真空吸着保持装置およびその方法
【課題】本発明は、材料や工程の追加を抑制しつつ、被吸着物をチャックステージに適切に真空吸着させることができる真空吸着保持装置および真空吸着保持方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる真空吸着保持装置は、被吸着物２を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージ３と、被吸着物２に関する所定の情報を付与されることにより、所定の情報に応じて、チャックステージ３に吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部１５とを備える。
【解決手段】本発明にかかる真空吸着保持装置は、被吸着物２を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージ３と、被吸着物２に関する所定の情報を付与されることにより、所定の情報に応じて、チャックステージ３に吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部１５とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は真空吸着保持装置およびその方法に関し、特に、真空吸着により被吸着物を吸着するチャックステージを備えた真空吸着保持装置およびその方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体ウエハ、半導体チップといった対象の特性（特に電気的特性）を測定する試験を行う際、真空吸着により、被吸着物の設置面をチャックステージに吸着させて保持する真空吸着保持装置を用いる方法が一般的である。
【０００３】
電気的特性を測定する場合、吸着される被吸着物の縦方向、つまり設置面の法線方向に電流を流す縦型構造の半導体においては、被吸着物の設置面を固定したチャックステージが測定電極のひとつとなる。
【０００４】
そのため、被吸着物とチャックステージとの密着性が接触抵抗に影響し、ひいては測定する電気的特性に影響を与えることになる。
【０００５】
しかしながら、接触抵抗を下げるために密着性を上げる、つまり真空吸着の真空度を上げて吸着性を上げることで、別の原因による不具合が生じる。
【０００６】
チャックステージ上にゴミ等の異物が存在すると、異物の上に被吸着物が設置されることとなり、真空吸着により被吸着物の設置面を異物に強く押し付けることになる。
【０００７】
この異物が大きい場合、チャックステージとの接触部、ならびに接触部近傍においてクラック等の欠陥が生じ、被吸着物を一部破損することになる。破損した被吸着物は不良としてカウントされる。
【０００８】
異物の大きさが目視困難なレベル、例えば数１０μｍ以下のような比較的小さい場合であっても、チャックステージとの接触部、あるいは接触部近傍において圧力による歪みが生じ、ピエゾ効果により漏れ電流が増加して、被吸着物は不良としてカウントされる。ただし、小さい異物の場合、異物を除去して歪みを解消した後に、再度電気的特性を測定すると、不良とならないことも知られている（特許文献１参照）。
【０００９】
このように、接触抵抗を下げるために密着性を上げる、つまり真空吸着の真空度を上げて吸着性を上げることで、被吸着物の設置面を異物に対しより強く押し付けることになるため、不良率が増加するという不具合が生じる。
【００１０】
そこで、チャックステージ上に存在する異物に起因した不良率増加の対策としては、被吸着物としての半導体基板の裏面（設置面）側に応力緩衝膜を追加し、真空吸着の真空度を上げた場合でも異物による応力を緩和する手法が開示されている（特許文献１参照）。
【００１１】
また、被吸着物としての半導体基板の裏面（設置面）側に導電性および弾性を備えたシートを追加し、製造および評価工程後にそのシートを除去する手法が開示されている（特許文献２参照）。
【００１２】
さらに、装置内に、異物を除去するための異物クリーニング機構を搭載する手法が開示されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００８−４７３９号公報
【特許文献２】特開２０１１−４９３３７号公報
【特許文献３】特開２０１１−７７０７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、特許文献１および特許文献２では、被吸着物の設置面に、異物に起因した応力を緩和する膜やシートを付加することで、不良率の低減を実現しているものの、全ての被吸着物に膜やシートを付加することが必要となることから、製造工程の増加、膜やシートといった材料追加によるコストアップといった問題があった。
【００１５】
また、特許文献３に開示されているように、異物のクリーニング機構を装置内に搭載すれば不良率の低減を実現することはできるが、当該機構の搭載やクリーニング工程の追加が必要であるといった問題があった。
【００１６】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、材料や工程の追加を抑制しつつ、被吸着物をチャックステージに適切に真空吸着させることができる真空吸着保持装置および真空吸着保持方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明にかかる真空吸着保持装置は、被吸着物を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージと、前記被吸着物に関する所定の情報を付与されることにより、前記所定の情報に応じて、前記チャックステージに吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部とを備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明にかかる真空吸着保持方法は、（ａ）被吸着物を、真空吸着によりチャックステージ吸着面に吸着して保持させる工程と、（ｂ）前記被吸着物に関する所定の情報を付与されることにより、前記所定の情報に応じて、前記チャックステージに吸着させるための真空度を自動的に制御する工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明にかかる真空吸着保持装置によれば、被吸着物を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージと、前記被吸着物に関する所定の情報を付与されることにより、前記所定の情報に応じて、前記チャックステージに吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部とを備えることにより、材料や工程の追加を抑制しつつ、被吸着物に関する所定の情報に応じた真空吸着が可能となる。
【００２０】
本発明にかかる真空吸着保持方法によれば、（ａ）被吸着物を、真空吸着によりチャックステージ吸着面に吸着して保持させる工程と、（ｂ）前記被吸着物に関する所定の情報を付与されることにより、前記所定の情報に応じて、前記チャックステージに吸着させるための真空度を自動的に制御する工程とを備えることにより、材料や工程の追加を抑制しつつ、被吸着物に関する所定の情報に応じた真空吸着が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】真空吸着保持装置の構成図である。
