シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法
【課題】｛１１０｝面の傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好なウェーハを提供する。
【解決手段】｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理する工程と、を備える。
【解決手段】｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理する工程と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
｛１１０｝面を主面とするシリコンウェーハを用いると、ｐＭＯＳトランジスターにおいてキャリア移動度が｛１００｝面を主面とするウェーハよりも高いことから、ｐＭＯＳトランジスターを高速化できることが知られている。
【０００３】
一方、エピタキシャルウェーハは、エピタキシャル層の欠陥が極めてすくないことから高性能デバイスの素材として用いられている。このため、｛１１０｝面を主面としたエピタキシャルウェーハは、ＭＰＵ等の高性能デバイスの素材として優れた特性を示すことが予想される。
【０００４】
しかしながら、｛１１０｝面を主面としたエピタキシャルウェーハでは、エピタキシャル成長後、表面にヘイズ（Ｈａｚｅ）と呼ばれる曇りが発生しやすく、業界で通常用いられているパーティクルカウンターによる輝点欠陥ＬＰＤ(Light Point Defects)の測定さえ困難になり、ウェーハの品質保証ができない場合も生じる。
【０００５】
この対策として、＜１００＞軸方向へ、０．５度以上３度以下傾斜させたオフアングルを有するシリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させるとヘイズレベルが低下することが知られている（特許文献１）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３９１１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、この方法では、｛１１０｝面が傾斜しているために、キャリアが傾斜した格子と衝突し、キャリアの移動度が低くなる懸念があり、また表面のヘイズレベルも十分とは言えないレベルであるという問題があった。
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、｛１１０｝面の傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好なウェーハを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
［１］第１発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
［２］第２発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下となるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
［３］第３発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハは、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理したことを特徴とする。
【００１２】
［４］第４発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハは、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理したことを特徴とする。
【００１３】
［５］第５発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を酸化したのち、その酸化膜をフッ酸および塩酸で除去する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
［６］第６発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を酸化したのち、その酸化膜をフッ酸および塩酸で除去する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
［７］第７発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハは、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を酸化したのち、その酸化膜をフッ酸および塩酸で除去したことを特徴とする。
【００１６】
［８］第８発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハは、シリコン単結晶の｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を酸化したのち、その酸化膜をフッ酸および塩酸で除去したことを特徴とする。
【００１７】
［９］第９発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を９００℃越の温度で熱処理する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１８】
［１０］第１０発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を９００℃越の温度で熱処理する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
［１１］第１１発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハは、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を９００℃越の温度で熱処理したことを特徴とする。
【００２０】
［１２］第１２発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハは、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を９００℃越の温度で熱処理したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、｛１１０｝面の傾斜角度が小さくヘイズレベルも良好なウェーハを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を説明する。
