【課題】ＺｎＯ基板上へＺｎＯ系半導体結晶を１０００℃よりも高い高温で成長可能なホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板４０上に亜鉛含有ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入して、ＺｎＯ基板４０上にＺｎＯ系半導体層４６を結晶成長する工程を有し、亜鉛含有ガスの分圧は、１×１０^-4気圧以下、結晶成長温度は１０００℃以上、ＶＩ族元素とＩＩ族元素の供給比ＶＩ／ＩＩは１以上〜１００以下であるホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供する。
【解決手段】ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（工程１）により制限領域内に形成されたテラス２０２に、工程１よりもキャリアガスに含まれる水素の組成を少なくして、トリメチルガリウム(TMG)又はトリエチルガリウム(TEG)を供給し、テラス２０２の上にGaNの２次元核３０１を１個以上100個以下発生させる（工程２）。次に、工程２よりもキャリアガスに含まれる水素の組成を多くする（工程３）。これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる。工程２と工程３を交互に繰り返すことにより、２分子層以上の厚さのGaN薄膜３０３を成長させる。 （もっと読む）

【課題】シリコンおよび炭化ケイ素基板上に堆積されたＧａＮフィルムにおける応力の制御方法、およびこれによって生成されたＧａＮフィルムを提供する。
【解決手段】典型的な方法は、基板を供給すること、および供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上にグレーデッド窒化ガリウム層を堆積させることを含む。典型的な半導体フィルムは、基板と、供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上に堆積されたグレーデッド窒化ガリウム層とを含む。 （もっと読む）

【課題】一定量のシリコン原料ガスをシリコンエピタキシャル成長装置の反応室に供給できるシリコンエピタキシャルウエーハ製造システム及びシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料混合ガス集中供給装置１で生成した原料混合ガス中のシリコン原料ガスの濃度値を常時測定する複数の濃度値測定装置１８ａ，１８ｂと、前記濃度値、又は前記濃度値から計算された補正値を各シリコンエピタキシャル成長装置１１，１２，１３にデジタル信号で伝達する伝達手段１７と、前記濃度値若しくは前記補正値に基づいて、各シリコンエピタキシャル成長装置１１，１２，１３内の反応室１１ｃ，１２ｃ，１３ｃに供給する前記原料混合ガスの量を随時補正する流量制御装置１４，１５，１６と、を具備するシリコンエピタキシャルウエーハ製造システム１０とする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長温度を低下させても、結晶欠陥が少ない高品質の立方晶炭化ケイ素膜を高速にて成長させることが可能な立方晶炭化ケイ素膜の製造方法及び立方晶炭化ケイ素膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶炭化ケイ素膜の製造方法は、シリコン基板の上に炭素を含むガスを導入し、このシリコン基板を立方晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長温度まで急速加熱してシリコン基板の表面を炭化することにより立方晶炭化ケイ素膜を形成する第１の工程、この立方晶炭化ケイ素膜を立方晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長温度に保持しつつ、この立方晶炭化ケイ素膜の上に、炭素を含むガス及びケイ素を含むガスを導入し、この立方晶炭化ケイ素膜をさらにエピタキシャル成長させる第２の工程、を有する。 （もっと読む）

【課題】高品質のエピタキシャル膜を製造することができる、新たな炭化珪素エピタキシャル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】化学気相堆積法によって、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素エピタキシャル膜を成膜する炭化珪素エピタキシャル膜の製造方法であって、圧力条件又は基板温度条件のうち、いずれか一方の条件を固定したまま、成膜途中で、他方の条件を、高い設定条件と低い設定条件との間で切り替えることを特徴とする炭化珪素エピタキシャル膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】今まで固定されていた第三ゾーンの発熱体の位置を外部から可変できる可変温度勾配式マルチゾーン型電気炉を提供する。
【解決手段】本発明は、上記課題を解決するため、発熱体を有する加熱部を有する所謂内熱型の単結晶を合成する電気炉において発熱体が２個以上で構成される電気炉で、加熱源である発熱体の位置を外部から変えることにより、温度分布を変えることができる電気炉の構成とした。 （もっと読む）

