【課題】露光装置及び露光方法において、露光直前の光源を安定させることにより、露光むらを無くし、高精度に露光を行うことができる近接露光装置及びその近接露光方法を提供することにある。
【解決手段】光源制御部１５ａは、遮光板８を閉じた状態で照射部１４の光源６に所定の電圧を印加した際に照度計５０によって検出される照度が目標照度になるように補正する補正機能１５ｂを有することで露光むらを無くし、高精度に露光を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】隣接する露光パターンのつなぎ部のオーバー露光を簡単な方法で抑制する。
【解決手段】被露光体上にフォトマスクのマスクパターンを通して光源光を照射し、互いに隣接する露光パターンの端部領域を重ね合わせてつなぎ露光する露光方法であって、前記露光パターンの前記端部領域の露光量を前記露光パターンの中央寄りから隣接端部に向かって漸減させてつなぎ露光するものである。 （もっと読む）

【課題】遮光部材を上流側に戻す際に、露光量の減少によって発生する露光むらを抑えることができる近接露光装置及び近接露光方法を提供する。
【解決手段】近接露光装置１において、各遮光ユニット１４は、それぞれＸ方向に移動可能に配置される四組の一対の遮光部材６０ａ〜６３ｂを有し、一対の遮光部材６０ａ〜６３ｄは、露光用光ＥＬを通過させる貫通孔９０ａ〜９３ｂをそれぞれ備え、各貫通孔９０ａ〜９３ｂは、一対の遮光部材６０ａ〜６３ｂが重ね合わせられた際に、露光用光ＥＬが各貫通孔９０ａ〜９３ｂと対向する一対の遮光部材６０ａ〜６３ｂのいずれかによって遮光されるように形成される。 （もっと読む）

【課題】露光量のばらつきがなく、かつタクト短縮が可能な露光装置を提供する。
【解決手段】基板１０１を載せるチャック１１０と、基板１０１に所望のパターンを転写するためのマスク１０２を保持するマスクホルダ１２０と、露光光用の光源１３１，１３２と、光源１３１，１３２からの露光光を開閉するシャッタ１５０とを有する露光装置において、シャッタ１５０は、露光光を通過させる開シャッタ板と、露光光を遮光する閉シャッタ板とを有し、開シャッタ板および閉シャッタ板は同一方向に移動し、移動する方向において閉シャッタ板は、開シャッタ板よりも寸法が大きい。 （もっと読む）

【課題】露光装置及び露光方法において、露光直前の光源を安定させることにより、露光むらを無くし、高精度に露光を行うことができる近接露光装置及びその近接露光方法を提供することにある。
【解決手段】光源制御部１５aは、遮光板８を閉じた状態で照射部１４の光源６に所定の電圧を印加した際に照度計５０によって検出される照度が目標照度になるように補正する補正機能１５ｂを有することで露光むらを無くし、高精度に露光を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】同一の被露光体に対する複数種の露光パターンの形成効率を向上する。
【解決手段】被露光体８を矢印Ａ方向に搬送しながら、フォトマスク１１の第１のマスクパターン群１２を使用して行う被露光体８の第１の露光領域９に対する露光が終了すると、シャッタ５を被露光体８の搬送速度に同期して移動して光源光を遮断し、被露光体８がシャッタ５の移動中に移動した距離だけ被露光体８を矢印Ｄ方向に戻すと共に、フォトマスク１１を移動して第２のマスクパターン群１３に切り替え、フォトマスク１１のマスクパターン群の切り替えが終了すると、被露光体８の矢印Ａ方向への搬送を再開するのと同時に、シャッタ５を被露光体８の搬送速度に同期して矢印Ｂ方向に移動して光源光の遮断を解除し、第２の露光領域１０に対する露光を実行する。 （もっと読む）

