【課題】Ｓｉ元素を含む原料が目的とする結晶に取り込まれることなく副生物となるのを抑え、結晶中のＳｉ濃度を安定に制御することができる、第１３族窒化物結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１３族元素、窒素元素およびＳｉ元素を含む原料を用いて、Ｓｉ取込効率１０％以上で結晶成長を行うことにより、Ｓｉ元素を含有する第１３族窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で行なわれるＳｉＣエピタキシャル膜の成膜処理において、複数枚の基板上にわたって均一なＳｉＣエピタキシャル膜を成膜することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態では、異なる第１のガス供給系と第２のガス供給系を設け、第１のガス供給系からアルゴン（Ａｒ）ガス、四塩化珪素（ＳｉＣｌ_４）ガス、プロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスの一部および塩化水素（ＨＣｌ）ガスを供給し、第２のガス供給系から残りのプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスと水素（Ｈ_２）ガスを供給している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】 厚み分布が小さく、温度変化による転位および不純物が少ない高品質な単結晶体を提供する。
【解決手段】 単結晶を形成させるための主面が水平となるように設けられた種基板を、回転軸が鉛直方向となるように回転させる工程と、前記種基板に向かって開口したガス供給口を先端に有し、同軸構造の外筒部と内筒部とから構成されたガス供給管の前記ガス供給口において、前記内筒部から３族元素ガスまたは５族元素ガスのいずれか一方を前記種基板に直接供給させ、前記内筒部と前記外筒部との間から３族元素ガスまたは５族元素ガスの他方のガスを、前記内筒部からのガス供給速度よりも遅いガス供給速度にて、前記種基板に直接供給させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ結晶（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ≦１）の厚みを均一にし、かつ成長速度を向上する結晶の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮ結晶を成長する工程では、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において主表面に近い側に位置する第１のガス供給部１１ａからＶ族元素の原料を含む第１原料ガスＧ１を基板２０の主表面２０ａ上に供給するとともに、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において第１のガス供給部１１ａより主表面２０ａから遠い側に位置する第２のガス供給部１１ｂから、複数のＩＩＩ族元素の原料である有機金属を含む第２原料ガスＧ２を基板２０の主表面２０ａ上に供給し、第１原料ガスＧ１の流速を第２原料ガスＧ２の流速の０．５以上０．８以下にし、反応容器３内の圧力を２０ｋＰａ以上６０ｋＰａ未満にする。 （もっと読む）

【課題】非常に高い温度に耐えられない分野で使用可能であり、その実施に関する熱負荷の低下にも寄与し、４５０℃未満の温度で行なわれ、触媒の構成元素のためにナノワイヤの不純物をもたらさず、結晶性に関して組織され、欠陥をほとんど有しないシリコン及び／又はゲルマニウムナノワイヤを組み立てる方法を提供する。
【解決手段】生じるナノワイヤの成長によって基板上にシリコン及び／又はゲルマニウムのナノワイヤを組み立てる方法であって、シリコンを含む前駆体とゲルマニウムを含む前駆体とを、前記基板に存在する酸化銅を含む化合物と接触させることを含む方法。 （もっと読む）