【課題】層厚さが厚くてもＳｉＣ結晶中にある炭素空孔を低減できるＳｉＣ結晶成長層の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶成長層としてのドリフト層２３を成長させる工程内に、シリコン原料ガスであるシランと炭素原料ガスであるプロパンのうちのプロパンのみを結晶成長表面に供給する第２の期間を設けている。このことで、結晶成長表面の炭素の過飽和度を上げ、成長途中の表面に過剰な格子間炭素を発生させる。これにより、成長後のＳｉＣ結晶成長層としてのドリフト層２３の表面から離れている比較的深い箇所での炭素空孔を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への適用が可能な低欠陥密度の化合物半導体結晶基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】立方晶｛００１｝面を表面とする単結晶基板上に、エピタキシャル成長により２種類の元素Ａ、Ｂからなる化合物単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法において、反位相領域境界面ならびに元素ＡおよびＢに起因する積層欠陥を、表面に平行な＜１１０＞方向にそれぞれ等価に生じさせながら化合物単結晶を成長させる工程（Ｉ）と、工程（Ｉ）において生じた元素Ａに起因する積層欠陥を、反位相領域境界面と会合消滅させる工程（II）と、工程（Ｉ）において生じた元素Ｂに起因する積層欠陥を、自己消滅させる工程（III）と、反位相領域境界を完全に会合消滅させる工程（IV）と、を有し、工程（IV）は、工程（II）および（III）と並行して、又は、工程（II）および（III）の後に行う。 （もっと読む）

本発明は、原則的に石英ピースから成るエピタキシャル反応器の反応室に関する；石英ピースは、壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）によって規定される内部空洞（２）を持つ石英ピースの部分（１）を備える；空洞（２）は、エピタキシャル反応器の反応沈着ゾーン（３）を備える；ゾーン（３）は、そこで熱せられるサセプター（４）を収容するように適合している；反応室は、対抗壁を形成し前記ゾーン（３）の壁となるように、前記壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）に隣接して配置される石英の部品（５）も備える。
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【課題】ガス中間室を備えるシャワーヘッド型ＭＯＣＶＤ装置において、ヘテロ接合界面の界面急峻性が優れた結晶の成長を可能とする結晶成長方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１０を用いる気相成長方法であって、第１III 族元素ガスをIII 族系ガス中間室２３ａに供給し、被成膜基板３に第１半導体層を形成する第１成膜工程と、被成膜基板３に第２半導体層を形成する第２成膜工程とを含み、第１III 族元素ガスと第２III 族元素ガスとが異なる場合、III 族用キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してIII 族系ガス中間室２３ａへ、または、第１Ｖ族元素ガスと第２Ｖ族元素ガスとが異なる場合、Ｖ族系キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してＶ族系ガス中間室２４ａへの供給のうち少なくとも一方への供給を行う残留ガス排出工程を含む。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンドコーティングを基板上に堆積させる方法に関し、該方法は、サブミクロン粒子を含有するピラミッド型の新規な形態のダイヤモンドを特徴とする、コーティングの作製をもたらす。該方法は、印加する電界を制御することによる化学気相成長法によって行う。 （もっと読む）

【課題】オフ角度の小さな炭化珪素単結晶基板上に、高品質で欠陥の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】オフ角度が4°以下の炭化珪素単結晶基板上に、三角形状の欠陥密度及び表面荒れの小さい炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法で、炭化珪素単結晶薄膜上の三角形状のエピタキシャル欠陥密度が3個/cm²以下、表面荒さのRa値が2.5nm以下であり、その炭化珪素単結晶薄膜は欠陥及び表面荒れを低減する層(欠陥低減層)とデバイスとして動作する層(活性層)を持ち、欠陥低減層をエピタキシャル成長する際の材料ガス中に含まれる、炭素と珪素の原子数比(C/Si比)は0.5以上1.0未満、活性層をエピタキシャル成長する際のC/Si比は1.0以上1.5以下で、各層の成長温度は1600℃以上1650℃以下である。 （もっと読む）

