【課題】結晶基板を安価に製造可能な手段を提供する。
【解決手段】本発明は、気相成長装置の基板保持具(10)に保持される下地基板(20)の結晶成長面(21)上に結晶膜(30)を成長させ、該結晶膜(30)から、２インチ、２．５インチ、３インチ、４インチ、５インチ、６インチ、５０ｍｍ、７５ｍｍ、１００ｍｍ、１２５ｍｍ、１５０ｍｍのうちのいずれか１つに略等しい直径Φを有する結晶基板(35)を製造する方法であって、前記基板保持具(10)は、前記下地基板(20)の結晶成長面(21)の一部を露出させる開口部(12)を備え、前記開口部(12)は、その輪郭に円弧状部(13)を含み、前記円弧状部(13)は、前記直径Φと略等しい直径を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原料ガスのガス流の安定化を図り、長時間安定してＳｉＣ単結晶を成長させることを可能とする。
【解決手段】台座１０とヒータ１１とを別体にすると共に、排気ガス出口１１ａが台座１０よりも下方位置に配置されるようにすることで台座１０によって覆われないようにし、台座１０が引上げられても面積の変動が無いようにする。このような構成とすることで、ＳｉＣ単結晶の成長中に原料ガス３のガス流が変化しないようにできる。これにより、原料ガス３のガス流の安定化を図ることが可能となり、長時間安定してＳｉＣ単結晶を成長させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が発生したり、膜厚のばらつきが生じたりすることなく、均一で信頼性の高い薄膜を形成することのできるエピタキシャル成長用サセプタを提供する。
【解決手段】ウエハを載置するウエハ載置面１１に凹部１２を有するエピタキシャル成長用サセプタであって、前記凹部は底面に凸面１３を有し、前記凹部１２は中心軸Ｏ_１を有し、前記ウエハ載置面１１を垂直に分割し、前記凹部１２の前記中心軸を含む断面が、前記中心軸Ｏ_１と前記凸面１３の周縁との中間部で、前記中心軸Ｏ_１上の上端と前記外周縁とをとおる円の外周面よりも外側に突出する領域を有する。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で行なわれるＳｉＣエピタキシャル膜の成膜処理において、複数枚の基板上にわたって均一なＳｉＣエピタキシャル膜を成膜することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態では、異なる第１のガス供給系と第２のガス供給系を設け、第１のガス供給系からアルゴン（Ａｒ）ガス、四塩化珪素（ＳｉＣｌ_４）ガス、プロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスの一部および塩化水素（ＨＣｌ）ガスを供給し、第２のガス供給系から残りのプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスと水素（Ｈ_２）ガスを供給している。 （もっと読む）

