【課題】処理前に基板温度を計測する基板の温度計測装置及び方法、基板温度が所定の温度範囲内にない場合に再加熱、冷却を行う基板の温度調整装置及び方法を提供する。
【解決手段】搬送ロボットで搬送された基板が停止する成膜室の入口の手前の位置であり、当該位置の基板の裏面側に、加熱した基板の裏面の温度を計測する温度計測装置を設け、当該温度計測装置により、加熱した基板の裏面の温度を計測し（Ｓ５）、計測した基板の裏面の温度が所定の温度範囲内にない場合（Ｓ６）、所定の温度範囲より大きい場合には、搬送ロボットで保持した状態で基板を冷却し（Ｓ７→Ｓ８）、所定の温度範囲より小さい場合には、搬送ロボットで再び加熱室へ搬送し、加熱室で加熱する（Ｓ７→Ｓ２）。 （もっと読む）

【課題】抵抗加熱ヒータとしてＳｉＣヒータを用いてＧａＮ薄膜を気相成長させる気相成長装置において、ＳｉＣヒータが窒化しないパージ方法、該パージ方法を適用した気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置１における抵抗加熱ヒータのパージ方法は、基板２５の加熱手段としてＳｉＣヒータ１１を用い、ＳｉＣヒータ１１によって基板２５の温度を１０００℃以上に加熱して基板２５に窒化物系化合物半導体膜を形成する気相成長装置におけるＳｉＣヒータ１１のパージ方法であって、ＳｉＣヒータ１１をパージするパージガスとして、アルゴン、キセノン、またはこれらの混合ガスのいずれかを用いることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】電流密度の低下をより確実に抑制できる技術を提供すること。
【解決手段】炭素電極１０は炭素基材２０と、ダイヤモンド層３０とを含んでいる。ダイヤモンド層３０は、ダイヤモンド種結晶３１と、このダイヤモンド種結晶３１から成長するとともに炭素基材２０表面を被覆する成長層３２とを含んで構成される。成長層３２は、ダイヤモンド種結晶３１の下方に、ダイヤモンド種結晶３１から成長し、炭素基材２０と接する成長領域３２１を含む。 （もっと読む）

【課題】 基板を加熱するためのヒータに通電する電流導入端子が、冷媒を導入する冷却容器に備えられた構成を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、ヒータからの熱が電流導入端子を介して気相成長装置の各部品に拡散することを、効果的に抑制できるIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 電気絶縁された電流導入端子の少なくとも一部を厚さ０．１〜１ｍｍのフッ素樹脂膜で被覆し、該フッ素樹脂膜を介して該電流導入端子を冷媒により冷却できる構成とする。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波処理装置において被処理体に対して均一な処理を行う。
【解決手段】マイクロ波処理装置１は、ウエハＷを収容する処理容器２と、マイクロ波導入装置３と、制御部８とを備えている。マイクロ波導入装置３は、マイクロ波を生成する複数のマグネトロン３１を有し、制御部８は、ウエハＷを処理するための状態が継続している間に、複数のマグネトロン３１の各々を任意に組み合わせた複数の組み合わせ毎に、且つ、各組み合わせ内で同期して、マイクロ波を生成する状態とマイクロ波を生成しない状態とが交互に複数回繰り返されるように、複数のマグネトロン３１を制御する。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバのカバーの表面の温度を慎重に制御したとしても起こり得る欠陥の発生に対する改善策を提供する。
【解決手段】上方カバー２および下方カバー３を有する処理チャンバ１において気相成長法によって半導体ウエハ５の上に層を堆積する方法および装置が提供される。方法は、半導体ウエハの前面側の温度を測定するステップと、半導体ウエハを堆積温度に加熱するステップと、処理チャンバの上方カバーの温度を目標温度に制御するステップとを備え、上方カバーの温度は、上方カバーの外表面の中心において測定され、上方カバーの温度を制御する制御ループの制御変数の実際の値として使用され、方法はさらに、層を堆積するための処理ガスが処理チャンバを介して導入されるガス流量を設定するステップと、処理チャンバの上方カバーの温度を目標温度に制御する際に堆積温度に加熱された半導体ウエハの前面側に層を堆積するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】温度センサを用いて熱処理を制御する際の不具合を抑制する基板処理装置及び基板処理装置の温度制御方法を提供する。
【解決手段】第１の放射温度計の第１の温度検出手段と、第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の上限よりも高い温度を温度の範囲の上限とし、かつ、第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の下限よりも高い温度を測定される温度の範囲の下限とする第２の放射温度計を用いて、温度を検出する第２の温度検出手段とを有し、前記第１の温度検出手段により検出された温度が第一の閾値を超えた場合には第２の温度検出手段に切り替え、前記第２の温度検出手段により検出された温度が前記第一の閾値より低い第二の閾値を下回った場合には第１の温度検出手段に切り替え、前記第１の温度検出手段又は前記第２の温度検出手段により検出された温度と予め定められた閾値とに基づいて、加熱手段の制御を切り替える。 （もっと読む）