【課題】基板との界面において歪みを抑制しつつ室温下で窒化ガリウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】所定圧力に調整されたチャンバ１１内に設置された基板１３に対して、室温下でIII族原料ガスとしてのトリメチルガリウムガスとＶ族原料ガスとしてのアンモニアガスを１：１０００以上の流量比率で同時に供給し、更に基板１３に対して波長２２０ｎｍ以下の光を照射する。これにより、基板１３との界面において正方晶の窒化ガリウムが混在されていない、六方晶のみの窒化ガリウム単結晶を基板１３上において生成することができる。 （もっと読む）

単結晶ＳｉＣ基板上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させるための方法が記載される。この方法は、チャンバ内において単結晶ＳｉＣ基板を少なくとも１４００℃の第１温度まで加熱する工程と、キャリアガス、シリコン含有ガス、及び、炭素含有ガスをチャンバに取り入れる工程と、及び、ＳｉＣ基板の表面上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる工程とを備える。ＳｉＣ基板は少なくとも３０℃／分の速度で第１温度まで加熱される。ＳｉＣ基板の表面は、基板材料の底面に対して１°から３°の角度で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】従来の気相成長装置は、安全性の観点から改良すべき点がある。本発明は、安全性を大幅に改善した新規な気相成長装置、及びこの装置におけるガス混合回避方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー１０３に収容されたウェハ１０２上に、気相成長法により成膜するために、成膜に必要なガスを供給する第１の流路１０５ａ，１０５ｂと、この第１のガス流路のガスを制御するバルブ１０７Ａ、１０７ａ、１０７Ｂ、１０７ｂと、前記チャンバー１０３内をクリーニングするために、クリーニング用ガスを前記チャンバー１０３内に供給する第２の流路１０８と、前記チャンバー内のガスを排気する第３の流路１１０とを備えてなる気相成長装置であって、前記バルブを直列の２段構成（１０７Ａと１０７ａ、１０７Ｂと１０７ｂ）とし、その２段構成のバルブの間に圧力スイッチ１１４Ａ，１１４Ｂを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】分散性の良い二酸化チタンが得られる火炎溶融法において、産業的に利用分野の広い、特に光触媒粉体やセラミックス成形体原料として好適な５μｍから２００μｍの範囲の平均径を持つ、高純度で分散性の良い二酸化チタン、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】気相法で得た分散性の良い二酸化チタンを原料として、火炎溶融法で、短い高温滞留時間で球状化した二酸化チタンを得る。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性の優れたＡｌＧａＮ結晶層を作製する方法を提供する。
【解決手段】Ｃ面サファイア単結晶基材１ａの上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮからなる表面層１ｂをエピタキシャル形成した後、該積層体を１３００℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。該テンプレート基板上に、ＭＯＣＶＤ法によって、１０００℃よりも高い形成温度で、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）なる組成式で表されるIII族窒化物からなる第１単位層２ａとＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ≦１かつｙ≠ｘ）なる組成式で表されるIII族窒化物からなる第２単位層２ｂとを交互に繰り返し積層することによって、超格子構造を有するようにＡｌＧａＮ層２を形成する。これにより、表面が実質的に原子レベルで平坦なＡｌＧａＮ層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、追加の工程を必要とすることなく転位密度低減を図ったＧａＮ層の選択成長方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
凹凸表面を有するサファイア基板を用意し、成長温度Ｔ（℃）と、水素と窒素を含むガス雰囲気に係るＦ値（＝水素流量／（水素流量＋窒素流量））を調整することにより、凸部からの成長を抑止する一方凹部からの成長を促進させ、サファイア基板の凹部から成長を開始して凸部上に横方向成長させることを特徴とするＭＯＶＰＥ法によるＧａＮ層の選択成長方法。 （もっと読む）

【課題】気相エピタキシーを用いて半導体複合材料を製造するための方法および装置を提供すること。
【解決手段】半導体複合材料、好ましくはIII−Ｎバルク結晶またはIII−Ｎ層がハイドライド気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）を用いてリアクタ内で製造され、キャリアガスの混合気中において局所質量流量によって表されるフロープロファイルがリアクタ内に形成される。混合気は１つまたは複数の反応ガスを基板へ運ぶことができる。その結果、反応ガスの反応および堆積に重要となる水素の濃度が基板表面上で、リアクタ内で同時に形成されるフロープロファイルとは独立して調整される。 （もっと読む）