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Fターム[4M106DD30]の内容

Fターム[4M106DD30]に分類される特許

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【課題】検査時のプロービングによる不良の疑いのあるチップの流出を確実に防止することのできるウェハ検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】各チップにプローブを接触させて通電テストを制御するテスト制御手段5と、テスト制御手段5の結果からチップの良否を判定するテスト判定手段6と、各チップのアドレス情報と各チップに対するテスト判定手段6のテスト判定情報及びプローブによるコンタクト情報とを対応させて記憶する記憶手段7と、プローブがチップに接触する毎にチップのアドレス情報に対応するコンタクト情報を更新するコンタクト制御手段8と、コンタクト情報が予め設定した限界条件を超えたときはチップを不良と判定するコンタクト判定手段9とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の電気的な測定を複数回行なう場合であっても、正確に測定を行なうことができる半導体素子の測定方法を提供する。
【解決手段】半導体素子に形成された電極パッドにプローブを接触させて、前記半導体素子における電気的特性を測定する半導体素子の測定方法において、前記電極パッドに接触させた際に、先端部が前記電極パッドに対して第1の方向に動くプローブユニット61を前記電極パッドに接触させ測定を行なう第1の測定工程と、前記第1の測定工程の後、前記電極パッドに接触させた際に、先端部が前記電極パッドに対して第2の方向に動くプローブユニット62を前記電極パッドに接触させる第2の測定工程と、を有し、前記第1の方向と前記第2の方向とは異なる方向である。 (もっと読む)


【課題】 プロービング試験において、ウェハ1枚当たりの測定時間を短縮し、同時測定による効率的なプロービング試験の方法を提供する。
【解決手段】
各プロービング試験工程において、前回までのプロービング試験工程の良否結果が保存されたデータベースを参照し、前回までのプロービング試験工程の良否結果が全て良品のチップ(図の網掛け部分で記載)が含まれるように、同時測定の対象となるチップ群を算出する。特に、ウェハ内の第1方向(X方向)に配列したチップ列に対し順に同時測定を行なうに際し、チップ群の算出において、チップ群の先頭位置のチップが不良品の場合、当該先頭位置のチップが良品チップとなるまで、チップ群の先頭位置を第1方向に移動させる工程を備えることにより、同時測定の回数を低減する。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路のクロックに一定周波数のクロックのみを供給しつつ半導体集積回路の内部クロックを動的に変化させて半導体集積回路のランダム・ロジックを検査する。
【解決手段】複数の組み合わせ回路と当該複数の組み合わせ回路のスキャンテストを行うためのスキャンチェーンを構成する複数のスキャンフリップフロップとを有する半導体集積回路、の検査方法を、クロック生成装置から前記半導体集積回路に一定周波数の第1クロックを入力する入力工程と、前記半導体集積回路の内蔵する分周器が前記第1クロックを分周して第2クロックを生成する分周工程と、前記複数のスキャンフリップフロップに入力するクロックを、前記第1クロックと前記第2クロックとの間で動的に切り替えつつ前記半導体集積回路を検査する検査工程と、により構成する。 (もっと読む)


【課題】接触端子の劣化を防止することができる接触端子の支持体を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成された半導体デバイスを検査するプローブカード10は多数のプローブ12を支持するハウジング13を備え、該ハウジング13の本体15は複数の金属薄板14が積層されて構成され、本体15を厚み方向に貫通する各プローブ穴16には各プローブ12が挿嵌され、本体15に内蔵された各冷媒流路17がハウジング13を冷却する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、材料や工程の追加を抑制しつつ、被吸着物をチャックステージに適切に真空吸着させることができる真空吸着保持装置および真空吸着保持方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる真空吸着保持装置は、被吸着物2を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージ3と、被吸着物2に関する所定の情報を付与されることにより、所定の情報に応じて、チャックステージ3に吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部15とを備える。 (もっと読む)


