機構は夫々カバー体３５により覆われており、例えば上部側において接続されて一体となっている。またカバー体３５は、Ｙ軸方向に直線状に伸びるＹ軸ガイドレール３６に沿って摺動移動するように構成されている。
【００３０】
次に、図６及び図７を参照しながら、フォーク３Ａ、３Ｂを更に説明する。図６（ａ）に示すように、フォーク３Ａ、３Ｂは、搬送するウエハＷの周囲を囲む円弧状の先端部を有している。フォーク３Ａ、３Ｂには４つの保持爪４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄが形成されている。保持爪４Ａ〜４Ｄは、フォーク３Ａ、３Ｂの内縁から各々内方に突出するとともに、内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられている。なお、図示の例では４つの保持爪４Ａ〜４Ｄが設けられているが、３つ以上の保持爪が設けられていれば良い。
【００３１】
図７に示すように、フォーク３Ａの保持爪４Ａ〜４Ｄには、吸着孔４１Ａ〜４１Ｄと、吸着孔４１Ａ〜４１Ｄの各々の周囲を囲むリング状のパッド４２Ａ〜４２Ｄとが設けられている。吸着孔４１Ａ〜４１Ｄは、図６（ａ）に示すように、フォーク３Ａの内部、上面、又は下面に形成された真空配管４３Ａと連通している。真空配管４３Ａは、図示しない真空排気部に接続されている。フォーク３Ｂの保持爪４Ａ〜４Ｄにも、同様に、吸着孔４１Ａ〜４１Ｄとパッド４２Ａ〜４２Ｄとがそれぞれ設けられ、吸着孔４２Ａ〜４２Ｄは、図６（ａ）に示すように、フォーク３Ｂの内部、上面、又は下面に形成された真空配管４３Ｂと連通し、真空配管４Ｂは真空排気部に接続されている。このようなバキューム機構が構成されているため、ウエハＷは、保持爪４Ａ〜４Ｄのパッド４２Ａ〜４２Ｄにより支持されると、真空配管４Ａ（又は４Ｂ）を通して真空排気部により吸引され、フォーク３Ａ（又は３Ｂ）にしっかりと保持され得る。
なお、パッド４２Ａ〜４２Ｄは、ウエハＷの裏面周縁部との密着性を高めるため、例えばゴムなどの弾性を有する材料により作製することが好ましい。
【００３２】
次に、フォーク３Ａ、３Ｂに保持されるウエハＷの位置を検出する検出部について説明する。図５を参照すると、基台３１には、基台３１から立ち上がり折れ曲がって水平方向に延びる支持部材５３が設けられている。支持部材５３には、その４つの腕部に対応してセンサ５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ、５２Ｄが取り付けられている。センサ５２Ａ〜５２Ｄは、基端側に後退したフォーク３Ａ、３Ｂの上方に位置する。具体的には、図６に示すように、上方から見ると、フォーク３Ａ（又は３Ｂ）に保持されるウエハＷの周縁に沿って所定の間隔でセンサ５２Ａ〜５２Ｄが配置されている。また、センサ５２Ａ〜５２Ｄは、ウエハＷの周縁を横切るように延びている。センサ５２Ａ〜５２Ｄは本実施形態においてはＣＣＤラインセンサである。
なお、以下の説明において、フォーク３Ａ、３Ｂが基端側に後退したときの位置をホーム位置という場合がある。
【００３３】
再び図５を参照すると、基台３１上には光源５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ、５１Ｄが設けられている。光源５１Ａはセンサ５２Ａに対応して配置され、光源５１Ｂはセンサ５２Ｂに対応して配置され、光源５１Ｃはセンサ５２Ｃに対応して配置され、光源５１Ｄはセンサ５２Ｄに対応して配置される。光源５１Ａ〜５１Ｄは、本実施形態においては、直線状に配列された複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）により構成されている。
【００３４】
なお、光源５１Ａ〜５１Ｄを支持部材５３に設け、センサ５２Ａ〜５２Ｄを基台３１に設けても良い。また、フォーク３Ａ、３Ｂ及びこれらに保持されるウエハＷが検出部５Ａ〜５Ｂの間を横切る限りにおいて、光源５１Ａ〜５１Ｄ（又はセンサ５２Ａ〜５２Ｄ）は基台３１上にではなく、所定の支持部材を用いて配置しても良い。
【００３５】
図８に示すように、光源５１Ａ、センサ５２Ａ、検出制御部５４、デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ）５５、及びアナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）５６により検出部５Ａが構成されている。また、図８では図示を省略するが、検出部５Ｂ、５Ｃ、５Ｄは、対応する光源５１Ｂ、５１Ｃ、５１Ｄとセンサ５２Ｂ、５２Ｃ、５２Ｄとを含み、検出部５Ａと同様に構成されている。
【００３６】
検出制御部５４は、図示しないクロックからのクロック信号に基づいて、ＣＣＤラインセンサにより構成されるセンサ５２Ａの各ＣＣＤの動作タイミングをずらし、電荷移動させるタイミングジェネレータである。また、検出制御部５４は、複数のＬＥＤにより構成される光源５１Ａの電流制御も行う。ＤＡＣ５５は、検出制御部５４からのデジタル制御信号をアナログ変換し、変換されたアナログ信号を光源５１Ａに対して出力する。ＡＤＣ５６は、光源５２Ａからの検出信号であるアナログ出力信号をデジタル変換し、検出信号を生成する。
【００３７】
検出部５ＡのＡＤＣ５６から出力された検出信号（検出値）は制御部６の演算処理部６１に入力される。制御部６は、アンプ５７を介し、進退機構３３Ａ、３３Ｂを駆動するＸ軸駆動用のモータと、基台３１を駆動するＹ軸駆動用のモータと、昇降台３４を駆動するＺ軸駆動用のモータと、回転機構３２を駆動する回転駆動用のモータとを制御する。
【００３８】
以上のような構成により、検出制御部５４からの制御信号が、ＤＡＣ５５によりアナログ変換され、アナログ変換された制御信号が光源５１Ａに入力されることによって、光源５１Ａは直線状に光を発光する。光源５１Ａから発光された光は、センサ５２Ａにより受光される。光を受光したセンサ５２Ａは、検出制御部５４からの制御信号のタイミングに基づいて、受光量に応じた信号を出力する。センサ５２Ａから出力された検出信号（検出値）は、ＡＤＣ５６によりデジタル変換された後、制御部６内の演算処理部６１に入力される。
【００３９】
制御部６は、検出部５Ａ〜５Ｄだけでなく、搬送アームの動作をも制御する。以下、図９を参照しながら、モジュール間のウエハＷの受け渡しを制御する制御部６について説明する。
図９を参照すると、搬送アームＡ３のフォーク３Ａが冷却モジュール７内に進入している。冷却モジュール７は、例えば図４に示す熱処理モジュールＴＭのうちの一つである。図示のとおり、冷却モジュール７は、処理容器７１、載置部７２、リフトピン７３、及び昇降機構７４を有している。載置部７２には、ウエハＷを冷却して所定の温度にするため、温度調整された流体が流れる導管（図示せず）が設けられている。また、載置部７２には複数の貫通孔が設けられ、複数の貫通孔に対応した複数のリフトピン７３が上下動可能に設けられている。リフトピン７３は昇降機構７４により昇降される。
【００４０】
制御部６は、演算処理部６１、記憶部６２、表示部６３、及びアラーム発生部６４を有する。演算処理部６１は、例えばメモリ、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を有し、記憶部６２に記録されたプログラムを読み取り、そのプログラムに含まれる命令（コマンド）に従って、搬送アームＡ３の各モータＭ制御信号を送り、ウエハＷの受け渡し及び搬送を実行する。また、演算処理部６１は、記憶部６２に記録されたプログラムを読み取り、そのプログラムに含まれる命令（コマンド）に従って、塗布現像装置１００の各部に制御信号を送り、各種の基板処理を実行する。
【００４１】
記憶部６２は、演算処理部６１に各種の処理を実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体６２ａからプログラムを格納する。記録媒体６２ａとして、例えば、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、光磁気（Magneto-optical；ＭＯ）ディスク等を用いることができる。
【００４２】
表示部６３は、例えば液晶（ＬＣＤ）パネルなどを有するディスプレイである。表示部６３では、各種の基板処理用のプログラムの選択や、各基板処理におけるパラメータの入力操作を行うことができる。
アラーム発生部６４は、搬送アームＡ３を含め、塗布現像装置１００の各部に異常が発生したときに、アラーム信号を発生させ、出力する。
【００４３】
また、演算処理部６１は、搬送アームＡ３の進退機構３３Ａ、３３Ｂ、基台３１、昇降台３４、回転機構３２に設けられたモータ、エンコーダ３８や、パルス数をカウントするカウンタ３９等に対して所定の制御信号を送り、制御する。そして、記憶部６２には、本実施形態に係る基板搬送方法を実行するためのプログラムが含まれている。
【００４４】
次に、図１０から図１３までを参照しながら、搬送アームＡ３のフォーク３Ａが一のモジュールからウエハＷを受け取り、他のモジュールへ搬送する工程を例示し、本実施形態に係る基板搬送方法について説明する。ここで、一のモジュールは、例えば図９に示す第３のブロックＢ３の冷却モジュール７とし、他のモジュールは、第３のブロックＢ３の塗布モジュール２３とする。この場合、冷却モジュール７においてウエハＷが所定の温度（例えば２３℃）に調整され、温度調整されたウエハＷの上に塗布モジュール２３によりフォトレジスト膜が形成される。
【００４５】
まず、ステップＳ１１（図１０）において、冷却モジュール７から搬送アームＡ３によりウエハＷが取り出される。具体的には、図１１（ａ）に示すように、冷却モジュール７内のリフトピン７３が、載置部７２上のウエハＷを持ち上げ、載置部７２の上方に保持する。次に、図１１（ｂ）に示すように、フォーク３Ａが、冷却モジュール７の搬送口２４を通って冷却モジュール７内に進入し、ウエハＷの下方に位置する。そして、図１１（ｃ）に示すように、フォーク３Ａを上昇させるとともに、リフトピン７３を下降させる。これにより、ウエハＷは、フォーク３Ａの保持爪４Ａ〜４Ｄに保持されるとともに、保持爪４Ａ〜４Ｄに対応して設けられた吸着孔４１Ａ〜４１Ｄにより吸着される。
【００４６】
次に、ステップＳ１２（図１０）において、ウエハＷがフォーク３Ａに吸着されているか否かが判定される。この判定は、例えば吸着孔４１Ａ〜４１Ｄに連通する真空配管４３Ａに設けられるバキュームセンサ（図示せず）と、制御部６とにより行うことができる。バキュームセンサにより検出される吸引力が、所定の閾値以上の場合は（ステップＳ１２：ＹＥＳ）、ウエハＷがフォーク３Ａにしっかり吸着されていると判断され、ステップＳ１２Ｂにおいて、図１１（ｄ）に示すように、フォーク３ＡがＸ軸に沿って冷却モジュール７からホーム位置まで後退する。
【００４７】
バキュームセンサにより検出された吸引力が閾値未満の場合（ステップＳ１２：ＮＯ）、制御部６は、アラーム発生部６４（図９）に対してアラーム信号を発するよう指示する。アラーム信号により、吸着不良を示す警報が例えば表示部６３に表示される。塗布現像装置１００の操作者により吸着不良が解消された後に（ステップＳ１２Ａ）、フォーク３Ａがホーム位置まで後退する（ステップＳ１２Ｂ、図１１（ｄ））。
【００４８】
ステップＳ１３（図１０）において、図１１（ｄ）に示すようにフォーク３Ａがホーム位置にてウエハＷを保持しているときに、制御部６及び検出部５ＡによりウエハＷの周縁部の位置が計測される。具体的には、フォーク３Ａの下方に設けられている光源５１Ａ〜５１Ｄ（図１１では光源５１Ｂ及び５１Ｄのみを示す）が上方に向けて光を発する。その光は、フォーク３Ａの上方に設けられているセンサ５２Ａ〜５２Ｄ（図１１ではセンサ５２Ｂ及び５２Ｄのみを示す）により受光される。センサ５２Ａ〜５２Ｄが、ウエハＷの径方向に沿ってＣＣＤが直線状に配列されてなるＣＣＤラインセンサであるときは、各ＣＣＤの検出値に基づいて、受光したＣＣＤと受光しないＣＣＤとの境界の位置を決定することができる。そして、決定した境界の位置に基づいて、ウエハＷの周縁部の位置を計測することができる。
【００４９】
図１２に示すように、４個のセンサ５２Ａ〜５２Ｄの延在する方向とＹ軸とのなす角をθ１、θ２、θ３、θ４とする。また、図１２に示すように、フォーク３Ａに保持されているウエハＷがずれていないときの位置（基準位置）におけるセンサ５２Ａ〜５２Ｄ上のウエハＷの周縁部の位置を、それぞれａ点、ｂ点、ｃ点、ｄ点とする。また、フォーク３Ａに保持されているウエハＷがずれているときの位置（ずれ位置）におけるセンサ５２Ａ〜５２Ｄ上のウエハＷの周縁部の位置を、それぞれａ'点、ｂ'点、ｃ'点、ｄ'点とする。