【課題】近赤外線放出源によって加熱され近赤外放射に対して透過性の処理チャンバ内で熱処理を行っている間に、回転サセプタの円形のポケット内にある半導体ウェハの不適正な位置を識別する方法において、サセプタのポケット内の半導体ウェハの実際の位置を求め、誤差が発生している場合にはこの誤差およびその原因を検出して解消すること。
【解決手段】パイロメータによって検出される測定スポットの一部は前記半導体ウェハ上であり、該測定スポットの一部は該半導体ウェハの外側であって前記回転サセプタ上であるように前記パイロメータを方向決めし、前記半導体ウェハの不適正な位置とは、前記回転サセプタのポケット内の偏心位置である方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貴金属酸化物、貴金属またはハロゲン化貴金属を前駆物質として用いて単結晶基板の表面に対して方向性を有する貴金属ナノワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】反応炉の前端部に配置した前駆物質と、反応炉の後端部に配置した半導体または不導体単結晶基板を、不活性ガスが流れる雰囲気下で熱処理して前記単結晶基板の表面に垂直または水平に成長する貴金属単結晶ナノワイヤ及びその製造方法。本発明は、触媒を使用しない気相輸送法を利用して貴金属ナノワイヤを製造することができ、その工程が簡単でかつ再現性があり、大量生産に適するメリットがある。製造されたナノワイヤは、欠陥や不純物を包含しない完璧な単結晶状態の高純度かつ高品質の貴金属ナノワイヤである。貴金属ナノワイヤは、単結晶基板の表面に対して特定の方向性を有し、その方向性及び配列を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド微粉末を成膜前処理に用いても、凝集なく、高密度にかつ均一に基材表面に分散する方法を示し、ダイヤモンド成長後の表面が十分平滑で異常成長なく、かつ基材との密着性の高いダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に形成されたダイヤモンド膜２であって、ダイヤモンド膜２の平均膜厚６の値の３／４以上の横方向差し渡しサイズ５を有する突起部４で定義される、膜２の成長面の異常成長ダイヤモンド突起部４が、１ｃｍ^２当たり１００個以下であるダイヤモンド膜２。ダイヤモンド膜２は、立方晶ダイヤモンドと六方晶ダイヤモンドとを含むダイヤモンド粉末を用意する工程と、ダイヤモンド粉末を液体溶媒中で撹拌する工程と、ダイヤモンド粉末を撹拌したダイヤモンド分散液中で基材１表面にダイヤモンドを種付け処理する工程とを備え、しかる後に基材１上に化学的気相合成法により製造される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に代表されるIV族半導体上に、基板面に対して垂直に延びる半導体ナノワイヤを配置すること。
【解決手段】（１１１）面を有するIV族半導体基板と、前記（１１１）面を被覆し、開口部を有する絶縁膜とを含む基板を準備し；前記基板を低温熱処理して、前記（１１１）面を、（１１１）１×１面とし；前記基板に低温条件下で、III族原料またはV族原料を供給して、前記（１１１）面を、（１１１）Ａ面または（１１１）Ｂ面に変換し；前記IV族半導体基板の（１１１）面から前記開口部を通して、III−V化合物半導体ナノワイヤを成長させる。IV族半導体基板とは、シリコン基板やゲルマニウム基板であったりする。 （もっと読む）

融液−固体界面の形状を制御することを容易にする、シリコン結晶を成長させるシステムが開示されている。当該結晶成長システムは、チョクラルスキー法により単結晶を成長させる半導体融液を含む加熱された坩堝を有する。上記融液から引き上げられたシード結晶上においてインゴットは成長する。当該方法は、上記融液に対してアンバランスなカスプ磁場を付加する工程と、上記融液からインゴットを引き上げつつ、インゴット及び坩堝を同じ方向に回転させる工程と、を有する。
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【課題】結晶性が良好な高濃度ドープ窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】硫黄原子を含む原料を供給して、下地基板２０１上に窒化物半導体結晶２０２を＋ｃ軸方向以外の方向へ成長させる。具体的には、−ｃ軸方向、ｍ軸方向、または、半極性面の法線方向である。ここで、半極性面とは（１０−１−３）面である。また、原料は、硫化水素、メチルメルカプタンおよびジメチルサルファイドからなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能な非極性基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、サファイア基板上に、ＧａＮ層と、Ａｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層とが交互に積層された半導体成長層を形成する工程と、半導体成長層を、半導体成長層の成長面と交差する方向に沿って分割することにより、ＧａＮ層からなる第１領域１１ａとＡｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層からなる第２領域１２ａとが縞状に配置された非極性面からなる主表面（切り出し面１００ａ）を有する半導体基板１００を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム結晶の成長方法は、キャリアガスと、窒化ガリウムの原料と、ドーパントとしてのシリコンを含むガスとを用いて、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法により下地基板上に窒化ガリウム結晶を成長させる窒化ガリウム結晶の成長方法である。窒化ガリウム結晶の成長時におけるキャリアガスの露点が−６０℃以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長法（HVPE）により、高温下でアルミン酸リチウム（LiAlO₂）基板上に窒化ガリウム（GaN）を生長させると、GaNが核形成する前に、基板のリチウム原子が分解されて、基板表面に拡散する。そこで、この問題を改善できる、化学蒸着法（CVD）とHVPEによる窒化ガリウムの生長方法を提供する。
【解決手段】CVDとHVPEが直列配列された２段式反応炉本体を利用して、その１段目の高温CVDにより、LiAlO₂基板上に、表面形態が良好であるGaNのナノ構造を生長させ、また、GaNのナノ構造を、新規の核形成点として、２段目のHVPEにより、厚い膜であるGaNを生長させる。 （もっと読む）