【００２３】
《第１実施形態》
｛１１０｝面の傾斜角度が小さく、かつ従来技術よりもヘイズレベルが良好なウェーハを提供するという目的を、エピタキシャル成長を終えたウェーハに温フッ化アンモニウム溶液処理を行うことで実現した。
【００２４】
実施例１：
ＣＺ法により、主軸方位が＜１１０＞で、直径３０５ｍｍのｐ型シリコン単結晶インゴットを製造した。このインゴットを、直径３００ｍｍに外周研削後ノッチ加工し、電気比抵５〜１０ｍΩｃｍのブロックを複数切り出した。このブロックを、ワイヤーソーを用い、｛１１０｝面の傾きが表１の傾斜方位＜１００＞，＜１１１＞，＜１１０＞という３方位と、それぞれの傾斜方位に対するオフアングル０度〜１０度となるようにスライスした。
【００２５】
このウェーハを、面取、ラッピング、仕上げ面取り、エッチング、両面研磨、テープ面取り、エッジの鏡面研磨、表面の片面研磨の順に加工して鏡面研磨ウェーハを得た。なお、工程間の洗浄処理の記述は省略するが、通常のウェーハ加工プロセスと同様に洗浄処理した。
【００２６】
その後、枚葉式エピタキシャル炉を用い厚み５μｍのエピタキシャル膜を成長させ、３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理を行った。
【００２７】
得られたエピタキシャルウェーハを、ケーエルエー・テンコール株式会社製の商品名：パターンなしウェーハ表面異物検査装置（モデル： Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ２）を用いて、ＤＷＯモード（Ｄａｒｋ Ｆｉｅｌｄ Ｗｉｄｅ Ｏｂｌｉｑｕｅモード：暗視野・ワイド・斜め入射モード）で、エピタキシャル層表面のＨａｚｅレベルを検査した。また、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）をもちいて、測定範囲１０μｍ×１０μｍで、表面粗さを測定し、表面粗さのＲＭＳ（Ｒｏｏｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ：平均自乗根）を算出した。この結果を、表１に示す。
【００２８】
【表１】
本実施形態のシリコンエピタキシャルウェーハは、ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定したヘイズレベルが良好で、４５ｎｍ以上の輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるため、パーティクルカウンターによる本来のＬＰＤの測定が可能になり、ウェーハの品質管理が確実にできるようになる。
【００２９】
また、オフアングルが小さく、キャリア移動度の面でも良好である。さらに温フッ化アンモニウム溶液を使用するため、通常のプロセスに用いられる洗浄槽を利用することもできる。
【００３０】
《第２実施形態》
｛１１０｝面の傾斜角度が小さく、かつ従来技術よりもヘイズレベルが良好なウェーハを提供するという目的を、エピタキシャル成長を終えたウェーハを酸化し、その酸化膜をＨＦ：ＨＣｌ＝１：１８〜２０の混合比の酸で除去することで実現した。
【００３１】
実施例２：
ＣＺ法により、主軸方位が＜１１０＞で、直径３０５ｍｍのｐ型シリコン単結晶インゴットを製造した。このインゴットを、直径３００ｍｍに外周研削後ノッチ加工し、電気比抵５〜１０ｍΩｃｍのブロックを複数切り出した。このブロックを、ワイヤーソーを用い、｛１１０｝面の傾きが表２の傾斜方位＜１００＞，＜１１１＞，＜１１０＞という３方位と、それぞれの傾斜方位に対するオフアングル０度〜１０度となるようにスライスした。
【００３２】
このウェーハを、面取、ラッピング、仕上げ面取り、エッチング、両面研磨、テープ面取り、エッジの鏡面研磨、表面の片面研磨の順に加工して鏡面研磨ウェーハを得た。なお、工程間の洗浄処理の記述は省略するが、通常のウェーハ加工プロセスと同様に洗浄処理した。
【００３３】
その後、枚葉式エピタキシャル炉を用い厚み５μｍのエピタキシャル膜を成長させ、酸化し、その酸化膜をＨＦ：ＨＣｌ＝１：１８〜２０の混合比の酸で除去した。
【００３４】
得られたエピタキシャルウェーハを、ケーエルエー・テンコール株式会社製の商品名：パターンなしウェーハ表面異物検査装置（モデル： Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ２）を用いて、ＤＷＯモード（Ｄａｒｋ Ｆｉｅｌｄ Ｗｉｄｅ Ｏｂｌｉｑｕｅモード：暗視野・ワイド・斜め入射モード）で、エピタキシャル層表面のＨａｚｅレベルを検査した。また、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）をもちいて、測定範囲１０μｍ×１０μｍで、表面粗さを測定し、表面粗さのＲＭＳ（Ｒｏｏｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ：平均自乗根）を算出した。この結果を表２に示す。
【００３５】
【表２】
本実施形態のシリコンエピタキシャルウェーハは、ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定したヘイズレベルが良好で、４５ｎｍ以上の輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるため、パーティクルカウンターによる本来のＬＰＤの測定が可能になり、ウェーハの品質管理が確実にできるようになる。
【００３６】
また、オフアングルが小さく、キャリア移動度の面でも良好である。また酸化膜はどのような酸化膜でもよく、オゾンによるもの、ウェーハ工程で通常使用される酸化炉等も活用できる。
【００３７】
《第３実施形態》
｛１１０｝面の傾斜角度が小さく、かつ従来技術よりもヘイズレベルが良好なウェーハを提供するという目的を、エピタキシャル成長を終えたウェーハに熱処理を行うことで実現した。
【００３８】
実施例３：
ＣＺ法により、主軸方位が＜１１０＞で、直径３０５ｍｍのｐ型シリコン単結晶インゴットを製造した。このインゴットを、直径３００ｍｍに外周研削後ノッチ加工し、電気比抵５〜１０ｍΩｃｍのブロックを複数切り出した。このブロックを、ワイヤーソーを用い、｛１１０｝面の傾きが、上述した実施例１の表１の傾斜方位＜１００＞，＜１１１＞，＜１１０＞という３方位と、それぞれの傾斜方位に対するオフアングル０度〜１０度となるようにスライスした。