【００５０】
各センサ５２Ａ〜５２Ｄにおけるａ点とａ'点の距離をΔａとし、ｂ点とｂ'点の距離をΔｂとし、ｃ点とｃ'点の距離をΔｃとし、ｄ点とｄ'点との距離をΔｄとすると、距離Δａ、Δｂ、Δｃ、Δｄは、
Δａ［mm］＝{(ａ'点の画素数)−(ａ点の画素数)}×画素間隔［mm］ （１）
Δｂ［mm］＝{(ｂ'点の画素数)−(ｂ点の画素数)}×画素間隔［mm］ （２）
Δｃ［mm］＝{(ｃ'点の画素数)−(ｃ点の画素数)}×画素間隔［mm］ （３）
Δｄ［mm］＝{(ｄ'点の画素数)−(ｄ点の画素数)}×画素間隔［mm］ （４）
と表すことができる。なお、ａ点の画素数とは、センサ５２Ａ〜５２ＤのウエハＷの中心側における始点からａ点までにおける画素の数を意味する。
【００５１】
ａ点〜ｄ点、ａ'点〜ｄ'点の座標は、次のように表される。
【００５２】
ａ点 (Ｘ１，Ｙ１)＝(Ｘ−Ｒsinθ１，Ｙ−Ｒcosθ１) （５）
ａ'点 (Ｘ１'，Ｙ１')＝(Ｘ１−Δａsinθ１，Ｙ１−Δａcosθ１）
＝(Ｘ−(Ｒ＋Δａ)sinθ１，Ｙ−(Ｒ＋Δａ)cosθ１) （６）
ｂ点 (Ｘ２，Ｙ２)＝(Ｘ−Ｒsinθ２，Ｙ＋Ｒcosθ２) （７）
ｂ'点 (Ｘ２'，Ｙ２')＝(Ｘ２−Δｂsinθ２，Ｙ２＋Δｂcosθ２）
＝(Ｘ−(Ｒ＋Δｂ)sinθ２，Ｙ＋(Ｒ＋Δｂ)cosθ２) （８）
ｃ点 (Ｘ３，Ｙ３)＝(Ｘ＋Ｒsinθ３，Ｙ＋Ｒcosθ３) （９）
ｃ'点 (Ｘ３'，Ｙ３')＝(Ｘ３＋Δｃsinθ３，Ｙ３＋Δｃcosθ３）
＝(Ｘ＋(Ｒ＋Δｃ)sinθ３，Ｙ＋(Ｒ＋Δｃ)cosθ３) （１０）
ｄ点 (Ｘ４，Ｙ４)＝(Ｘ＋Ｒsinθ４，Ｙ−Ｒcosθ４) （１１）
ｄ'点 (Ｘ４'，Ｙ４')＝(Ｘ４＋Δｄsinθ４，Ｙ４−Δｄcosθ４）
＝(Ｘ＋(Ｒ＋Δｄ)sinθ４，Ｙ−(Ｒ＋Δｄ)cosθ４) （１２）
従って、式（６）、式（８）、式（１０）、式（１２）により、ａ'点（Ｘ１'，Ｙ１'）、ｂ'点（Ｘ２'，Ｙ２'）、ｃ'点（Ｘ３'，Ｙ３'）、ｄ'点（Ｘ４'，Ｙ４'）の座標を求めることができる。
【００５３】
なお、上記の式において、Ｘは、ウエハＷが基準位置にあるときのウエハＷの中心のＸ座標であり、Ｙは、ウエハＷが基準位置にあるときのウエハＷの中心のＹ座標である。基準位置におけるウエハＷの中心位置ｏの座標（Ｘ，Ｙ）は、予めウエハＷを基準位置に置いて測定することにより求めても良いし、フォーク３Ａの内縁に基づいて求めても良い。
【００５４】
次に、ステップＳ１４（図１０）において、ａ'点、ｂ'点、ｃ'点、ｄ'点のうちいずれか３点からずれ位置におけるウエハＷの中心位置ｏ'の座標（Ｘ'、Ｙ'）を算出する。例えば、ａ'点（Ｘ１'，Ｙ１'）、ｂ'点（Ｘ２'，Ｙ２'）、ｃ'点（Ｘ３'，Ｙ３'）の３点から、ずれ位置におけるウエハＷの中心位置ｏ'の座標（Ｘ'、Ｙ'）は、下記の式（１３）及び（１４）から求めることができる。
【００５５】
【数１】
【００５６】
【数２】
また、半径Ｒ'は、中心位置ｏ'の座標（Ｘ'，Ｙ'）とａ'点（Ｘ１'，Ｙ１'）、ｂ'点（Ｘ２'，Ｙ２'）、ｃ'点（Ｘ３'，Ｙ３'）の各座標より、下記の式（１５）から求めることができる。
【００５７】
【数３】
また、ステップＳ１４では、さらに、ａ'点、ｂ'点、ｃ'点、ｄ'点のうち、前述した３点（ａ'点、ｂ'点、ｃ'点）と異なる３点の組み合わせ、例えば（ａ'点、ｂ'点、ｄ'点）、（ａ'点、ｃ'点、ｄ'点）、（ｂ'点、ｃ'点、ｄ'点）に基づいて、式（１３）から（１５）を利用して、中心位置ｏ'の座標（Ｘ'、Ｙ'）及び、半径Ｒ'が算出される。
【００５８】
次に、ステップＳ１５（図１０）では、４個のセンサ５２Ａ〜５２ＤのいずれかがウエハＷの周縁部のノッチＷＮが検出されたか否かが判定される。この判定には、ａ'点、ｂ'点、ｃ'点、ｄ'点のうち、いずれかの３点の組み合わせに基づいてステップＳ１４において算出された中心位置ｏ'の座標（Ｘ'、Ｙ'）及び半径Ｒ'が用いられる。具体的には、まず、いずれかの３点の組み合わせに対応する半径Ｒ'が、ウエハＷの既知の半径であるＲと略等しいかを判定する。すなわち、図１２に示すように、ウエハＷのノッチＷＮが、平面視において、ａ'点、ｂ'点、ｃ'点、ｄ'点のいずれの近傍にもないときは、ａ'点、ｂ'点、ｃ'点、ｄ'点のうち、いずれの３点の組み合わせに基づいて算出した半径Ｒ'も半径Ｒと略等しくなる。このときは、４個のセンサ５２Ａ〜５２ＤのいずれもウエハＷのノッチＷＮを検出していないと判定される。
【００５９】
一方、例えば図１３に示すように、ウエハＷのノッチＷＮが、平面視においてｂ'点の近傍にあるときは、ｂ'点を除いた３点の組み合わせに基づいて算出した半径Ｒ'は半径Ｒと略等しくなる。しかし、ｂ'点を含む３点の組み合わせに基づいて算出した半径Ｒ'は半径Ｒよりも小さくなる。この結果から、４個のセンサ５２Ａ〜５２Ｄのうちセンサ５２ＢがウエハＷのノッチＷＮを検出したと判定される。
【００６０】
次に、ステップＳ１６（図１０）において、センサ５２Ａ〜５２ＤのうちノッチＷＮを検出していない３つのセンサの検出値が選択される。図１２に示すように、４個のセンサ５２Ａ〜５２ＤのいずれもウエハＷのノッチＷＮを検出していないときは、いずれの３個のセンサ５２の検出値を選択してもよい。また、図１３に示す場合は、センサ５２Ｂを除くセンサ５２Ａ、５２Ｃ、５２Ｄからの検出値が選択される。
【００６１】
次に、ステップＳ１７（図１０）において、ノッチＷＮを検出していない３つのセンサの検出値に基づいて算出した中心位置ｏ'の座標（Ｘ'、Ｙ'）と、基準位置におけるウエハＷの中心位置ｏの座標（Ｘ、Ｙ）との間のずれ量（ΔＸ、ΔＹ）が求められる。ずれ量（ΔＸ，ΔＹ）は、
ΔＸ［mm］＝Ｘ'−Ｘ （１６）
ΔＹ［mm］＝Ｙ'−Ｙ （１７）
により求めることができる。
【００６２】
次に、ステップＳ１８（図１０）において、搬送アームＡ３が、図１１（ｅ）に示すように、塗布モジュール２３に臨む位置にまで移動する。具体的には、図３に示すカバー体３５がＹ軸ガイドレール３６に沿って摺動移動することにより基台３１が移動し、回転機構３２により基台３１が約１８０°回転することにより、図１１（ｅ）に示す位置まで移動する。
【００６３】
次いで、ステップＳ１９（図１０）において、塗布モジュール２３に臨む位置にてフォーク３Ａにより保持されるウエハＷの位置が検出される。この検出は、ステップＳ１３からステップＳ１７までにおいて行われたのと同様の方法により行われる。これにより、搬送基準位置におけるウエハＷの中心位置ｏの座標（Ｘ、Ｙ）に対する、搬送後のウエハＷの中心位置ｏ"の座標のずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）が算出される。ただし、ステップＳ１９においては、ステップＳ１６にて選択された３つのセンサと同一の３つのセンサの検出値を用いることができるため、ウエハＷのノッチの判定（ステップＳ１５）及び検出値の選択（ステップＳ１６）は行わなくても良い。
【００６４】
次に、ステップＳ２０（図１０）において、搬送アームＡ３の移動前後におけるずれ量の差Ｄが求められる。ずれ量の差Ｄは、搬送アームＡ３の移動により生じたウエハＷのずれ量に相当し、図１４を参照すると、以下の式（１８）により求めることができる。図１４中、参照符号ｏは、ウエハＷが基準位置にあるときのウエハＷの中心位置を示し、参照符号ｏ'は、ウエハ搬送前のウエハＷの中心位置を示し、参照符号ｏ"は、ウエハ搬送後のウエハＷの中心位置を示している。
Ｄ＝（｜ΔＸ'−ΔＸ｜２ ＋ ｜ΔＹ'−ΔＹ｜２）１／２ （１８）
次に、ステップＳ２１（図１０）において、ずれ量の差Ｄが所定の範囲にあるか否かが判定される。ここで、所定の範囲は、ウエハＷのサイズ、フォーク３Ａのサイズ、及びウエハＷが載置される載置部のサイズなどに応じて決定することができる。例えば、所定の範囲を１００から３００μｍの範囲の値に決めても良く、また例えば１００μｍと決めても良い。ずれ量の差Ｄが所定の範囲にあると判定された場合（ステップＳ２１：ＹＥＳ）、直接、次のステップＳ２３に進む。また、ずれ量の差Ｄが所定の範囲を超えたと判定された場合（ステップＳ２１：ＮＯ）、アラーム信号が出力される（ステップＳ２２）。ウエハＷの搬送をそのまま継続する場合もあるし、バキューム機構の点検を行うためにウエハＷの搬送を停止する場合もある。ここで、搬送を停止するか否かを、後述するずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）に基づいて判定しても良い。すなわち、ずれ量の差Ｄが所定の範囲を超えた場合（ステップＳ２１：ＮＯ）であって、ずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）が所定の範囲に入っているときは搬送を継続する、という判定を設けても良い。
【００６５】
次いでステップＳ２３（図１０）に進み、フォーク３Ａが、ずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）、すなわち、塗布モジュール２３を臨む位置で求めたフォーク３Ａに対するウエハＷのずれを補正しつつ、ウエハＷを塗布モジュール２３内へ搬入し、塗布モジュール２３内のスピンチャックＳへウエハＷを受け渡す。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態による基板搬送方法によれば、一のモジュール（冷却モジュール７）から他のモジュール（塗布モジュール２３）へ搬送アームＡ３によりウエハＷを搬送する前後において、基準位置におけるウエハＷの中心位置の座標に対する、現実のウエハＷの中心位置の座標のずれ量（（ΔＸ，ΔＹ）及び（ΔＸ'，ΔＹ'））を求めているため、搬送中に生じたウエハＷのずれ量（ずれ量の差Ｄ）を求めることができる。これにより、搬送中に、フォーク３Ａに対してウエハＷがずれたことが分かる。このようなずれは、例えば、バキューム機構の不具合、例えばパッド４２Ａ〜４２Ｄの摩耗、ウエハＷの反り、真空配管４３Ａ（図６）でのリーク、及び真空排気部のトラブルによる吸着力の低下などにより生じ得るが、本実施形態による基板搬送方法によれば、そのような不具合を把握することが可能となる。
【００６７】
また、他のモジュール（塗布モジュール２３）に臨む位置において求めたずれ量（ΔＸ'，ΔＹ'）を補正しつつ他のモジュール内へ搬入するため、他のモジュールの載置部に対してウエハＷをより適正に載置することができる。
【００６８】
塗布現像装置１００のような半導体製造装置においては、スループット向上のため、ウエハの搬送速度が大きくなる傾向にある。そのため、搬送中のウエハの位置ずれが生じやすくなっている。本実施形態による基板搬送方法及び基板搬送装置（搬送アーム）によれば、搬送中のウエハの位置ずれを検出することができ、例えばパッドの摩耗を把握することができるため、搬送中のウエハの位置ずれに伴う不良ウエハの発生を抑制することが可能となる。
【００６９】
また、本発明の他の実施形態による基板搬送方法においては、ずれ量の差Ｄの判定対象である所定の範囲を、ウエハＷを次に搬入する他のモジュールにおける処理の均一性の観点から設定しても良い。例えば、ずれ量の差Ｄが約３００μｍであって他のモジュール内の載置部にウエハＷを適正に置くことができる場合であっても（所定の範囲内）、ずれ量の差Ｄが例えば１００μｍ以内であれば、均一性がより改善されるという状況の下では、ずれ量の差Ｄの判定対象を上記の所定の範囲よりも狭い１００μｍの範囲（以下、便宜上、許容範囲という）に設定すると好ましい。また、この場合においては、ずれ量の差Ｄが１００μｍを超える場合であっても、ずれ量の差Ｄを表示部６３に表示し、その表示により３００μｍを超えていないことが確認できたときには、他のモジュールにウエハＷを搬入し、処理を行っても良い。また、このようにすれば、不具合の予兆を把握することができる。
【００７０】
さらに、別の実施形態においては、所定の範囲を２段階に設定し、段階に応じた警報を発するようにしても良い。例えば、上記の例では、１００μｍを第１の段階に設定し、３００μｍを第２の段階に設定することが好ましい。これによれば、第１の段階を超えた場合には注意報を発するものの処理は自動的に継続することとし、第２の段階を超えた場合に、警報を発する且つ／又は基板処理装置を停止するようにしても良い。
【００７１】