【図２】チャックステージの上面図である。
【図３】真空吸着保持装置の動作を示すフローチャートである。
【図４】真空吸着保持装置の構成図である。
【図５】真空吸着保持装置の構成図である。
【図６】真空吸着保持装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
＜実施の形態１＞
＜構成＞
図１、図２を用いて、本実施の形態１にかかる真空吸着保持装置について説明する。図１は真空吸着保持装置１００の構成図であり、図２はチャックステージ３の上面図である。なお図１におけるチャックステージ３は、図２のＡＡ断面図の概略である。
【００２３】
図１に示すように、チャックステージ３吸着面に、被吸着物２が設置される。この被吸着物２としては、半導体ウエハや半導体チップ等を想定することができる。被吸着物２は、チャックステージ３吸着面に吸着されることにより固定され、所定の特性試験を受けることができる。本実施の形態では、特に電気的特性を測定する試験を受ける場合について説明する。ここで電気的特性とは、具体的には耐圧リークや電流密度等の特性をいう。
【００２４】
チャックステージ３吸着面の被吸着物２と接触する部分には、例えば円状に吸着溝１１が形成されており（図２参照）、さらに当該吸着溝１１内には、吸着口１３が所定の間隔で形成されている（図２参照）。吸着溝１１は、図に示すように複数周形成されていてもよいし、単一周であってもよい。また、チャックステージ３吸着面において形成される形状も、円状に限られるものではない。被吸着物２は、吸着口１３を介してチャックステージ３に吸着され、固定される。
【００２５】
全ての吸着口１３は吸着路１２に繋がれ、吸着路１２は第１真空経路８および第２真空経路９に分岐する。
【００２６】
各真空経路には、圧力センサ１０が設置され、それぞれの経路（第１真空経路８および第２真空経路９）内の真空度を示す内部真空度を測定することができる。第２真空経路９には、さらに第２レギュレータ７が設置され、第２真空経路９における内部真空度を調節できる構造となっている。
【００２７】
分岐した真空経路は切替バルブ５において再び１つの真空経路となり、当該１つの真空経路において、第１レギュレータ６、さらには真空源４が設置される。第１レギュレータ６によって、真空源４による真空排気を調節できる。
【００２８】
切替バルブ５は、第１真空経路８もしくは第２真空経路９に切り替える切替動作を制御部１５によって制御され、制御部１５は、入力部１６において入力される、被吸着物２に関する所定の情報に基づいて切替バルブ５を制御する。
【００２９】
被吸着物２に関する所定の情報とは、例えば製品の品種（構造種、品番、型番を含む）自体や、品種ごとに異なる被吸着物２の性質等を示す情報である。当該性質等とは、被吸着物２が吸着されることにより影響を受ける性質等であり、例えば接触抵抗依存度や歪み依存度が含まれる。
【００３０】
当該所定の情報は、記憶部２１（外部に備えられるものであってもよい）において記憶しておくことができる。この際、製品の品種の情報と、当該製品における性質等の情報を関連づけて記憶することができる。１つの品種に対し、複数の性質等の情報を関連づけて記憶することも可能である。このような場合に制御部１５は、入力部１６において試験対象となる被吸着物２の品種が入力された場合に対応する性質等の情報を参照し、切替バルブ５の制御に用いることができる。
【００３１】
真空源４は、例えば真空吸着保持装置ごと、あるいは複数の真空吸着保持装置に対して設置された真空ポンプであり、真空吸着を行う際に真空排気を行うものである。なお真空源４は、工場内等に設置され、複数の装置や設備に対して一括して真空排気を行うものであってもよい。
【００３２】
第１レギュレータ６においては、被吸着物２の真空吸着のための真空度を安定した値に設定する。特に工場内等に設置され、一括して真空排気を行う場合の真空源は出力変動が大きい場合があるため、第１レギュレータ６の設置が望ましい。
【００３３】
第１真空経路８は、第１レギュレータ６のみによって、被吸着物２の真空吸着のための真空度を高く（圧力を低く）設定した経路であり、第１真空経路８における、経路の内部真空度を確認する圧力センサ１０を介したのみで、チャックステージ３の吸着路１２に接続される。
【００３４】
第２レギュレータ７においては、被吸着物２の真空吸着のための真空度をさらに低い（圧力がさらに高い）値に設定する。第２レギュレータ７の機能によって、第２真空経路９の内部真空度は、第１真空経路８の内部真空度よりも低くなる。
【００３５】
第２真空経路９は、第２レギュレータ７も加えて、被吸着物２の真空吸着のための真空度を低く設定した経路であり、第２真空経路９における、経路の内部真空度を確認する圧力センサ１０を介し、チャックステージ３の吸着路１２に接続される。
【００３６】
＜動作＞
次に、実施の形態１に示す真空吸着保持装置１００の動作手順について図３を参照して説明する。図３に示すのは、真空吸着保持装置１００を用いて被吸着物２の電気的特性試験を行う場合の動作手順を示すものである。
【００３７】
まず、真空吸着保持装置１００の入力部１６において、被吸着物２に関する所定の情報について入力する。具体的には、被吸着物２の性質である接触抵抗依存度を示すパラメータ、または当該性質と関連づけられた被吸着物２の品種自体を入力する（ステップＳ１）。また、被吸着物２に関する所定の情報に応じて、第１真空経路８における内部真空度（通常真空）、または第２真空経路９における内部真空度（低真空）に関するパラメータを読み込む。
【００３８】
次に、被吸着物２を取り出し、チャックステージ３吸着面に搬送する（ステップＳ２）。被吸着物２は、例えば複数の半導体チップが形成された半導体ウエハや、半導体チップそのものが考えられるが、これに限るものではなく、真空吸着により固定する被吸着物であればよい。以下では半導体ウエハを例として挙げる。
【００３９】
次に、被吸着物２としての半導体ウエハの設置面をチャックステージ３吸着面に吸着させる（ステップＳ３）。この際の真空度は、切替バルブ５を自動的に制御することにより、入力された被吸着物２に関する所定の情報に応じたものとする。
【００４０】
所定の情報として接触抵抗依存度が直接的、または間接的に入力される場合、被吸着物２が高い接触抵抗依存度を有するなら、真空度を高く設定する必要があり、切替バルブ５を制御して第１真空経路８を吸着路１２に接続させる。被吸着物２が低い接触抵抗依存度を有するなら、真空度を低く設定することができるので、切替バルブ５を制御して第２真空経路９を吸着路１２に接続させる。
【００４１】
具体的には、被吸着物２としてダイオードを用いる場合、接触抵抗依存度が低いため真空度を低く設定できる。
【００４２】
真空度を低く設定できることで、歪みが緩和し空乏層の延びが正常化する。よって、歪みによる見かけのリーク不良が低下する。真空度を低く設定しているため接触抵抗は増加することになるが、十分小さいため、影響は小さい。
【００４３】
被吸着物２としてＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いる場合には、接触抵抗依存度が高いため真空度を高く設定する。真空度を高く設定するので、接触抵抗の低下が見込める。
【００４４】