【課題】支持体と、無機膜とを有する機能性フィルムにおいて、優れた機能を発現し、かつ、無機膜の密着性が良好で、さらに、緻密な無機膜の圧縮応力に起因する剥離やクラックの発生を抑制した機能性フィルム、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】機能性フィルムの無機膜が、領域Ｂと、領域Ｂよりも高密度／薄い領域Ａとを有し、領域Ｂ−領域Ａ−領域Ｂの積層構造を１以上有する機能性フィルム、および、支持体を搬送しつつ、搬送方向に配列された複数のプラズマＣＶＤによる成膜手段によって表面温度が２０℃以下にならないようにして同じ無機膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】原料収率の向上を図るとともに、超電導用基材の表面への超電導層の成膜を安定して行うことができるＣＶＤ装置、及び、超電導線材の製造方法を提供すること。
【解決手段】原料ガスを噴出する原料ガス噴出部４１と、テープ状基材Ｔを支持するとともに伝熱によりテープ状基材Ｔを加熱するサセプタ３３と、サセプタ３３を加熱するヒータ３５と、原料ガス噴出部４１から噴出された原料ガスをテープ状基材Ｔの表面に案内する延長ノズル４３とを備え、テープ状基材Ｔの幅方向における両側にダミーテープＳが配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反応ガスが滞留する空間を低減した成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１の内部に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２の上方に設けられて反応ガスが透過するシャワープレート１５とを有する。シャワープレート１５がライナ２の上部開口部５２を塞ぐ位置から上方に移動することにより、チャンバ１の壁に設けられた基板搬出入口４７を介してチャンバ１の外部とライナ２の内部とが連通する。また、成膜装置１００は、ライナ２の内部に設けられ、成膜処理が行われる基板７を支持して鉛直方向に移動させる基板支持部５０と、基板搬出入口４７を通じて反応室に出入するロボットハンド４８とを有する。基板支持部５０とロボットハンド４８との間で基板７の受け渡しが行われる。 （もっと読む）

【課題】温度分布の制御精度の向上を図ることができるセラミックスヒータを提供する。
【解決手段】本発明のセラミックスヒータ１によれば、各発熱抵抗体Ｑｋ（ｋ＝１〜５）から発せられた熱を、セラミックス基板２から伝熱面としての接合界面Ｓｊ（ｊ＝１〜３）を通過させた上で、セラミックス支持部材４の低温箇所に流れ込ませることができる。セラミックス基板とセラミックス支持部材との接合界面Ｓｊは、セラミックス基板２の載置面Ｓに対して垂直な軸線を取り囲むとともに、当該軸線に対して垂直な方向に離散的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えて被処理体毎の温度変化を抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】排気可能になされた処理容器４と、前記処理容器内に設けられて被処理体Ｗを載置するための載置台２４と、前記被処理体を加熱するための加熱手段３０と、前記載置台と対向するように前記処理容器の天井部に設けられて成膜用の原料ガスを供給するシャワーヘッド部６と、を有して前記被処理体の表面に所定の薄膜を堆積する成膜装置において、前記シャワーヘッド部の表面を、表面処理により輻射率が０．５以上になるように設定する。これにより、シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えるようにする。 （もっと読む）