また、更に別の実施形態においては、ずれ量の差Ｄを許容範囲に対して判定する場合（又は所定の範囲を２段階に設定する場合）には、許容範囲（又は第２の段階）を超えた回数をカウントし、その回数を記憶しておくと有益である。具体的には、以下のとおりである。図１５に示すようにステップＳ１５１において、上述のステップＳ１１及びＳ１２に従ってウエハＷが一のモジュールから他のモジュール（の搬送口に臨む位置）に搬送される。次いで、ステップＳ１５２において、上述のステップＳ１３からＳ２１に従ってずれ量の差Ｄが求められ、これが許容範囲内であるかが制御部６により判定される。許容範囲内と判定された場合（ステップＳ１５２：ＹＥＳ）、ウエハＷは他のモジュールへ搬送され（ステップＳ１５３）、他のウエハＷの搬送が行われる（ステップＳ１５１）。
【００７２】
許容範囲内に無いと判定された場合（ステップＳ１５２：ＮＯ）、例えば記憶部６２に記憶されたフラグｉ（初期値ゼロ）に１を加え、１を加えた後の数値を再び記憶部６２に記憶する（ステップＳ１５４）。次いで、記憶部６２のフラグｉが参照されて、フラグｉが例えば１０を超えているかが判定される（ステップＳ１５５）。フラグｉが１０未満であると判定された場合（ステップＳ１５５：ＹＥＳ）、ウエハＷは他のモジュールへ搬送される（ステップＳ１５６）。一方、フラグｉが１０以上であると判定された場合（ステップＳ１５５：ＮＯ）、アラーム信号が出力され（ステップＳ１５７）、警報が表示部６３に表示され、且つ／又は装置が停止される。このようにすれば、搬送前後のウエハＷのずれ量の差Ｄが許容範囲を超えた回数が１０回に達した時点でアラーム信号が出力されるため、装置を継続して動作させつつ、フォーク３Ａ等のパッド４２Ａ〜４２Ｄの摩耗などの不具合の進行を把握することができる。このため、定性的な判定結果に基づいてメンテナンスのスケジュールを決定できるという利点が提供され得る。
なお、ずれ量の差Ｄが許容範囲を超えた回数は、１０回に限らず、適宜決定して良いことは言うまでもない。
【００７３】
また、ずれ量の差Ｄが所定の範囲を超えたと判定された場合（ステップＳ２１：ＮＯ）に、ステップＳ１９（図１０）で算出した、搬送後のウエハＷのずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）に基づいて、ずれの補正を行っても良い。すなわち、図４から図６までに示すように、進退機構３３Ａによってフォーク３ＡがΔＸ'に相当する距離だけ移動し、カバー体３５によりフォーク３ＡがΔＹ'に相当する距離だけ移動することにより、ウエハＷの中心位置を、他のモジュールの載置に適正に載置できるように位置補正をすることが可能である。また、Ｘ方向及びＹ方向についての補正でなく、回転機構３２を利用してフォーク３Ａを回転させると共に、Ｘ方向又はＹ方向に補正しても良い。
【００７４】
さらに、ずれ量の差Ｄが所定の範囲を超えたと判定された場合（図１０のステップＳ２１：ＮＯ）、又は搬送前後のウエハＷのずれ量の差Ｄが許容範囲を超えた回数が所定の回数を超えた場合（図１５のステップＳ１５５：ＮＯ）に、フォーク３ＡによるウエハＷの搬送時の搬送速度を低減するようにしても良い。これは、例えば制御部６（図９）からモータ、エンコーダ３８や、パルス数をカウントするカウンタ３９等に対して、搬送速度を低減する指示信号を出力することにより実現可能である。また、搬送速度を低減して搬送した場合であっても、再び、否定的な判定がされた場合には、搬送速度を更に低減しても良い。これによれば、例えばパッド４２Ａ〜４２Ｄの交換を遅らせることができ、装置のメンテナンススケジュールを柔軟に設定することも可能となる。
【００７５】
また、ずれ量の差Ｄが所定の範囲を超えたと判定された場合（図１０のステップＳ２１：ＮＯ）、又は搬送前後のウエハＷのずれ量の差Ｄが許容範囲を超えた回数が所定の回数を超えた場合（図１５のステップＳ１５５：ＮＯ）に、フォーク３Ａの搬送時の加速度を低下させても良い。これは、例えば制御部６（図９）からモータ、エンコーダ３８や、パルス数をカウントするカウンタ３９等に対して、加速度を低下させる指示信号を出力することにより実現可能である。フォーク３Ａの搬送開始時及び搬送停止時にウエハＷの位置ずれが生じる可能性が高いため、搬送開始時及び搬送停止時のフォーク３Ａの加速度を低くすれば、搬送前後でのウエハＷの位置ずれ（ずれ量の差Ｄ）を低減することが可能となる。
【００７６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されることなく、添付の特許請求の範囲の記載に照らし、種々の変形・変更が可能である。
【００７７】
例えば、ステップＳ２３において、ずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）を補正しつつウエハＷを塗布モジュール２３内に搬入したが、塗布モジュール２３を臨む位置においてずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）を補正してから、塗布モジュール２３内へウエハＷを搬入しても良い。
【００７８】
また、フォーク３Ａが、冷却モジュール７から塗布モジュール２３に臨む位置まで移動した後に、その前後でのずれ量の差Ｄを塗布モジュール２３に臨む位置において求める代わりに、フォーク３Ａの移動により生じる、ウエハＷのフォーク３Ａに対するずれを、フォーク３Ａの移動中に検出しても良い。この検出は、フォーク３Ａの移動中に、図１０を参照しながら説明したステップＳ１３からＳ１７を行い、ずれ量（ΔＸ、ΔＹ）と対比することにより可能である。そして、フォーク３Ａの移動中に求める位置ずれが所定の範囲に入っているか否かを、フォーク３Ａの移動中に判定し、所定の範囲に入っていないと判定された場合は、その時点でフォーク３Ａの移動を停止させても良い。また、所定の範囲に入っていないと判定された場合に、塗布モジュール２３に臨む位置にフォーク３Ａが到着した後にアラームを出力するようにしても良い。
さらに、ステップＳ１７の後に、ステップＳ１７において求めたずれ量（ΔＸ、ΔＹ）、すなわち、冷却モジュール７からウエハＷを取り出した後における、フォーク３Ａに対するウエハＷのずれ量（ΔＸ、ΔＹ）が所望範囲に入っているか否かの判定を行っても良い。
【００７９】
さらにまた、ステップＳ２１（図１０）において、ずれ量の差Ｄが所定の範囲にあるか否かを判定するに先立って、ずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）に基づいて、ウエハＷを塗布モジュール２３内へ搬入可能か否かを判定しても良い。具体的には、ずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）が、ウエハＷを塗布モジュール２３の搬送口２４に接することなく塗布モジュール２３内へ搬入できる範囲に入っているか否かを判定して良い。この場合、搬入可能と判定された場合には、次のステップＳ２１において、ずれ量の差Ｄが所定の範囲に入っているか否かにかかわらず、塗布モジュール２３内へウエハＷを搬入しても良い。そして、搬入後に、フォーク３Ａのバキューム機構の点検を行っても良い。一方、搬入できないと判定された場合には、塗布現像装置１００を停止するためのアラームを出力するようにして良い。
【００８０】
たとえば、上記の実施形態においては、搬送アームＡ３について説明したが、搬送アームＡ２〜Ａ４、搬送機構Ｃ、搬送機構Ｄ、及びインターフェイスアームＦもまた搬送アームＡ３と同様の構成を有することができ、これらによって、上述の基板搬送方法を行うことができる。また、搬送前のモジュール（一のモジュール）及び搬送後（搬送先）のモジュール（他のモジュール）は、例示のものに限らず、ウエハＷが載置される載置部を有するモジュールであって良い。また、一つのアームが他のアームからウエハを受け取って、所定のモジュールへ搬送する場合にも、本発明の実施形態による基板搬送方法を適用することができる。この場合、他のアームが載置部に相当する。
【００８１】
また、上記の実施形態は、２枚のフォーク３Ａ、３Ｂは、上下に重なるように設けられている例に限定されるものではなく、２枚のフォーク３Ａ、３Ｂが水平方向に並んで設けられてもよい。また、フォーク３は、１枚のみであってもよく、あるいは、３枚以上が上下に重なるように、又は水平方向に並んで設けられていてもよい。
【００８２】
また、上記の実施形態においては、ウエハＷのノッチＮＷを考慮し、フォーク３Ａ等に対して４つの光源５１Ａ〜５１Ｄとこれらに対応する４つのセンサ５２Ａ〜５２Ｄとを設けたが、例えばノッチＮＷがなくオリエンテーションフラット（ＯＦ）を有するウエハを用いる場合において、ＯＦの位置が大きくずれないときには、ＯＦ以外の周縁部を検出するために３つの光源とこれらに対応する３つのセンサを設けても良い。
【００８３】
また、光源５１Ａ〜５１Ｄとこれらに対応するセンサ５２Ａ〜５２Ｄとの代わりに、保持爪４Ａ〜４Ｄに静電センサを設けてウエハＷのフォーク３Ａ等に対する位置を検出しても良い。さらに、例えばカメラを用いて、カメラにより得られた画像に基づいて、ウエハＷのフォーク３Ａ等に対する位置を検出しても構わない。カメラを用いる場合には、ウエハＷの周縁部の４点の位置情報が得られればよい。したがって、必ずしも４台のカメラを用いる必要はなく、１台のカメラを用いて４点の位置情報を得るのでもよい。１台のカメラを用いる場合には、例えば、２本のフォーク３Ａ、３Ｂの上方に位置するように、支持部材を介して基台３１に取り付けることができる。
【００８４】
カメラを用いる場合にも、センサ５２Ａ〜５２Ｄを用いる例として上述したように、ウエハＷを保持しているフォーク３Ａ、３Ｂがホーム位置にあるときに、カメラにより画像を撮影する。そして、撮影した画像を画像処理することによって、ウエハＷの周縁部の４点における位置情報を求める。次に、４点における位置情報に基づいて、４点のうちいずれかがウエハＷの切欠部ＷＮを検出したか否かを判定し、４点のうちいずれかがウエハＷの切欠部ＷＮを検出したと判定したときに、その１点以外の３点における位置情報に基づいてウエハＷのフォーク３Ａ等に対する位置を検出することができる。
【００８５】
光源５１として、複数のＬＥＤを用いた例を説明したが、単一のＬＥＤの発光側に直線状に導光材料を設け直線状の光源としたものを用いることができる。また、センサ５２としては、ＣＣＤラインセンサでなく、ファイバーラインセンサ、光電センサ等各種のリニアイメージセンサを用いることができる。
【００８６】
また、ウエハＷのフォーク３Ａに対する位置を求める場合に、基準位置におけるウエハＷの中心位置ｏを利用したが、これに代わり、フォーク３Ａに１つの又は複数の位置マークを設けておき、位置マークを基準にウエハＷのフォーク３Ａに対する位置ずれを利用しても構わない。
【００８７】
また、ウエハＷは半導体ウエハに限らず、ＦＰＤ用のガラス基板であっても良い。
【符号の説明】
【００８８】
Ａ３〜Ａ４ 搬送アーム
３Ａ、３Ｂ フォーク
３１ 基台
４１Ａ〜４１Ｄ 吸着孔
５Ａ〜５Ｄ 検出部
５１、５１Ａ〜５１Ｄ 光源
５２、５２Ａ〜５２Ｄ センサ
６ 制御部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を搬送する基板搬送方法、基板搬送装置、及び基板搬送装置を備える塗布現像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造工程においては、基板搬送装置により複数の処理モジュールに基板を順次搬送し、各処理モジュールにおいて所定の処理が行われる。基板搬送装置は、例えば、基板を保持するフォークと、フォークを回転及び進退可能に支持する基台とから構成される。
【０００３】
基板をしっかりと保持するため、フォークにはバキューム機構が設けられる場合がある。具体的には、フォークには、フォーク内に形成されフォークの端部に開口する導管と、導管と連通しフォークの表面に開口する例えば３つの吸引口と、基板裏面との密着性を向上するために、例えば弾性材料で形成されて各吸引口の周りに配置されるパッドとが設けられている。また、導管は所定の吸引装置に接続されている。このような構成によれば、フォーク表面のパッド上に基板が載置されたときに、基板を吸引してパッドに押し付けることができるため、基板をしっかりと保持することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−３１９０５号公報
【特許文献２】特開２００６−３５１８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、基板の裏面にパッドが接するため、パッドが摩耗することがある。そうすると、フォークにより搬送されるときに基板がパッドからずれてしまい、基板載置部に対して基板を適正に載置できないことともなる。パッドの摩耗は、例えば定期メンテナンスにおいて目視で検査することができるが、摩耗の程度を定性的に判定することは難しいため、製造中に基板がずれて基板処理装置を停止せざるを得ないという事態ともなる。