なおここでは、ダイオードとＩＧＢＴとを比較して説明したが、必ずしもこのように区別されるものではなく、ＩＧＢＴにおいてもその構造設計次第で、歪みによる影響が顕著となる場合もある。
【００４５】
また、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やその他の素子（半導体素子に限らない）に対しても適用可能である。
【００４６】
次に、被吸着物２としての半導体ウエハに対し、電気的特性試験を実施する（ステップＳ４）。特性試験中は、被吸着物２に関する所定の情報に応じた真空度を維持する。
【００４７】
次に、被吸着物２としての半導体ウエハに対する電気的特性試験が完了した後、真空吸着を解除する（ステップＳ５）。
【００４８】
次に、被吸着物２としての半導体ウエハをチャックステージ３吸着面から取り出し、動作を終了する（ステップＳ６）。
【００４９】
＜効果＞
本発明にかかる実施の形態によれば、真空吸着保持装置において、被吸着物２を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージ３と、被吸着物２に関する所定の情報を付与されることにより、所定の情報に応じて、チャックステージ３に吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部１５とを備えることで、被吸着物２自身に対する対策や工程の追加を抑制しコストの低減、工程の簡略化を可能とつつ、被吸着物２に関する所定の情報に応じた真空吸着が可能となる。
【００５０】
また、本発明にかかる実施の形態によれば、真空吸着保持装置において、制御部１５が、被吸着物２の性質、すなわち、例えば被吸着物２のチャックステージ３吸着面との接触抵抗依存度に応じて、真空度を自動的に制御することで、材料や工程の追加を抑制しつつ、被吸着物２に関する所定の情報に応じた真空吸着が可能となる。
【００５１】
例えば、被吸着物２に関する所定の情報である接触抵抗依存度が低い場合に、真空度を低く設定し、異物に起因した被吸着物に加わる歪みを抑制することができる。よって、被吸着物２の不良率を低減することができる。
【００５２】
また、被吸着物２に関する所定の情報である接触抵抗依存度が高い場合には、真空度を高く設定し、接触抵抗を低下させることができる。よって、被吸着物２の不良率を低減することができる。
【００５３】
また、本発明にかかる実施の形態によれば、真空吸着保持装置において、被吸着物２に関する所定の情報である品種と、当該被吸着物２に関する所定の情報である性質（例えば接触抵抗依存度）とを関連づけて記憶した、記憶部２１をさらに備え、制御部１５が、品種に対応する性質（例えば接触抵抗依存度）を記憶部２１から参照し、それに応じて真空度を自動的に制御することで、品種の入力によって被吸着物２の性質が参照でき、当該性質に応じた真空吸着が可能となる。
【００５４】
また、入力が簡略化されることで作業者の作業負担を軽減し、作業ミスを防止することができる。
【００５５】
また、本発明にかかる実施の形態によれば、真空吸着保持装置において、チャックステージ３吸着面に、内部真空度が互いに異なる複数の経路である第１真空経路８および第２真空経路９に通じる吸着口１３をさらに備え、制御部１５が、被吸着物２に関する所定の情報に応じて吸着口１３に通じる経路を第１真空経路８または第２真空経路９に切り替えることにより、真空度を自動的に制御することで、真空経路の選択により被吸着物２を吸着するための真空度を変更することができ、被吸着物２に関する所定の情報に応じた真空吸着が可能となる。よって例えば、異物に起因した電気的特性の見かけの不良を容易に抑制することができる。
【００５６】
また、本発明にかかる実施の形態によれば、真空吸着保持方法において、（ａ）被吸着物２を、真空吸着によりチャックステージ３吸着面に吸着して保持させる工程と、（ｂ）被吸着物２に関する所定の情報を付与されることにより、所定の情報に応じて、チャックステージ３に吸着させるための真空度を自動的に制御する工程とを備えることで、材料や工程の追加を抑制しコストの低減、工程の簡略化を可能とつつ、被吸着物２に関する所定の情報に応じた真空吸着が可能となる。
【００５７】
＜実施の形態２＞
＜構成＞
本実施の形態２にかかる真空吸着保持装置の構成図を図４に示す。実施の形態１と同様の構成については、同符合を付し詳細な説明を省略する。
【００５８】
図４に示すように真空吸着保持装置１０１では、吸着路１２に接続される真空経路はひとつであり、実施の形態１におけるような分岐はない。
【００５９】
ひとつの真空経路には、圧力センサ１０が設置され、経路内の真空度を示す内部真空度を測定することができる。さらに第２レギュレータ７および第１レギュレータ６が設置され、真空源４により真空排気される経路の、内部真空度を調節できる構造となっている。
【００６０】
第２レギュレータ７は、制御部２０によって制御され、制御部２０は、入力部１６において入力される、被吸着物２に関する所定の情報に基づいて第２レギュレータ７を制御する。
【００６１】
＜動作＞
次に、実施の形態２に示す真空吸着保持装置１０１の動作手順について説明する。
【００６２】
実施の形態１における動作と同様のフローとなるが（図３参照）、制御部２０における制御方法が異なる。
【００６３】
すなわち、入力部１６に被吸着物２の品種が入力されると、制御部２０では、被吸着物２に関する所定の情報に応じて、第２レギュレータ７における設定真空度を自動的に制御する。
【００６４】
経路中の内部真空度は、圧力センサ１０における実測値を参照し、設定真空度に近づくように調節される。
【００６５】
＜効果＞
本発明にかかる実施の形態によれば、真空吸着保持装置において、チャックステージ３吸着面に、１つの経路に通じる吸着口１３をさらに備え、１つの経路において、当該経路の内部真空度を調節するレギュレータとしての第２レギュレータ７をさらに備え、制御部１５が、被吸着物２に関する所定の情報に応じて第２レギュレータ７を制御することにより、真空度を自動的に制御することで、真空経路ごとに固定された内部真空度を選択する場合に比べ、自由度の高い内部真空度調節が可能となり、より被吸着物２に適した吸着のための真空度を実現することができる。
【００６６】
＜実施の形態３＞
＜構成＞
本実施の形態３にかかる真空吸着保持装置の構成図を図５に示す。実施の形態１と同様の構成については、同符合を付し詳細な説明を省略する。
【００６７】
図５に示すように真空吸着保持装置１０２では、吸着路１２に接続される真空経路は３つに分岐しており、実施の形態１における図１に加えて、第３レギュレータ１８および圧力センサ１０を備えた第３真空経路１９が、切替バルブ５に接続されている。なお、本実施の形態３では、真空経路が３つの場合を示しているが、さらに分岐数が増える場合であってもよい。
【００６８】
さらに、切替バルブ５の切替動作を制御する制御部１５に接続された、項目特性評価部１７が備えられる。その他の構成については、図１と同様のため詳細な説明を省略する。
【００６９】
＜動作＞
次に、実施の形態３に示す真空吸着保持装置１０２の動作手順について説明する。
【００７０】
実施の形態１における動作と同様のフローとなるが（図３参照）、制御部１５における制御方法が異なる。
【００７１】
すなわち、図３のステップＳ３における、被吸着物２をチャックステージ３吸着面に吸着させるための真空度は、第３真空経路１９を含めた３つの経路から選択するものとなる。よって、あらかじめ設定できる真空度の種類が増え、より適切な真空度を選択することができるようになる。真空度の設定は、例えば実施する試験項目に応じて行う。
