【課題】高品質かつ高信頼性の素子を作製できるＳｉＣエピタキシャルウエハ、およびそれを用いて得られるＳｉＣ半導体素子を提供すること
【解決手段】（０００１）面に対して４°以下のオフ角θ_１で傾斜したＳｉ面が主面４とされたＳｉＣ基板２と、ＳｉＣ基板２の主面４に形成されたＳｉＣエピタキシャル層３とを含むＳｉＣエピタキシャルウエハ１において、ＳｉＣ基板２の主面４のオフ方向Ｄを、［１１−２０］軸方向および［０１−１０］軸方向に対して１５°＋／−１０°の角度θ_２で傾斜した方向にする。 （もっと読む）

【課題】作業工数、特に、孔加工工数を低減することができる基板処理装置用の多孔板の製造方法を提供する。
【解決手段】予め多数の第１の貫通孔４２が形成されたカーボン基台４１の表面に、化学蒸着（ＣＶＤ）法によって、例えば厚さ５ｍｍのＳｉＣ膜４３を形成させ、その後、第１の貫通孔４２に対応する第２の貫通孔４４が多数設けられた表層の多孔ＳｉＣ膜４３を切り出し、加熱してＳｉＣ膜４３に付着したカーボンを燃焼、除去し、必要に応じて表面を研削し、また表面処理を施す。 （もっと読む）

ハンドルウェハ、シリコン層、及び上記ハンドルウェハと上記シリコン層との間の誘電体層を含むシリコン−オン−インシュレータ構造上においてエピタキシャル層をエッチング及び／又は析出させる方法を提供する。当該シリコン層は、当該構造の外表面を規定する劈開された表面を有する。その後、エッチング反応が速度論的に制限されるように炉の温度を制御しつつ上記劈開された表面をエッチングする。その後、上記劈開された表面の析出速度が速度論的に制限されるように炉の温度を制御しつつ上記ウェハ上にエピタキシャル層を析出させる。
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【課題】良質なエピタキシャル結晶を成長可能なエピタキシャル成長用のＣｄＴｅ系半導体基板の製造方法及びＣｄＴｅ系半導体基板を提供する。
【解決手段】所定の半導体をエピタキシャル成長させるためのＣｄＴｅ系半導体基板の製造方法において、基板表面を鏡面研磨した後又はエッチングした後、２４時間以内に非酸化性ガス雰囲気中で保管する。これにより、原子間力顕微鏡で基板表面を観察したときに１０μｍ×１０μｍの視野範囲内に高さ５ｎｍ以上の突起が観察されないＣｄＴｅ系半導体基板が実現される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への適用が可能な低欠陥密度の化合物半導体結晶基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】立方晶｛００１｝面を表面とする単結晶基板上に、エピタキシャル成長により２種類の元素Ａ、Ｂからなる化合物単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法において、反位相領域境界面ならびに元素ＡおよびＢに起因する積層欠陥を、表面に平行な＜１１０＞方向にそれぞれ等価に生じさせながら化合物単結晶を成長させる工程（Ｉ）と、工程（Ｉ）において生じた元素Ａに起因する積層欠陥を、反位相領域境界面と会合消滅させる工程（II）と、工程（Ｉ）において生じた元素Ｂに起因する積層欠陥を、自己消滅させる工程（III）と、反位相領域境界を完全に会合消滅させる工程（IV）と、を有し、工程（IV）は、工程（II）および（III）と並行して、又は、工程（II）および（III）の後に行う。 （もっと読む）

【課題】大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一であるＧａＮ単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ単結晶基板２０ｐは、主面２０ｐｍの面積が１０ｃｍ²以上であり、主面２０ｐｍの面方位が（０００１）面または（０００−１）面２０ｃに対して６５°以上８５°以下で傾斜しており、主面２０ｐｍ内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一、たとえば主面２０ｐｍ内において平均キャリア濃度に対するキャリア濃度のばらつきが±５０％以内である。 （もっと読む）