【０００６】
また、パッドの摩耗だけでなく、基板の反りや、吸引装置とパッドとの間の配管でのリークや吸引装置のトラブルによる吸着力の低下などによっても基板がパッドからずれてしまい、基板載置部に対して基板を適正に載置できない場合もある。
【０００７】
本発明は、上記の事情に照らしてなされ、基板搬送装置のバキューム機構の不具合に起因する基板のずれを検出することが可能な基板搬送方法及び基板搬送装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様によれば、基板を保持する保持部を有し、保持した基板を搬送する基板搬送装置と、該基板搬送装置により搬送される前記基板が載置される複数の載置部とを備える基板処理装置における基板搬送方法が提供される。この基板搬送方法は、前記複数の載置部のうちの一の載置部の前記基板を前記保持部で受け取って保持するステップと、前記保持部に保持される前記基板を前記一の載置部から搬出するステップと、前記保持部に保持される前記基板の前記保持部に対する位置を検出する第１の位置検出ステップと、前記保持部に保持される前記基板を他の載置部に臨む場所まで搬送するステップと、前記臨む場所において、前記保持部に保持される前記基板の前記保持部に対する位置を検出する第２の位置検出ステップと、前記第１の位置検出ステップ及び前記第２の位置検出ステップで得られた、前記保持部に保持される前記基板の前記保持部に対する位置に基づいて、前記搬送するステップにおいて生じた、前記基板の前記保持部に対する位置ずれを算出するステップと、前記測定するステップにおいて算出された前記位置ずれが所定の範囲に入るか否かを判定するステップとを含む。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、基板を保持する保持部と、前記保持部により搬送される前記基板が載置される複数の載置部と、前記保持部に対する、前記保持部に保持される前記基板の位置ずれを検出する検出部と、前記複数の載置部のうちの一の載置部から前記基板を受け取って保持する前記保持部に対して前記検出部により検出される前記基板の位置ずれと、前記基板搬送装置が他の載置部に臨む場所まで搬送した後に、当該臨む場所において前記検出部により検出される前記基板との位置ずれとに基づいて、搬送中に生じた、前記基板の前記保持部に対する位置ずれを算出する制御部とを備える基板搬送装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の実施形態によれば、基板搬送装置のバキューム機構の不具合に起因する基板のずれを検出することが可能な基板搬送方法及び基板搬送装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係るフォトレジスト塗布現像装置の構成を示す平面図である。
【図２】実施形態に係るフォトレジスト塗布現像装置の構成を示す概略斜視図である。
【図３】実施形態に係るフォトレジスト塗布現像装置の構成を示す側面図である。
【図４】第３のブロックの構成を示す斜視図である。
【図５】実施形態に係る搬送アームを示す斜視図である。
【図６】実施形態に係る搬送アームを示す平面図及び側面図である。
【図７】実施形態に係る搬送アームのフォークを拡大して示す平面図である。
【図８】検出部及び制御部の構成を示すブロック図である。
【図９】制御部を第３のブロックにおける搬送アーム及び冷却モジュールとともに示す構成図である。
【図１０】本発明の実施形態による基板搬送方法を示すフローチャートである。
【図１１】本発明の実施形態による基板搬送方法を説明する説明図である。
【図１２】４個の検出部のいずれもウエハのノッチを検出していないと判定される場合における、リニアイメージセンサ及びウエハを示す平面図である。
【図１３】４個の検出部のいずれかがウエハのノッチを検出したと判定される場合における、リニアイメージセンサ及びウエハを示す平面図である。
【図１４】搬送前後でのウエハのずれ量の差を説明する説明図である。
【図１５】本発明の実施形態による他の基板搬送方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一または対応する部材または部品については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１３】
先ず、図１から図４までを参照しながら、本発明の実施形態によるフォトレジスト塗布現像装置（以下、塗布現像装置）を説明する。図１及び図２に示すように、塗布現像装置１００には、キャリアステーションＳ１、処理ステーションＳ２、及びインターフェイスステーションＳ３がこの順に設けられている。また、塗布現像装置１００のインターフェイスステーションＳ３側に露光装置Ｓ４が結合されている。
【００１４】
キャリアステーションＳ１は載置台２１および搬送機構Ｃを有する。載置台２１上には、所定の枚数（例えば２５枚）の半導体ウエハ（以下、ウエハ）Ｗが収容されるキャリア２０が載置される。本実施形態では、載置台２１には４つのキャリア２０を並べて載置することができる。以下、図１に示すように、キャリア２０が並ぶ方向をＸ方向とし、これと直交する方向をＹ方向とする。搬送機構Ｃは、キャリア２０からウエハＷを取り出し、処理ステーションＳ２に搬送するとともに、処理ステーションＳ２において処理された処理済みのウエハＷを受け取り、キャリア２０に収容する。
【００１５】
処理ステーションＳ２は、図１及び図２に示すように、キャリアステーションＳ１の＋Ｙ方向側に結合され、棚ユニットＵ１、棚ユニットＵ２、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を有している。
【００１６】
棚ユニットＵ１は、図３に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ１、ＣＰＬ１１、ＣＰＬ２、ＢＦ２、ＣＰＬ３、ＢＦ３、ＣＰＬ４、及びＴＲＳ４を有する。また、図１に示すように、棚ユニットＵ１の＋Ｘ方向側には、昇降自在な搬送機構Ｄが設けられている。棚ユニットＵ１の各モジュール間では、搬送機構ＤによりウエハＷが搬送される。
棚ユニットＵ２は、図３に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ６、ＴＲＳ６、及びＣＰＬ１２を有する。
【００１７】
なお、受け渡しモジュールのうち、参照符号ＣＰＬ＋数字が付されている受け渡しモジュールには、ウエハＷを加熱する加熱モジュールを兼ねるものがあり、ウエハＷを冷却して所定の温度（例えば２３℃）に維持する冷却モジュールを兼ねるものがある。参照符号ＢＦ＋数字が付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウエハＷを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。また、受け渡しモジュールＴＲＳ、ＣＰＬ、ＢＦ等には、ウエハＷが載置される載置部が設けられている。
【００１８】
第１のブロックＢ１は、図１及び図３に示すように、現像モジュール２２、搬送アームＡ１、及びシャトルアームＥを有する。詳しくは、第１のブロックＢ１内には２つの現像モジュール２２があり、これらは上下に積層されている。各現像モジュール２２は、図示を省略するが、ウエハＷを保持して回転するチャック（載置部）と、チャックにより保持されるウエハＷに薬液を供給する薬液供給ノズルと、チャックに保持されるウエハＷの周縁を取り囲むように配置されるカップとを有している。薬液としての現像液を、ウエハＷの表面に形成され露光されたフォトレジスト膜に供給することにより、フォトレジスト膜が現像される。搬送アームＡ１は、２つの現像モジュール２２にウエハＷを搬送する。シャトルアームＥは、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１１と、棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２との間で、ウエハＷを搬送する。
【００１９】
図４を参照すると、第３のブロックＢ３は、塗布モジュール２３、棚ユニットＵ３、及び搬送アームＡ３を有している。塗布モジュール２３は、上述の現像モジュール２２と同様の構成を有しており、薬液としてフォトレジスト液がウエハＷ上に供給されフォトレジスト膜が形成される。棚ユニットＵ３は、塗布モジュール２３と対向するように配列され、加熱モジュール、冷却モジュール等の熱処理モジュールＴＭを有している。熱処理モジュールＴＭにおいて、フォトレジスト膜形成の前処理及び後処理が行われる。また、各熱処理モジュールＴＭにはウエハＷの搬送口２４が形成されている。搬送アームＡ３は、塗布モジュール２３と棚ユニットＵ３との間に設けられている。
【００２０】
第２のブロックＢ２及び第４のブロックＢ４は、第３のブロックＢ３と同様の構成を有している。第２のブロックＢ２では、反射防止膜用の薬液が供給され、フォトレジスト膜の下地層となる下部反射防止膜が形成される。第４のブロックＢ４においても反射防止膜用の薬液が供給され、フォトレジスト膜の上に上部反射防止膜が形成される。
なお、図３に示すように、第２のブロックＢ２の搬送アームに参照符号Ａ２を付し、第４のブロックＢ４の搬送アームに参照符号Ａ４を付す。
【００２１】
インターフェイスステーションＳ３は、処理ステーションＳ２の＋Ｙ方向側に結合され、図１に示すように、インターフェイスアームＦを有する。インターフェイスアームＦは、処理ステーションＳ２の棚ユニットＵ２の＋Ｙ方向側に配置されている。棚ユニットＵ２の各モジュール間、及び各モジュールと露光装置Ｓ４との間においては、インターフェイスアームＦによりウエハＷが搬送される。
【００２２】
上記の構成を有する塗布現像装置１００においては、以下のようにウエハＷが各モジュールに搬送され、モジュールに対応した処理がウエハＷに対して行われる。まず、キャリアステーションＳ１の搬送機構Ｃによって載置台２１上のキャリア２０からウエハＷが取り出され、処理ステーションＳ２の棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ２へ搬送される（図３参照）。受け渡しモジュールＣＰＬ２に搬送されたウエハＷは、第２のブロックＢ２の搬送アームＡ２により、第２のブロックＢ２の各モジュール（熱処理モジュール及び塗布モジュール）に順次搬送され、ウエハＷ上に下部反射防止膜が形成される。
【００２３】
下部反射防止膜が形成されたウエハＷは、搬送アームＡ２により棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ２へ搬送され、搬送機構Ｄ（図１）により棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ３へ搬送される。次に、ウエハＷは、第３のブロックＢ３の搬送アームＡ３により受け取られ、第３のブロックＢ３の各モジュール（図３に示す熱処理モジュールＴＭ及び塗布モジュール２３）に順次搬送され、下部反射防止膜上にフォトレジスト膜が形成される。
フォトレジスト膜が形成されたウエハＷは、搬送アームＡ３により、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ３に搬送される。
【００２４】
なお、フォトレジスト膜が形成されたウエハＷは、第４のブロックＢ４において更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウエハＷは受け渡しモジュールＣＰＬ４を介し、第４のブロックＢ４の搬送アームＡ４に受け取られ、第４のブロックＢ４の各モジュール（熱処理モジュール及び塗布モジュール）に順次搬送され、フォトレジスト膜上に上部反射防止膜が形成される。この後、ウエハＷは、搬送アームＡ４により、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ４に受け渡される。
【００２５】
フォトレジスト膜（又は、その上に更に上部反射防止膜）が形成されたウエハＷは、搬送機構Ｄにより、受け渡しモジュールＢＦ３（又は受け渡しモジュールＴＲＳ４）から受け渡しモジュールＣＰＬ１１へ搬送される。受け渡しモジュールＣＰＬ１１に搬送されたウエハＷは、シャトルアームＥにより棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２に搬送された後、インターフェイスステーションＳ３のインターフェイスアームＦに受け取られる。
【００２６】