【００７２】
さらに、制御部１５に接続された項目特性評価部１７において、特性試験における試験項目ごとに、被吸着物２に関する所定の情報がその試験の結果に及ぼす影響の度合い（寄与度）について評価される。当該評価結果は制御部１５に参照される。
【００７３】
項目特性評価部１７においては、各試験項目の実施条件等が記憶されており、被吸着物２に関する所定の情報をこれらと比較することで、上記評価を行う。同じ所定の情報でも、試験項目における実施条件で例えば測定値のスケーリングが異なることにより、測定値における影響の度合い（寄与度）も異なってくる。
【００７４】
ここで（電気的）特性試験における試験項目とは、被吸着物２の順方向および逆方向の電圧測定、同電流の測定、耐圧リーク測定等の個々の測定項目をいう。
【００７５】
制御部１５では、上記の評価結果を参照して、被吸着物２を吸着するための真空度を切替バルブ５を切り替えて選択する。
【００７６】
具体的には、被吸着物２としてダイオードを用いる場合、接触抵抗依存度が低いことを示す所定の情報が参照されても、どの程度真空度を下げた場合に、実施する試験項目における測定値に影響を与えるレベルとなるかまで評価する必要がある。当該評価を項目特性評価部１７で行うことで、測定値に影響のない範囲で真空度を適切に調節することができる。
【００７７】
例えば、ダイオードの定電流印加時の順方向電圧を測定する試験項目で、接触抵抗の測定値に対する影響が十分小さい範囲内で、真空度を低く設定することができる。
【００７８】
被吸着物２としてＩＧＢＴを用いる場合には、接触抵抗依存度が高いことを示す所定の情報が参照されても、どの程度真空度を上げた場合に、発生するＩＧＢＴの歪みが測定値に影響を与えるレベルとなるかまで評価する必要がある。当該評価を項目特性評価部１７で行うことで、測定値に影響のない範囲で真空度を適切に調節することができる。
【００７９】
例えば、ＩＧＢＴの電界強度を測定する場合を考える。半導体ウエハ厚を薄くすると歪み強度が低下し、電界強度が増加する。よって薄厚の半導体ウエハでは、ＩＧＢＴであってもその歪みが問題になることがある。
【００８０】
ＩＧＢＴの電界強度を測定する試験項目で、ＩＧＢＴの歪みの測定値に対する影響が十分小さい範囲内で、真空度を高く設定することができる。この場合、設置面にＰ型層が形成されていることで耐圧が低下（電界強度が低下）し、歪みによる電界強度の局所的な増加は緩和され、測定値に対する影響も抑制される。
【００８１】
上記のようにして、被吸着物２に関する所定の情報を考慮しつつ、例えば、逆方向の耐圧リーク測定では、真空度を下げて実施したり、接触抵抗が影響する低電流密度の順方向測定では、真空度を上げて実施したりすることができる。
【００８２】
＜変形例＞
本実施の形態３にかかる真空吸着保持装置の変形例を図６に示す。図４および図５と同様の構成については、同符合を付し詳細な説明を省略する。
【００８３】
図６に示すように真空吸着保持装置１０３では、吸着路１２に接続される真空経路はひとつであり、実施の形態１におけるような分岐はない。
【００８４】
次に、真空吸着保持装置１０３の動作手順について説明する。
【００８５】
実施の形態１における動作と同様のフローとなるが（図３参照）、制御部２０における制御方法が異なる。
【００８６】
すなわち、入力部１６に被吸着物２の品種が入力されると、制御部２０では、被吸着物２に関する所定の情報と、項目特性評価部１７において特性試験における試験項目ごとに評価した評価結果とに応じて、第２レギュレータ７における設定真空度を自動的に制御する。項目特性評価部１７においては、各試験項目の実施条件等が記憶されており、被吸着物２に関する所定の情報をこれらと比較することで、上記評価を行う。
【００８７】
経路中の内部真空度は、圧力センサ１０における実測値を参照し、設定真空度に近づくように調節される。
【００８８】
＜効果＞
本発明にかかる実施の形態によれば、真空吸着保持装置において、被吸着物２に対する特性試験における、被吸着物２の所定の情報の寄与度を評価する評価部としての項目特性評価部１７をさらに備え、制御部１５が、項目特性評価部１７における評価結果に応じて、真空度を自動的に制御することで、特性試験の試験項目によって真空吸着における真空度を制御できるため、さらに被吸着物２の不良率を低減することができる。
【００８９】
また、真空経路の数を増やすことで、より自由度の高い真空度制御を可能とすることもできる。
【００９０】
なお本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００９１】
２ 被吸着物、３ チャックステージ、４ 真空源、５ 切替バルブ、６ 第１レギュレータ、７ 第２レギュレータ、８ 第１真空経路、９ 第２真空経路、１０ 圧力センサ、１１ 吸着溝、１２ 吸着路、１３ 吸着口、１５，２０ 制御部、１６ 入力部、１７ 項目特性評価部、１８ 第３レギュレータ、１９ 第３真空経路、２１ 記憶部、１００〜１０３ 真空吸着保持装置。
【技術分野】
【０００１】
本発明は真空吸着保持装置およびその方法に関し、特に、真空吸着により被吸着物を吸着するチャックステージを備えた真空吸着保持装置およびその方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体ウエハ、半導体チップといった対象の特性（特に電気的特性）を測定する試験を行う際、真空吸着により、被吸着物の設置面をチャックステージに吸着させて保持する真空吸着保持装置を用いる方法が一般的である。
【０００３】
電気的特性を測定する場合、吸着される被吸着物の縦方向、つまり設置面の法線方向に電流を流す縦型構造の半導体においては、被吸着物の設置面を固定したチャックステージが測定電極のひとつとなる。
【０００４】
そのため、被吸着物とチャックステージとの密着性が接触抵抗に影響し、ひいては測定する電気的特性に影響を与えることになる。
【０００５】
しかしながら、接触抵抗を下げるために密着性を上げる、つまり真空吸着の真空度を上げて吸着性を上げることで、別の原因による不具合が生じる。
【０００６】
チャックステージ上にゴミ等の異物が存在すると、異物の上に被吸着物が設置されることとなり、真空吸着により被吸着物の設置面を異物に強く押し付けることになる。
【０００７】
この異物が大きい場合、チャックステージとの接触部、ならびに接触部近傍においてクラック等の欠陥が生じ、被吸着物を一部破損することになる。破損した被吸着物は不良としてカウントされる。
【０００８】
異物の大きさが目視困難なレベル、例えば数１０μｍ以下のような比較的小さい場合であっても、チャックステージとの接触部、あるいは接触部近傍において圧力による歪みが生じ、ピエゾ効果により漏れ電流が増加して、被吸着物は不良としてカウントされる。ただし、小さい異物の場合、異物を除去して歪みを解消した後に、再度電気的特性を測定すると、不良とならないことも知られている（特許文献１参照）。
【０００９】
このように、接触抵抗を下げるために密着性を上げる、つまり真空吸着の真空度を上げて吸着性を上げることで、被吸着物の設置面を異物に対しより強く押し付けることになるため、不良率が増加するという不具合が生じる。
【００１０】
