【課題】 本発明の課題は、銅層および／または銅合金層を有する金属膜や、該層と他の金属からなる層との積層膜を精度良くエッチングでき、液寿命が長いエッチング液組成物を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、銅層および／または銅合金層を含む金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物であって、銅（ＩＩ）イオン、β−アラニンおよび水を含む、前記エッチング液組成物、ならびに、該エッチング液組成物を用いたエッチング方法に関する。 （もっと読む）

【課題】
銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液、及びこれを用いた銅及びモリブデンを含む多層膜のエッチング方法を提供する。
【解決手段】
（Ａ）分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源、（Ｂ）銅イオン供給源、及び（Ｃ）アンモニア及び／又はアンモニウムイオン供給源を配合してなり、ｐＨが５〜８であり、（Ｃ）アンモニア及び／又はアンモニウムイオン供給源の（Ｂ）銅イオン供給源に対する配合比（モル比）が０．１〜２０である銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液、及びこれを用いたエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】 銅及びモリブデン積層膜を一液でエッチングでき、しかも工業的に好ましい形状にエッチングできるエッチング液を提供する。
【解決手段】 過酸化水素、グリシン、燐酸及び水を含むエッチング液を、銅及びモリブデン積層膜のエッチングに用いる。 （もっと読む）

【課題】Ａｇ電極と、それを被覆するＮｉめっき皮膜およびＡｕめっき皮膜を備えた外部電極を有する電子部品を製造するにあたって、Ａｇのマイグレーションによる絶縁抵抗の劣化を抑制することが可能で、信頼性の高い電子部品を効率よく製造することができる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｇを主成分とする材料からなる外部電極本体の表面にＮｉめっき皮膜を形成し、さらに、Ｎｉめっき皮膜の表面にＡｕめっき皮膜を形成した後、Ａｇを選択的に溶解するエッチング液を用いてエッチングを行う。
また、エッチング液として、鉄（III）塩、過酸化水素、およびペルオキソ２硫酸アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むエッチング液を用いる。
また、前記エッチング液として、硫酸鉄（III）アンモニウムを含むエッチング液を用いる。
また、エッチング液として、ｐＨが１．０以上のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】多数の微細孔が形成されているとともに、折れ皺、変形、歪みがないロール状に巻回された厚みの薄い多孔長尺金属箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】まず、極薄の長尺の銅箔Ａの両面に一方がレジスト層３ａとなり、他方が補強層３ｂとなるドライフィルムレジストを積層して、長尺の積層銅箔を得た後、この積層銅箔を利用して露光工程、現像工程、エッチング工程、残存レジスト層及び補強層除去工程を実施して、残存レジスト膜及び補強層除去工程経て得られた多孔長尺金属箔Ａを直接ロール状に巻き取ることによって旋回型コンデンサの電極として好適な５００ｍ以上の長尺の多孔長尺金属箔Ａを製造する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】表面及び裏面にチタン含有膜が形成された基板の裏面からチタン含有膜を除去するときに、基板の裏面に残留するチタン元素を従来より短い時間で除去することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の裏面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を支持する支持部により、表面及び裏面にチタン含有膜が形成されている基板を支持し、支持部に支持されている基板を、支持部とともに回転させ、回転する基板の裏面にフッ酸を含む第１の処理液を供給し、供給した第１の処理液により基板の裏面を処理する第１の工程Ｓ１１と、第１の工程Ｓ１１の後に、回転する基板の裏面にアンモニア過水を含む第２の処理液を供給し、供給した第２の処理液により基板の裏面を処理する第２の工程Ｓ１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】安全に銀を処理することができ、且つ銀の導体パターンを形成する場合に、所望のパターンどおりの形状であって且つパターンサイドの形状を良好にすることができる銀処理剤、銀の処理方法および導体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】ハロゲンイオンと、銅および/または鉄イオンと、イミダゾール、１位、２位または４位の炭素または窒素原子に炭素数１−４のアルキル置換基を有するイミダゾール化合物及び１，２−ジアルキルイミダゾールからなる群より選ばれた少なくとも１種とを含むことを特徴とする銀処理剤、銀処理方法、およびこれらを使用する導体パターンの形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来の電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法における最終焼鈍前の酸水溶液による処理と焼鈍条件に関する問題点を解決し、より優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。
【解決手段】冷間圧延を施したアルミニウム材の表面を、酸水溶液に接触させ、その後の焼鈍を、４５０℃以上の一定の温度で保持する時間（ｘ）と保持温度（ｙ）との関係が、１．５時間≦ｘ＜８時間のとき４５０℃≦ｙ≦５８０℃、８時間≦ｘ＜１０時間のとき４５０℃≦ｙ≦（６６０−１０ｘ）℃、１０時間≦ｘのとき４５０℃≦ｙ≦５６０℃を満たす条件で行う。 （もっと読む）