【００３９】
このウェーハを、面取、ラッピング、仕上げ面取り、エッチング、両面研磨、テープ面取り、エッジの鏡面研磨、表面の片面研磨の順に加工して鏡面研磨ウェーハを得た。なお、工程間の洗浄処理の記述は省略するが、通常のウェーハ加工プロセスと同様に洗浄処理した。
【００４０】
その後、枚葉式エピタキシャル炉を用い厚み５μｍのエピタキシャル膜を成長させ、９００℃を越える温度にて熱処理を行った。
【００４１】
得られたエピタキシャルウェーハを、ケーエルエー・テンコール株式会社製の商品名：パターンなしウェーハ表面異物検査装置（モデル： Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ２）を用いて、ＤＷＯモード（Ｄａｒｋ Ｆｉｅｌｄ Ｗｉｄｅ Ｏｂｌｉｑｕｅモード：暗視野・ワイド・斜め入射モード）で、エピタキシャル層表面のＨａｚｅレベルを検査した。また、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）をもちいて、測定範囲１０μｍ×１０μｍで、表面粗さを測定し、表面粗さのＲＭＳ（Ｒｏｏｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ：平均自乗根）を算出した。この結果を図１の上に示す。なお、比較例として上記熱処理を行わなかったエピタキシャルウェーハの表面粗さのＲＭＳを下図に示す。
【００４２】
本実施形態のシリコンエピタキシャルウェーハは、ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定したヘイズレベルが良好で、４５ｎｍ以上の輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるため、パーティクルカウンターによる本来のＬＰＤの測定が可能になり、ウェーハの品質管理が確実にできるようになる。
【００４３】
また、オフアングルが小さく、キャリア移動度の面でも良好である。
【００４４】
また、熱処理はエピタキシャル成長を終えた成長装置（リアクター）内で行うなら工程への適用も容易である。また表面の熱処理であるので、ウェーハ表面を熱処理するフラッシュランプアニールＦＬＡ（ＦＬＡＳＨ ＬＡＭＰ ＡＮＥＡＬ）やレーザスパイクアニールＬＳＡ（ＬＡＳＥＲ ＳＰＩＫＥ ＡＮＥＡＬ）といった装置を使用する方法でも熱処理が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】発明に係る第３実施形態の表面粗さを示す図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
｛１１０｝面を主面とするシリコンウェーハを用いると、ｐＭＯＳトランジスターにおいてキャリア移動度が｛１００｝面を主面とするウェーハよりも高いことから、ｐＭＯＳトランジスターを高速化できることが知られている。
【０００３】
一方、エピタキシャルウェーハは、エピタキシャル層の欠陥が極めてすくないことから高性能デバイスの素材として用いられている。このため、｛１１０｝面を主面としたエピタキシャルウェーハは、ＭＰＵ等の高性能デバイスの素材として優れた特性を示すことが予想される。
【０００４】
しかしながら、｛１１０｝面を主面としたエピタキシャルウェーハでは、エピタキシャル成長後、表面にヘイズ（Ｈａｚｅ）と呼ばれる曇りが発生しやすく、業界で通常用いられているパーティクルカウンターによる輝点欠陥ＬＰＤ(Light Point Defects)の測定さえ困難になり、ウェーハの品質保証ができない場合も生じる。
【０００５】
この対策として、＜１００＞軸方向へ、０．５度以上３度以下傾斜させたオフアングルを有するシリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させるとヘイズレベルが低下することが知られている（特許文献１）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３９１１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、この方法では、｛１１０｝面が傾斜しているために、キャリアが傾斜した格子と衝突し、キャリアの移動度が低くなる懸念があり、また表面のヘイズレベルも十分とは言えないレベルであるという問題があった。
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、｛１１０｝面の傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好なウェーハを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
［１］第１発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
［２］第２発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下となるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
［３］第３発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハは、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理したことを特徴とする。
【００１２】
［４］第４発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハは、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理したことを特徴とする。
【００１３】
［５］第５発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を酸化したのち、その酸化膜をフッ酸および塩酸で除去する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
［６］第６発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を酸化したのち、その酸化膜をフッ酸および塩酸で除去する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
