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国際特許分類[C23F1/44]の内容

国際特許分類[C23F1/44]に分類される特許

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【課題】 銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金をエッチングする工程において、使用時の泡立ちが少なく、銅または銅合金のエッチングを高選択的に行うことができるエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金を選択的にエッチングする工程用のエッチング液であって、鎖状アルカノールアミン(A)、酸基を分子内に有するキレート剤(B)、および過酸化水素(C)を必須成分とする銅または銅合金用エッチング液を使用する。 (もっと読む)


【課題】Tiを含む層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体基板製品の製造方法を提供する。
【解決手段】
Tiを含む第1層と、Cu、SiO、SiN、SiOC、及びSiONの少なくとも1種を含む第2層とを有する半導体基板に特定のエッチング液を適用し、前記第1層を選択的にエッチングする方法であり、前記特定のエッチング液が、有機アミン化合物からなる塩基性化合物と酸化剤とを水性媒体中に含み、そのpHが7〜14であるエッチング方法。 (もっと読む)


【課題】 銀メッキ層が形成された金属母材の溶解を抑制して銀メッキ層のみを選択的に溶解し、人体や環境に対する安全性が高く、効率的にかつ高い精度で銀メッキ層に含有する元素の定量分析を行うことができる銀メッキ層溶解液及び銀メッキ層溶解方法、並びに銀メッキ層含有元素の定量方法を提供する。
【解決手段】 銀以外の金属母材の表面に銀メッキ層が形成された被処理物を、カルボン酸化合物と過酸化水素とを含有する溶解液に浸漬させる。好ましくは、カルボン酸の含有量を10ml/l以上100ml/l以下とし、過酸化水素の含有量を900ml/l以上990ml/l以下とする。 (もっと読む)


【課題】Ag電極と、それを被覆するNiめっき皮膜およびAuめっき皮膜を備えた外部電極を有する電子部品を製造するにあたって、Agのマイグレーションによる絶縁抵抗の劣化を抑制することが可能で、信頼性の高い電子部品を効率よく製造することができる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】Agを主成分とする材料からなる外部電極本体の表面にNiめっき皮膜を形成し、さらに、Niめっき皮膜の表面にAuめっき皮膜を形成した後、Agを選択的に溶解するエッチング液を用いてエッチングを行う。
また、エッチング液として、鉄(III)塩、過酸化水素、およびペルオキソ2硫酸アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種を含むエッチング液を用いる。
また、前記エッチング液として、硫酸鉄(III)アンモニウムを含むエッチング液を用いる。
また、エッチング液として、pHが1.0以上のものを用いる。 (もっと読む)


【課題】初期だけでなく、燃料電池の作動環境で長時間使用しても、耐食性及び電気伝導性に優れた燃料電池用ステンレス分離版及びその製造方法が提供される。
【解決手段】本発明の燃料電池用分離版の製造方法は、ステンレス鋼板母材を用意する段階と、ステンレス鋼板母材の表面層の鉄(Fe)成分を低減させて、ステンレス鋼板の表面に、クロム(Cr)成分の相対的な量が増加されたCr−rich不動態被膜を形成する表面改質段階と、表面改質されたステンレス鋼板を、真空状態、大気中、又は不活性ガスの雰囲気で100〜300℃で熱処理する段階とを備える。 (もっと読む)


【課題】プラズマに長期間曝されても、保護対象から剥がれ難いプラズマ耐性の高い保護膜を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、プラズマ処理装置内の構成部材上に形成されるプラズマ耐性を有する保護膜50において、構成部材上に形成される凹凸構造を有する下地膜51と、凹凸構造を覆うように下地膜51上に形成されるプラズマ保護膜53と、を備える。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム、アルミニウム合金表面を粗面化するための表面加工方法に関し、樹脂や異種金属、セラミック等との接着等に際し形状や材質にかかわらず、簡単な工程により強固な接着力が達成できるような接着性に優れた金属の表面処理方法、及び該表面処理方法により得られた表面を有する金属部材を提供する。
【解決手段】(1)Sn、Cu、Fe、Ni、Co、Bi、Sb、Ag及びTeからなる第一群の金属より選択される少なくとも1種の金属と(2)亜鉛とを含む表面皮膜を有するアルミニウム又はアルミニウム合金をエッチング溶液と接触させることにより粗化表面を形成する。 (もっと読む)


【課題】 処理液中に溶出した鉛が合金材の表面に再付着するのを防止することができる脱鉛処理方法を提供する。
【解決手段】 鉛を含有する合金材4を処理槽24内に収容された処理液に浸漬して、合金材4に含まれる鉛を処理液に溶出させて除去する脱鉛処理方法である。合金材4及び電極30を処理槽24内の処理液に浸漬した状態で、合金材4及び電極30をそれぞれ陽極及び陰極として、合金材4と電極30との間に所定電圧を印加する。これにより、処理液中に溶出した鉛と合金材4との電気的な反発が生じることによって、合金材4への鉛の再付着を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】
金とニッケルとが共存する材料の1液でのエッチングを可能にし、さらに金およびニッケルのエッチングレートを制御できるエッチング方法およびエッチング液を提供する。
【解決手段】
ヨウ素系エッチング液において、無機酸または常温で固体の有機酸、および/または有機溶剤を加えて、各成分の配合比を調節したエッチング液とし、金および/またはニッケルをエッチングする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、メタルマスクを用いて、簡易な方法により半導体基板に先細状ビア孔を形成するエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板上に金属導電層を形成する工程と、該金属導電層上に第1の開口を有する第1メッキ層を形成する工程と、該第1メッキ層の側壁に該第1の開口より幅の狭い第2の開口を有する第2メッキ層を形成する工程と、該第2メッキ層をマスクとして第1のドライエッチングを行い該半導体基板をエッチングする工程と、該第1のドライエッチングの後に該第1メッキ層を残す選択的ウェットエッチングを行い該第2メッキ層をエッチングする工程と、該第2メッキ層をエッチングした後に該第1メッキ層をマスクとして第2のドライエッチングを行い該半導体基板をさらにエッチングする工程とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


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