【課題】半導体基板として利用可能な、直径が４インチ超のＳｉＣ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素結晶の製造方法は、成長容器内に、種基板および炭化珪素結晶の原料を配置する工程と、昇華法により、種基板の表面に直径が４インチを超える炭化珪素結晶を成長させる工程と、を備える。上記成長させる工程において、成長容器内の圧力が所定の圧力から所定の変動割合で変動する。 （もっと読む）

【課題】得られるコーティングが０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイドコーティングを基板上に堆積させる方法を提供する。
【解決手段】ａ．ジクロロシランガス、メチルハイドロジェンジクロロシランガス、ジメチルジクロロシランガス、及びそれらの混合物から選択されるクロロシランガスと、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、単結晶シリコンカーバイド基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びｂ．１２００℃より高いが１８００℃より低い温度に基板を加熱すること、を含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は１０ｔｏｒｒ〜２５０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとする。 （もっと読む）

【課題】表面状態や断面形状が良好なIII族窒化物半導体の厚膜結晶を成長させることができる下地基板を提供する。
【解決手段】第１結晶成長面と前記第１結晶成長面と同じ方向に面している第２結晶成長面を有する下地基板であって、前記第１結晶成長面の周縁の５０％以上に下向きの段差を介して前記第２結晶成長面が連接しており、前記段差の高さが０．１〜５ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】高品質のエピタキシャル膜を製造することができる、新たな炭化珪素エピタキシャル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】化学気相堆積法によって、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素エピタキシャル膜を成膜する炭化珪素エピタキシャル膜の製造方法であって、圧力条件又は基板温度条件のうち、いずれか一方の条件を固定したまま、成膜途中で、他方の条件を、高い設定条件と低い設定条件との間で切り替えることを特徴とする炭化珪素エピタキシャル膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置の成長室内の基板以外の部分へのＧａ含有窒化物の随伴的な付着、特に厚膜形成を行いたい場合の当該Ｇａ含有窒化物の随伴的な付着を防止することにより当該付着による様々な問題を解消し、且つ基板上へのＧａ含有窒化物半導体の成長が阻害されることなく、生産性が高いＧａ含有窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】ガリウム化合物を含む第一ガスと、窒素化合物を含む第二ガスを、気相成長装置の成長室内へ供給して、成長室内に設置した基板上にＧａ含有窒化物半導体を成長させるＧａ含有窒化物半導体の製造方法であって、第一ガス及び第二ガスを成長室内へ供給している期間において、平均の成長速度が６６μｍ／ｈ以上となるように、特定の供給量となるＨＣｌガスを含む第三ガスを前記第一ガスの供給口とは別の供給口から前記成長室内へ供給することを特徴とするＧａ含有窒化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜を備えた（１００）面方位を有するダイヤモンド半導体デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 （１００）面から１０度以下のオフ角を持ち、エピタキシャル成長させるためのダイヤモンド基板と、前記基板上にリンをドープしてエピタキシャル成長させて形成したｎ型ダイヤモンド半導体単結晶膜とを備え、前記ｎ型ダイヤモンド半導体単結晶膜は、前記基板と同じオフ角ならびに（１００）面方位を有することを特徴とするダイヤモンド半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ結晶（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ≦１）の厚みを均一にし、かつ成長速度を向上する結晶の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮ結晶を成長する工程では、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において主表面に近い側に位置する第１のガス供給部１１ａからＶ族元素の原料を含む第１原料ガスＧ１を基板２０の主表面２０ａ上に供給するとともに、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において第１のガス供給部１１ａより主表面２０ａから遠い側に位置する第２のガス供給部１１ｂから、複数のＩＩＩ族元素の原料である有機金属を含む第２原料ガスＧ２を基板２０の主表面２０ａ上に供給し、第１原料ガスＧ１の流速を第２原料ガスＧ２の流速の０．５以上０．８以下にし、反応容器３内の圧力を２０ｋＰａ以上６０ｋＰａ未満にする。 （もっと読む）