［７］第７発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハは、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を酸化したのち、その酸化膜をフッ酸および塩酸で除去したことを特徴とする。
【００１６】
［８］第８発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハは、シリコン単結晶の｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を酸化したのち、その酸化膜をフッ酸および塩酸で除去したことを特徴とする。
【００１７】
［９］第９発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を９００℃越の温度で熱処理する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１８】
［１０］第１０発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を９００℃越の温度で熱処理する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
［１１］第１１発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハは、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を９００℃越の温度で熱処理したことを特徴とする。
【００２０】
［１２］第１２発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハは、｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を９００℃越の温度で熱処理したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、｛１１０｝面の傾斜角度が小さくヘイズレベルも良好なウェーハを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を説明する。
【００２３】
《第１実施形態》
｛１１０｝面の傾斜角度が小さく、かつ従来技術よりもヘイズレベルが良好なウェーハを提供するという目的を、エピタキシャル成長を終えたウェーハに温フッ化アンモニウム溶液処理を行うことで実現した。
【００２４】
実施例１：
ＣＺ法により、主軸方位が＜１１０＞で、直径３０５ｍｍのｐ型シリコン単結晶インゴットを製造した。このインゴットを、直径３００ｍｍに外周研削後ノッチ加工し、電気比抵５〜１０ｍΩｃｍのブロックを複数切り出した。このブロックを、ワイヤーソーを用い、｛１１０｝面の傾きが表１の傾斜方位＜１００＞，＜１１１＞，＜１１０＞という３方位と、それぞれの傾斜方位に対するオフアングル０度〜１０度となるようにスライスした。
【００２５】
このウェーハを、面取、ラッピング、仕上げ面取り、エッチング、両面研磨、テープ面取り、エッジの鏡面研磨、表面の片面研磨の順に加工して鏡面研磨ウェーハを得た。なお、工程間の洗浄処理の記述は省略するが、通常のウェーハ加工プロセスと同様に洗浄処理した。
【００２６】
その後、枚葉式エピタキシャル炉を用い厚み５μｍのエピタキシャル膜を成長させ、３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理を行った。
【００２７】
得られたエピタキシャルウェーハを、ケーエルエー・テンコール株式会社製の商品名：パターンなしウェーハ表面異物検査装置（モデル： Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ２）を用いて、ＤＷＯモード（Ｄａｒｋ Ｆｉｅｌｄ Ｗｉｄｅ Ｏｂｌｉｑｕｅモード：暗視野・ワイド・斜め入射モード）で、エピタキシャル層表面のＨａｚｅレベルを検査した。また、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）をもちいて、測定範囲１０μｍ×１０μｍで、表面粗さを測定し、表面粗さのＲＭＳ（Ｒｏｏｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ：平均自乗根）を算出した。この結果を、表１に示す。
【００２８】
【表１】
本実施形態のシリコンエピタキシャルウェーハは、ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定したヘイズレベルが良好で、４５ｎｍ以上の輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるため、パーティクルカウンターによる本来のＬＰＤの測定が可能になり、ウェーハの品質管理が確実にできるようになる。
【００２９】
また、オフアングルが小さく、キャリア移動度の面でも良好である。さらに温フッ化アンモニウム溶液を使用するため、通常のプロセスに用いられる洗浄槽を利用することもできる。
【００３０】
《第２実施形態》
｛１１０｝面の傾斜角度が小さく、かつ従来技術よりもヘイズレベルが良好なウェーハを提供するという目的を、エピタキシャル成長を終えたウェーハを酸化し、その酸化膜をＨＦ：ＨＣｌ＝１：１８〜２０の混合比の酸で除去することで実現した。
【００３１】
実施例２：
ＣＺ法により、主軸方位が＜１１０＞で、直径３０５ｍｍのｐ型シリコン単結晶インゴットを製造した。このインゴットを、直径３００ｍｍに外周研削後ノッチ加工し、電気比抵５〜１０ｍΩｃｍのブロックを複数切り出した。このブロックを、ワイヤーソーを用い、｛１１０｝面の傾きが表２の傾斜方位＜１００＞，＜１１１＞，＜１１０＞という３方位と、それぞれの傾斜方位に対するオフアングル０度〜１０度となるようにスライスした。
【００３２】
このウェーハを、面取、ラッピング、仕上げ面取り、エッチング、両面研磨、テープ面取り、エッジの鏡面研磨、表面の片面研磨の順に加工して鏡面研磨ウェーハを得た。なお、工程間の洗浄処理の記述は省略するが、通常のウェーハ加工プロセスと同様に洗浄処理した。
【００３３】
その後、枚葉式エピタキシャル炉を用い厚み５μｍのエピタキシャル膜を成長させ、酸化し、その酸化膜をＨＦ：ＨＣｌ＝１：１８〜２０の混合比の酸で除去した。
