電子部品の製造方法
【課題】Ａｇ電極と、それを被覆するＮｉめっき皮膜およびＡｕめっき皮膜を備えた外部電極を有する電子部品を製造するにあたって、Ａｇのマイグレーションによる絶縁抵抗の劣化を抑制することが可能で、信頼性の高い電子部品を効率よく製造することができる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｇを主成分とする材料からなる外部電極本体の表面にＮｉめっき皮膜を形成し、さらに、Ｎｉめっき皮膜の表面にＡｕめっき皮膜を形成した後、Ａｇを選択的に溶解するエッチング液を用いてエッチングを行う。
また、エッチング液として、鉄（III）塩、過酸化水素、およびペルオキソ２硫酸アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むエッチング液を用いる。
また、前記エッチング液として、硫酸鉄（III）アンモニウムを含むエッチング液を用いる。
また、エッチング液として、ｐＨが１．０以上のものを用いる。
【解決手段】Ａｇを主成分とする材料からなる外部電極本体の表面にＮｉめっき皮膜を形成し、さらに、Ｎｉめっき皮膜の表面にＡｕめっき皮膜を形成した後、Ａｇを選択的に溶解するエッチング液を用いてエッチングを行う。
また、エッチング液として、鉄（III）塩、過酸化水素、およびペルオキソ２硫酸アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むエッチング液を用いる。
また、前記エッチング液として、硫酸鉄（III）アンモニウムを含むエッチング液を用いる。
また、エッチング液として、ｐＨが１．０以上のものを用いる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法に関し、詳しくは、外部電極本体の表面に、Ｎｉめっき皮膜およびＡｕめっき皮膜を備えた外部電極を備えた電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、セラミック多層基板などの電子部品は、通常、その表面に外部電極を備えた構造を有している。
【０００３】
この外部電極を構成する電極材料の１つに、Ａｇが広く用いられている。しかしながら、Ａｇ電極は、電子部品を構成するセラミックなどの絶縁材料からなる基材の表面をＡｇが移動するマイグレーション現象により、電極間の絶縁抵抗を低下させるという問題点がある。
【０００４】
そこで、Ａｇのマイグレーションを防ぐため、Ａｇ電極（外部電極本体）にめっきを施して、その表面にＮｉめっき皮膜やＡｕめっき皮膜などのめっき被膜を形成することが行われている。
【０００５】
しかしながら、Ａｇ電極（外部電極本体）上にめっき皮膜を形成するようにした場合にも、めっき皮膜の形成が不十分で、例えば、図４に示すように、Ａｇ電極（外部電極本体）５１がめっき皮膜５２により完全には被覆されずに、Ａｇ電極（外部電極本体）５１の先端部（周縁部）が、外部に露出しているような場合、Ａｇのマイグレーションにより、電極間の絶縁抵抗の劣化を招くという問題点がある。
【０００６】
そこで、Ａｇ電極（外部電極本体）の周囲の不要部分（滲み出し部分など）を予めエッチングして除去した後、ＮｉめっきとＡｕめっきを施して、Ｎｉめっき皮膜およびＡｕめっき皮膜を形成することが考えられるが、この方法の場合、Ａｇ電極（外部電極本体）の周囲の不要部分をエッチング除去することはできても、その後のめっき工程で、Ａｇ電極（外部電極本体）の先端部（周縁部）が、十分にめっき皮膜により被覆されず、Ａｇのマイグレーションにより電極間の絶縁抵抗の劣化を招くおそれが残るという問題点がある。
【０００７】
一方、Ａｇ電極（外部電極本体）に例えばＮｉめっきおよびＡｕめっきを先に施し、その後に、めっき皮膜から露出したＡｇ電極（外部電極本体）の先端部（周縁部）をエッチング除去することも考えられる。しかしながら、この方法の場合、めっき皮膜を形成した後、めっき皮膜の先端部などに露出したＡｇ電極（外部電極本体）を確実にエッチングすることは容易ではなく、不要なＡｇ電極がエッチングされずに残留してマイグレーションを生じるという問題点がある。また、不要なＡｇ電極を十分にエッチング除去できるように強いエッチング液を用いると、Ｎｉめっき皮膜やＡｕめっき皮膜などのめっき皮膜（特にＮｉめっき皮膜）をエッチングしてしまうという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−６０６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するものであり、電子部品素体の表面に配設されるＡｇを主成分とする外部電極本体と、その表面を被覆するＮｉめっき皮膜および該Ｎｉめっき皮膜上に形成されるＡｕめっき皮膜とを備えた外部電極を有する電子部品を製造するにあたって、Ａｇのマイグレーションによる絶縁抵抗の劣化を抑制することが可能で、信頼性の高い電子部品を効率よく製造することができる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の電子部品の製造方法は、