【課題】種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する方法を提供する。
【解決手段】種基板１４を固定するポケット部１２と、サセプター１１と種基板１４との間に、種基板１４と反応しないサブサセプター１３とを備えてなり、かつ、種基板１４とサブサセプター１３との間に間隙を有してなる、サセプター１１を用いる。なお、間隙の大きさと、窒化ガリウム自立基板の厚みは、それぞれ、０ｍｍ超過２ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】気相成長法による窒化ガリウム自立基板の製造において種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する。
【解決手段】種基板１４に、剥離層を形成し、種基板を配置してなるサセプター１１に、窒化ガリウム結晶を形成する原料ガスを供給し、前記サセプターにおける前記種基板において、前記種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制し、窒化ガリウム自立基板２２を気相成長させることを含んでなり、前記サセプターが、前記種基板を固定するポケット部分１２と、前記サセプターと前記種基板との間に、前記種基板と反応しないサブサセプター１３とを備えてなり、かつ、前記種基板と前記サブサセプターとの間に間隙を有してなり、前記種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶に多結晶が癒着することを抑制し、より高品質なＳｉＣ単結晶を製造できるようにする。
【解決手段】台座９をパージガスが種結晶５の裏面側から供給できる構造とし、種結晶５の外縁に向けてパージガスを流動させられるようにする。このような構造とすれば、パージガスの影響により、台座９のうちの種結晶５の周囲に位置する部分に多結晶が形成されることを抑制できる。これにより、ＳｉＣ単結晶２０を長尺成長させたとしても、多結晶のせり上がりによりＳｉＣ単結晶２０の外縁部に多結晶が癒着することを防止することが可能となる。したがって、外縁部の品質が損なわれることなくＳｉＣ単結晶２０を成長させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】品質の良いアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物の結晶を得るため反応温度を得るとともに、反応器内のガス対流をできるだけ抑止することができる結晶成長装置を提供すること。
【解決手段】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物を基板上に気相成長させる結晶成長装置１は、縦管８と横管７とから構成されるＴ字状の反応器を備えている。結晶成長装置１は、縦管８と横管７に臨んだ領域には、基板を保持するタングステン製の加熱支持台２２と、加熱支持台２２を誘導加熱する高周波コイル２４と、横管７に導入されＩＩＩ族ハロゲン化物を基板上に供給するハロゲン化物ガス管１５と、横管７に導入され窒素源ガスを基板上に供給する窒素源ガス管１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板１５を支持する底面サセプタ部１４ａと、サセプタ１４ａ，ｂの上面に沿って流れる材料ガス流を供給するノズル１１と、を含む。サセプタ１４ａ，ｂは、それぞれが基板と同一材料からなる、底面サセプタ部１４ａの上面に基板に嵌合する凹状の基板保持部を画定する外周サセプタ部１４ｂとサセプタ１４ａ，ｂの裏面を画定する底面サセプタ部１４ａとから構成されていること、外周サセプタ部１４ｂは、基板１５の上面と同一平面となる基板保持部を囲む上面を有しかつ、基板保持部を囲む上面が基板の上面の結晶面方位と同一の結晶面方位を有する。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長法において、リアクタの割れを抑制し、高品質な単結晶体を得ることが可能な単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガス５の供給方向と対向した下面に第１の開口２ａと、上面に前記第１の開口２ａよりも小さい第２の開口２ｂと、内壁面に種基板４を設置するための斜面２ｃと、を有し、前記第２の開口２ｂから前記第１の開口２ａに向かって先細りとなる錐台形状を示す貫通孔３を具備するサセプタ１に対して、前記第１の開口２ａから前記原料ガス５を前記種基板４に供給し、前記種基板４を通過した前記原料ガス５を、前記第２の開口２ｂから前記サセプタ１の外に放出させる。これにより、サセプタ１の外周に設けられたリアクタ７に原料ガス５が流れることが抑制されるため、リアクタ７の割れが低減し、結果として長時間の単結晶体成長が可能となるので、バルク状の高品質な単結晶体が得られる。 （もっと読む）

【課題】気相成長中の半導体基板の外周縁のキズを低減することで割れを防止し、さらには、半導体基板の偏心を抑制することで、成長させる単結晶薄膜の膜厚分布の悪化を防止できる気相成長用サセプタ及びそれを用いた気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置において半導体基板Ｗを載置する凹形状のザグリ１１を有する気相成長用サセプタ１０であって、少なくとも、ザグリ１１は底面１３と側壁１４とからなり、側壁１４は、周縁の一部に、ザグリ１１中心に向かって深さが増すように傾斜したテーパ状又は曲線状の断面形状を含む傾斜側壁１５が形成され、側壁１４の残りの周縁には、傾斜側壁１５が形成されていないものである気相成長用サセプタ１０。 （もっと読む）

【課題】エッチングガスを使用しなくても、種結晶が設置される台座周囲にＳｉＣ多結晶が堆積することを抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】台座１０の円板部１０ａの背面に温度調整パイプ１１ａを備え、温度調整パイプ１１ａによって台座１０の円板部を冷却する。これにより、種結晶５の表面の温度を所望温度に維持しつつ、台座１０の周囲の温度をそれよりも高温にすることができる。つまり、台座１０の円板部１０ａを背面側から冷却することにより、相対的に台座１０の周囲の温度を台座１０の中央部よりも高温にできるので、エッチングガスを使用しなくても、種結晶５が設置される台座１０の周囲にＳｉＣ多結晶が堆積することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で対象物を直接に温度制御でき、熱効率が高く、かつ小型で簡易的な温度制御装置、およびこの温度制御装置を備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】この温度制御装置は、真空チャンバ１１内に設置されかつ対象物を配置する伝熱ステージ１２の温度を制御するための温度制御装置であって、ピストン機構部１３Ａと冷凍機冷却部１３Ｂを有し、冷凍機冷却部を伝熱ステージに直接に接触させるように当該冷凍機冷却部が真空チャンバの内部に配置されるようにされた冷凍機１３と、冷凍機の冷却運転動作を制御する制御部１７とを備えるように構成される。また真空処理装置１０はこの温度制御装置を備えるように構成される。 （もっと読む）