【００３４】
得られたエピタキシャルウェーハを、ケーエルエー・テンコール株式会社製の商品名：パターンなしウェーハ表面異物検査装置（モデル： Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ２）を用いて、ＤＷＯモード（Ｄａｒｋ Ｆｉｅｌｄ Ｗｉｄｅ Ｏｂｌｉｑｕｅモード：暗視野・ワイド・斜め入射モード）で、エピタキシャル層表面のＨａｚｅレベルを検査した。また、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）をもちいて、測定範囲１０μｍ×１０μｍで、表面粗さを測定し、表面粗さのＲＭＳ（Ｒｏｏｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ：平均自乗根）を算出した。この結果を表２に示す。
【００３５】
【表２】
本実施形態のシリコンエピタキシャルウェーハは、ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定したヘイズレベルが良好で、４５ｎｍ以上の輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるため、パーティクルカウンターによる本来のＬＰＤの測定が可能になり、ウェーハの品質管理が確実にできるようになる。
【００３６】
また、オフアングルが小さく、キャリア移動度の面でも良好である。また酸化膜はどのような酸化膜でもよく、オゾンによるもの、ウェーハ工程で通常使用される酸化炉等も活用できる。
【００３７】
《第３実施形態》
｛１１０｝面の傾斜角度が小さく、かつ従来技術よりもヘイズレベルが良好なウェーハを提供するという目的を、エピタキシャル成長を終えたウェーハに熱処理を行うことで実現した。
【００３８】
実施例３：
ＣＺ法により、主軸方位が＜１１０＞で、直径３０５ｍｍのｐ型シリコン単結晶インゴットを製造した。このインゴットを、直径３００ｍｍに外周研削後ノッチ加工し、電気比抵５〜１０ｍΩｃｍのブロックを複数切り出した。このブロックを、ワイヤーソーを用い、｛１１０｝面の傾きが、上述した実施例１の表１の傾斜方位＜１００＞，＜１１１＞，＜１１０＞という３方位と、それぞれの傾斜方位に対するオフアングル０度〜１０度となるようにスライスした。
【００３９】
このウェーハを、面取、ラッピング、仕上げ面取り、エッチング、両面研磨、テープ面取り、エッジの鏡面研磨、表面の片面研磨の順に加工して鏡面研磨ウェーハを得た。なお、工程間の洗浄処理の記述は省略するが、通常のウェーハ加工プロセスと同様に洗浄処理した。
【００４０】
その後、枚葉式エピタキシャル炉を用い厚み５μｍのエピタキシャル膜を成長させ、９００℃を越える温度にて熱処理を行った。
【００４１】
得られたエピタキシャルウェーハを、ケーエルエー・テンコール株式会社製の商品名：パターンなしウェーハ表面異物検査装置（モデル： Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ２）を用いて、ＤＷＯモード（Ｄａｒｋ Ｆｉｅｌｄ Ｗｉｄｅ Ｏｂｌｉｑｕｅモード：暗視野・ワイド・斜め入射モード）で、エピタキシャル層表面のＨａｚｅレベルを検査した。また、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）をもちいて、測定範囲１０μｍ×１０μｍで、表面粗さを測定し、表面粗さのＲＭＳ（Ｒｏｏｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ：平均自乗根）を算出した。この結果を図１の上に示す。なお、比較例として上記熱処理を行わなかったエピタキシャルウェーハの表面粗さのＲＭＳを下図に示す。
【００４２】
本実施形態のシリコンエピタキシャルウェーハは、ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定したヘイズレベルが良好で、４５ｎｍ以上の輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるため、パーティクルカウンターによる本来のＬＰＤの測定が可能になり、ウェーハの品質管理が確実にできるようになる。
【００４３】
また、オフアングルが小さく、キャリア移動度の面でも良好である。
【００４４】
また、熱処理はエピタキシャル成長を終えた成長装置（リアクター）内で行うなら工程への適用も容易である。また表面の熱処理であるので、ウェーハ表面を熱処理するフラッシュランプアニールＦＬＡ（ＦＬＡＳＨ ＬＡＭＰ ＡＮＥＡＬ）やレーザスパイクアニールＬＳＡ（ＬＡＳＥＲ ＳＰＩＫＥ ＡＮＥＡＬ）といった装置を使用する方法でも熱処理が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】発明に係る第３実施形態の表面粗さを示す図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理する工程と、を備えることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下となるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理する工程と、を備えることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理したことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
【請求項４】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理したことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
【請求項５】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を酸化したのち、その酸化膜をフッ酸および塩酸で除去する工程と、を備えたことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項６】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を酸化したのち、その酸化膜をフッ酸および塩酸で除去する工程と、を備えることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項７】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を酸化したのち、その酸化膜をフッ酸および塩酸で除去したことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
