【課題】高品質かつ高信頼性の素子を作製できるＳｉＣエピタキシャルウエハ、およびそれを用いて得られるＳｉＣ半導体素子を提供すること
【解決手段】（０００１）面に対して４°以下のオフ角θ_１で傾斜したＳｉ面が主面４とされたＳｉＣ基板２と、ＳｉＣ基板２の主面４に形成されたＳｉＣエピタキシャル層３とを含むＳｉＣエピタキシャルウエハ１において、ＳｉＣ基板２の主面４のオフ方向Ｄを、［１１−２０］軸方向および［０１−１０］軸方向に対して１５°＋／−１０°の角度θ_２で傾斜した方向にする。 （もっと読む）

【課題】面取り部の形状を再成形するとともに、裏面クラウンを完全に除去し、平坦性に優れた、パーティクルのほとんど無いエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】表裏の主面と該主面の外周の面取り部とからなるシリコン単結晶基板上にエピタキシャル層を成長させることによりエピタキシャルウェーハを製造する方法において、前記シリコン単結晶基板の前記裏面側の主面全面と前記裏面側の面取り部に裏面酸化膜を形成する工程と、該裏面酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の表面側の主面上に、４０μｍ以上の膜厚のエピタキシャル層を成長させる工程と、該エピタキシャル層表面に保護酸化膜を形成する工程と、該保護酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の面取り部を研削及び研磨する工程と、その後、前記保護酸化膜を除去して、仕上げの洗浄を行う工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される基板を生産する際の歩留まりを改善することを課題とする。
【解決手段】基板の表面から裏面まで貫通する貫通孔２０を有するＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される基板３０と、貫通孔２０の内部に充填され、貫通孔２０を塞ぐ、組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体で構成される充填材４０と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝面からの傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好で、かつシリコン単結晶エピタキシャル層の層厚均一性も良好であり、更に表面欠陥の少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板の主表面上にシリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記シリコン単結晶基板として、主表面が｛１１０｝面または｛１１０｝面からのオフアングル角度が０．５度未満のものを用い、かつ前記気相成長工程では、前記シリコン単結晶基板温度を１１７０℃〜１１９０℃として気相成長することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．７×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のｃ軸を含む面から［０００１］方向に−１０°以上１０°以下の傾斜角を有する。 （もっと読む）

【課題】ＴＳＶ(Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ ｈｏｌｅ)加工用の薄化Ｓｉ基板の支持ガラスの熱伝導効率を上げることで、加工処理速度や、成膜速度、膜質を向上させる。
【解決手段】凹部１６と凸部１７からなる凹凸パターン１５を裏面１２側に形成した、再利用可能な支持ガラス基板１１の表面１３側に接着剤２４で貼り合わせた薄化半導体基板１９をＥＳＣ電極２上に載置することによって前記半導体基板１９の冷却を促進し、ＴＳＶ加工速度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】良質なエピタキシャル結晶を成長可能なエピタキシャル成長用のＣｄＴｅ系半導体基板の製造方法及びＣｄＴｅ系半導体基板を提供する。
【解決手段】所定の半導体をエピタキシャル成長させるためのＣｄＴｅ系半導体基板の製造方法において、基板表面を鏡面研磨した後又はエッチングした後、２４時間以内に非酸化性ガス雰囲気中で保管する。これにより、原子間力顕微鏡で基板表面を観察したときに１０μｍ×１０μｍの視野範囲内に高さ５ｎｍ以上の突起が観察されないＣｄＴｅ系半導体基板が実現される。 （もっと読む）

【課題】大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一であるＧａＮ単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ単結晶基板２０ｐは、主面２０ｐｍの面積が１０ｃｍ²以上であり、主面２０ｐｍの面方位が（０００１）面または（０００−１）面２０ｃに対して６５°以上８５°以下で傾斜しており、主面２０ｐｍ内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一、たとえば主面２０ｐｍ内において平均キャリア濃度に対するキャリア濃度のばらつきが±５０％以内である。 （もっと読む）