電子部品素体と、その表面に形成された外部電極とを備えた電子部品の製造方法であって、
前記外部電極として、Ａｇを主成分とする材料からなる外部電極本体を形成する電極形成工程と、
前記外部電極本体の表面にＮｉめっき皮膜を形成し、その後に、前記Ｎｉめっき皮膜の表面にＡｕめっき皮膜を形成するめっき皮膜形成工程と、
前記めっき皮膜形成工程の後に、Ａｇを選択的に溶解するエッチング液を用いてエッチングを行うエッチング工程と
を備えていることを特徴としている。
【００１１】
本発明においては、前記エッチング液として、鉄（III）塩、過酸化水素、およびペルオキソ２硫酸アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むエッチング液を用いることが好ましい。
【００１２】
また、前記エッチング液として、硫酸鉄（III）アンモニウムを含むエッチング液を用いることが好ましい。
【００１３】
また、前記エッチング液として、ｐＨが１．０以上のものを用いることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の電子部品の製造方法は、Ａｇを主成分とする材料からなる外部電極本体（以下単に「Ａｇ電極」ともいう）の表面に、Ｎｉめっき皮膜とＡｕめっき皮膜とを形成した後、Ａｇを選択的に溶解するエッチング液を用いてエッチングを行うようにしているので、Ｎｉめっき皮膜およびＡｕめっき皮膜（以下単に「めっき皮膜」ともいう）を溶解させることなく、Ａｇのみを効率よくエッチング除去して、Ａｇマイグレーションの発生を抑制することができる。
【００１５】
また、外部電極本体（Ａｇ電極）の、上記めっき皮膜から露出した部分を除去することにより、外部電極間の距離を確保することが可能になり、Ａｇ電極への電界集中を抑制して、マイグレーションの発生を抑えることが可能になる。
その結果、外部電極間の絶縁抵抗の劣化を抑制することが可能で、信頼性の高い電子部品を効率よく製造することが可能になる。
【００１６】
また、本発明においては、エッチング液として、鉄（III）塩、過酸化水素、およびペルオキソ２硫酸塩アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むエッチング液を用いることにより、めっき皮膜を溶解させることなく、Ａｇ電極をより選択的にエッチングして、信頼性の高い外部電極を備えた電子部品を提供することができる。
【００１７】
また、前記エッチング液として、硫酸鉄（III）アンモニウムを含むエッチング液を用いるようにした場合、さらに確実に、めっき皮膜を溶解させることなく、Ａｇ電極を選択的にエッチングして、信頼性の高い外部電極を備えた電子部品を提供することができる。
【００１８】
また、エッチング液として、ｐＨが１．０以上のものを用いることにより、さらに確実に、めっき皮膜を溶解させることなく、Ａｇ電極を選択的にエッチングして、信頼性の高い外部電極を備えた電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】(ａ)本発明の電子部品の製造方法により製造される電子部品（セラミック多層基板）を示す断面図、(ｂ)は要部を拡大して示す断面図である。
【図２】本発明の電子部品の製造方法および比較例の方法により製造した電子部品（セラミック多層基板）の、絶縁抵抗が劣化するまでの時間を示す図である。
【図３】外部電極本体（Ａｇ電極）にめっきを施してめっき被膜を形成した状態（Ａｇ電極のエッチングを行っていない状態）の外部電極を示す図である。
【図４】従来の電子部品の製造方法の問題点を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に本発明の実施の形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【実施例１】
【００２１】