この後、ウエハＷはインターフェイスアームＦにより露光装置Ｓ４に搬送され、所定の露光処理が行われる。露光処理が行われたウエハＷは、インターフェイスアームＦにより、棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ６に搬送され、処理ステーションＳ２に戻される。処理ステーションＳ２に戻されたウエハＷは、第１のブロックＢ１へ搬送され、ここで現像処理が行われる。現像処理が行われたウエハＷは、搬送アームＡ１により棚ユニットＵ１のいずれかの受け渡しモジュールへ搬送され、搬送機構Ｃによりキャリア２０に戻される。
【００２７】
次に、図４から図６までを参照し、第３のブロックＢ３に設けられた搬送アームＡ３について説明する。
図４に示すように、搬送アームＡ３は、２枚のフォーク３Ａ、３Ｂ、基台３１、回転機構３２、進退機構３３Ａ、３３Ｂ（図５及び図６）、及び昇降台３４を有している。また、搬送アームＡ３には後述する検出部５Ａ〜５Ｄが設けられている。さらに、搬送アームＡ３及び検出部５Ａ〜５Ｄは、後述する制御部６により制御される。
【００２８】
フォーク３Ａはフォーク３Ｂの上方に配置されている。基台３１は、回転機構３２により鉛直軸周りに回転自在である。また、図５に示すように、フォーク３Ａ、３Ｂは、その基端側でそれぞれ進退機構３３Ａ、３３Ｂに支持されている。進退機構３３Ａ、３３Ｂは、ボールネジ機構やタイミングベルト等の伝達機構を用いてモータＭ（図９）に連結されており、フォーク３Ａ、３Ｂを基台３１に対して進退自在に駆動する。
【００２９】
再び図４を参照すると、昇降台３４は回転機構３２の下方側に設けられている。昇降台３４は、上下方向（図４中Ｚ軸方向）に直線状に延びる図示しないＺ軸ガイドレールに沿って、昇降機構により昇降自在に設けられている。昇降機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等を用いることができる。この例ではＺ軸ガイドレール及び昇降機構は夫々カバー体３５により覆われており、例えば上部側において接続されて一体となっている。またカバー体３５は、Ｙ軸方向に直線状に伸びるＹ軸ガイドレール３６に沿って摺動移動するように構成されている。
【００３０】
次に、図６及び図７を参照しながら、フォーク３Ａ、３Ｂを更に説明する。図６（ａ）に示すように、フォーク３Ａ、３Ｂは、搬送するウエハＷの周囲を囲む円弧状の先端部を有している。フォーク３Ａ、３Ｂには４つの保持爪４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄが形成されている。保持爪４Ａ〜４Ｄは、フォーク３Ａ、３Ｂの内縁から各々内方に突出するとともに、内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられている。なお、図示の例では４つの保持爪４Ａ〜４Ｄが設けられているが、３つ以上の保持爪が設けられていれば良い。
【００３１】
図７に示すように、フォーク３Ａの保持爪４Ａ〜４Ｄには、吸着孔４１Ａ〜４１Ｄと、吸着孔４１Ａ〜４１Ｄの各々の周囲を囲むリング状のパッド４２Ａ〜４２Ｄとが設けられている。吸着孔４１Ａ〜４１Ｄは、図６（ａ）に示すように、フォーク３Ａの内部、上面、又は下面に形成された真空配管４３Ａと連通している。真空配管４３Ａは、図示しない真空排気部に接続されている。フォーク３Ｂの保持爪４Ａ〜４Ｄにも、同様に、吸着孔４１Ａ〜４１Ｄとパッド４２Ａ〜４２Ｄとがそれぞれ設けられ、吸着孔４２Ａ〜４２Ｄは、図６（ａ）に示すように、フォーク３Ｂの内部、上面、又は下面に形成された真空配管４３Ｂと連通し、真空配管４Ｂは真空排気部に接続されている。このようなバキューム機構が構成されているため、ウエハＷは、保持爪４Ａ〜４Ｄのパッド４２Ａ〜４２Ｄにより支持されると、真空配管４Ａ（又は４Ｂ）を通して真空排気部により吸引され、フォーク３Ａ（又は３Ｂ）にしっかりと保持され得る。
なお、パッド４２Ａ〜４２Ｄは、ウエハＷの裏面周縁部との密着性を高めるため、例えばゴムなどの弾性を有する材料により作製することが好ましい。
【００３２】
次に、フォーク３Ａ、３Ｂに保持されるウエハＷの位置を検出する検出部について説明する。図５を参照すると、基台３１には、基台３１から立ち上がり折れ曲がって水平方向に延びる支持部材５３が設けられている。支持部材５３には、その４つの腕部に対応してセンサ５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ、５２Ｄが取り付けられている。センサ５２Ａ〜５２Ｄは、基端側に後退したフォーク３Ａ、３Ｂの上方に位置する。具体的には、図６に示すように、上方から見ると、フォーク３Ａ（又は３Ｂ）に保持されるウエハＷの周縁に沿って所定の間隔でセンサ５２Ａ〜５２Ｄが配置されている。また、センサ５２Ａ〜５２Ｄは、ウエハＷの周縁を横切るように延びている。センサ５２Ａ〜５２Ｄは本実施形態においてはＣＣＤラインセンサである。
なお、以下の説明において、フォーク３Ａ、３Ｂが基端側に後退したときの位置をホーム位置という場合がある。
【００３３】
再び図５を参照すると、基台３１上には光源５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ、５１Ｄが設けられている。光源５１Ａはセンサ５２Ａに対応して配置され、光源５１Ｂはセンサ５２Ｂに対応して配置され、光源５１Ｃはセンサ５２Ｃに対応して配置され、光源５１Ｄはセンサ５２Ｄに対応して配置される。光源５１Ａ〜５１Ｄは、本実施形態においては、直線状に配列された複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）により構成されている。
【００３４】
なお、光源５１Ａ〜５１Ｄを支持部材５３に設け、センサ５２Ａ〜５２Ｄを基台３１に設けても良い。また、フォーク３Ａ、３Ｂ及びこれらに保持されるウエハＷが検出部５Ａ〜５Ｂの間を横切る限りにおいて、光源５１Ａ〜５１Ｄ（又はセンサ５２Ａ〜５２Ｄ）は基台３１上にではなく、所定の支持部材を用いて配置しても良い。
【００３５】
図８に示すように、光源５１Ａ、センサ５２Ａ、検出制御部５４、デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ）５５、及びアナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）５６により検出部５Ａが構成されている。また、図８では図示を省略するが、検出部５Ｂ、５Ｃ、５Ｄは、対応する光源５１Ｂ、５１Ｃ、５１Ｄとセンサ５２Ｂ、５２Ｃ、５２Ｄとを含み、検出部５Ａと同様に構成されている。
【００３６】
検出制御部５４は、図示しないクロックからのクロック信号に基づいて、ＣＣＤラインセンサにより構成されるセンサ５２Ａの各ＣＣＤの動作タイミングをずらし、電荷移動させるタイミングジェネレータである。また、検出制御部５４は、複数のＬＥＤにより構成される光源５１Ａの電流制御も行う。ＤＡＣ５５は、検出制御部５４からのデジタル制御信号をアナログ変換し、変換されたアナログ信号を光源５１Ａに対して出力する。ＡＤＣ５６は、光源５２Ａからの検出信号であるアナログ出力信号をデジタル変換し、検出信号を生成する。
【００３７】
検出部５ＡのＡＤＣ５６から出力された検出信号（検出値）は制御部６の演算処理部６１に入力される。制御部６は、アンプ５７を介し、進退機構３３Ａ、３３Ｂを駆動するＸ軸駆動用のモータと、基台３１を駆動するＹ軸駆動用のモータと、昇降台３４を駆動するＺ軸駆動用のモータと、回転機構３２を駆動する回転駆動用のモータとを制御する。
【００３８】
以上のような構成により、検出制御部５４からの制御信号が、ＤＡＣ５５によりアナログ変換され、アナログ変換された制御信号が光源５１Ａに入力されることによって、光源５１Ａは直線状に光を発光する。光源５１Ａから発光された光は、センサ５２Ａにより受光される。光を受光したセンサ５２Ａは、検出制御部５４からの制御信号のタイミングに基づいて、受光量に応じた信号を出力する。センサ５２Ａから出力された検出信号（検出値）は、ＡＤＣ５６によりデジタル変換された後、制御部６内の演算処理部６１に入力される。
【００３９】
制御部６は、検出部５Ａ〜５Ｄだけでなく、搬送アームの動作をも制御する。以下、図９を参照しながら、モジュール間のウエハＷの受け渡しを制御する制御部６について説明する。
図９を参照すると、搬送アームＡ３のフォーク３Ａが冷却モジュール７内に進入している。冷却モジュール７は、例えば図４に示す熱処理モジュールＴＭのうちの一つである。図示のとおり、冷却モジュール７は、処理容器７１、載置部７２、リフトピン７３、及び昇降機構７４を有している。載置部７２には、ウエハＷを冷却して所定の温度にするため、温度調整された流体が流れる導管（図示せず）が設けられている。また、載置部７２には複数の貫通孔が設けられ、複数の貫通孔に対応した複数のリフトピン７３が上下動可能に設けられている。リフトピン７３は昇降機構７４により昇降される。
【００４０】
制御部６は、演算処理部６１、記憶部６２、表示部６３、及びアラーム発生部６４を有する。演算処理部６１は、例えばメモリ、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を有し、記憶部６２に記録されたプログラムを読み取り、そのプログラムに含まれる命令（コマンド）に従って、搬送アームＡ３の各モータＭ制御信号を送り、ウエハＷの受け渡し及び搬送を実行する。また、演算処理部６１は、記憶部６２に記録されたプログラムを読み取り、そのプログラムに含まれる命令（コマンド）に従って、塗布現像装置１００の各部に制御信号を送り、各種の基板処理を実行する。
【００４１】
記憶部６２は、演算処理部６１に各種の処理を実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体６２ａからプログラムを格納する。記録媒体６２ａとして、例えば、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、光磁気（Magneto-optical；ＭＯ）ディスク等を用いることができる。
【００４２】
表示部６３は、例えば液晶（ＬＣＤ）パネルなどを有するディスプレイである。表示部６３では、各種の基板処理用のプログラムの選択や、各基板処理におけるパラメータの入力操作を行うことができる。
アラーム発生部６４は、搬送アームＡ３を含め、塗布現像装置１００の各部に異常が発生したときに、アラーム信号を発生させ、出力する。
【００４３】
また、演算処理部６１は、搬送アームＡ３の進退機構３３Ａ、３３Ｂ、基台３１、昇降台３４、回転機構３２に設けられたモータ、エンコーダ３８や、パルス数をカウントするカウンタ３９等に対して所定の制御信号を送り、制御する。そして、記憶部６２には、本実施形態に係る基板搬送方法を実行するためのプログラムが含まれている。
【００４４】
次に、図１０から図１３までを参照しながら、搬送アームＡ３のフォーク３Ａが一のモジュールからウエハＷを受け取り、他のモジュールへ搬送する工程を例示し、本実施形態に係る基板搬送方法について説明する。ここで、一のモジュールは、例えば図９に示す第３のブロックＢ３の冷却モジュール７とし、他のモジュールは、第３のブロックＢ３の塗布モジュール２３とする。この場合、冷却モジュール７においてウエハＷが所定の温度（例えば２３℃）に調整され、温度調整されたウエハＷの上に塗布モジュール２３によりフォトレジスト膜が形成される。
【００４５】
まず、ステップＳ１１（図１０）において、冷却モジュール７から搬送アームＡ３によりウエハＷが取り出される。具体的には、図１１（ａ）に示すように、冷却モジュール７内のリフトピン７３が、載置部７２上のウエハＷを持ち上げ、載置部７２の上方に保持する。次に、図１１（ｂ）に示すように、フォーク３Ａが、冷却モジュール７の搬送口２４を通って冷却モジュール７内に進入し、ウエハＷの下方に位置する。そして、図１１（ｃ）に示すように、フォーク３Ａを上昇させるとともに、リフトピン７３を下降させる。これにより、ウエハＷは、フォーク３Ａの保持爪４Ａ〜４Ｄに保持されるとともに、保持爪４Ａ〜４Ｄに対応して設けられた吸着孔４１Ａ〜４１Ｄにより吸着される。
【００４６】
次に、ステップＳ１２（図１０）において、ウエハＷがフォーク３Ａに吸着されているか否かが判定される。この判定は、例えば吸着孔４１Ａ〜４１Ｄに連通する真空配管４３Ａに設けられるバキュームセンサ（図示せず）と、制御部６とにより行うことができる。バキュームセンサにより検出される吸引力が、所定の閾値以上の場合は（ステップＳ１２：ＹＥＳ）、ウエハＷがフォーク３Ａにしっかり吸着されていると判断され、ステップＳ１２Ｂにおいて、図１１（ｄ）に示すように、フォーク３ＡがＸ軸に沿って冷却モジュール７からホーム位置まで後退する。