【課題】｛０００１｝以外の面方位の主面を有する結晶性の高いＩＩＩ族窒化物結晶を高い結晶成長速度で成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物バルク結晶１から、｛２０−２１｝、｛２０−２−１｝、｛２２−４１｝および｛２２−４−１}からなる群から選ばれるいずれかの結晶幾何学的に等価な面方位に対するオフ角が５°以下の面方位を有する主面１０ｐｍ，１０ｑｍを有する複数のＩＩＩ族窒化物結晶基板１０ｐ，１０ｑを切り出す工程と、基板１０ｐ，１０ｑの主面１０ｐｍ，１０ｑｍが互いに平行で、かつ、基板１０ｐ，１０ｑの［０００１］方向が同一になるように、横方向に基板１０ｐ，１０ｑを互いに隣接させて配置する工程と、基板１０ｐ，１０ｑの主面１０ｐｍ，１０ｑｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの裏面の定義されたかつ有利な特性を有する半導体ウェハを提供すること
【解決手段】ａ） シリコン棒をウェハに切断することにより半導体ウェハを準備する工程、ｂ） 前記半導体ウェハのエッジを丸めることで、前記半導体ウェハは前面及び裏面が平坦な面とエッジ領域で丸められかつ傾斜する面とを有する工程、ｃ） 前記半導体ウェハの前面及び裏面を研磨し、前記前面の研磨は、研磨パッド中に固定された砥粒を有していない研磨パッドを使用する化学機械的研磨を有し、前記半導体ウェハの裏面の研磨は、それぞれ研磨パッド中に結合された研磨材料を有する研磨パッドを使用してかつ前記半導体ウェハの裏面に研磨圧力を加える３つの工程で行い、第１の工程では、固体を有していない研磨剤を前記研磨パッドと前記半導体ウェハの裏面との間に導入し、第２及び第３の工程では研磨材料を有する研磨剤を導入し、第１の及び第２の工程の８〜１５ｐｓｉの研磨圧力を、第３の工程では０．５〜５ｐｓｉに低下させる工程を有する半導体ウェハの製造方法 （もっと読む）

【課題】デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研磨される半導体デバイス用として好適なシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】ボロン濃度に基づく比抵抗が２ｍΩ・ｃｍ以上２００ｍΩ・ｃｍ以下であり、初期酸素濃度が７×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上２．４×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコン基板１１を用意する工程Ｓ１１ａと、シリコン基板１１の内部に酸素を析出させる工程Ｓ１２ａと、シリコン基板１１に膜厚が１０μｍ以下のエピタキシャル膜１２を形成する工程Ｓ１４ａとを備える。これにより、デバイス後工程でシリコン基板１１の裏面を研削することによってチップを薄型化し、さらに裏面研磨を施したとしても、デバイス後工程で導入されうる重金属汚染に対して十分なゲッタリング能力を発揮することができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布が均一なエピタキシャル膜を有するとともに、平坦度に優れたエピタキシャルウェハを簡単な工程で製造することのできるエピタキシャルウェハの製造方法およびエピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】ＣＺ法により得られたシリコン単結晶インゴットを薄円板状に切り出してウェハを得る（ステップＳ１）。次に、ウェハの表面を研削（ラッピング）して平面化する（ステップＳ２）。次に、エッチングによる化学研磨を行った（ステップＳ３）後、ウェハの両面を粗研磨する（ステップＳ４）。粗研磨終了後、気相エッチングを行い（ステップＳ５）、その後、エピタキシャル膜を形成する（ステップＳ６）。そして、エピタキシャル膜が形成されたウェハに対して仕上げ研磨を行い（ステップＳ７）、最終洗浄を行った（ステップＳ８）後、終了する。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル層と基板との界面における電気抵抗の低減が図られた化合物半導体基板及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 本発明に係る化合物半導体基板１０は、ＩＩＩ族窒化物で構成され、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物を含む表面層１２を表面に有する。発明者らは、鋭意研究の末、化合物半導体基板１０の表面の表面層１２に、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物が含まれるときに、化合物半導体基板１０とその上に形成されるエピタキシャル層１４との間の界面のＳｉが低減され、その結果界面における電気抵抗が低減されることを新たに見出した。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに用いることができる平滑で加工変質層が薄いＩＩＩ族窒化物結晶基板およびエピタキシャル層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板の基板、ならびにかかるＩＩＩ族窒化物結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体デバイス４００の基板４１０として用いられ、１層以上のＩＩＩ族窒化物層をエピタキシャル成長させるためのＩＩＩ族窒化物結晶基板４１０であって、表面粗さＲａが０．５ｎｍ以下であり、かつ加工変質層の厚さが５０ｎｍ以下、表面酸化層の厚みが３ｎｍ以下で、記ＩＩＩ族窒化物結晶基板の主面と、ウルツ鉱型構造におけるＣ面、Ａ面、Ｒ面、Ｍ面およびＳ面のいずれかの面とのなす角であるオフ角が、０．０５°以上１５°以下である。 （もっと読む）