この実施例１では、図１(ａ)，(ｂ)に示すような、電子部品（セラミック多層基板）２０を製造する場合を例にとって説明する。このセラミック多層基板２０は、低温焼結セラミックを用いたセラミック多層基板であって、複数のセラミック層５が積層されてなるセラミック多層基板本体１０と、セラミック多層基板本体（セラミック素体）１０の内部に配設された配線１ａやビアホール導体１ｂなどの内部導体１と、セラミック基板本体１０の表面（上下両主面）に配設された外部電極２とを備えている。
【００２２】
そして、この実施例１にかかるセラミック多層基板２０においては、外部電極２は、Ａｇペーストを塗布して焼き付けることにより形成された厚膜電極からなる外部電極本体２ａと、その表面に形成されたＮｉめっき皮膜２ｂと、Ｎｉめっき皮膜の表面を覆うように形成されたＡｕめっき皮膜２ｃとを備えている。
【００２３】
この実施例１では、上述のセラミック多層基板２０を製造するにあたって、ビアホール用貫通孔に電極ペーストが充填され、かつ、所定の内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層、圧着し、個々の電子部品素子に切断した後、焼成する工程を経て、セラミック多層基板本体（セラミック素体）１０を形成する。
【００２４】
それから、セラミック多層基板本体（セラミック素体）１０の表面の、外部電極を形成すべき所定の位置にＡｇペーストを塗布して焼き付けることにより、例えば、厚みが約１０μｍの外部電極本体（Ａｇ電極）２ａを形成する。
【００２５】
次に、Ｎｉめっきを行って、外部電極本体（Ａｇ電極）２ａの表面に、厚みが約1μｍのＮｉめっき皮膜２ｂを形成し、さらにＡｕめっきを行って、Ｎｉめっき皮膜２ｂ上に、厚みが約０．０５μｍのＡｕめっき皮膜２ｃを形成する。
【００２６】
それから、外部電極本体（Ａｇ電極）２ａが形成され、その表面にＮｉめっき皮膜２ｂおよびＡｕめっき皮膜２ｃが形成された、めっき済みのセラミック基板本体（セラミック素体）１０に対して、表１に示すようなＡｇを選択的に溶解するエッチング液を用いて、表１の条件１および条件２の条件でエッチングを行った。
【００２７】
なお、条件１では、硫酸鉄（III）アンモニウムを表１に示すように５０ｇ／ｌとなるように水に溶解したエッチング液を用い、条件２では、硝酸鉄（III）を表１に示すように１０ｇ／ｌとなるように水に溶解したエッチング液を用いてエッチングを行った。
【００２８】
【表１】
【００２９】
そして、エッチングの終了後に、各試料を水洗、乾燥して、図１(ａ)，(ｂ)に示すような、外部電極本体（Ａｇ電極）２ａの表面にＮｉめっき皮膜２ｂおよびＡｕめっき皮膜２ｃが形成された構造を有する外部電極２を備えた電子部品（セラミック多層基板）２０を得た。
【００３０】
それから、エッチング後の各試料について、表２に示すような条件で、水中電圧印加試験を実施して、絶縁抵抗が劣化するまでの時間を調べ、マイグレーション特性を評価した。
【００３１】
また、比較のため、エッチングを行わない試料を作製して、同様の方法で、絶縁抵抗が劣化するまでの時間を調べ、マイグレーション特性を評価した。
その結果を図２に示す。
【００３２】
【表２】
【００３３】
図２に示すように、水中電圧印加試験による評価において、エッチングを行わなかった比較例の試料の場合、試験開始後短時間で絶縁抵抗の劣化が認められたが、この比較例に比べて、上述のエッチング液を用いてエッチングを行った本発明の実施例にかかる試料の場合には、絶縁抵抗が劣化するまでの時間が大幅に伸びており、十分な延命効果が得られることが確認された。
【００３４】
めっき被膜の形成後にエッチングを行わない場合には、図３(ａ)に示すように、Ａｇ電極（外部電極本体）２ａの先端部（周縁部）が、Ｎｉめっき皮膜２ｂ、Ａｕめっき皮膜２ｃにより被覆されず、外部に露出しているため、Ａｇのマイグレーションにより絶縁抵抗の劣化を招いたものと考えられる。
【００３５】
これに対し、めっき被膜の形成後にエッチングを行った場合には、めっき被膜２ｂ，２ｃの形成後の段階では、図３(ａ)に示すように、めっき皮膜２ｂ，２ｃにより被覆されずに外部に露出していたＡｇ電極（外部電極本体）２ａの先端部（周縁部）が、エッチングにより、図３(ｂ)（および図１(ｂ)）に示すように除去されて、Ａｇのマイグレーションが起こりにくくなったことによるものと考えられる。
【実施例２】
【００３６】
表３Ａ、表３Ｂに示すような組成を有するエッチング液１〜１９を用意した。
また、エッチング特性を調べるためのエッチング対象物（試料）として、
(ａ)Ｃｕ箔の表面にＮｉめっき皮膜を形成し、さらにＮｉめっき皮膜上にＡｕめっき皮膜を形成しためっき被膜付きＣｕ箔と、
(ｂ)無垢のＡｇ箔と
を用意した。
【００３７】