【００４７】
バキュームセンサにより検出された吸引力が閾値未満の場合（ステップＳ１２：ＮＯ）、制御部６は、アラーム発生部６４（図９）に対してアラーム信号を発するよう指示する。アラーム信号により、吸着不良を示す警報が例えば表示部６３に表示される。塗布現像装置１００の操作者により吸着不良が解消された後に（ステップＳ１２Ａ）、フォーク３Ａがホーム位置まで後退する（ステップＳ１２Ｂ、図１１（ｄ））。
【００４８】
ステップＳ１３（図１０）において、図１１（ｄ）に示すようにフォーク３Ａがホーム位置にてウエハＷを保持しているときに、制御部６及び検出部５ＡによりウエハＷの周縁部の位置が計測される。具体的には、フォーク３Ａの下方に設けられている光源５１Ａ〜５１Ｄ（図１１では光源５１Ｂ及び５１Ｄのみを示す）が上方に向けて光を発する。その光は、フォーク３Ａの上方に設けられているセンサ５２Ａ〜５２Ｄ（図１１ではセンサ５２Ｂ及び５２Ｄのみを示す）により受光される。センサ５２Ａ〜５２Ｄが、ウエハＷの径方向に沿ってＣＣＤが直線状に配列されてなるＣＣＤラインセンサであるときは、各ＣＣＤの検出値に基づいて、受光したＣＣＤと受光しないＣＣＤとの境界の位置を決定することができる。そして、決定した境界の位置に基づいて、ウエハＷの周縁部の位置を計測することができる。
【００４９】
図１２に示すように、４個のセンサ５２Ａ〜５２Ｄの延在する方向とＹ軸とのなす角をθ１、θ２、θ３、θ４とする。また、図１２に示すように、フォーク３Ａに保持されているウエハＷがずれていないときの位置（基準位置）におけるセンサ５２Ａ〜５２Ｄ上のウエハＷの周縁部の位置を、それぞれａ点、ｂ点、ｃ点、ｄ点とする。また、フォーク３Ａに保持されているウエハＷがずれているときの位置（ずれ位置）におけるセンサ５２Ａ〜５２Ｄ上のウエハＷの周縁部の位置を、それぞれａ'点、ｂ'点、ｃ'点、ｄ'点とする。
【００５０】
各センサ５２Ａ〜５２Ｄにおけるａ点とａ'点の距離をΔａとし、ｂ点とｂ'点の距離をΔｂとし、ｃ点とｃ'点の距離をΔｃとし、ｄ点とｄ'点との距離をΔｄとすると、距離Δａ、Δｂ、Δｃ、Δｄは、
Δａ［mm］＝{(ａ'点の画素数)−(ａ点の画素数)}×画素間隔［mm］ （１）
Δｂ［mm］＝{(ｂ'点の画素数)−(ｂ点の画素数)}×画素間隔［mm］ （２）
Δｃ［mm］＝{(ｃ'点の画素数)−(ｃ点の画素数)}×画素間隔［mm］ （３）
Δｄ［mm］＝{(ｄ'点の画素数)−(ｄ点の画素数)}×画素間隔［mm］ （４）
と表すことができる。なお、ａ点の画素数とは、センサ５２Ａ〜５２ＤのウエハＷの中心側における始点からａ点までにおける画素の数を意味する。
【００５１】
ａ点〜ｄ点、ａ'点〜ｄ'点の座標は、次のように表される。
【００５２】
ａ点 (Ｘ１，Ｙ１)＝(Ｘ−Ｒsinθ１，Ｙ−Ｒcosθ１) （５）
ａ'点 (Ｘ１'，Ｙ１')＝(Ｘ１−Δａsinθ１，Ｙ１−Δａcosθ１）
＝(Ｘ−(Ｒ＋Δａ)sinθ１，Ｙ−(Ｒ＋Δａ)cosθ１) （６）
ｂ点 (Ｘ２，Ｙ２)＝(Ｘ−Ｒsinθ２，Ｙ＋Ｒcosθ２) （７）
ｂ'点 (Ｘ２'，Ｙ２')＝(Ｘ２−Δｂsinθ２，Ｙ２＋Δｂcosθ２）
＝(Ｘ−(Ｒ＋Δｂ)sinθ２，Ｙ＋(Ｒ＋Δｂ)cosθ２) （８）
ｃ点 (Ｘ３，Ｙ３)＝(Ｘ＋Ｒsinθ３，Ｙ＋Ｒcosθ３) （９）
ｃ'点 (Ｘ３'，Ｙ３')＝(Ｘ３＋Δｃsinθ３，Ｙ３＋Δｃcosθ３）
＝(Ｘ＋(Ｒ＋Δｃ)sinθ３，Ｙ＋(Ｒ＋Δｃ)cosθ３) （１０）
ｄ点 (Ｘ４，Ｙ４)＝(Ｘ＋Ｒsinθ４，Ｙ−Ｒcosθ４) （１１）
ｄ'点 (Ｘ４'，Ｙ４')＝(Ｘ４＋Δｄsinθ４，Ｙ４−Δｄcosθ４）
＝(Ｘ＋(Ｒ＋Δｄ)sinθ４，Ｙ−(Ｒ＋Δｄ)cosθ４) （１２）
従って、式（６）、式（８）、式（１０）、式（１２）により、ａ'点（Ｘ１'，Ｙ１'）、ｂ'点（Ｘ２'，Ｙ２'）、ｃ'点（Ｘ３'，Ｙ３'）、ｄ'点（Ｘ４'，Ｙ４'）の座標を求めることができる。
【００５３】
なお、上記の式において、Ｘは、ウエハＷが基準位置にあるときのウエハＷの中心のＸ座標であり、Ｙは、ウエハＷが基準位置にあるときのウエハＷの中心のＹ座標である。基準位置におけるウエハＷの中心位置ｏの座標（Ｘ，Ｙ）は、予めウエハＷを基準位置に置いて測定することにより求めても良いし、フォーク３Ａの内縁に基づいて求めても良い。
【００５４】
次に、ステップＳ１４（図１０）において、ａ'点、ｂ'点、ｃ'点、ｄ'点のうちいずれか３点からずれ位置におけるウエハＷの中心位置ｏ'の座標（Ｘ'、Ｙ'）を算出する。例えば、ａ'点（Ｘ１'，Ｙ１'）、ｂ'点（Ｘ２'，Ｙ２'）、ｃ'点（Ｘ３'，Ｙ３'）の３点から、ずれ位置におけるウエハＷの中心位置ｏ'の座標（Ｘ'、Ｙ'）は、下記の式（１３）及び（１４）から求めることができる。
【００５５】
【数１】
【００５６】
【数２】
また、半径Ｒ'は、中心位置ｏ'の座標（Ｘ'，Ｙ'）とａ'点（Ｘ１'，Ｙ１'）、ｂ'点（Ｘ２'，Ｙ２'）、ｃ'点（Ｘ３'，Ｙ３'）の各座標より、下記の式（１５）から求めることができる。
【００５７】
【数３】
また、ステップＳ１４では、さらに、ａ'点、ｂ'点、ｃ'点、ｄ'点のうち、前述した３点（ａ'点、ｂ'点、ｃ'点）と異なる３点の組み合わせ、例えば（ａ'点、ｂ'点、ｄ'点）、（ａ'点、ｃ'点、ｄ'点）、（ｂ'点、ｃ'点、ｄ'点）に基づいて、式（１３）から（１５）を利用して、中心位置ｏ'の座標（Ｘ'、Ｙ'）及び、半径Ｒ'が算出される。
【００５８】
次に、ステップＳ１５（図１０）では、４個のセンサ５２Ａ〜５２ＤのいずれかがウエハＷの周縁部のノッチＷＮが検出されたか否かが判定される。この判定には、ａ'点、ｂ'点、ｃ'点、ｄ'点のうち、いずれかの３点の組み合わせに基づいてステップＳ１４において算出された中心位置ｏ'の座標（Ｘ'、Ｙ'）及び半径Ｒ'が用いられる。具体的には、まず、いずれかの３点の組み合わせに対応する半径Ｒ'が、ウエハＷの既知の半径であるＲと略等しいかを判定する。すなわち、図１２に示すように、ウエハＷのノッチＷＮが、平面視において、ａ'点、ｂ'点、ｃ'点、ｄ'点のいずれの近傍にもないときは、ａ'点、ｂ'点、ｃ'点、ｄ'点のうち、いずれの３点の組み合わせに基づいて算出した半径Ｒ'も半径Ｒと略等しくなる。このときは、４個のセンサ５２Ａ〜５２ＤのいずれもウエハＷのノッチＷＮを検出していないと判定される。
【００５９】
一方、例えば図１３に示すように、ウエハＷのノッチＷＮが、平面視においてｂ'点の近傍にあるときは、ｂ'点を除いた３点の組み合わせに基づいて算出した半径Ｒ'は半径Ｒと略等しくなる。しかし、ｂ'点を含む３点の組み合わせに基づいて算出した半径Ｒ'は半径Ｒよりも小さくなる。この結果から、４個のセンサ５２Ａ〜５２Ｄのうちセンサ５２ＢがウエハＷのノッチＷＮを検出したと判定される。
【００６０】
次に、ステップＳ１６（図１０）において、センサ５２Ａ〜５２ＤのうちノッチＷＮを検出していない３つのセンサの検出値が選択される。図１２に示すように、４個のセンサ５２Ａ〜５２ＤのいずれもウエハＷのノッチＷＮを検出していないときは、いずれの３個のセンサ５２の検出値を選択してもよい。また、図１３に示す場合は、センサ５２Ｂを除くセンサ５２Ａ、５２Ｃ、５２Ｄからの検出値が選択される。
【００６１】
次に、ステップＳ１７（図１０）において、ノッチＷＮを検出していない３つのセンサの検出値に基づいて算出した中心位置ｏ'の座標（Ｘ'、Ｙ'）と、基準位置におけるウエハＷの中心位置ｏの座標（Ｘ、Ｙ）との間のずれ量（ΔＸ、ΔＹ）が求められる。ずれ量（ΔＸ，ΔＹ）は、
ΔＸ［mm］＝Ｘ'−Ｘ （１６）
ΔＹ［mm］＝Ｙ'−Ｙ （１７）
により求めることができる。
【００６２】
次に、ステップＳ１８（図１０）において、搬送アームＡ３が、図１１（ｅ）に示すように、塗布モジュール２３に臨む位置にまで移動する。具体的には、図３に示すカバー体３５がＹ軸ガイドレール３６に沿って摺動移動することにより基台３１が移動し、回転機構３２により基台３１が約１８０°回転することにより、図１１（ｅ）に示す位置まで移動する。
【００６３】
次いで、ステップＳ１９（図１０）において、塗布モジュール２３に臨む位置にてフォーク３Ａにより保持されるウエハＷの位置が検出される。この検出は、ステップＳ１３からステップＳ１７までにおいて行われたのと同様の方法により行われる。これにより、搬送基準位置におけるウエハＷの中心位置ｏの座標（Ｘ、Ｙ）に対する、搬送後のウエハＷの中心位置ｏ"の座標のずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）が算出される。ただし、ステップＳ１９においては、ステップＳ１６にて選択された３つのセンサと同一の３つのセンサの検出値を用いることができるため、ウエハＷのノッチの判定（ステップＳ１５）及び検出値の選択（ステップＳ１６）は行わなくても良い。
【００６４】
次に、ステップＳ２０（図１０）において、搬送アームＡ３の移動前後におけるずれ量の差Ｄが求められる。ずれ量の差Ｄは、搬送アームＡ３の移動により生じたウエハＷのずれ量に相当し、図１４を参照すると、以下の式（１８）により求めることができる。図１４中、参照符号ｏは、ウエハＷが基準位置にあるときのウエハＷの中心位置を示し、参照符号ｏ'は、ウエハ搬送前のウエハＷの中心位置を示し、参照符号ｏ"は、ウエハ搬送後のウエハＷの中心位置を示している。
Ｄ＝（｜ΔＸ'−ΔＸ｜２ ＋ ｜ΔＹ'−ΔＹ｜２）１／２ （１８）
次に、ステップＳ２１（図１０）において、ずれ量の差Ｄが所定の範囲にあるか否かが判定される。ここで、所定の範囲は、ウエハＷのサイズ、フォーク３Ａのサイズ、及びウエハＷが載置される載置部のサイズなどに応じて決定することができる。例えば、所定の範囲を１００から３００μｍの範囲の値に決めても良く、また例えば１００μｍと決めても良い。ずれ量の差Ｄが所定の範囲にあると判定された場合（ステップＳ２１：ＹＥＳ）、直接、次のステップＳ２３に進む。また、ずれ量の差Ｄが所定の範囲を超えたと判定された場合（ステップＳ２１：ＮＯ）、アラーム信号が出力される（ステップＳ２２）。ウエハＷの搬送をそのまま継続する場合もあるし、バキューム機構の点検を行うためにウエハＷの搬送を停止する場合もある。ここで、搬送を停止するか否かを、後述するずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）に基づいて判定しても良い。すなわち、ずれ量の差Ｄが所定の範囲を超えた場合（ステップＳ２１：ＮＯ）であって、ずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）が所定の範囲に入っているときは搬送を継続する、という判定を設けても良い。
【００６５】
次いでステップＳ２３（図１０）に進み、フォーク３Ａが、ずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）、すなわち、塗布モジュール２３を臨む位置で求めたフォーク３Ａに対するウエハＷのずれを補正しつつ、ウエハＷを塗布モジュール２３内へ搬入し、塗布モジュール２３内のスピンチャックＳへウエハＷを受け渡す。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態による基板搬送方法によれば、一のモジュール（冷却モジュール７）から他のモジュール（塗布モジュール２３）へ搬送アームＡ３によりウエハＷを搬送する前後において、基準位置におけるウエハＷの中心位置の座標に対する、現実のウエハＷの中心位置の座標のずれ量（（ΔＸ，ΔＹ）及び（ΔＸ'，ΔＹ'））を求めているため、搬送中に生じたウエハＷのずれ量（ずれ量の差Ｄ）を求めることができる。これにより、搬送中に、フォーク３Ａに対してウエハＷがずれたことが分かる。このようなずれは、例えば、バキューム機構の不具合、例えばパッド４２Ａ〜４２Ｄの摩耗、ウエハＷの反り、真空配管４３Ａ（図６）でのリーク、及び真空排気部のトラブルによる吸着力の低下などにより生じ得るが、本実施形態による基板搬送方法によれば、そのような不具合を把握することが可能となる。
【００６７】
また、他のモジュール（塗布モジュール２３）に臨む位置において求めたずれ量（ΔＸ'，ΔＹ'）を補正しつつ他のモジュール内へ搬入するため、他のモジュールの載置部に対してウエハＷをより適正に載置することができる。
【００６８】