そこで、チャックステージ上に存在する異物に起因した不良率増加の対策としては、被吸着物としての半導体基板の裏面（設置面）側に応力緩衝膜を追加し、真空吸着の真空度を上げた場合でも異物による応力を緩和する手法が開示されている（特許文献１参照）。
【００１１】
また、被吸着物としての半導体基板の裏面（設置面）側に導電性および弾性を備えたシートを追加し、製造および評価工程後にそのシートを除去する手法が開示されている（特許文献２参照）。
【００１２】
さらに、装置内に、異物を除去するための異物クリーニング機構を搭載する手法が開示されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００８−４７３９号公報
【特許文献２】特開２０１１−４９３３７号公報
【特許文献３】特開２０１１−７７０７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、特許文献１および特許文献２では、被吸着物の設置面に、異物に起因した応力を緩和する膜やシートを付加することで、不良率の低減を実現しているものの、全ての被吸着物に膜やシートを付加することが必要となることから、製造工程の増加、膜やシートといった材料追加によるコストアップといった問題があった。
【００１５】
また、特許文献３に開示されているように、異物のクリーニング機構を装置内に搭載すれば不良率の低減を実現することはできるが、当該機構の搭載やクリーニング工程の追加が必要であるといった問題があった。
【００１６】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、材料や工程の追加を抑制しつつ、被吸着物をチャックステージに適切に真空吸着させることができる真空吸着保持装置および真空吸着保持方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明にかかる真空吸着保持装置は、被吸着物を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージと、前記被吸着物に関する所定の情報を付与されることにより、前記所定の情報に応じて、前記チャックステージに吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部とを備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明にかかる真空吸着保持方法は、（ａ）被吸着物を、真空吸着によりチャックステージ吸着面に吸着して保持させる工程と、（ｂ）前記被吸着物に関する所定の情報を付与されることにより、前記所定の情報に応じて、前記チャックステージに吸着させるための真空度を自動的に制御する工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明にかかる真空吸着保持装置によれば、被吸着物を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージと、前記被吸着物に関する所定の情報を付与されることにより、前記所定の情報に応じて、前記チャックステージに吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部とを備えることにより、材料や工程の追加を抑制しつつ、被吸着物に関する所定の情報に応じた真空吸着が可能となる。
【００２０】
本発明にかかる真空吸着保持方法によれば、（ａ）被吸着物を、真空吸着によりチャックステージ吸着面に吸着して保持させる工程と、（ｂ）前記被吸着物に関する所定の情報を付与されることにより、前記所定の情報に応じて、前記チャックステージに吸着させるための真空度を自動的に制御する工程とを備えることにより、材料や工程の追加を抑制しつつ、被吸着物に関する所定の情報に応じた真空吸着が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】真空吸着保持装置の構成図である。
【図２】チャックステージの上面図である。
【図３】真空吸着保持装置の動作を示すフローチャートである。
【図４】真空吸着保持装置の構成図である。
【図５】真空吸着保持装置の構成図である。
【図６】真空吸着保持装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
＜実施の形態１＞
＜構成＞
図１、図２を用いて、本実施の形態１にかかる真空吸着保持装置について説明する。図１は真空吸着保持装置１００の構成図であり、図２はチャックステージ３の上面図である。なお図１におけるチャックステージ３は、図２のＡＡ断面図の概略である。
【００２３】
図１に示すように、チャックステージ３吸着面に、被吸着物２が設置される。この被吸着物２としては、半導体ウエハや半導体チップ等を想定することができる。被吸着物２は、チャックステージ３吸着面に吸着されることにより固定され、所定の特性試験を受けることができる。本実施の形態では、特に電気的特性を測定する試験を受ける場合について説明する。ここで電気的特性とは、具体的には耐圧リークや電流密度等の特性をいう。
【００２４】
チャックステージ３吸着面の被吸着物２と接触する部分には、例えば円状に吸着溝１１が形成されており（図２参照）、さらに当該吸着溝１１内には、吸着口１３が所定の間隔で形成されている（図２参照）。吸着溝１１は、図に示すように複数周形成されていてもよいし、単一周であってもよい。また、チャックステージ３吸着面において形成される形状も、円状に限られるものではない。被吸着物２は、吸着口１３を介してチャックステージ３に吸着され、固定される。
【００２５】
全ての吸着口１３は吸着路１２に繋がれ、吸着路１２は第１真空経路８および第２真空経路９に分岐する。
【００２６】
各真空経路には、圧力センサ１０が設置され、それぞれの経路（第１真空経路８および第２真空経路９）内の真空度を示す内部真空度を測定することができる。第２真空経路９には、さらに第２レギュレータ７が設置され、第２真空経路９における内部真空度を調節できる構造となっている。
【００２７】
分岐した真空経路は切替バルブ５において再び１つの真空経路となり、当該１つの真空経路において、第１レギュレータ６、さらには真空源４が設置される。第１レギュレータ６によって、真空源４による真空排気を調節できる。
【００２８】
切替バルブ５は、第１真空経路８もしくは第２真空経路９に切り替える切替動作を制御部１５によって制御され、制御部１５は、入力部１６において入力される、被吸着物２に関する所定の情報に基づいて切替バルブ５を制御する。
【００２９】
被吸着物２に関する所定の情報とは、例えば製品の品種（構造種、品番、型番を含む）自体や、品種ごとに異なる被吸着物２の性質等を示す情報である。当該性質等とは、被吸着物２が吸着されることにより影響を受ける性質等であり、例えば接触抵抗依存度や歪み依存度が含まれる。
【００３０】
当該所定の情報は、記憶部２１（外部に備えられるものであってもよい）において記憶しておくことができる。この際、製品の品種の情報と、当該製品における性質等の情報を関連づけて記憶することができる。１つの品種に対し、複数の性質等の情報を関連づけて記憶することも可能である。このような場合に制御部１５は、入力部１６において試験対象となる被吸着物２の品種が入力された場合に対応する性質等の情報を参照し、切替バルブ５の制御に用いることができる。
【００３１】