【請求項８】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を酸化したのち、その酸化膜をフッ酸および塩酸で除去したことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
【請求項９】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を９００℃越の温度で熱処理する工程と、を備えることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項１０】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を９００℃越の温度で熱処理する工程と、を備えることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項１１】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を９００℃越の温度で熱処理したことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
【請求項１２】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を９００℃越の温度で熱処理したことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
【請求項１】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理する工程と、を備えることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下となるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理する工程と、を備えることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理したことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
【請求項４】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理したことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
【請求項５】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を酸化したのち、その酸化膜をフッ酸および塩酸で除去する工程と、を備えたことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項６】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を酸化したのち、その酸化膜をフッ酸および塩酸で除去する工程と、を備えることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項７】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を酸化したのち、その酸化膜をフッ酸および塩酸で除去したことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
【請求項８】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を酸化したのち、その酸化膜をフッ酸および塩酸で除去したことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
【請求項９】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を９００℃越の温度で熱処理する工程と、を備えることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項１０】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を９００℃越の温度で熱処理する工程と、を備えることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項１１】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を９００℃越の温度で熱処理したことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
【請求項１２】
｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたのち、
前記エピタキシャル層表面の表面粗さの平均自乗根ＲＭＳ（原子間力顕微鏡ＡＦＭにより１０μｍ角の領域で測定）が０．０６０ｎｍ以下になるように、前記エピタキシャル層の表面を９００℃越の温度で熱処理したことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
【図１】
【公開番号】特開２００９−３０２１４０（Ｐ２００９−３０２１４０Ａ）
【公開日】平成２１年１２月２４日（２００９．１２．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１５１９８６（Ｐ２００８−１５１９８６）
【出願日】平成２０年６月１０日（２００８．６．１０）
【出願人】（３０２００６８５４）株式会社ＳＵＭＣＯ (1,197)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１２月２４日（２００９．１２．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年６月１０日（２００８．６．１０）
【出願人】（３０２００６８５４）株式会社ＳＵＭＣＯ (1,197)
【Ｆターム（参考）】
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