塗布現像装置１００のような半導体製造装置においては、スループット向上のため、ウエハの搬送速度が大きくなる傾向にある。そのため、搬送中のウエハの位置ずれが生じやすくなっている。本実施形態による基板搬送方法及び基板搬送装置（搬送アーム）によれば、搬送中のウエハの位置ずれを検出することができ、例えばパッドの摩耗を把握することができるため、搬送中のウエハの位置ずれに伴う不良ウエハの発生を抑制することが可能となる。
【００６９】
また、本発明の他の実施形態による基板搬送方法においては、ずれ量の差Ｄの判定対象である所定の範囲を、ウエハＷを次に搬入する他のモジュールにおける処理の均一性の観点から設定しても良い。例えば、ずれ量の差Ｄが約３００μｍであって他のモジュール内の載置部にウエハＷを適正に置くことができる場合であっても（所定の範囲内）、ずれ量の差Ｄが例えば１００μｍ以内であれば、均一性がより改善されるという状況の下では、ずれ量の差Ｄの判定対象を上記の所定の範囲よりも狭い１００μｍの範囲（以下、便宜上、許容範囲という）に設定すると好ましい。また、この場合においては、ずれ量の差Ｄが１００μｍを超える場合であっても、ずれ量の差Ｄを表示部６３に表示し、その表示により３００μｍを超えていないことが確認できたときには、他のモジュールにウエハＷを搬入し、処理を行っても良い。また、このようにすれば、不具合の予兆を把握することができる。
【００７０】
さらに、別の実施形態においては、所定の範囲を２段階に設定し、段階に応じた警報を発するようにしても良い。例えば、上記の例では、１００μｍを第１の段階に設定し、３００μｍを第２の段階に設定することが好ましい。これによれば、第１の段階を超えた場合には注意報を発するものの処理は自動的に継続することとし、第２の段階を超えた場合に、警報を発する且つ／又は基板処理装置を停止するようにしても良い。
【００７１】
また、更に別の実施形態においては、ずれ量の差Ｄを許容範囲に対して判定する場合（又は所定の範囲を２段階に設定する場合）には、許容範囲（又は第２の段階）を超えた回数をカウントし、その回数を記憶しておくと有益である。具体的には、以下のとおりである。図１５に示すようにステップＳ１５１において、上述のステップＳ１１及びＳ１２に従ってウエハＷが一のモジュールから他のモジュール（の搬送口に臨む位置）に搬送される。次いで、ステップＳ１５２において、上述のステップＳ１３からＳ２１に従ってずれ量の差Ｄが求められ、これが許容範囲内であるかが制御部６により判定される。許容範囲内と判定された場合（ステップＳ１５２：ＹＥＳ）、ウエハＷは他のモジュールへ搬送され（ステップＳ１５３）、他のウエハＷの搬送が行われる（ステップＳ１５１）。
【００７２】
許容範囲内に無いと判定された場合（ステップＳ１５２：ＮＯ）、例えば記憶部６２に記憶されたフラグｉ（初期値ゼロ）に１を加え、１を加えた後の数値を再び記憶部６２に記憶する（ステップＳ１５４）。次いで、記憶部６２のフラグｉが参照されて、フラグｉが例えば１０を超えているかが判定される（ステップＳ１５５）。フラグｉが１０未満であると判定された場合（ステップＳ１５５：ＹＥＳ）、ウエハＷは他のモジュールへ搬送される（ステップＳ１５６）。一方、フラグｉが１０以上であると判定された場合（ステップＳ１５５：ＮＯ）、アラーム信号が出力され（ステップＳ１５７）、警報が表示部６３に表示され、且つ／又は装置が停止される。このようにすれば、搬送前後のウエハＷのずれ量の差Ｄが許容範囲を超えた回数が１０回に達した時点でアラーム信号が出力されるため、装置を継続して動作させつつ、フォーク３Ａ等のパッド４２Ａ〜４２Ｄの摩耗などの不具合の進行を把握することができる。このため、定性的な判定結果に基づいてメンテナンスのスケジュールを決定できるという利点が提供され得る。
なお、ずれ量の差Ｄが許容範囲を超えた回数は、１０回に限らず、適宜決定して良いことは言うまでもない。
【００７３】
また、ずれ量の差Ｄが所定の範囲を超えたと判定された場合（ステップＳ２１：ＮＯ）に、ステップＳ１９（図１０）で算出した、搬送後のウエハＷのずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）に基づいて、ずれの補正を行っても良い。すなわち、図４から図６までに示すように、進退機構３３Ａによってフォーク３ＡがΔＸ'に相当する距離だけ移動し、カバー体３５によりフォーク３ＡがΔＹ'に相当する距離だけ移動することにより、ウエハＷの中心位置を、他のモジュールの載置に適正に載置できるように位置補正をすることが可能である。また、Ｘ方向及びＹ方向についての補正でなく、回転機構３２を利用してフォーク３Ａを回転させると共に、Ｘ方向又はＹ方向に補正しても良い。
【００７４】
さらに、ずれ量の差Ｄが所定の範囲を超えたと判定された場合（図１０のステップＳ２１：ＮＯ）、又は搬送前後のウエハＷのずれ量の差Ｄが許容範囲を超えた回数が所定の回数を超えた場合（図１５のステップＳ１５５：ＮＯ）に、フォーク３ＡによるウエハＷの搬送時の搬送速度を低減するようにしても良い。これは、例えば制御部６（図９）からモータ、エンコーダ３８や、パルス数をカウントするカウンタ３９等に対して、搬送速度を低減する指示信号を出力することにより実現可能である。また、搬送速度を低減して搬送した場合であっても、再び、否定的な判定がされた場合には、搬送速度を更に低減しても良い。これによれば、例えばパッド４２Ａ〜４２Ｄの交換を遅らせることができ、装置のメンテナンススケジュールを柔軟に設定することも可能となる。
【００７５】
また、ずれ量の差Ｄが所定の範囲を超えたと判定された場合（図１０のステップＳ２１：ＮＯ）、又は搬送前後のウエハＷのずれ量の差Ｄが許容範囲を超えた回数が所定の回数を超えた場合（図１５のステップＳ１５５：ＮＯ）に、フォーク３Ａの搬送時の加速度を低下させても良い。これは、例えば制御部６（図９）からモータ、エンコーダ３８や、パルス数をカウントするカウンタ３９等に対して、加速度を低下させる指示信号を出力することにより実現可能である。フォーク３Ａの搬送開始時及び搬送停止時にウエハＷの位置ずれが生じる可能性が高いため、搬送開始時及び搬送停止時のフォーク３Ａの加速度を低くすれば、搬送前後でのウエハＷの位置ずれ（ずれ量の差Ｄ）を低減することが可能となる。
【００７６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されることなく、添付の特許請求の範囲の記載に照らし、種々の変形・変更が可能である。
【００７７】
例えば、ステップＳ２３において、ずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）を補正しつつウエハＷを塗布モジュール２３内に搬入したが、塗布モジュール２３を臨む位置においてずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）を補正してから、塗布モジュール２３内へウエハＷを搬入しても良い。
【００７８】
また、フォーク３Ａが、冷却モジュール７から塗布モジュール２３に臨む位置まで移動した後に、その前後でのずれ量の差Ｄを塗布モジュール２３に臨む位置において求める代わりに、フォーク３Ａの移動により生じる、ウエハＷのフォーク３Ａに対するずれを、フォーク３Ａの移動中に検出しても良い。この検出は、フォーク３Ａの移動中に、図１０を参照しながら説明したステップＳ１３からＳ１７を行い、ずれ量（ΔＸ、ΔＹ）と対比することにより可能である。そして、フォーク３Ａの移動中に求める位置ずれが所定の範囲に入っているか否かを、フォーク３Ａの移動中に判定し、所定の範囲に入っていないと判定された場合は、その時点でフォーク３Ａの移動を停止させても良い。また、所定の範囲に入っていないと判定された場合に、塗布モジュール２３に臨む位置にフォーク３Ａが到着した後にアラームを出力するようにしても良い。
さらに、ステップＳ１７の後に、ステップＳ１７において求めたずれ量（ΔＸ、ΔＹ）、すなわち、冷却モジュール７からウエハＷを取り出した後における、フォーク３Ａに対するウエハＷのずれ量（ΔＸ、ΔＹ）が所望範囲に入っているか否かの判定を行っても良い。
【００７９】
さらにまた、ステップＳ２１（図１０）において、ずれ量の差Ｄが所定の範囲にあるか否かを判定するに先立って、ずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）に基づいて、ウエハＷを塗布モジュール２３内へ搬入可能か否かを判定しても良い。具体的には、ずれ量（ΔＸ'、ΔＹ'）が、ウエハＷを塗布モジュール２３の搬送口２４に接することなく塗布モジュール２３内へ搬入できる範囲に入っているか否かを判定して良い。この場合、搬入可能と判定された場合には、次のステップＳ２１において、ずれ量の差Ｄが所定の範囲に入っているか否かにかかわらず、塗布モジュール２３内へウエハＷを搬入しても良い。そして、搬入後に、フォーク３Ａのバキューム機構の点検を行っても良い。一方、搬入できないと判定された場合には、塗布現像装置１００を停止するためのアラームを出力するようにして良い。
【００８０】
たとえば、上記の実施形態においては、搬送アームＡ３について説明したが、搬送アームＡ２〜Ａ４、搬送機構Ｃ、搬送機構Ｄ、及びインターフェイスアームＦもまた搬送アームＡ３と同様の構成を有することができ、これらによって、上述の基板搬送方法を行うことができる。また、搬送前のモジュール（一のモジュール）及び搬送後（搬送先）のモジュール（他のモジュール）は、例示のものに限らず、ウエハＷが載置される載置部を有するモジュールであって良い。また、一つのアームが他のアームからウエハを受け取って、所定のモジュールへ搬送する場合にも、本発明の実施形態による基板搬送方法を適用することができる。この場合、他のアームが載置部に相当する。
【００８１】
また、上記の実施形態は、２枚のフォーク３Ａ、３Ｂは、上下に重なるように設けられている例に限定されるものではなく、２枚のフォーク３Ａ、３Ｂが水平方向に並んで設けられてもよい。また、フォーク３は、１枚のみであってもよく、あるいは、３枚以上が上下に重なるように、又は水平方向に並んで設けられていてもよい。
【００８２】
また、上記の実施形態においては、ウエハＷのノッチＮＷを考慮し、フォーク３Ａ等に対して４つの光源５１Ａ〜５１Ｄとこれらに対応する４つのセンサ５２Ａ〜５２Ｄとを設けたが、例えばノッチＮＷがなくオリエンテーションフラット（ＯＦ）を有するウエハを用いる場合において、ＯＦの位置が大きくずれないときには、ＯＦ以外の周縁部を検出するために３つの光源とこれらに対応する３つのセンサを設けても良い。
【００８３】
また、光源５１Ａ〜５１Ｄとこれらに対応するセンサ５２Ａ〜５２Ｄとの代わりに、保持爪４Ａ〜４Ｄに静電センサを設けてウエハＷのフォーク３Ａ等に対する位置を検出しても良い。さらに、例えばカメラを用いて、カメラにより得られた画像に基づいて、ウエハＷのフォーク３Ａ等に対する位置を検出しても構わない。カメラを用いる場合には、ウエハＷの周縁部の４点の位置情報が得られればよい。したがって、必ずしも４台のカメラを用いる必要はなく、１台のカメラを用いて４点の位置情報を得るのでもよい。１台のカメラを用いる場合には、例えば、２本のフォーク３Ａ、３Ｂの上方に位置するように、支持部材を介して基台３１に取り付けることができる。
【００８４】
カメラを用いる場合にも、センサ５２Ａ〜５２Ｄを用いる例として上述したように、ウエハＷを保持しているフォーク３Ａ、３Ｂがホーム位置にあるときに、カメラにより画像を撮影する。そして、撮影した画像を画像処理することによって、ウエハＷの周縁部の４点における位置情報を求める。次に、４点における位置情報に基づいて、４点のうちいずれかがウエハＷの切欠部ＷＮを検出したか否かを判定し、４点のうちいずれかがウエハＷの切欠部ＷＮを検出したと判定したときに、その１点以外の３点における位置情報に基づいてウエハＷのフォーク３Ａ等に対する位置を検出することができる。
【００８５】
光源５１として、複数のＬＥＤを用いた例を説明したが、単一のＬＥＤの発光側に直線状に導光材料を設け直線状の光源としたものを用いることができる。また、センサ５２としては、ＣＣＤラインセンサでなく、ファイバーラインセンサ、光電センサ等各種のリニアイメージセンサを用いることができる。
【００８６】
また、ウエハＷのフォーク３Ａに対する位置を求める場合に、基準位置におけるウエハＷの中心位置ｏを利用したが、これに代わり、フォーク３Ａに１つの又は複数の位置マークを設けておき、位置マークを基準にウエハＷのフォーク３Ａに対する位置ずれを利用しても構わない。
【００８７】
また、ウエハＷは半導体ウエハに限らず、ＦＰＤ用のガラス基板であっても良い。
【符号の説明】
【００８８】
Ａ３〜Ａ４ 搬送アーム
３Ａ、３Ｂ フォーク
３１ 基台
４１Ａ〜４１Ｄ 吸着孔
５Ａ〜５Ｄ 検出部
５１、５１Ａ〜５１Ｄ 光源