真空源４は、例えば真空吸着保持装置ごと、あるいは複数の真空吸着保持装置に対して設置された真空ポンプであり、真空吸着を行う際に真空排気を行うものである。なお真空源４は、工場内等に設置され、複数の装置や設備に対して一括して真空排気を行うものであってもよい。
【００３２】
第１レギュレータ６においては、被吸着物２の真空吸着のための真空度を安定した値に設定する。特に工場内等に設置され、一括して真空排気を行う場合の真空源は出力変動が大きい場合があるため、第１レギュレータ６の設置が望ましい。
【００３３】
第１真空経路８は、第１レギュレータ６のみによって、被吸着物２の真空吸着のための真空度を高く（圧力を低く）設定した経路であり、第１真空経路８における、経路の内部真空度を確認する圧力センサ１０を介したのみで、チャックステージ３の吸着路１２に接続される。
【００３４】
第２レギュレータ７においては、被吸着物２の真空吸着のための真空度をさらに低い（圧力がさらに高い）値に設定する。第２レギュレータ７の機能によって、第２真空経路９の内部真空度は、第１真空経路８の内部真空度よりも低くなる。
【００３５】
第２真空経路９は、第２レギュレータ７も加えて、被吸着物２の真空吸着のための真空度を低く設定した経路であり、第２真空経路９における、経路の内部真空度を確認する圧力センサ１０を介し、チャックステージ３の吸着路１２に接続される。
【００３６】
＜動作＞
次に、実施の形態１に示す真空吸着保持装置１００の動作手順について図３を参照して説明する。図３に示すのは、真空吸着保持装置１００を用いて被吸着物２の電気的特性試験を行う場合の動作手順を示すものである。
【００３７】
まず、真空吸着保持装置１００の入力部１６において、被吸着物２に関する所定の情報について入力する。具体的には、被吸着物２の性質である接触抵抗依存度を示すパラメータ、または当該性質と関連づけられた被吸着物２の品種自体を入力する（ステップＳ１）。また、被吸着物２に関する所定の情報に応じて、第１真空経路８における内部真空度（通常真空）、または第２真空経路９における内部真空度（低真空）に関するパラメータを読み込む。
【００３８】
次に、被吸着物２を取り出し、チャックステージ３吸着面に搬送する（ステップＳ２）。被吸着物２は、例えば複数の半導体チップが形成された半導体ウエハや、半導体チップそのものが考えられるが、これに限るものではなく、真空吸着により固定する被吸着物であればよい。以下では半導体ウエハを例として挙げる。
【００３９】
次に、被吸着物２としての半導体ウエハの設置面をチャックステージ３吸着面に吸着させる（ステップＳ３）。この際の真空度は、切替バルブ５を自動的に制御することにより、入力された被吸着物２に関する所定の情報に応じたものとする。
【００４０】
所定の情報として接触抵抗依存度が直接的、または間接的に入力される場合、被吸着物２が高い接触抵抗依存度を有するなら、真空度を高く設定する必要があり、切替バルブ５を制御して第１真空経路８を吸着路１２に接続させる。被吸着物２が低い接触抵抗依存度を有するなら、真空度を低く設定することができるので、切替バルブ５を制御して第２真空経路９を吸着路１２に接続させる。
【００４１】
具体的には、被吸着物２としてダイオードを用いる場合、接触抵抗依存度が低いため真空度を低く設定できる。
【００４２】
真空度を低く設定できることで、歪みが緩和し空乏層の延びが正常化する。よって、歪みによる見かけのリーク不良が低下する。真空度を低く設定しているため接触抵抗は増加することになるが、十分小さいため、影響は小さい。
【００４３】
被吸着物２としてＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いる場合には、接触抵抗依存度が高いため真空度を高く設定する。真空度を高く設定するので、接触抵抗の低下が見込める。
【００４４】
なおここでは、ダイオードとＩＧＢＴとを比較して説明したが、必ずしもこのように区別されるものではなく、ＩＧＢＴにおいてもその構造設計次第で、歪みによる影響が顕著となる場合もある。
【００４５】
また、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やその他の素子（半導体素子に限らない）に対しても適用可能である。
【００４６】
次に、被吸着物２としての半導体ウエハに対し、電気的特性試験を実施する（ステップＳ４）。特性試験中は、被吸着物２に関する所定の情報に応じた真空度を維持する。
【００４７】
次に、被吸着物２としての半導体ウエハに対する電気的特性試験が完了した後、真空吸着を解除する（ステップＳ５）。
【００４８】
次に、被吸着物２としての半導体ウエハをチャックステージ３吸着面から取り出し、動作を終了する（ステップＳ６）。
【００４９】
＜効果＞
本発明にかかる実施の形態によれば、真空吸着保持装置において、被吸着物２を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージ３と、被吸着物２に関する所定の情報を付与されることにより、所定の情報に応じて、チャックステージ３に吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部１５とを備えることで、被吸着物２自身に対する対策や工程の追加を抑制しコストの低減、工程の簡略化を可能とつつ、被吸着物２に関する所定の情報に応じた真空吸着が可能となる。
【００５０】
また、本発明にかかる実施の形態によれば、真空吸着保持装置において、制御部１５が、被吸着物２の性質、すなわち、例えば被吸着物２のチャックステージ３吸着面との接触抵抗依存度に応じて、真空度を自動的に制御することで、材料や工程の追加を抑制しつつ、被吸着物２に関する所定の情報に応じた真空吸着が可能となる。
【００５１】
例えば、被吸着物２に関する所定の情報である接触抵抗依存度が低い場合に、真空度を低く設定し、異物に起因した被吸着物に加わる歪みを抑制することができる。よって、被吸着物２の不良率を低減することができる。
【００５２】
また、被吸着物２に関する所定の情報である接触抵抗依存度が高い場合には、真空度を高く設定し、接触抵抗を低下させることができる。よって、被吸着物２の不良率を低減することができる。
【００５３】
また、本発明にかかる実施の形態によれば、真空吸着保持装置において、被吸着物２に関する所定の情報である品種と、当該被吸着物２に関する所定の情報である性質（例えば接触抵抗依存度）とを関連づけて記憶した、記憶部２１をさらに備え、制御部１５が、品種に対応する性質（例えば接触抵抗依存度）を記憶部２１から参照し、それに応じて真空度を自動的に制御することで、品種の入力によって被吸着物２の性質が参照でき、当該性質に応じた真空吸着が可能となる。
【００５４】
また、入力が簡略化されることで作業者の作業負担を軽減し、作業ミスを防止することができる。
【００５５】
また、本発明にかかる実施の形態によれば、真空吸着保持装置において、チャックステージ３吸着面に、内部真空度が互いに異なる複数の経路である第１真空経路８および第２真空経路９に通じる吸着口１３をさらに備え、制御部１５が、被吸着物２に関する所定の情報に応じて吸着口１３に通じる経路を第１真空経路８または第２真空経路９に切り替えることにより、真空度を自動的に制御することで、真空経路の選択により被吸着物２を吸着するための真空度を変更することができ、被吸着物２に関する所定の情報に応じた真空吸着が可能となる。よって例えば、異物に起因した電気的特性の見かけの不良を容易に抑制することができる。