【課題】｛０００１｝以外の任意に特定される｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）ｌ｝（ｈ、ｋおよびｌは整数）の主面を有するＩＩＩ族窒化物結晶接合基板およびＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶接合基板は、｛０００１｝以外の任意に特定される｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）ｌ｝の主面１０ｍを有するＩＩＩ族窒化物結晶接合基板１０であって、｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）０｝（ｈおよびｋは整数）の主面１１ｍを有する複数のＩＩＩ族窒化物結晶片１１ｐ，１１ｑを含み、ＩＩＩ族窒化物結晶片１１ｐ，１１ｑの［０００１］方向が同一になるように、ＩＩＩ族窒化物結晶片１１ｐ，１１ｑは互いにそれぞれの主面１１ｍの少なくとも一部で接合されている。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝面の傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好なウェーハを提供する。
【解決手段】｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】サセプタ上において滑ることを防止し、ウェーハの周縁部がサセプタの表面に接触することを防止して割れを回避する。
【解決手段】シリコンウェーハは、気相成長装置のサセプタ２０に載せた状態でサセプタ２０が回転するときウェーハ周縁部１１の一部がサセプタ２０の表面に接触しないような反りを付ける。気相成長装置のサセプタ２０にシリコンウェーハ１０を載せて回転しながらシリコンウェーハ１０の主面にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル基板の製造方法では、サセプタ２０に載せた状態でサセプタ２０が回転するときシリコンウェーハ１０の周縁部１１の一部がサセプタ２０の表面に接触しないような反りをシリコンウェーハ１０に付ける。 （もっと読む）

【課題】半導体層に生ずる格子歪みを効果的に緩和する。
【解決手段】Ｓｉからなり、面方位が（１１１）または（１１１）と等価な面方位である半導体結晶成長用基板１１の半導体層を形成する表面に、凹凸の少ない表面状態を有する鏡面な部分１２と、鏡面な部分１２の表面粗さよりも大きい表面粗さを有する荒れた部分１３とを形成する。この場合、荒れた部分１３を周期的に形成し、荒れた部分１３のパターン形状を四角形の格子状とする。また、荒れた部分１３の中心間の寸法を５ｍｍとし、荒れた部分１３の幅を１０μｍとして、荒れた部分１３が形成された周期ｘを５ｍｍとし、また荒れた部分１３と鏡面な部分１２との面積比ｙを約０．００４とする。 （もっと読む）

【課題】特定の結晶面を備えていて高品質で表面が均一な窒化物半導体結晶を製造すること。
【解決手段】表面に少なくともＣ面を備え、かつ、該Ｃ面と直接隣接する面がＭ面でもＡ面でもないことを特徴とする六方晶系の種結晶を用いて結晶成長することにより窒化物半導体結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】 基板の反りの発生を低減することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 珪素基板１を反らせ、稜線が所定方向に向かうように、珪素基板１の（００１）面に列状の起伏２を形成する。珪素基板１の（００１）面上に立方晶炭化珪素をヘテロ成長させた後、珪素基板１を除去する。珪素基板１の主面が曲面状（特に、従来工程で発生する反りの形状に対応して、反りを打ち消すような形状）となっている状態で立方晶炭化珪素をヘテロ成長させることにより、珪素基板１を除去した後の立方晶炭化珪素には形状を平面状に変える力（反りと逆方向の力）が働くので、基板の反りの発生を低減することができる。 （もっと読む）

（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ薄層を製作するためのエッチング技術であり、適当なテンプレートまたは基板が選択されて、所望の面積上に異種イオンが注入されてイオン注入された材料を作る。次に、イオン注入されたテンプレートまたは基板の上にデバイス構造が再成長される。テンプレートの成長表面上面がキャリアウェーハにボンディングされて、ボンディングされたテンプレート／キャリアウェーハからなる構造を形成する。ほかの残留する材料と一緒に基板が除去されて、イオン注入された材料が露出される。ボンディングされたテンプレート／キャリアウェーハからなる構造上のイオン注入された材料は、次に、イオン注入された材料を除去するのに十分な時間、適当なエッチャントに晒される。
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【課題】 極めて転位密度の低い、これまでにない高品質なIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 工程１として、第一の半導体結晶基板１を準備し、工程２として、前記第一の半導体結晶基板上に、第一の結晶軸方向に第一のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶２を第一の厚さまで成長させ、工程３として、前記第一のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶２を、その内部に存在する最も密度の高い貫通転位の伝播方向に対して平行な面３で切断し、工程４として、前記切断面上に第二のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶５を第二の厚さまで成長させ、前記第二のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶５を目的のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶とする。 （もっと読む）

【課題】低オフ角の炭化珪素基板上に、表面欠陥密度の小さいホモエピタキシャル成長層を形成する。
【解決手段】炭化珪素の｛０００１｝面を、機械加工する機械加工工程と、前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面を、少なくともハロゲンを含有する物質のプラズマによりエッチングする工程と、前記エッチング工程後に、前記炭化珪素の表面を、ハロゲンを含有せず、なおかつ少なくとも酸素を含有する物質のプラズマに曝露する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）