５２、５２Ａ〜５２Ｄ センサ
６ 制御部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を真空吸着により保持する保持部を有し、保持した基板を搬送する基板搬送装置と、該基板搬送装置により搬送される前記基板が載置される複数の載置部とを備える基板処理装置における基板搬送方法であって、
前記複数の載置部のうちの一の載置部の前記基板を前記保持部で受け取って真空吸着により保持するステップと、
前記基板を保持したまま前記一の載置部から前記保持部が退出するステップと、
前記保持部に保持される前記基板の前記保持部に対する位置を検出する第１の位置検出ステップと、
前記保持部に保持される前記基板を他の載置部に臨む場所まで搬送するステップと、
前記臨む場所において、前記保持部に保持される前記基板の前記保持部に対する位置を検出する第２の位置検出ステップと、
前記第１の位置検出ステップ及び前記第２の位置検出ステップで得られた、前記保持部に保持される前記基板の前記保持部に対する位置に基づいて、前記搬送するステップにおいて生じた、前記基板の前記保持部に対する位置ずれを算出するステップと、
前記算出するステップにおいて算出された前記位置ずれが所定の範囲に入るか否かを判定するステップと
を含む基板搬送方法。
【請求項２】
前記判定するステップにおいて、前記位置ずれが前記所定の範囲に入らないと判定された場合に、当該判定結果を示す警報を発するステップを更に含む、請求項１に記載の基板搬送方法。
【請求項３】
前記判定するステップにおいて前記位置ずれが前記所定の範囲に入らないと判定された回数を記録するステップと、
記録された前記回数が所定の回数を超えるか否かを判定するステップと、
前記判定するステップにおいて前記所定の回数を超えたと判定された場合に、前記所定の回数を超えたことを示すアラーム信号を出力するステップと
を更に含む、請求項１に記載の基板搬送方法。
【請求項４】
前記判定するステップにおいて前記位置ずれが前記所定の範囲に入らないと判定された回数を記録するステップと、
記録された前記回数が所定の回数を超えるか否かを判定するステップと、
前記判定するステップにおいて前記所定の回数を超えたと判定された場合に、前記基板搬送装置の搬送速度を低下させる指示信号を出力するステップと
を更に含む、請求項１に記載の基板搬送方法。
【請求項５】
前記判定するステップにおいて前記位置ずれが前記所定の範囲に入らないと判定された回数を記録するステップと、
記録された前記回数が所定の回数を超えるか否かを判定するステップと、
前記判定するステップにおいて前記所定の回数を超えたと判定された場合に、前記基板搬送装置の移動開始時かつ／又は移動停止時における前記基板搬送装置の加速度を低下させる指示信号を出力するステップと
を含む、請求項１に記載の基板搬送方法。
【請求項６】
前記判定するステップにおいて、前記位置ずれが所定の範囲に入らないと判定された場合に、当該位置ずれを補正するステップを更に含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の基板搬送方法。
【請求項７】
基板を真空吸着により保持する保持部と、
前記保持部に保持されて搬送される前記基板が載置される複数の載置部と、
前記保持部に保持される前記基板の前記保持部に対する位置ずれを検出する検出部と、
前記複数の載置部のうちの一の載置部から前記基板を受け取って保持する前記保持部について前記検出部により検出された前記基板の位置ずれと、他の載置部に臨む場所まで前記保持部が移動した後に、当該臨む場所において前記検出部により検出された前記基板との位置ずれとに基づいて、搬送中に生じた、前記基板の前記保持部に対する位置ずれを算出し、当該位置ずれが所定の範囲に入るか否かを判定するよう構成される制御部と
を備える基板搬送装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記位置ずれが前記所定の範囲に入らないと判定した場合に、当該判定結果を示す警報を発する、請求項７に記載の基板搬送装置。
【請求項９】
前記制御部が、前記位置ずれが前記所定の範囲に入らないと判定された回数を記録し、記録された前記回数が所定の回数を超えるか否かを判定し、前記所定の回数を超えたと判定した場合に、前記所定の回数を超えたことを示すアラーム信号を出力するよう更に構成される、請求項７に記載の基板搬送装置。
【請求項１０】
前記制御部が、前記位置ずれが前記所定の範囲に入らないと判定された回数を記録し、記録された前記回数が所定の回数を超えるか否かを判定し、前記所定の回数を超えたと判定した場合に、前記保持部の搬送速度を低下させる指示信号を出力するよう更に構成される、請求項７に記載の基板搬送装置。
【請求項１１】
前記制御部が、前記位置ずれが前記所定の範囲に入らないと判定された回数を記録し、記録された前記回数が所定の回数を超えるか否かを判定し、前記所定の回数を超えたと判定した場合に、前記保持部の移動開始時の速度かつ／又は移動停止時の速度における前記保持部の加速度を低下させる指示信号を出力するよう更に構成される、請求項７に記載の基板搬送装置。
【請求項１２】
前記制御部が、前記位置ずれが所定の範囲に入らないと判定した場合に、当該位置ずれを補正するよう更に構成される、請求項７から１１のいずれか一項に記載の基板搬送装置。
【請求項１３】
請求項７から１２のいずれか一項に記載の基板搬送装置と、
前記基板搬送装置により搬送される前記基板を受け取って前記基板上にフォトレジスト膜を塗布する塗布装置と、
前記基板搬送装置により搬送される、露光された前記フォトレジスト膜が形成された前記基板を受け取って、当該フォトレジスト膜を現像する現像装置と
を含む、塗布現像装置。
【請求項１】
基板を真空吸着により保持する保持部を有し、保持した基板を搬送する基板搬送装置と、該基板搬送装置により搬送される前記基板が載置される複数の載置部とを備える基板処理装置における基板搬送方法であって、
前記複数の載置部のうちの一の載置部の前記基板を前記保持部で受け取って真空吸着により保持するステップと、
前記基板を保持したまま前記一の載置部から前記保持部が退出するステップと、
前記保持部に保持される前記基板の前記保持部に対する位置を検出する第１の位置検出ステップと、
前記保持部に保持される前記基板を他の載置部に臨む場所まで搬送するステップと、
前記臨む場所において、前記保持部に保持される前記基板の前記保持部に対する位置を検出する第２の位置検出ステップと、
前記第１の位置検出ステップ及び前記第２の位置検出ステップで得られた、前記保持部に保持される前記基板の前記保持部に対する位置に基づいて、前記搬送するステップにおいて生じた、前記基板の前記保持部に対する位置ずれを算出するステップと、
前記算出するステップにおいて算出された前記位置ずれが所定の範囲に入るか否かを判定するステップと
を含む基板搬送方法。
【請求項２】
前記判定するステップにおいて、前記位置ずれが前記所定の範囲に入らないと判定された場合に、当該判定結果を示す警報を発するステップを更に含む、請求項１に記載の基板搬送方法。
【請求項３】
前記判定するステップにおいて前記位置ずれが前記所定の範囲に入らないと判定された回数を記録するステップと、
記録された前記回数が所定の回数を超えるか否かを判定するステップと、
前記判定するステップにおいて前記所定の回数を超えたと判定された場合に、前記所定の回数を超えたことを示すアラーム信号を出力するステップと
を更に含む、請求項１に記載の基板搬送方法。
【請求項４】
前記判定するステップにおいて前記位置ずれが前記所定の範囲に入らないと判定された回数を記録するステップと、
記録された前記回数が所定の回数を超えるか否かを判定するステップと、
前記判定するステップにおいて前記所定の回数を超えたと判定された場合に、前記基板搬送装置の搬送速度を低下させる指示信号を出力するステップと
を更に含む、請求項１に記載の基板搬送方法。
【請求項５】
前記判定するステップにおいて前記位置ずれが前記所定の範囲に入らないと判定された回数を記録するステップと、
記録された前記回数が所定の回数を超えるか否かを判定するステップと、
前記判定するステップにおいて前記所定の回数を超えたと判定された場合に、前記基板搬送装置の移動開始時かつ／又は移動停止時における前記基板搬送装置の加速度を低下させる指示信号を出力するステップと
を含む、請求項１に記載の基板搬送方法。
【請求項６】
前記判定するステップにおいて、前記位置ずれが所定の範囲に入らないと判定された場合に、当該位置ずれを補正するステップを更に含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の基板搬送方法。
【請求項７】
基板を真空吸着により保持する保持部と、
前記保持部に保持されて搬送される前記基板が載置される複数の載置部と、
前記保持部に保持される前記基板の前記保持部に対する位置ずれを検出する検出部と、
前記複数の載置部のうちの一の載置部から前記基板を受け取って保持する前記保持部について前記検出部により検出された前記基板の位置ずれと、他の載置部に臨む場所まで前記保持部が移動した後に、当該臨む場所において前記検出部により検出された前記基板との位置ずれとに基づいて、搬送中に生じた、前記基板の前記保持部に対する位置ずれを算出し、当該位置ずれが所定の範囲に入るか否かを判定するよう構成される制御部と
を備える基板搬送装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記位置ずれが前記所定の範囲に入らないと判定した場合に、当該判定結果を示す警報を発する、請求項７に記載の基板搬送装置。
【請求項９】
前記制御部が、前記位置ずれが前記所定の範囲に入らないと判定された回数を記録し、記録された前記回数が所定の回数を超えるか否かを判定し、前記所定の回数を超えたと判定した場合に、前記所定の回数を超えたことを示すアラーム信号を出力するよう更に構成される、請求項７に記載の基板搬送装置。
【請求項１０】
前記制御部が、前記位置ずれが前記所定の範囲に入らないと判定された回数を記録し、記録された前記回数が所定の回数を超えるか否かを判定し、前記所定の回数を超えたと判定した場合に、前記保持部の搬送速度を低下させる指示信号を出力するよう更に構成される、請求項７に記載の基板搬送装置。
【請求項１１】
前記制御部が、前記位置ずれが前記所定の範囲に入らないと判定された回数を記録し、記録された前記回数が所定の回数を超えるか否かを判定し、前記所定の回数を超えたと判定した場合に、前記保持部の移動開始時の速度かつ／又は移動停止時の速度における前記保持部の加速度を低下させる指示信号を出力するよう更に構成される、請求項７に記載の基板搬送装置。
【請求項１２】
前記制御部が、前記位置ずれが所定の範囲に入らないと判定した場合に、当該位置ずれを補正するよう更に構成される、請求項７から１１のいずれか一項に記載の基板搬送装置。
【請求項１３】
請求項７から１２のいずれか一項に記載の基板搬送装置と、
前記基板搬送装置により搬送される前記基板を受け取って前記基板上にフォトレジスト膜を塗布する塗布装置と、
前記基板搬送装置により搬送される、露光された前記フォトレジスト膜が形成された前記基板を受け取って、当該フォトレジスト膜を現像する現像装置と
を含む、塗布現像装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
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【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１２−２２２１９５（Ｐ２０１２−２２２１９５Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１２日（２０１２．１１．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−８７３０２（Ｐ２０１１−８７３０２）
【出願日】平成２３年４月１１日（２０１１．４．１１）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１２日（２０１２．１１．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月１１日（２０１１．４．１１）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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