【００５６】
また、本発明にかかる実施の形態によれば、真空吸着保持方法において、（ａ）被吸着物２を、真空吸着によりチャックステージ３吸着面に吸着して保持させる工程と、（ｂ）被吸着物２に関する所定の情報を付与されることにより、所定の情報に応じて、チャックステージ３に吸着させるための真空度を自動的に制御する工程とを備えることで、材料や工程の追加を抑制しコストの低減、工程の簡略化を可能とつつ、被吸着物２に関する所定の情報に応じた真空吸着が可能となる。
【００５７】
＜実施の形態２＞
＜構成＞
本実施の形態２にかかる真空吸着保持装置の構成図を図４に示す。実施の形態１と同様の構成については、同符合を付し詳細な説明を省略する。
【００５８】
図４に示すように真空吸着保持装置１０１では、吸着路１２に接続される真空経路はひとつであり、実施の形態１におけるような分岐はない。
【００５９】
ひとつの真空経路には、圧力センサ１０が設置され、経路内の真空度を示す内部真空度を測定することができる。さらに第２レギュレータ７および第１レギュレータ６が設置され、真空源４により真空排気される経路の、内部真空度を調節できる構造となっている。
【００６０】
第２レギュレータ７は、制御部２０によって制御され、制御部２０は、入力部１６において入力される、被吸着物２に関する所定の情報に基づいて第２レギュレータ７を制御する。
【００６１】
＜動作＞
次に、実施の形態２に示す真空吸着保持装置１０１の動作手順について説明する。
【００６２】
実施の形態１における動作と同様のフローとなるが（図３参照）、制御部２０における制御方法が異なる。
【００６３】
すなわち、入力部１６に被吸着物２の品種が入力されると、制御部２０では、被吸着物２に関する所定の情報に応じて、第２レギュレータ７における設定真空度を自動的に制御する。
【００６４】
経路中の内部真空度は、圧力センサ１０における実測値を参照し、設定真空度に近づくように調節される。
【００６５】
＜効果＞
本発明にかかる実施の形態によれば、真空吸着保持装置において、チャックステージ３吸着面に、１つの経路に通じる吸着口１３をさらに備え、１つの経路において、当該経路の内部真空度を調節するレギュレータとしての第２レギュレータ７をさらに備え、制御部１５が、被吸着物２に関する所定の情報に応じて第２レギュレータ７を制御することにより、真空度を自動的に制御することで、真空経路ごとに固定された内部真空度を選択する場合に比べ、自由度の高い内部真空度調節が可能となり、より被吸着物２に適した吸着のための真空度を実現することができる。
【００６６】
＜実施の形態３＞
＜構成＞
本実施の形態３にかかる真空吸着保持装置の構成図を図５に示す。実施の形態１と同様の構成については、同符合を付し詳細な説明を省略する。
【００６７】
図５に示すように真空吸着保持装置１０２では、吸着路１２に接続される真空経路は３つに分岐しており、実施の形態１における図１に加えて、第３レギュレータ１８および圧力センサ１０を備えた第３真空経路１９が、切替バルブ５に接続されている。なお、本実施の形態３では、真空経路が３つの場合を示しているが、さらに分岐数が増える場合であってもよい。
【００６８】
さらに、切替バルブ５の切替動作を制御する制御部１５に接続された、項目特性評価部１７が備えられる。その他の構成については、図１と同様のため詳細な説明を省略する。
【００６９】
＜動作＞
次に、実施の形態３に示す真空吸着保持装置１０２の動作手順について説明する。
【００７０】
実施の形態１における動作と同様のフローとなるが（図３参照）、制御部１５における制御方法が異なる。
【００７１】
すなわち、図３のステップＳ３における、被吸着物２をチャックステージ３吸着面に吸着させるための真空度は、第３真空経路１９を含めた３つの経路から選択するものとなる。よって、あらかじめ設定できる真空度の種類が増え、より適切な真空度を選択することができるようになる。真空度の設定は、例えば実施する試験項目に応じて行う。
【００７２】
さらに、制御部１５に接続された項目特性評価部１７において、特性試験における試験項目ごとに、被吸着物２に関する所定の情報がその試験の結果に及ぼす影響の度合い（寄与度）について評価される。当該評価結果は制御部１５に参照される。
【００７３】
項目特性評価部１７においては、各試験項目の実施条件等が記憶されており、被吸着物２に関する所定の情報をこれらと比較することで、上記評価を行う。同じ所定の情報でも、試験項目における実施条件で例えば測定値のスケーリングが異なることにより、測定値における影響の度合い（寄与度）も異なってくる。
【００７４】
ここで（電気的）特性試験における試験項目とは、被吸着物２の順方向および逆方向の電圧測定、同電流の測定、耐圧リーク測定等の個々の測定項目をいう。
【００７５】
制御部１５では、上記の評価結果を参照して、被吸着物２を吸着するための真空度を切替バルブ５を切り替えて選択する。
【００７６】
具体的には、被吸着物２としてダイオードを用いる場合、接触抵抗依存度が低いことを示す所定の情報が参照されても、どの程度真空度を下げた場合に、実施する試験項目における測定値に影響を与えるレベルとなるかまで評価する必要がある。当該評価を項目特性評価部１７で行うことで、測定値に影響のない範囲で真空度を適切に調節することができる。
【００７７】
例えば、ダイオードの定電流印加時の順方向電圧を測定する試験項目で、接触抵抗の測定値に対する影響が十分小さい範囲内で、真空度を低く設定することができる。
【００７８】
被吸着物２としてＩＧＢＴを用いる場合には、接触抵抗依存度が高いことを示す所定の情報が参照されても、どの程度真空度を上げた場合に、発生するＩＧＢＴの歪みが測定値に影響を与えるレベルとなるかまで評価する必要がある。当該評価を項目特性評価部１７で行うことで、測定値に影響のない範囲で真空度を適切に調節することができる。
【００７９】
例えば、ＩＧＢＴの電界強度を測定する場合を考える。半導体ウエハ厚を薄くすると歪み強度が低下し、電界強度が増加する。よって薄厚の半導体ウエハでは、ＩＧＢＴであってもその歪みが問題になることがある。
【００８０】
ＩＧＢＴの電界強度を測定する試験項目で、ＩＧＢＴの歪みの測定値に対する影響が十分小さい範囲内で、真空度を高く設定することができる。この場合、設置面にＰ型層が形成されていることで耐圧が低下（電界強度が低下）し、歪みによる電界強度の局所的な増加は緩和され、測定値に対する影響も抑制される。
【００８１】
上記のようにして、被吸着物２に関する所定の情報を考慮しつつ、例えば、逆方向の耐圧リーク測定では、真空度を下げて実施したり、接触抵抗が影響する低電流密度の順方向測定では、真空度を上げて実施したりすることができる。
【００８２】
＜変形例＞
本実施の形態３にかかる真空吸着保持装置の変形例を図６に示す。図４および図５と同様の構成については、同符合を付し詳細な説明を省略する。
【００８３】
図６に示すように真空吸着保持装置１０３では、吸着路１２に接続される真空経路はひとつであり、実施の形態１におけるような分岐はない。
【００８４】
次に、真空吸着保持装置１０３の動作手順について説明する。
【００８５】
実施の形態１における動作と同様のフローとなるが（図３参照）、制御部２０における制御方法が異なる。
【００８６】