そして、上述のめっき被膜付きＣｕ箔と、Ａｇ箔とを、表３Ａ、表３Ｂのエッチング液１〜１９に浸漬し、めっき被膜付きＣｕ箔におけるめっき被膜（Ｎｉめっき皮膜とＡｕめっき皮膜）の腐食の進行の状態を観察するとともに、Ａｇ箔のエッチング（溶解）の進行状態を調べ、その結果から各エッチング液のＡｇ選択エッチング性を評価した。
その結果を表３Ａ、表３Ｂに併せて示す。
【００３８】
【００３９】
【表３Ｂ】
【００４０】
なお、Ａｇ選択エッチング性を評価するにあたっては、めっき皮膜に腐食が認められず、Ａｇ箔のエッチングが進行した（Ａｇ箔が溶解した）エッチング液を、Ａｇ選択エッチング性が良好（○）であると評価した。
【００４１】
すなわち、めっき皮膜に腐食が認められたエッチング液は、Ａｇ箔のエッチングの進行の程度を問わず、Ａｇ選択エッチング性が不良（×）であると評価した。
また、Ａｇ箔のエッチングが進行しない（Ａｇ箔が溶解しない）か、Ａｇ箔のエッチングは進行するが、進行が遅い（Ａｇ箔は溶解するが、溶解が遅い）エッチング液は、めっき皮膜の腐食の程度を問わず、Ａｇ選択エッチング性が不良（×）であると評価した。
【００４２】
表３Ａ、３Ｂに示すように、
・エッチング液番号１１および１２のペルオキソ２硫酸アンモニウムの水溶液、
・エッチング液番号１４のアンモニアと過酸化水素の水溶液、
・エッチング液番号１５，１６の硫酸鉄（III）アンモニウムの水溶液、および、
・エッチング液番号１７の硝酸鉄（III）の水溶液
をエッチング液として用いた場合、Ａｇ選択エッチング性が良好（○）であることが確認された。
【００４３】
また、Ａｇ選択エッチング性が良好（○）である上記のエッチング液番号１１，１２，１４，１５，１６，１７の各エッチング液は、いずれも、ｐＨが１．０以上でのエッチング液である。このように、ｐＨが１．０以上のエッチング液を用いることにより、Ｎｉめっき皮膜やＡｕめっき皮膜を腐食させることなく、Ａｇ電極を効率よく選択エッチングすることができて望ましい。
【００４４】
上記の要件を満たす、本発明において用いることが可能なエッチング液の構成成分としては、表３Ｂのエッチング液番号１１，１２，１４，１５，１６，１７のエッチング液を構成する成分（構成材）以外にも、クエン酸鉄（III）、アセチルアセトナート鉄（III）、エチレンジアミン四酢酸−ナトリウム鉄（III）、リン酸鉄（III）、三シュウ酸三アンモニウム鉄（III）、次亜リン酸鉄（III）、二リン酸鉄（III）、シュウ酸鉄（III）、アクリル酸鉄（III）などが例示され、これらの成分を含むエッチング液を用いた場合も、上述の実施例の場合と同様の効果が得られるものと考えられる。
【００４５】
上記実施例では、電子部品としてセラミック多層基板を製造する場合を例にとって説明したが、本発明は、電子部品素体の表面に、外部電極本体（Ａｇ電極）と、その表面に形成されたＮｉめっき皮膜とＡｕめっき皮膜とを備えた外部電極を有する種々の電子部品を製造する場合に広く適用することが可能である。
【００４６】
また、本発明においては、Ａｇ電極のエッチングに用いられるエッチング液に種々の添加物を含有させることも可能であり、また、エッチング条件についても、上記実施例の条件に限定されるものではなく、電子部品に要求される特性などを考慮して、適切なエッチング条件を定めることが可能である。
【００４７】
本願発明は、さらにその他の点においても上記実施例に限定されるものではなく、外部電極本体の形成条件、ＮｉめっきやＡｕめっきの具体的な方法や条件などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００４８】
１ 内部導体
１ａ 配線
１ｂ ビアホール導体
２ 外部電極
２ａ 外部電極本体
２ｂ Ｎｉめっき皮膜
２ｃ Ａｕめっき皮膜
５ セラミック層
１０ セラミック多層基板本体
２０ 電子部品（セラミック多層基板）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法に関し、詳しくは、外部電極本体の表面に、Ｎｉめっき皮膜およびＡｕめっき皮膜を備えた外部電極を備えた電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、セラミック多層基板などの電子部品は、通常、その表面に外部電極を備えた構造を有している。
【０００３】
この外部電極を構成する電極材料の１つに、Ａｇが広く用いられている。しかしながら、Ａｇ電極は、電子部品を構成するセラミックなどの絶縁材料からなる基材の表面をＡｇが移動するマイグレーション現象により、電極間の絶縁抵抗を低下させるという問題点がある。
【０００４】
そこで、Ａｇのマイグレーションを防ぐため、Ａｇ電極（外部電極本体）にめっきを施して、その表面にＮｉめっき皮膜やＡｕめっき皮膜などのめっき被膜を形成することが行われている。