【課題】 水銀ランプ交換などの照明系メンテナンス等で発熱体の発熱量変化に対して周辺部への影響を抑制し、メンテナンス復帰時間を短縮し、露光装置の性能変動への影響を最小限に抑える。
【解決手段】 照明光発生手段の照明光に寄与しない発熱手段、及び照明系の熱量を制御する熱量制御手段により、照明光発生手段における熱量を所定値とする、もしくは温度分布を一定とするように熱量制御手段から熱量を制御する。 （もっと読む）

【課題】要求露光量精度を満たしながらスループットの向上に寄与する露光装置を提供する。
【解決手段】第１強度の光を使った第１所要露光時間が基準時間よりも長い場合には、前記第１強度の光を使って前記第１モードで基板を露光し、前記第１所要露光時間が前記基準時間よりも短く、かつ、要求露光量精度が基準レベルよりも高い場合には、前記第１強度より弱い第２強度の光を使って前記第１モードで基板を露光し、前記第１所要露光時間が前記基準時間よりも短く、かつ、前記要求露光量精度が前記基準レベルよりも低く、かつ、前記第１強度の光を使って前記第２モードで基板を露光するときの所要露光時間である第２所要露光時間が前記基準時間よりも長い場合には、前記第２強度の光を使って前記第１モードで基板を露光する。 （もっと読む）

【課題】ＤＭＤ（デジタルマイクロミラーデバイス）を用いず構成が複雑にならずに大面積露光が高速でかつ高精度に実施可能なマスクレス露光装置を提供する。
【解決手段】このマスクレス露光装置は、被露光物Ｓに露光する光を出力するための光源２１と、光路中に設けられた光スイッチング手段２３と、光源からの光を被露光物へ導く光学系１２と、により被露光物上に多数の集光スポットＳ２を投影可能な露光ヘッド２０と、露光ヘッドと被露光物とを相対移動させる移動手段と、を備え、各集光スポットのオンオフを光スイッチング手段により制御するとともに移動手段による相対移動を制御することで被露光物上に任意のパターンを露光する。 （もっと読む）

【課題】複数の図形要素のベクトルデータである入力データからランレングスデータである出力データへの変換に要する時間を短縮して出力データの生成を高速化する。
【解決手段】データ変換装置７では、図形要素比較部７２により入力データに含まれる複数の図形要素がそれぞれ同じ形状を有する代表図形要素に関連付けられ、部分ランレングスデータ生成部７４により各代表図形要素を表す部分ランレングスデータが生成される。そして、入力データと各代表図形要素の部分ランレングスデータとに基づいて出力データが生成されることにより、入力データおよび各代表図形要素の部分ランレングスデータをメモリ上に保持した状態でデータ変換処理が行われる場合、および、入力データおよび代表図形要素群のデータを中間ファイルとして保持した状態でデータ変換処理が行われる場合の双方において、出力データの生成を高速化することができる。 （もっと読む）

【課題】 液浸露光装置において液体支持板の劣化を抑えながら１枚の基板からより多くのショット数を確保する。
【解決手段】 原版を保持して移動する原版ステージと、基板保持領域の周囲に配置された表面が撥液性の液体支持板を有し前記基板保持領域で基板を保持した状態で前記原版の移動と同期して移動する基板ステージと、投影光学系とを備え、前記基板と前記投影光学系との間隙を液体で満たした状態で前記投影光学系によって前記原版のパターンを前記基板に投影しながら前記基板を走査露光する液浸露光装置であって、前記走査露光の走査方向と異なる方向に移動して露光光の照射範囲を絞る可動ブラインドと、前記液体支持板への前記露光光の入射が低減されるように走査露光に同期して前記可動ブラインドの移動を制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プレート上にパターンを精度良く形成する。
【解決手段】Ｙ軸方向に沿って所定間隔を隔てて配置された複数のコア群（コアＣＲ_1,1、ＣＲ_1,2、ＣＲ_1,3…、ＣＲ_1,Mから成るコア群、コアＣＲ_2,1、ＣＲ_2,2、ＣＲ_2,3…、ＣＲ_2,Mから成るコア群、…）が、Ｘ軸方向に関して互いに異なる位置に配置され、これら複数のコア列のうちの１つのコアが、Ｙ軸方向に関して、その他のコアのいずれとも異なる位置に配置されている。これにより、複数のコアが、Ｙ軸方向に関して、重複無く存在することから、各コアから照明光を射出させたりさせなかったりするのと並行して、プレートを走査することにより、プレート上にパターンを精度良く形成する（露光する）ことができる。 （もっと読む）