すなわち、入力部１６に被吸着物２の品種が入力されると、制御部２０では、被吸着物２に関する所定の情報と、項目特性評価部１７において特性試験における試験項目ごとに評価した評価結果とに応じて、第２レギュレータ７における設定真空度を自動的に制御する。項目特性評価部１７においては、各試験項目の実施条件等が記憶されており、被吸着物２に関する所定の情報をこれらと比較することで、上記評価を行う。
【００８７】
経路中の内部真空度は、圧力センサ１０における実測値を参照し、設定真空度に近づくように調節される。
【００８８】
＜効果＞
本発明にかかる実施の形態によれば、真空吸着保持装置において、被吸着物２に対する特性試験における、被吸着物２の所定の情報の寄与度を評価する評価部としての項目特性評価部１７をさらに備え、制御部１５が、項目特性評価部１７における評価結果に応じて、真空度を自動的に制御することで、特性試験の試験項目によって真空吸着における真空度を制御できるため、さらに被吸着物２の不良率を低減することができる。
【００８９】
また、真空経路の数を増やすことで、より自由度の高い真空度制御を可能とすることもできる。
【００９０】
なお本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００９１】
２ 被吸着物、３ チャックステージ、４ 真空源、５ 切替バルブ、６ 第１レギュレータ、７ 第２レギュレータ、８ 第１真空経路、９ 第２真空経路、１０ 圧力センサ、１１ 吸着溝、１２ 吸着路、１３ 吸着口、１５，２０ 制御部、１６ 入力部、１７ 項目特性評価部、１８ 第３レギュレータ、１９ 第３真空経路、２１ 記憶部、１００〜１０３ 真空吸着保持装置。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被吸着物を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージと、
前記被吸着物に関する所定の情報を付与されることにより、前記所定の情報に応じて、前記チャックステージに吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部とを備えることを特徴とする、
真空吸着保持装置。
【請求項２】
前記制御部が、前記被吸着物に関する所定の情報である性質に応じて、前記真空度を自動的に制御することを特徴とする、
請求項１に記載の真空吸着保持装置。
【請求項３】
前記被吸着物に関する所定の情報である品種と、当該被吸着物に関する所定の情報である性質とを関連づけて記憶した、記憶部をさらに備え、
前記制御部が、前記品種に対応する前記性質を前記記憶部から参照し、それに応じて前記真空度を自動的に制御することを特徴とする、
請求項１または２に記載の真空吸着保持装置。
【請求項４】
前記被吸着物に対する特性試験における、前記被吸着物の前記所定の情報の寄与度を評価する評価部をさらに備え、
前記制御部が、前記評価部における評価結果に応じて、前記真空度を自動的に制御することを特徴とする、
請求項１〜３のいずれかに記載の真空吸着保持装置。
【請求項５】
前記チャックステージ吸着面に、内部真空度が互いに異なる複数の経路に通じる吸着口をさらに備え、
前記制御部が、前記被吸着物に関する所定の情報に応じて前記吸着口に通じる前記経路を切り替えることにより、前記真空度を自動的に制御することを特徴とする、
請求項１〜４のいずれかに記載の真空吸着保持装置。
【請求項６】
前記チャックステージ吸着面に、１つの経路に通じる吸着口をさらに備え、
前記１つの経路において、当該経路の内部真空度を調節するレギュレータをさらに備え、
前記制御部が、前記被吸着物に関する所定の情報に応じて前記レギュレータを制御することにより、前記真空度を自動的に制御することを特徴とする、
請求項１〜４のいずれかに記載の真空吸着保持装置。
【請求項７】
（ａ）被吸着物を、真空吸着によりチャックステージ吸着面に吸着して保持させる工程と、
（ｂ）前記被吸着物に関する所定の情報を付与されることにより、前記所定の情報に応じて、前記チャックステージに吸着させるための真空度を自動的に制御する工程とを備えることを特徴とする、
真空吸着保持方法。
【請求項１】
被吸着物を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージと、
前記被吸着物に関する所定の情報を付与されることにより、前記所定の情報に応じて、前記チャックステージに吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部とを備えることを特徴とする、
真空吸着保持装置。
【請求項２】
前記制御部が、前記被吸着物に関する所定の情報である性質に応じて、前記真空度を自動的に制御することを特徴とする、
請求項１に記載の真空吸着保持装置。
【請求項３】
前記被吸着物に関する所定の情報である品種と、当該被吸着物に関する所定の情報である性質とを関連づけて記憶した、記憶部をさらに備え、
前記制御部が、前記品種に対応する前記性質を前記記憶部から参照し、それに応じて前記真空度を自動的に制御することを特徴とする、
請求項１または２に記載の真空吸着保持装置。
【請求項４】
前記被吸着物に対する特性試験における、前記被吸着物の前記所定の情報の寄与度を評価する評価部をさらに備え、
前記制御部が、前記評価部における評価結果に応じて、前記真空度を自動的に制御することを特徴とする、
請求項１〜３のいずれかに記載の真空吸着保持装置。
【請求項５】
前記チャックステージ吸着面に、内部真空度が互いに異なる複数の経路に通じる吸着口をさらに備え、
前記制御部が、前記被吸着物に関する所定の情報に応じて前記吸着口に通じる前記経路を切り替えることにより、前記真空度を自動的に制御することを特徴とする、
請求項１〜４のいずれかに記載の真空吸着保持装置。
【請求項６】
前記チャックステージ吸着面に、１つの経路に通じる吸着口をさらに備え、
前記１つの経路において、当該経路の内部真空度を調節するレギュレータをさらに備え、
前記制御部が、前記被吸着物に関する所定の情報に応じて前記レギュレータを制御することにより、前記真空度を自動的に制御することを特徴とする、
請求項１〜４のいずれかに記載の真空吸着保持装置。
【請求項７】
（ａ）被吸着物を、真空吸着によりチャックステージ吸着面に吸着して保持させる工程と、
（ｂ）前記被吸着物に関する所定の情報を付与されることにより、前記所定の情報に応じて、前記チャックステージに吸着させるための真空度を自動的に制御する工程とを備えることを特徴とする、
真空吸着保持方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−８９７９３（Ｐ２０１３−８９７９３Ａ）
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２９５１９（Ｐ２０１１−２２９５１９）
【出願日】平成２３年１０月１９日（２０１１．１０．１９）
【出願人】（０００００６０１３）三菱電機株式会社 (33,312)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月１９日（２０１１．１０．１９）
【出願人】（０００００６０１３）三菱電機株式会社 (33,312)
【Ｆターム（参考）】
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