【０００５】
しかしながら、Ａｇ電極（外部電極本体）上にめっき皮膜を形成するようにした場合にも、めっき皮膜の形成が不十分で、例えば、図４に示すように、Ａｇ電極（外部電極本体）５１がめっき皮膜５２により完全には被覆されずに、Ａｇ電極（外部電極本体）５１の先端部（周縁部）が、外部に露出しているような場合、Ａｇのマイグレーションにより、電極間の絶縁抵抗の劣化を招くという問題点がある。
【０００６】
そこで、Ａｇ電極（外部電極本体）の周囲の不要部分（滲み出し部分など）を予めエッチングして除去した後、ＮｉめっきとＡｕめっきを施して、Ｎｉめっき皮膜およびＡｕめっき皮膜を形成することが考えられるが、この方法の場合、Ａｇ電極（外部電極本体）の周囲の不要部分をエッチング除去することはできても、その後のめっき工程で、Ａｇ電極（外部電極本体）の先端部（周縁部）が、十分にめっき皮膜により被覆されず、Ａｇのマイグレーションにより電極間の絶縁抵抗の劣化を招くおそれが残るという問題点がある。
【０００７】
一方、Ａｇ電極（外部電極本体）に例えばＮｉめっきおよびＡｕめっきを先に施し、その後に、めっき皮膜から露出したＡｇ電極（外部電極本体）の先端部（周縁部）をエッチング除去することも考えられる。しかしながら、この方法の場合、めっき皮膜を形成した後、めっき皮膜の先端部などに露出したＡｇ電極（外部電極本体）を確実にエッチングすることは容易ではなく、不要なＡｇ電極がエッチングされずに残留してマイグレーションを生じるという問題点がある。また、不要なＡｇ電極を十分にエッチング除去できるように強いエッチング液を用いると、Ｎｉめっき皮膜やＡｕめっき皮膜などのめっき皮膜（特にＮｉめっき皮膜）をエッチングしてしまうという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−６０６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するものであり、電子部品素体の表面に配設されるＡｇを主成分とする外部電極本体と、その表面を被覆するＮｉめっき皮膜および該Ｎｉめっき皮膜上に形成されるＡｕめっき皮膜とを備えた外部電極を有する電子部品を製造するにあたって、Ａｇのマイグレーションによる絶縁抵抗の劣化を抑制することが可能で、信頼性の高い電子部品を効率よく製造することができる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の電子部品の製造方法は、
電子部品素体と、その表面に形成された外部電極とを備えた電子部品の製造方法であって、
前記外部電極として、Ａｇを主成分とする材料からなる外部電極本体を形成する電極形成工程と、
前記外部電極本体の表面にＮｉめっき皮膜を形成し、その後に、前記Ｎｉめっき皮膜の表面にＡｕめっき皮膜を形成するめっき皮膜形成工程と、
前記めっき皮膜形成工程の後に、Ａｇを選択的に溶解するエッチング液を用いてエッチングを行うエッチング工程と
を備えていることを特徴としている。
【００１１】
本発明においては、前記エッチング液として、鉄（III）塩、過酸化水素、およびペルオキソ２硫酸アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むエッチング液を用いることが好ましい。
【００１２】
また、前記エッチング液として、硫酸鉄（III）アンモニウムを含むエッチング液を用いることが好ましい。
【００１３】
また、前記エッチング液として、ｐＨが１．０以上のものを用いることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の電子部品の製造方法は、Ａｇを主成分とする材料からなる外部電極本体（以下単に「Ａｇ電極」ともいう）の表面に、Ｎｉめっき皮膜とＡｕめっき皮膜とを形成した後、Ａｇを選択的に溶解するエッチング液を用いてエッチングを行うようにしているので、Ｎｉめっき皮膜およびＡｕめっき皮膜（以下単に「めっき皮膜」ともいう）を溶解させることなく、Ａｇのみを効率よくエッチング除去して、Ａｇマイグレーションの発生を抑制することができる。
【００１５】
また、外部電極本体（Ａｇ電極）の、上記めっき皮膜から露出した部分を除去することにより、外部電極間の距離を確保することが可能になり、Ａｇ電極への電界集中を抑制して、マイグレーションの発生を抑えることが可能になる。
その結果、外部電極間の絶縁抵抗の劣化を抑制することが可能で、信頼性の高い電子部品を効率よく製造することが可能になる。
【００１６】