【課題】酸化及び溶損を防止することができるプローブカード用接触端子を提供する。
【解決手段】半導体デバイスを検査するプローブカード10のベース11において半導体デバイスと対向する面には、複数のポゴピン12が配され、各ポゴピン12のプランジャー14は柱状の接触部14cを有し、接触部14cは、柱状の中心部14dと、中心部14dの側面を覆う外部筒14eとを有し、外部筒14eを構成する材料の硬度及び比抵抗は、中心部14dを構成する材料の硬度及び比抵抗と異なる。 (もっと読む)


【課題】高温や低温での試験直後でも熱の影響を受けずにハンドリング作業を可能にするプローブカードのハンドリング機構を提供する。
【解決手段】プローブ18を複数備えたプローブカード17をハンドリングするためのハンドリング機構25である。上記プローブカード17に取り付けられて当該プローブカード17がハンドリングされる際に用いられるハンドル26と、当該ハンドル26を上記プローブカード17に着脱可能に取り付ける着脱機構27とを備えた。上記ハンドル26は、複数の上記プローブカード17のいずれにも装着できる。 (もっと読む)


【課題】ウエハの位置ずれを防止することが可能な半導体検査装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハを固定する真空チャックを備えたウエハ保持具3と、上記ウエハ保持具3と対向して配置され、プローブ4が設けられたカード基板2と、上記ウエハ保持具3と上記カード基板2の間に密閉空間を作るために、上記ウエハ保持具3と上記カード基板2の間に上記半導体ウエハ6と上記プローブ4を取り囲むように設けられたスペーサ5と、上記密閉空間を減圧し、上記真空チャックにより上記半導体ウエハ6を吸着するための減圧装置を備えた半導体検査装置であって、上記密閉空間の圧力を、大気圧より低く、かつ、上記真空チャックの圧力よりも高い状態に維持するように減圧装置を制御する制御手段を備える。 (もっと読む)


【課題】電気特性取得評価方法に関し、試料側にもプローブ側にも問題を発生させることなく安定な電気特性取得評価を行う。
【解決手段】積層体の表面側電極に対するコンタクトホール21を露出する工程と、前記露出したコンタクトホール21に導電性物質を埋め込んで凸状構造22を形成する工程と、前記凸状構造22を含む領域にカンチレバーを間欠接触測定方式で接触させて前記凸状構造22の位置を認識する工程と、前記凸状構造22の中心軸の方向に前記カンチレバーを押しつけて電気特性を取得する工程とを設ける。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成でウェハの高電圧試験において空気放電を防止できる高電圧試験方法を提供する。
【解決手段】電極パッド形成工程の後のレジストパターン形成工程において、互いに隣接するソース電極パッド3とドレイン電極パッド4との間の隙間領域上とその隙間領域の近傍のソース電極パッド3とドレイン電極パッド4の外縁領域上とを覆うように、かつ、互いに隣接するソース電極パッド3の露出部3aとドレイン電極パッド4の露出部4aの最短距離が予め設定された電極間距離よりも長くなるように、レジストパターン6を形成する。 (もっと読む)


【課題】ウエハの電気特性検査時にプローブ針の先端に付着する異物に起因する検査精度の低下を抑制する。
【解決手段】ウエハの電気特性検査工程で使用するプローブカード15Aは、配線基板30と、配線基板30に取り付けられた金属製のプローブ針固定部31と、プローブ針固定部31に接合された複数のプローブ針33とを有している。プローブ針固定部31には、冷却管24が挿通されており、この冷却管24内を流れる冷却液Cによって、プローブ針固定部31に接合されたプローブ針33が冷却されるようになっている。 (もっと読む)


