【課題】ＨＥＭＴ及びその他の高速スイッチングデバイスにおいて、意図しない不純物のドープはを防ぎ高性能なデバイスを提供する。
【解決手段】半導体構造は、基板、基板上方の遷移体、及び遷移体上方に底面を有するＩＩＩ−Ｖ族中間体を備える。半導体構造はさらに、ＩＩＩ−Ｖ族中間体の頂面上方にＩＩＩ−Ｖ族デバイス層を備える。ＩＩＩ−Ｖ族中間体２１３は、前記底面２１１において高く、前記頂面２１３において低くなる形で連続的に減少された不純物濃度を有する。 （もっと読む）

【課題】簡易に光取出効率を向上することができる発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法を用いて、ｎ型導電性基板１上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型クラッド層４を有する発光部６と、ｐ型ＧａＰ電流分散層５と、を積層形成するＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法であって、ＧａＰ電流分散層５を形成する際に、ＧａＰ電流分散層５の表面側部で成長速度を高めることで、ＧａＰ電流分散層５の表面５ｃに凹凸を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置８０は、イオンガン１１と、ＸＹステージ１２と、制御部１３と、ＰＣ１５と、測定装置８１とを備える。測定装置８１は、基板３１上の所定の測定点の厚みを測定する。予めイオンガン１１のエッチングレートの分布と、基板３１の被エッチング量の分布とに基づいて、エッチング中心の位置に応じて測定点における基板３１の厚みの中間目標厚みが設定される。各領域でエッチングを施した際、測定点の厚みが当該中間目標厚みからの許容範囲に入る場合、ＸＹステージ１２を駆動し、エッチングを終了させる。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有する微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、成膜速度は低いが品質のよい成膜条件で下地絶縁膜界面付近の微結晶半導体膜を形成し、その後、連続的もしくは段階的に高く変えた成膜速度にて微結晶半導体膜を堆積する。また、前記微結晶半導体膜は、成膜室の内側に空間をもって設けられた反応室内にて化学気相成長法にて形成され、さらに前記空間に水素、あるいは希ガスからなる封止ガスを導入し、反応室の内部を超高真空にすることを助け、下地絶縁膜界面付近の微結晶半導体膜中の不純物を低いものとする。また、前記微結晶半導体膜をゲート絶縁膜上に形成し、ボトムゲートＴＦＴを作製する。 （もっと読む）

【課題】傾斜面による応力が分散されるようにピラミッドの傾斜面を分離させることができる窒化物半導体の成長方法、これを用いた窒化物発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体の選択成長方法は、窒化物半導体層３３上に開口部を有するマスクを形成する段階と、上記マスクの開口部に露出された上記窒化物半導体層領域に上記窒化物半導体層の上面に対して傾斜した結晶面を有する六角ピラミッド構造窒化物半導体結晶３４を選択的に成長させる段階とを含み、上記六角ピラミッド構造の窒化物半導体結晶は、その上下部に位置した結晶面の傾斜角より大きい傾斜角の結晶面を有する少なくとも一つの中間分離領域を含む。また、上記の窒化物半導体の選択成長方法を用いて製造できる窒化物発光素子と、その製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 基板剥離における簡便化と剥離面のダメージの軽減を図った窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
出発基板上に出発基板表面を選択的に露出する端部から連続したパターンの犠牲膜を形成する。犠牲膜を含んだ出発基板上にボイド窒化物半導体層を形成する。ボイド窒化物半導体層の上に素子形成用窒化物半導体層を形成する。素子形成用窒化物半導体層上に支持基板を取り付けた後、犠牲膜を除去して出発基板をボイド窒化物半導体層から剥離させる。 （もっと読む）

【課題】作業者に関わらず、処理室内の所望の温度分布を実現する加熱手段の適切な設定温度を、短時間かつ一意に決定することができる基板処理装置の温度制御方法、基板処理システムおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】まず、各ヒータを所定の設定温度とした基板処理が行われ、基板処理がなされた基板に属する、処理温度に応じて変動する物理量が、上記ヒータの数以上の測定位置において取得される。取得した物理量と当該物理量の目標値との偏差が、測定位置ごとに演算される。各測定位置における偏差と、１つのヒータ温度を１℃変化させたときの各測定位置における上記物理量の変化量とに基づいて、各ヒータの設定温度の補正量が行列式を用いて演算される。以降の基板処理は、上記所定の設定温度に設定温度補正量を加算した温度を新たな設定温度として行われる。 （もっと読む）

【課題】基板ウェハの表面外周部におけるエピタキシャル膜の膜厚ばらつきを抑制できるサセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置を提供すること。
【解決手段】サセプタ２に、基板ウェハＷよりも大きい外形を有する略円板状のウェハ載置部２１と、このウェハ載置部２１の周縁を囲む状態に起立する内周面２２Ａおよびこの内周面２２Ａの上端からウェハ載置部２１の載置面２１Ａに沿って外側に延出形成される上面２２Ｂを有する略リング板状の周縁部２２と、を設けている。気相成長制御部２３を、内周面２３Ａが周縁部２２の内周面２２Ａに倣い、かつ、上面２３Ｂが周縁部２２の上面２２Ｂに倣う状態で、ＳｉＣ被膜と比べて反応ガスとの反応が抑制されるＳｉＯ_２により形成して設けている。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低い窒化物系半導体基板を安価かつ生産性良く製造する方法、及び低転位密度の窒化物系半導体基板、並びに当該基板を用いて形成した発光出力の高い窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に、第１のＧａＮ層を成長速度が５００μｍ／時以下で膜厚が１０μｍ以上になるように成長させた後、第１のＧａＮ層上に、第２のＧａＮ層を成長速度が６００μｍ／時以上で成長させて窒化物系半導体基板を製造し、この基板を用いて、窒化物系半導体発光素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】適正な膜厚制御を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜用の炉と、炉内に配置された被処理体を炉の炉壁を通して加熱するヒーターと、を含んだ成膜装置を用意する工程と、成膜装置を用いて堆積される堆積膜の膜厚に関する第１の情報値と、炉壁に付着した付着膜に基づく第２の情報値との相関を、堆積膜の種類毎に取得する工程（Ｓ２）と、相関に基づいて、被処理体上に堆積される堆積膜の堆積条件を調整する工程（Ｓ４）と、調整された堆積条件で被処理体上に堆積膜を堆積する工程（Ｓ５）と、を備える。 （もっと読む）