【課題】長時間にわたって均一な照度の光を出射することのできる光源装置を提供する。
【解決手段】複数の放電灯３０と、放電灯３０のそれぞれに設けられ、放電灯３０のそれぞれから出射された光を同じ方向へ向けて反射するリフレクタ３１と、放電灯３０に付与される電圧を個別に測定して、電圧に基づいて放電灯３０の異常を個別に判定し、異常と判定したときに異常信号Ｓ３を出力する異常判定手段２８とを有するランプユニット１８、および放電灯３０を個別に通電し、または通電を遮断する機能を有しており、起動時には少なくとも１つの予備の放電灯３０の通電を遮断した状態で他の放電灯３０を通電し、かつ、異常信号Ｓ３に基づいて異常と判定された放電灯３０の通電を遮断するとともに、それまで通電が遮断されていた予備の放電灯３０を通電する点灯制御装置２２を備えることで上記課題を解決した光源装置１０を提供できる。 （もっと読む）

【課題】上側アパーチャブレードを移動させずに移動速度が速い下側アパーチャブレードだけを移動させて、アパーチャブレードの移動に要する時間を短縮して生産性を向上させることができる分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置を提供する。
【解決手段】分割逐次近接露光装置ＰＥは、制御装置８０によって、基板Ｗ及びマスクＭに基づいて、複数の所定位置毎に下側及び上側アパーチャブレード７０、７１、８３、８４のブレード位置を算出し、下側アパーチャブレード７０、７１及び上側アパーチャブレード８３、８４のブレード位置が所定領域内であると判断したとき、上側アパーチャブレード８３、８４を移動させることなく、下側アパーチャブレード７０、７１だけを移動させて露光範囲を制限する。 （もっと読む）

【課題】被露光体上に設定された複数の露光領域の外部にて隣り合う露光領域の間の部分が露光されるのを防止する。
【解決手段】カラーフィルタ用ガラス基板１を搬送するステージ５と、フォトマスク１６を保持するマスクステージ６と、フォトマスク１６に露光光を照射する光源７と、フォトマスク１６に照射する露光光の輝度分布を均一にするフォトインテグレータ８と、フォトマスク１６に照射する露光光を平行光にするコンデンサーレンズ９と、フォトインテグレータ８の端面像をコンデンサーレンズ９の手前側に結像する結像レンズ１０と、結像レンズ１０の結像位置近傍に配設され、カラーフィルタ用ガラス基板１の移動により複数の露光領域がフォトマスク１６の下側を順次通過するのに同期して露光光の照射及び遮断切換えをするシャッタ１１と、を備え、シャッタ１１は、隣り合う露光領域の間の部分の幅に応じて遮光部２４の幅を変更可能な構成とした。 （もっと読む）

【課題】マスクの温度変化を抑制して、パターンの焼き付け精度のばらつきを防止する。
【解決手段】制御装置６０の加温制御部６１は、露光処理を開始する前に、モータ駆動回路７０を制御してシャッター３４を所定時間開き、マスク２の温度を飽和温度又はそれに近い温度まで上昇させる。露光制御部６２は、モータ駆動回路７０を制御してシャッター３４の開閉を行い、これによって露光光をマスク２へ照射する工程（実際の露光工程）と露光光をマスク２へ照射しない工程（基板１の搬入、搬出等の工程）とを含む露光処理が行われる。保温制御部６３は、露光処理を中断している間に、モータ駆動回路７０を制御してシャッター３４を露光処理と同じ間隔で開き、マスク２の温度を飽和温度又はそれに近い温度に保つ。 （もっと読む）