【課題】４５０ｍｍ以上の大口径ウェーハの表面のみにエピタキシャル膜を成長させた際に、ウェーハの反りを低減可能で、かつ高いエクストリンシックゲッタリング能力も得られるエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】直径が４５０ｍｍ以上、比抵抗値が０．１Ω・ｃｍ以上の大口径で高抵抗のシリコンウェーハ１１の裏面に、エクストリンシックゲッタリング層を形成したので、エピタキシャルシリコンウェーハの反りを低減でき、高いゲッタリング能力が得られる。しかも、ドーパントがウェーハ裏面から外方拡散してデバイス形成面のエピタキシャル膜へ回り込むことで生じるオートドープ現象も抑制できる。 （もっと読む）

【課題】４５０ｍｍ以上の大口径ウェーハの表面のみにエピタキシャル膜を成長させた際に、ウェーハの反りを低減可能で、かつ高いイントリンシックゲッタリング能力も得られるエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】直径が４５０ｍｍ、比抵抗値が０．０１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ未満の大口径シリコンウェーハ１１に、インゴット引き上げ時のシリコン溶融液５６への窒素導入によるイントリンシックゲッタリング構造を形成したので、エピタキシャル膜１２の成長後、シリコンウェーハ１１に大きな反りが発生しにくい。その結果、エピタキシャルシリコンウェーハ１０の反りを低減でき、しかも高いイントリンシックゲッタリング能力が得られる。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝面の傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好なウェーハを提供する。
【解決手段】｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ダングリングボンド密度が１４．０ｎｍ^-2よりも大きくて平坦な面を有するIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板を構成するダングリングボンド密度が１４．０ｎｍ^-2より大きい面を、アンモニウム塩を含む洗浄剤で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハにおいて、少なくともデバイス特性に悪影響を及ぼさない高品質なエピタキシャル表面品質を得るために、エピタキシャルウェーハ用として最適な低COPの基板を効率よく製造でき、高品質エピタキシャルウェーハを歩留りよく製造できる製造方法の提供。
【解決手段】炭素濃度を０．３×１０^１６〜３．２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ （ＮＥＷ ＡＳＴＭ）の範囲に添加、制御させることによって、ＣＯＰの発生が低減、抑制され、特に、その後のエピタキシャル成長によっても消滅し難い０．１３０μｍ以上のＣＯＰの発生を頭著に低減、抑制でき、従来の結晶の生産性低下を招く低速引き上げを行うことなく、COP発生を低減抑制できる。 （もっと読む）

【課題】レーザ発振寿命の長い窒化物半導体レーザ素子に適した窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板は、断面をＶ字状にした溝の側面である斜面をファセット面とし、そのファセット面の斜面を維持させながら成長させることにより、溝に転位を集中させた上にストライプ状に生じた転位集中領域と、転位集中領域を除いた領域である低転位集中領域と、を含み、さらに、その窒化物半導体基板の表面が、（０００１）面から０．２°〜１°の範囲のオフ角度を有している。 （もっと読む）