また、本発明においては、エッチング液として、鉄（III）塩、過酸化水素、およびペルオキソ２硫酸塩アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むエッチング液を用いることにより、めっき皮膜を溶解させることなく、Ａｇ電極をより選択的にエッチングして、信頼性の高い外部電極を備えた電子部品を提供することができる。
【００１７】
また、前記エッチング液として、硫酸鉄（III）アンモニウムを含むエッチング液を用いるようにした場合、さらに確実に、めっき皮膜を溶解させることなく、Ａｇ電極を選択的にエッチングして、信頼性の高い外部電極を備えた電子部品を提供することができる。
【００１８】
また、エッチング液として、ｐＨが１．０以上のものを用いることにより、さらに確実に、めっき皮膜を溶解させることなく、Ａｇ電極を選択的にエッチングして、信頼性の高い外部電極を備えた電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】(ａ)本発明の電子部品の製造方法により製造される電子部品（セラミック多層基板）を示す断面図、(ｂ)は要部を拡大して示す断面図である。
【図２】本発明の電子部品の製造方法および比較例の方法により製造した電子部品（セラミック多層基板）の、絶縁抵抗が劣化するまでの時間を示す図である。
【図３】外部電極本体（Ａｇ電極）にめっきを施してめっき被膜を形成した状態（Ａｇ電極のエッチングを行っていない状態）の外部電極を示す図である。
【図４】従来の電子部品の製造方法の問題点を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に本発明の実施の形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【実施例１】
【００２１】
この実施例１では、図１(ａ)，(ｂ)に示すような、電子部品（セラミック多層基板）２０を製造する場合を例にとって説明する。このセラミック多層基板２０は、低温焼結セラミックを用いたセラミック多層基板であって、複数のセラミック層５が積層されてなるセラミック多層基板本体１０と、セラミック多層基板本体（セラミック素体）１０の内部に配設された配線１ａやビアホール導体１ｂなどの内部導体１と、セラミック基板本体１０の表面（上下両主面）に配設された外部電極２とを備えている。
【００２２】
そして、この実施例１にかかるセラミック多層基板２０においては、外部電極２は、Ａｇペーストを塗布して焼き付けることにより形成された厚膜電極からなる外部電極本体２ａと、その表面に形成されたＮｉめっき皮膜２ｂと、Ｎｉめっき皮膜の表面を覆うように形成されたＡｕめっき皮膜２ｃとを備えている。
【００２３】
この実施例１では、上述のセラミック多層基板２０を製造するにあたって、ビアホール用貫通孔に電極ペーストが充填され、かつ、所定の内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層、圧着し、個々の電子部品素子に切断した後、焼成する工程を経て、セラミック多層基板本体（セラミック素体）１０を形成する。
【００２４】
それから、セラミック多層基板本体（セラミック素体）１０の表面の、外部電極を形成すべき所定の位置にＡｇペーストを塗布して焼き付けることにより、例えば、厚みが約１０μｍの外部電極本体（Ａｇ電極）２ａを形成する。
【００２５】
次に、Ｎｉめっきを行って、外部電極本体（Ａｇ電極）２ａの表面に、厚みが約1μｍのＮｉめっき皮膜２ｂを形成し、さらにＡｕめっきを行って、Ｎｉめっき皮膜２ｂ上に、厚みが約０．０５μｍのＡｕめっき皮膜２ｃを形成する。
【００２６】
それから、外部電極本体（Ａｇ電極）２ａが形成され、その表面にＮｉめっき皮膜２ｂおよびＡｕめっき皮膜２ｃが形成された、めっき済みのセラミック基板本体（セラミック素体）１０に対して、表１に示すようなＡｇを選択的に溶解するエッチング液を用いて、表１の条件１および条件２の条件でエッチングを行った。
【００２７】
なお、条件１では、硫酸鉄（III）アンモニウムを表１に示すように５０ｇ／ｌとなるように水に溶解したエッチング液を用い、条件２では、硝酸鉄（III）を表１に示すように１０ｇ／ｌとなるように水に溶解したエッチング液を用いてエッチングを行った。
【００２８】
【表１】
【００２９】
そして、エッチングの終了後に、各試料を水洗、乾燥して、図１(ａ)，(ｂ)に示すような、外部電極本体（Ａｇ電極）２ａの表面にＮｉめっき皮膜２ｂおよびＡｕめっき皮膜２ｃが形成された構造を有する外部電極２を備えた電子部品（セラミック多層基板）２０を得た。
【００３０】