【課題】アウトヒータのヒータエレメントの円周方向への変形に、ヒータ電極部が追従し、ヒータエレメントやヒータ電極部の破損、周辺部材への接触を防ぐことが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ支持部材15を所定の温度に加熱するための、一か所に間隙を有する環状のヒータエレメント19aと、このヒータエレメント19aの各端部に設けられる第１のヒータ電極部と第２のヒータ電極部とを有するヒータ18、19と、第１のヒータ電極部と第２のヒータ電極部とそれぞれ接続される第１の電極部品と第２の電極部品と、第１の電極部品が固定される第１の溝と、第２の電極部品が配置され、ヒータエレメント19aの円周方向において、第１の電極部品と第１の溝との第１の遊びより、第２の電極部品との第２の遊びが大きくなるように設けられる第２の溝とを有するベース28と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】第１基体を第１ロール室から第２ロール室へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１基体を脱ガスする段階、第１基体に第２成膜室で第２の膜材料を成膜する段階、第１基体を第２ロール室で巻取ることにより第１基体を生成する段階を備え、更に、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向において第２基体を生産するために同様の動作を行う。ここで、第２の膜材料が成膜された第１基体を生成するにあたり、第１成膜室の第１カソード電極が第１成膜室から取り除かれ、また、第１の膜材料が成膜された第２基体を生成するにあたり、第２成膜室の第２カソード電極が第２成膜室から取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】上下方向で基板両面が基板よりも大きい輪郭の処理手段で覆われる場合でも基板とマスクの相対位置を撮像し、基板とマスクを精度よく位置決めでき、ＣＶＤ装置に適用したときでも、膜厚や膜質の面内均一性よく成膜できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１ａ内で基板Ｓに対向配置されるマスクＭと、基板に対してマスクを相対移動させる移動手段６３と、基板上側に配置されて基板の片面に対してマスク越しに所定の処理を施すガス導入部３及び高周波電源５と、基板の他面を覆うように基板下側に配置される本体２１を有して基板の他面側から所定の処理を施す加熱プレート２とを備える。本体２１下側に撮像手段７を設け、本体２１に上下方向の透孔２４ａを形成すると共に透孔内に透光性部材２４ｂを埋め込んで撮像用光路２４を構成し、撮像用光路を通して撮像手段により基板とマスクの相対位置を撮像し、この撮像データを基に移動手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が発生したり、膜厚のばらつきが生じたりすることなく、均一で信頼性の高い薄膜を形成することのできるエピタキシャル成長用サセプタを提供する。
【解決手段】ウエハを載置するウエハ載置面１１に凹部１２を有するエピタキシャル成長用サセプタであって、前記凹部は底面に凸面１３を有し、前記凹部１２は中心軸Ｏ_１を有し、前記ウエハ載置面１１を垂直に分割し、前記凹部１２の前記中心軸を含む断面が、前記中心軸Ｏ_１と前記凸面１３の周縁との中間部で、前記中心軸Ｏ_１上の上端と前記外周縁とをとおる円の外周面よりも外側に突出する領域を有する。 （もっと読む）

【課題】欠陥等が無く均質化され同じ内部応力の半導体薄膜を、基板の両面に同時に結晶成長させることができ、しかも、製造工程が簡単で、歩留まりも高い半導体薄膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体薄膜の製造方法は、基板３の表面３ａに第１の半導体薄膜を、この基板３の裏面３ｂに第２の半導体薄膜を、同時に形成する半導体薄膜の製造方法であり、基板３の表面３ａを赤外線ランプ１５で加熱するとともに、この表面３ａに第１の原料ガスｇ１を導入し、この表面３ａに第１の半導体薄膜を成長させ、同時に、この基板３の裏面３ｂに第２の原料ガスｇ２を導入し、この裏面３ｂに第２の半導体薄膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】表面処理時では被処理物以外の箇所に副生成物が堆積することを抑制し、クリーニング処理時では堆積した副生成物が効率的に除去される表面処理装置を提供する。
【解決手段】筐体部１０内に設けられる円筒状の試料保持台１２上の基板１８に対して表面処理に利用される原料流体が供給される際には、試料保持台１２の側方周囲に設けられる隔壁１４は、試料保持台１２の側面を覆う位置に移動し、基板１８に対して筐体部１０内のクリーニング処理に利用されるクリーニング流体が供給される際には、隔壁１４は、試料保持台１２の側面が露出する位置に移動する表面処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】表面処理における基板の面内均一性を維持しながら、基板に供給する原料流体の使用量を低減する表面処理装置を提供する。
【解決手段】回転する基板１８面に垂直方向を軸方向とした時の基板１８に対する前記原料流体の軸方向速度分布に基づいて算出された流量で、前記原料流体が基板１８に向かって縦型流として供給され、基板１８の径（ｄ）に対する原料流体供給流路部２８の流入口の径（Ｄ）の割合（Ｄ／ｄ）が、１〜１．１２５の範囲である表面処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】 導電回路と電極部材との接続部の信頼性を高めた封止講造を有するウェハ保持体を提供する。
【解決手段】本発明のウェハ保持体は、ウェハ保持体の内部に埋設された導電回路と該導電回路に給電するための電極部材との電気的接続部を、環状部材と封止部材とによって封止する構造であって、該環状部材の内径が環状部材の厚み方向に一定ではないことを特徴とする。前記環状部材の最小内径は、該環状部材の厚み方向のウェハ保持体のセラミックス基板側にはないことが好ましい。また、前記環状部材のウェハ保持体側の内径は、前記電極部材の外径より０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下大きく、前期環状部材の最小内径は、前記電極部材の外径より０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下大きいことが好ましい （もっと読む）