【課題】例えばＧａＮ等の結晶を成長させる場合において、同時に複数の結晶を製造させ、結晶製造の生産性を向上させることが可能な結晶製造装置及び結晶製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内で複数の基板２００を保持する基板保持台２１７と、処理室２０１内に所定のガスを供給するガス供給部と、処理室２０１内のガスを排出するガス排出部と、を備え、基板保持台２１７は、複数の支柱２１７ａと、支柱２１７ａの長手方向に複数設けられる基板保持棚２１７ｂと、複数の基板保持棚２１７ｂにそれぞれ立設される基板保持部支持体２１７ｃと、基板保持部支持体２１７ｃにそれぞれ設けられ、基板２００を保持する基板保持部２１７ｄと、を備える。 （もっと読む）

【課題】温度変化による転位および不純物の少ない高品質な単結晶体、単結晶基板、および単結晶体の成長を行うことが可能な単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶体３ｂの製造方法は、反応加熱室２ａの内壁と離間するように反応加熱室２ａ内に種基板３ａを配置する工程と、種基板３ａを含む領域を加熱し、原料ガス５ａ，５ｂを種基板３ａに吹き付けて種基板３ａ上に単結晶体３ｂを気相成長させるとともに、反応加熱室２ａの内壁に沿わせて反応加熱室２ａ内にエッチングガス１０を流す工程と、を具備する。 （もっと読む）

【目的】 シリコンウェハ１０１の支持部となるホルダ１１０への貼り付きを防止することを目的とする。
【構成】 チャンバ１２０内には、ホルダ１１０上に載置されたシリコンウェハ１０１が収容され、前記チャンバ１２０には成膜するためのガスを供給する流路１２２及びガスを排気する流路１２４が接続されたエピタキシャル成長装置１００において、ホルダ１１０は、凹み有する第１のザグリ穴１１４と、前記第１の凹部の底部にさらに凹みを有する第２のザグリ穴１１６との２段サグリを有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜するために導入するガスが分解されないまま排気されることを抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】基板１１の一方の主表面上にたとえばＳｉＣやＳｉのエピタキシャル層を形成するために用いる成膜装置１００の本体部３０は、ガス供給部９から供給される、成膜の原料となるガスを用いて成膜を行なう成膜領域２１と、成膜に用いられなかった未反応の残留ガスを分解する分解領域２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】種結晶を継続して成長させつつ、炭化珪素単結晶の結晶性の低下や、らせん転位などの結晶欠陥をさらに抑制できる炭化珪素単結晶の製造方法の提供
【解決手段】本発明に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、炭化珪素を含む種結晶７０、及び種結晶７０の下方に配設され、種結晶７０の成長に用いられる昇華用原料８０を収容する黒鉛製坩堝１０と、黒鉛製坩堝１０の側部の周囲に配設され、黒鉛製坩堝１０を誘導加熱コイル３０ａを用いて加熱する加熱部３０と、加熱部３０と黒鉛製坩堝１０との間に配設される断熱部材１２とを用いて、黒鉛製坩堝１０の側面視において、黒鉛製坩堝１０に収容された種結晶７０の成長につれて、黒鉛製坩堝１０の側方方向における断熱部材１２の厚さを減らす工程を備える。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェハの裏面に異常成長を発生させることなくエピタキシャル膜の膜厚のばらつきを小さくできるエピタキシャルウェハの製造装置の提供。
【解決手段】サセプタ３１の中央とウェハＷの中央とが略一致する状態でウェハＷを設置してエピタキシャルウェハＷＥを製造する製造装置１に、上端が半球状の略円柱状のセンターロッド３３をサセプタ３１の非載置面３１２側において上下方向に延びるように、かつ、上端がサセプタ３１の中央と点接触する状態で設けた。このため、この点接触部分がセンターロッド３３により吸熱されて温度が低くなる。また、両者を面接触させる場合と比べて、接触による吸熱作用を小さくでき、サセプタ３１中央の局所的な温度低下を招くことがない。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜が厚肉でもエピタキシャル膜にスティッキングが発生しにくく、エピタキシャル膜のウェーハ面内均一性を保持可能なエピタキシャル成長用サセプタおよびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長用サセプタ１０の上面に沿ってシリコンウェーハ１１へ流れるソースガスは、途中の環状段差面１５によって淀みと逆流とが発生する。そのため、サセプタ１０の凹部１２の側壁近傍でのソースガスの流れが変わり、ウェーハ１１と凹部１２の側壁１４との隙間ｄへ回り込みにくくなる。よって、エピタキシャル膜２１が厚肉でもスティッキングが発生せず、この膜１２の外周部の厚さの低下もほとんどなく、膜厚の分布がウェーハ面内で均一なエピタキシャルウェーハ２２を作製できる。 （もっと読む）