【課題】 搭載されるウエハに対して温度分布を均一にすることができ、かつ剛性に優れたウエハ加熱用ヒータを提供する。
【解決手段】 ウエハを載置する載置面1aを備えたウエハ載置台1と、ウエハ載置台1を加熱する発熱体2とを有するウエハ加熱用ヒータ10であって、ウエハ載置台1は、熱伝導率が250W/mK以上、ヤング率が200GPa以上の金属−セラミックス複合体からなる。この金属−セラミックス複合体は、Mg又はMg合金からなる金属と、SiCからなるセラミックスとの複合体であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】電気的接続装置の支持体の被検査体に対向する対向面領域に異物が付着したことを検知し、異物が付着した状態で電気検査が繰り返されることを防止することにある。
【解決手段】電気的接続装置は、電極が設けられた平面を有する被検査体の電気検査に用いられ、前記被検査体の前記平面に間隔をおいて該平面に対向して配置される対向面領域を備える支持体と、前記電極に接触されるべき針先部を有し、該針先部が前記電極に接触可能に前記対向面領域から突出する複数のプローブと、前記対向面領域に張り巡らされた少なくとも1つの配線であって互いに近接して並行に延び前記対向面領域から露出する複数の近接部分を有する配線と、前記近接部分での短絡又は前記配線の断線を検知可能な電気計測装置に前記配線を電気的に接続するための、各配線に電気的に接続された検知用電極とを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、テスト時に半導体の終端部での放電を防止することが可能な半導体テスト治具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体テスト治具は、プローブピン3と、プローブピン3を平面視で囲むように設けられた絶縁物2とが配設された土台1と、土台1のプローブピン3および絶縁物2が配設された側の面に対向して配置され、土台1側の面上に被検体4を載置することが可能なステージ6とを備え、ステージ6に被検体4を載置して土台1とステージ6とが接近する方向に移動する際、プローブピン3が被検体4に形成された電極と接触すると共に、絶縁物2が被検体4に接触することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】熱処理機構上の被検査体を所定の温度に調節した状態で、当該被検査体にプローブを接触させて被検査体の電気的特性の検査を行うプローブ装置において、前記熱処理機構の温度を適切に校正する。
【解決手段】温度校正装置の温度検査治具10は、載置台上に載置される被処理ウェハ70と、被処理ウェハ70上に設けられ、温度変化に応じて抵抗値が変化する4つの測温抵抗体71と、被処理ウェハ70上に設けられ、測温抵抗体71と電気的に接続され、且つ被処理ウェハ70の温度計測時にプローブが接触する8つのコンタクトパッド72とを有している。温度校正装置の制御部では、コンタクトパッド72とプローブを介して測定される測温抵抗体71の抵抗値に基づいて被処理ウェハ70の温度を計測し、さらに当該計測された被処理ウェハ70の温度に基づいて載置台の温度を調節する。 (もっと読む)


【課題】ウエハ検査装置の設置スペースを削減することができると共に設置コストを低減することができるウエハ検査装置を提供する。
【解決手段】本発明のウエハ検査装置10は、ウエハを一枚ずつ搬送するように第1の搬送領域S2に設けられた第1のウエハ搬送機構12と、第1の搬送領域の端部にあるアライメント領域S3内でウエハ保持体15を介して第1のウエハ搬送機構12によって搬送されるウエハWを検査位置にアライメントするアライメント機構14と、第1の搬送領域S2及びアライメント領域S3に沿う第2の搬送領域S4内でウエハ保持体15を介してウエハWを搬送する第2のウエハ搬送機構16と、第2の搬送領域に沿う検査領域S5に配列され且つウエハ保持体15を介して第2のウエハ搬送機構16によって搬送されるウエハWの電気的特性検査を行う複数の検査室17と、を備え、検査室17ではアライメント後のウエハの電気的特性検査を行う。 (もっと読む)


【課題】検査装置に用いられる冷却装置の消費エネルギーを節減することができる冷却装置の運転方法を提供する。
【解決手段】冷却装置及び加熱装置を介して温度調節可能なウエハチャック上に半導体ウエハを載置し、制御装置の制御下で半導体ウエハの低温検査及び半導体ウエハの高温検査を行う際に、制御装置の制御下でウエハチャックを冷却する冷却装置を制御する方法であって、低温検査を行う時には制御装置を介して冷却装置を連続的に運転し、高温検査を行う時には、制御装置を介して高温検査の開始に合わせて冷却装置を少なくとも一回停止する。 (もっと読む)


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