合成環境内にて基板上でダイヤモンド材料を合成するための化学蒸着(CVD)方法であって、以下の工程：基板を供給する工程；原料ガスを供給する工程；原料ガスを溶解させる工程；及び基板上でホモエピタキシャルダイヤモンド合成させる工程を含み；ここで、合成環境は約0.4ppm〜約50ppmの原子濃度で窒素を含み；かつ原料ガスは以下：a)約0.40〜約0.75の水素原子分率H_f；b)約0.15〜約0.30の炭素原子分率C_f；c)約0.13〜約0.40の酸素原子分率O_fを含み；ここで、H_f＋C_f＋O_f＝1；炭素原子分率と酸素原子分率の比C_f:O_fは、約0.45:1＜C_f:O_f＜約1.25:1の比を満たし；原料ガスは、存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の原子分率が0.05〜0.40で水素分子H₂として添加された水素原子を含み；かつ原子分率H_f、C_f及びO_fは、原料ガス中に存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の分率である、方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】キャリアガスと、窒化ガリウムの原料と、ドーパントとしてのシリコンを含むガスとを用いて、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法により下地基板上に窒化ガリウム結晶を成長させる窒化ガリウム結晶の成長方法において、前記窒化ガリウム結晶の成長時における前記キャリアガスを分子膜または吸着剤に透過させることにより精製し、窒化ガリウム結晶の成長時におけるキャリアガスの露点が−６０℃以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンドコーティングを基板上に堆積させる方法に関し、該方法は、サブミクロン粒子を含有するピラミッド型の新規な形態のダイヤモンドを特徴とする、コーティングの作製をもたらす。該方法は、印加する電界を制御することによる化学気相成長法によって行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貴金属酸化物、貴金属またはハロゲン化貴金属を前駆物質として用いて単結晶基板の表面に対して方向性を有する貴金属ナノワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】反応炉の前端部に配置した前駆物質と、反応炉の後端部に配置した半導体または不導体単結晶基板を、不活性ガスが流れる雰囲気下で熱処理して前記単結晶基板の表面に垂直または水平に成長する貴金属単結晶ナノワイヤ及びその製造方法。本発明は、触媒を使用しない気相輸送法を利用して貴金属ナノワイヤを製造することができ、その工程が簡単でかつ再現性があり、大量生産に適するメリットがある。製造されたナノワイヤは、欠陥や不純物を包含しない完璧な単結晶状態の高純度かつ高品質の貴金属ナノワイヤである。貴金属ナノワイヤは、単結晶基板の表面に対して特定の方向性を有し、その方向性及び配列を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】より高い熱伝導率を有するＧａＮ系材料の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）法によって窒化ガリウム系材料を成長させる。この成長は、Ｈ_２ガスを含むキャリアガスＧ１と、ＧａＣｌガスＧ２と、ＮＨ_３ガスＧ３とを反応室１０に供給し、成長温度を９００（℃）以上かつ１２００（℃）以下とし、成長圧力を８．０８×１０^４（Ｐａ）以上かつ１．２１×１０^５（Ｐａ）以下とし、ＧａＣｌガスＧ２の分圧を１．０×１０^２（Ｐａ）以上かつ１．０×１０^４（Ｐａ）以下とし、ＮＨ_３ガスＧ３の分圧を９．１×１０^２（Ｐａ）以上かつ２．０×１０^４（Ｐａ）以下として実施する。 （もっと読む）

【課題】冷却部が破損して冷却用の液体が漏れ出しても、装置内の急激な圧力上昇を抑制することのできる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０内に、その内部空間３１に種結晶３３が配置されるルツボ３０と、ルツボ３０の内部空間３１に下方からＳｉを含有するガスとＣを含有するガスとを含む混合ガスを供給するためのガス導入管５０と、ガス導入管５０の近傍であって混合ガスの供給経路を妨げない位置にルツボ３０とは離れて配置された冷却部７０とを備える炭化珪素単結晶の製造装置であって、混合ガスをルツボの内部空間に供給するための開口部がルツボ３０の底部に設けられ、また、冷却部７０とルツボ３０の内部空間３１との間に、冷却部７０から漏れ出た液体がルツボ３０の内部空間３１で飛散するのを遮る遮蔽部９０が、混合ガスの供給経路を除いて配置される。 （もっと読む）