それから、エッチング後の各試料について、表２に示すような条件で、水中電圧印加試験を実施して、絶縁抵抗が劣化するまでの時間を調べ、マイグレーション特性を評価した。
【００３１】
また、比較のため、エッチングを行わない試料を作製して、同様の方法で、絶縁抵抗が劣化するまでの時間を調べ、マイグレーション特性を評価した。
その結果を図２に示す。
【００３２】
【表２】
【００３３】
図２に示すように、水中電圧印加試験による評価において、エッチングを行わなかった比較例の試料の場合、試験開始後短時間で絶縁抵抗の劣化が認められたが、この比較例に比べて、上述のエッチング液を用いてエッチングを行った本発明の実施例にかかる試料の場合には、絶縁抵抗が劣化するまでの時間が大幅に伸びており、十分な延命効果が得られることが確認された。
【００３４】
めっき被膜の形成後にエッチングを行わない場合には、図３(ａ)に示すように、Ａｇ電極（外部電極本体）２ａの先端部（周縁部）が、Ｎｉめっき皮膜２ｂ、Ａｕめっき皮膜２ｃにより被覆されず、外部に露出しているため、Ａｇのマイグレーションにより絶縁抵抗の劣化を招いたものと考えられる。
【００３５】
これに対し、めっき被膜の形成後にエッチングを行った場合には、めっき被膜２ｂ，２ｃの形成後の段階では、図３(ａ)に示すように、めっき皮膜２ｂ，２ｃにより被覆されずに外部に露出していたＡｇ電極（外部電極本体）２ａの先端部（周縁部）が、エッチングにより、図３(ｂ)（および図１(ｂ)）に示すように除去されて、Ａｇのマイグレーションが起こりにくくなったことによるものと考えられる。
【実施例２】
【００３６】
表３Ａ、表３Ｂに示すような組成を有するエッチング液１〜１９を用意した。
また、エッチング特性を調べるためのエッチング対象物（試料）として、
(ａ)Ｃｕ箔の表面にＮｉめっき皮膜を形成し、さらにＮｉめっき皮膜上にＡｕめっき皮膜を形成しためっき被膜付きＣｕ箔と、
(ｂ)無垢のＡｇ箔と
を用意した。
【００３７】
そして、上述のめっき被膜付きＣｕ箔と、Ａｇ箔とを、表３Ａ、表３Ｂのエッチング液１〜１９に浸漬し、めっき被膜付きＣｕ箔におけるめっき被膜（Ｎｉめっき皮膜とＡｕめっき皮膜）の腐食の進行の状態を観察するとともに、Ａｇ箔のエッチング（溶解）の進行状態を調べ、その結果から各エッチング液のＡｇ選択エッチング性を評価した。
その結果を表３Ａ、表３Ｂに併せて示す。
【００３８】
【００３９】
【表３Ｂ】
【００４０】
なお、Ａｇ選択エッチング性を評価するにあたっては、めっき皮膜に腐食が認められず、Ａｇ箔のエッチングが進行した（Ａｇ箔が溶解した）エッチング液を、Ａｇ選択エッチング性が良好（○）であると評価した。
【００４１】
すなわち、めっき皮膜に腐食が認められたエッチング液は、Ａｇ箔のエッチングの進行の程度を問わず、Ａｇ選択エッチング性が不良（×）であると評価した。
また、Ａｇ箔のエッチングが進行しない（Ａｇ箔が溶解しない）か、Ａｇ箔のエッチングは進行するが、進行が遅い（Ａｇ箔は溶解するが、溶解が遅い）エッチング液は、めっき皮膜の腐食の程度を問わず、Ａｇ選択エッチング性が不良（×）であると評価した。
【００４２】
表３Ａ、３Ｂに示すように、
・エッチング液番号１１および１２のペルオキソ２硫酸アンモニウムの水溶液、
・エッチング液番号１４のアンモニアと過酸化水素の水溶液、
・エッチング液番号１５，１６の硫酸鉄（III）アンモニウムの水溶液、および、
・エッチング液番号１７の硝酸鉄（III）の水溶液
をエッチング液として用いた場合、Ａｇ選択エッチング性が良好（○）であることが確認された。
【００４３】
また、Ａｇ選択エッチング性が良好（○）である上記のエッチング液番号１１，１２，１４，１５，１６，１７の各エッチング液は、いずれも、ｐＨが１．０以上でのエッチング液である。このように、ｐＨが１．０以上のエッチング液を用いることにより、Ｎｉめっき皮膜やＡｕめっき皮膜を腐食させることなく、Ａｇ電極を効率よく選択エッチングすることができて望ましい。
【００４４】
上記の要件を満たす、本発明において用いることが可能なエッチング液の構成成分としては、表３Ｂのエッチング液番号１１，１２，１４，１５，１６，１７のエッチング液を構成する成分（構成材）以外にも、クエン酸鉄（III）、アセチルアセトナート鉄（III）、エチレンジアミン四酢酸−ナトリウム鉄（III）、リン酸鉄（III）、三シュウ酸三アンモニウム鉄（III）、次亜リン酸鉄（III）、二リン酸鉄（III）、シュウ酸鉄（III）、アクリル酸鉄（III）などが例示され、これらの成分を含むエッチング液を用いた場合も、上述の実施例の場合と同様の効果が得られるものと考えられる。
【００４５】