【課題】表面状態や断面形状が良好なIII族窒化物半導体の厚膜結晶を成長させることができる下地基板を提供する。
【解決手段】第１結晶成長面１１０と第１結晶成長面１１０と同じ方向に面している第２結晶成長面１０９を有する下地基板１１２であって、第１結晶成長面１１０の周縁の５０％以上または全周縁に下向きの段差を介して第２結晶成長面１０９が連接している。ここで、第１結晶成長面１１０は円形とし、第２結晶成長面１０９は環状であり、第１結晶成長面１１０と同心とする。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体結晶層を成長する場合にも、半導体結晶層の層厚を均一化できる気相成長方法を提供する。
【解決手段】基板(1)を保持した自転サセプタ(2)を公転サセプタ(3)に設置して前記基板(1)を自公転させ、加熱された前記基板(1)上に原料ガス(G)を供給して基板(1)上に半導体
結晶を成長させる気相成長方法において、前記基板(1)上に一つの半導体結晶層を成長さ
せるのに要する基板(1)の自転回数が１６回未満の場合に、前記一つの半導体結晶層を成
長させる時間を前記基板(1)の自転周期の整数倍とした。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャルシリコンウエーハを製造する際に多数の貫通孔を有するサセプタを用いた場合に、第二主表面に生じるナノトポロジーの凹凸が発生することを低減することができるエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 自然酸化膜除去工程とエピタキシャル成長工程とを含むエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法において、多数の貫通孔が形成されているサセプタを用い、前記エピタキシャル成長工程において流す水素ガスの流量と原料ガスの流量との比を、水素流量（ｓｌｍ）／原料ガス流量（ｓｌｍ）≧４としてエピタキシャルシリコン層の成長を行うエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 一般式：Al_xIn_yGa_1-x-yNで表される窒化物半導体結晶であって、低転位密度化のために初期核密度を低下させた窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に前記窒化物半導体の多数の初期核を形成し、成長に従って互いに融合させ、もって平滑な結晶とする工程を有し、前記初期核による前記基板の表面被覆率が0.8以下の期間において、式：ρ＝f/h²（fは表面被覆率であって、０≦f≦１を満たし、hは前記fを測定した時点における前記初期核の平均高さを表す。）により表される初期核密度ρが６×10⁵ cm^-2以下とする。 （もっと読む）

【課題】複雑で高コストとなる処理工程を経ることなく、微小な構造の位置制御性およびサイズ均一性を高める。
【解決手段】第１の物質からなる基板の上に第２の物質を堆積させ、ステップが規則的に配列する二次元表面相１１を形成する（Ｓ２）。ついで、二次元表面相１１の上に第３の物質を配置することにより、二次元表面相１１上のステップに第３の物質を含む液滴を配列させる（Ｓ３）。ついで、液滴島２１を結晶化させることにより、微小構造２２を形成する（Ｓ４）。 （もっと読む）