【課題】粗研磨を実施したときのクラックの発生率を低下することができるＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板は、異種基板上にファセット面で成長したＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の第１の領域と、異種基板上に所定の面方位で成長したＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の第２の領域とを有し、第１の領域は、第２の領域に対して１０％以下の面積比を有する。 （もっと読む）

【課題】触媒を使用しない気相合成法を用いて高品質かつ欠陥のないすぐれた形状の固相の二元合金単結晶ナノ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】二元合金を構成する金属元素らの金属酸化物、金属物質またはハロゲン化金属、または二元合金物質を前駆物質とし、気相合成法を利用した二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法及び二元合金単結晶ナノ構造体を提供する。より詳細には、反応炉の前端部に位置させた前駆物質と、反応炉の後端部に位置させた基板を、不活性気体が流れる雰囲気下において熱処理して、前記基板上に二元合金単結晶ナノワイヤまたは二元合金単結晶ナノベルトを形成させる製造方法及びこの製造方法によって製造された二元合金単結晶ナノワイヤまたは二元合金単結晶ナノベルトを提供する。 （もっと読む）

【課題】薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム結晶の成長方法は、キャリアガスと、窒化ガリウムの原料と、ドーパントとしてのシリコンを含むガスとを用いて、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法により下地基板上に窒化ガリウム結晶を成長させる窒化ガリウム結晶の成長方法である。窒化ガリウム結晶の成長時におけるキャリアガスの露点が−６０℃以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの周縁部まで均一に成膜することが可能な熱ＣＶＤ方法および熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】熱ＣＶＤ方法において、ウェーハｗ上に成膜を行うための反応室１１内を、所定の圧力に制御し、所定の圧力に制御された反応室１１に、上部より反応ガスを導入し、反応ガスをシャワーヘッド１７において断熱膨張させることにより、反応ガスのガス流を加速させ、回転させながら加熱したウェーハｗ上に、加速された反応ガスのガス流を供給して、成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】HVPE法によりアルミニウム系III族窒化物などのIII族窒化物を成長するにあたり、従来法と同等程度の良好な品質を有しかつ高い収率で製造する方法およびそれに用いる装置を提供する。
【解決手段】三塩化アルミニウムガス等のIII族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等の窒素源ガスとを成長室４１内で反応させて、成長室４１内に保持された基板４３上にIII族窒化物を成長させる窒化アルミニウム等のIII族窒化物の製造方法において、III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを予め混合して混合ガスとした後、ガス混合時並びに導入時の温度を制御するなどの方法によりガス中に析出物を実質的に生成させることなく成長室４１内に導入して反応させる。 （もっと読む）

【課題】より高い熱伝導率を有するＧａＮ系材料の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）法によって窒化ガリウム系材料を成長させる。この成長は、Ｈ_２ガスを含むキャリアガスＧ１と、ＧａＣｌガスＧ２と、ＮＨ_３ガスＧ３とを反応室１０に供給し、成長温度を９００（℃）以上かつ１２００（℃）以下とし、成長圧力を８．０８×１０^４（Ｐａ）以上かつ１．２１×１０^５（Ｐａ）以下とし、ＧａＣｌガスＧ２の分圧を１．０×１０^２（Ｐａ）以上かつ１．０×１０^４（Ｐａ）以下とし、ＮＨ_３ガスＧ３の分圧を９．１×１０^２（Ｐａ）以上かつ２．０×１０^４（Ｐａ）以下として実施する。 （もっと読む）

３Ｄ島または特徴が成長パラメーターを調整することのみで生み出される、エピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース技術の新たな修正法を用いて、高特性自立ＧａＮが得られる。これらの島を平滑化させること（２Ｄ成長）は、次いで高い横方向成長を生じる成長条件を設けることにより達成される。３Ｄ‐２Ｄ成長の繰返しは貫通転位のマルチベンディングをもたらし、こうして厚い層、即ち貫通転位密度１０^６ｃｍ^−２以下の自立ＧａＮを生産する。 （もっと読む）