上記実施例では、電子部品としてセラミック多層基板を製造する場合を例にとって説明したが、本発明は、電子部品素体の表面に、外部電極本体（Ａｇ電極）と、その表面に形成されたＮｉめっき皮膜とＡｕめっき皮膜とを備えた外部電極を有する種々の電子部品を製造する場合に広く適用することが可能である。
【００４６】
また、本発明においては、Ａｇ電極のエッチングに用いられるエッチング液に種々の添加物を含有させることも可能であり、また、エッチング条件についても、上記実施例の条件に限定されるものではなく、電子部品に要求される特性などを考慮して、適切なエッチング条件を定めることが可能である。
【００４７】
本願発明は、さらにその他の点においても上記実施例に限定されるものではなく、外部電極本体の形成条件、ＮｉめっきやＡｕめっきの具体的な方法や条件などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００４８】
１ 内部導体
１ａ 配線
１ｂ ビアホール導体
２ 外部電極
２ａ 外部電極本体
２ｂ Ｎｉめっき皮膜
２ｃ Ａｕめっき皮膜
５ セラミック層
１０ セラミック多層基板本体
２０ 電子部品（セラミック多層基板）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品素体と、その表面に形成された外部電極とを備えた電子部品の製造方法であって、
Ａｇを主成分とする材料からなる外部電極本体を形成する電極形成工程と、
前記外部電極本体の表面にＮｉめっき皮膜を形成し、その後に、前記Ｎｉめっき皮膜の表面にＡｕめっき皮膜を形成するめっき皮膜形成工程と、
前記めっき皮膜形成工程の後に、Ａｇを選択的に溶解するエッチング液を用いてエッチングを行うエッチング工程と
を備えていることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング液として、鉄（III）塩、過酸化水素、およびペルオキソ２硫酸アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むエッチング液を用いることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング液として、硫酸鉄（III）アンモニウムを含むエッチング液を用いることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記エッチング液として、ｐＨが１．０以上のものを用いることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１】
電子部品素体と、その表面に形成された外部電極とを備えた電子部品の製造方法であって、
Ａｇを主成分とする材料からなる外部電極本体を形成する電極形成工程と、
前記外部電極本体の表面にＮｉめっき皮膜を形成し、その後に、前記Ｎｉめっき皮膜の表面にＡｕめっき皮膜を形成するめっき皮膜形成工程と、
前記めっき皮膜形成工程の後に、Ａｇを選択的に溶解するエッチング液を用いてエッチングを行うエッチング工程と
を備えていることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング液として、鉄（III）塩、過酸化水素、およびペルオキソ２硫酸アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むエッチング液を用いることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング液として、硫酸鉄（III）アンモニウムを含むエッチング液を用いることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記エッチング液として、ｐＨが１．０以上のものを用いることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１２−１９３４２７（Ｐ２０１２−１９３４２７Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５９１０９（Ｐ２０１１−５９１０９）
【出願日】平成２３年３月１７日（２０１１．３．１７）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１７日（２０１１．３．１７）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
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