【課題】安価な構成で、露光光の光量を広範囲かつ高精度に制御する。
【解決手段】シャッター３４ａとシャッター３４ｂとの隙間を所定の幅に保ちながら、シャッター３４ａとシャッター３４ｂとの隙間を通過した露光光により基板の露光を行う。待機状態では、一方のシャッターが完全に閉じており、他方のシャッターが完全に開いている。まず、閉じていたシャッターが移動を開始し、開方向へ所定の移動速度で移動する。これにより、露光光の進行方向に見て、２つのシャッターの間に隙間が発生し、露光光が２つのシャッターの隙間を通過する。続いて、２つのシャッターの隙間が所定の幅Ｗに達すると、開いていたシャッターが移動を開始し、閉方向へ所定の移動速度で移動する。２つのシャッターの隙間は、所定の幅Ｗに保たれながら、２つのシャッターの移動方向へ２つのシャッターの移動速度と同じ速度で移動する。 （もっと読む）

【課題】
紫外線利用効率が高くて、しかもコンパクトな紫外線照射装置を提供する。
【解決手段】
紫外線照射装置は、ショートアーク形水銀ランプＳＨＬと、ショートアーク形水銀ランプが第１焦点に配置される開口径Ｄの楕円反射鏡ＥＲと、楕円反射鏡の開口中心からその光軸方向へ数式Ｌ≦１．５Ｄを満足する距離Ｌ離間した位置に配設され、楕円反射鏡から出射した反射紫外線の進行方向をほぼ９０°の角度で変更させるミラーＭ１と、ミラーで反射して集光された紫外線が一端から入射し、他端から出射するように配設された導光体ＬＧと、楕円反射鏡とミラーとの間を結ぶ第１の光軸に対して垂直で、かつミラーと導光体との間を結ぶ第２の光軸を含む平面を挟んで楕円反射鏡の反対側に回転中心が位置するとともに、ミラーと導光体との間に介在して紫外線の通過量を制御する円盤状紫外線通過量制御機構ＵＶＣとを具備している。 （もっと読む）

【課題】 感光性材料に適した波長および照度に設定し、半導体基板上に効率的にかつ安定したパターンニングを行うことができ、複数種の感光性材料のパターンニングに対応して稼動率を向上できる半導体基板の露光装置を提供する。
【解決手段】 露光装置２０は記憶部２３を有し、記憶部には感光性材料１８に応じて定められる光の波長、照度および露光量が格納される。露光装置２０では、可動フィルタ部２１のフィルタを切換えて特定波長の光のみを透過させ、透過させた光の照度を照度センサ部２２で検出し、照度差演算部９で検出照度と記憶部から読出される照度との差を演算し、差に基づく補正値を求める。制御部１０は、補正値に応じて感光性材料に対応する照度になるように光源２の光出力動作を制御し、記憶部から読出される露光量に基づき感光性材料に対応する露光量になるように、シャッタ部１１の開閉動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】 従来の半導体装置の製造方法において、ウエハアライメント精度を向上させようとすると、コストの増大を招いてしまう。
【解決手段】 半導体ウエハ１０上にカバーフォトＰＲを形成する（レジスト形成工程）。その後、半導体ウエハ１０におけるスクライブライン領域１６上に形成されたカバーＰＲを露光する（第１露光工程）。次に、ミラーチップ１２上に形成されたカバーＰＲの一部を、第１露光工程と同一のレチクルを用いて露光する（第２露光工程）。その後、スクライブライン領域１６に沿って半導体ウエハ１０をダイシングするダイシング工程、およびダイシング工程よりも後に複数の半導体チップ１４の中から良品チップをピックアップするピックアップ工程を経て、半導体装置を得る。 （もっと読む）