【課題】 銀又は銀合金をエッチングする際に銀残渣を発生させず、しかもエッチング液を繰り返して使用してもエッチング速度が変化しないエッチング液及びそれを用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】 銀又は銀合金のエッチングにおいて、組成物全体に対し、銅イオンを０．０１〜１０重量％、硝酸を０．０１〜１０重量％、燐酸を１０〜６９重量％、カルボン酸を３０〜５０重量％含有し、残部は水である銀又は銀合金エッチング用組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝面の傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好なウェーハを提供する。
【解決手段】｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】銅箔圧延加工用エンボスローラの表面に付着した銅を容易かつ確実に取り除くことが可能なエンボスローラのメンテナンス方法およびメンテナンス装置を提供する。
【解決手段】表面に凹凸を有する銅箔圧延加工用エンボスローラのメンテナンス方法であって、エンボスローラを、銅アンモニア錯体を含むｐＨ８〜１３の銅エッチング液に浸漬し、エンボスローラの表面に付着した銅を溶解除去する。 （もっと読む）

【課題】設計図面通りに精度よく再現された大型の高精度のディスプレイ用マスクが得られるエッチング性とエッチング精度が優れたエッチング液およびディスプレイ用マスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムを含有するエッチング剤と、界面活性剤とを水中に含有してなり、上記の界面活性剤が直鎖のフッ化炭素基を有するペルフルオロアルキルスルホン酸塩７０〜８０質量％と分岐鎖のフッ化炭素基を有するペルフルオロアルキルスルホン酸塩２０〜３０質量％との混合物であることを特徴とするディスプレイ用マスクエッチング液、および該エッチング液を使用してディスプレイ用マスク基板をエッチングすることを特徴とするディスプレイ用マスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】低発泡性で、かつ消泡性に優れたエッチング剤組成物を提供する。
【解決手段】第二セリウムと、次式Ｉで示されるビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミド及びその塩を含むフッ素界面活性剤と、水と、を含み、


（式中、Ｒｆ_１、Ｒｆ_２は、独立して３個以上７個以下の炭素原子を含むペルフルオロアルキル基であり、Ｍは、カリウム（Ｋ）または無機もしくは有機のカチオンを示す。）
ビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミド及びその塩が、エッチング剤組成物の全重量基準で０．０１重量％以上０．０２重量％未満含まれるエッチング剤組成物。 （もっと読む）

【課題】基板から離隔して空隙を介して基板に対向する離隔対向部位を、基板上の犠牲層形成領域の凹凸態様に拘らず、所定の形状で形成するのに適したマイクロ構造体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ構造体製造方法は、例えば、複数の金属犠牲層３３，３５からなる積層構造を有する金属犠牲部をめっき法により基板１０’上に形成する工程と、金属犠牲部上に広がって基板１０’から離隔する部位を有し且つ基板１０’に支持される構造部１４を形成する工程と、金属犠牲部を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】可視発光が可能で膜厚の均一な多孔質シリコン膜とこの多孔質シリコン膜を簡便かつ再現性よく製造する製造方法とを提供する。また、この多孔質シリコン膜を用いた高発光効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】酸化還元電位が＋０．４ｅＶ〜＋１．５ｅＶの範囲にある酸化剤を含有するフッ化水素酸（ＨＦ）水溶液を処理溶液として使用して、短時間（約１〜１５分）の光照射により光アシストエッチングを実施し、シリコン結晶の表面に均一な膜厚の多孔質シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細加工処理剤の長寿命化と微細加工精度の向上を図ることが可能な微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】微細加工処理方法は、フッ化水素酸、又はフッ化アンモニウムの少なくとも何れか一種を含む水溶液の微細加工処理剤を薬液温度５〜１５℃の範囲で所定期間保管しつつ使用し、かつ、前記微細加工処理剤の使用の際には、前記薬液温度の範囲内で被加工物を微細加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル回路基板などに適した。耐屈曲性および密着性に優れるフィルム金属積層体を提供する。
【解決手段】可とう性を有する高分子フィルム上に下地金属層を形成し、その上に上部金属導電層を形成したフィルム金属積層体において、前記下地金属層がリンを１０質量％以上含有するニッケル合金からなるフィルム金属積層体。前記Ｎｉ−Ｐ合金は前記フィルムとの密着性に優れ、かつ密着性向上のための熱処理時に硬度が増加しないため、良好な密着性と耐屈曲性を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＡＥ工程で施されている撥水層の劣化対策の合理化。
【解決手段】 表面をクロムで覆われた樹脂または金属プレートにインクジェットヘッドに使用されるシリコン基板が固定される窪みがあり、このシリコン基板とクロムで覆われた樹脂または金属プレートとを直接、選択接着性を有するシリコン樹脂で接着し、シリコン基板に全くストレスを加えない構造とすることが特徴。 （もっと読む）

【課題】エッチング時に発生するガスによる表面置換性の低下を防ぎ、エッチングムラをなくし、ウエハを均一にエッチングすることができるエッチング方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッチング方法は、エッチング液６１によってウエハ６０の表面をエッチングするエッチング方法であって、エッチング液６１を貯えるエッチング処理槽６２内に、エッチング液６１の液面に対してウエハ６０の被エッチング面が水平となるように配置し、ウエハ６０を水平方向に所定の周期で揺動することを特徴とする。 （もっと読む）