【課題】 コスト上昇を招くことのない方法によってウェーハ上に形成される露光ショットの配列誤差を低減し、ショットエリアの大きさが異なる露光装置を混用しても上下のマスクパターンの重ね合わせ精度が向上できるフォトリソ工程を提供する。
【解決手段】 露光装置に露光ショットの配列誤差測定用マークを備えたフォトマスクを装着し、ウェーハ上に前記マークのレジストパターンを形成した後、前記マークを用いて露光ショット配列誤差に基づくズレに関する量を測定する。次に測定した量を上下パターンレイヤの重ね合わせ誤差と見なした時の誤差成分を算出し、さらにこの誤差成分から露光ショット配列誤差に関する誤差成分を算出する。次にこの結果を判定し、誤差成分値が所定の基準を満たさない場合は算出した露光ショット配列に関する誤差成分値を用いて露光装置のパラメータを補正し、基準を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの画像を取得する画像取得装置の視野内に、マスクのアライメントマークを短時間で容易に入れる。
【解決手段】フォトマスク２に、複数のアライメントマーク２ａＲ，２ａＧ，２ａＢを設け、アライメントマーク２ａＲ，２ａＧ，２ａＢの周囲に、アライメントマーク２ａＲ，２ａＧ，２ａＢの位置の情報を含む複数の位置情報マーク２ｂ，２ｃを設ける。位置情報マーク２ｂ，２ｃの画像を複数の画像取得装置により取得し、取得した位置情報マーク２ｂ，２ｃの画像に含まれるアライメントマーク２ａＲ，２ａＧ，２ａＢの位置の情報に基づいて、各画像取得装置を移動することにより、画像取得装置の視野内に、マスクのアライメントマークを短時間で容易に入れることができる。 （もっと読む）

【課題】重ね合わせ測定の精度を向上できる重ね合わせ測定マークを提供する。
【解決手段】第１パターンと第２パターンの重ね合わせ測定のためのマークにおいて、プラグ用ホールの開口パターンからなる第１パターンが形成された層間絶縁膜に該プラグ用ホールと同時に形成された第１ホールの開口パターンからなる第１マークと、前記層間絶縁膜に第１ホールと同時に形成され、前記プラグ用ホールの開口サイズと同程度で且つ第１ホールの開口サイズより小さい開口サイズを有する第２ホールの開口パターンからなる第２マークと、前記層間絶縁膜上の導電膜上に形成されたレジスト膜をパターニングして第２パターンと同時に形成されたレジストパターンからなる第３マークを含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】マークごとの変化の影響が低減されたアライメント構成及びアライメント方法を提供する。
【解決手段】アライメント測定構成は、光源、光学システム及び検出器を含む。光源は、複数の波長範囲を含む放射ビームを生成する。光学システムは、放射ビームを受光し、アライメントビームを生成し、アライメントビームをオブジェクト上に位置するマークに誘導し、そのマークから戻るアライメント放射を受光し、受光した放射を伝送する。検出器は、アライメント放射を受光し、アライメントマークの画像を検出し、各々が波長範囲の１つに関連付けられた複数のアライメント信号ｒを出力する。プロセッサは、検出器と通信し、アライメント信号を受信し、アライメント信号の信号品質を決定し、アライメント信号の整列位置を決定し、信号品質、整列位置、及び整列位置を波長範囲とマーク深さ及びマーク非対称性を含むマーク特性とに関連付けるモデルに基づいてアライメントマークの位置を計算する。 （もっと読む）

【課題】第１面の回路パターンに合わせて第２面にパターンを露光する場合半導体基板が８００ｎｍより厚くなっても第２面側からアライメントマークを検出できるようにする。
【解決手段】半導体基板１０の第１面Ｓ１に第１及び第２アライメントマーク用溝を形成して半導体基板と異なる材料で埋め込んで第１及び第２アライメントマーク１２，１３を形成し、第１アライメントマークにより位置合わせして半導体基板の第１面に第１素子を形成し、半導体基板の第１面に支持基板４０を貼り合わせ、支持基板と半導体基板の貼り合わせ体を所定の軸で反転させ、少なくとも半導体基板の第２面Ｓ２側からアライメント光を照射したときに得られる反射光によって第２アライメントマークの位置を検出できる膜厚となるまで半導体基板の第２面側から半導体基板を薄膜化し、第２アライメントマークにより位置合わせして半導体基板の第２面に第２素子（１５）を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上における同層のショット間の位置の合わせずれ量を高精度で測定及び検出できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ウェハ状の半導体基板における、第１の露光でパターニングされる少なくとも１つのチップ領域１の周縁部に、第２の露光によって二重露光されてなり、第１の露光及び第２の露光における縦方向又は横方向の互いの位置の合わせずれ量を電気的に測定する検査用評価素子５ａｂを有している。検査用評価素子５ａｂは、第１の露光によって形成される第１の配線パターン５ａと、第２の露光によって形成される第２の配線パターン５ｂとから形成されている。 （もっと読む）

【課題】精度の高い位置計測に有利なパターン形成技術を提供する。
【解決手段】パターン形成方法は、膜の形成、第１レジストを塗布する第１塗布、前記第１レジストを露光する第１露光、前記第１レジストを現像する第１現像および前記膜をエッチングする第１エッチングを含む第１リソグラフィー工程により少なくとも１つの第１エッジ対を含む第１エッジ群を前記膜に形成する第１工程と、第２レジストを塗布する第２塗布、前記第２レジストを露光する第２露光、前記第２レジストを現像する第２現像および前記膜をエッチングする第２エッチングを含む第２リソグラフィー工程により少なくとも１つの第２エッジ対を含む第２エッジ群を前記膜に形成する第２工程とを含み、前記第１エッジ対は、第１対称軸に関して対称な位置に配置された２つの第１エッジで構成され、前記第２エッジ対は、第２対称軸に関して対称な位置に配置された２つの第２エッジで構成される。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理によってダメージを受け、目標とするマークが検出できない場合もしくは、計測ができなくなった場合でも正確にアライメントを実施する。
【解決手段】基板の各ショットごとに配列された複数の位置検出マークの中からターゲットマークを検出して基板の位置合わせを行う露光装置であって、スコープにより第１の倍率で撮像された画像から、複数の位置検出マークの中の第１のマークの位置と当該第１のマークの外側の領域の特徴とを抽出して第１のマークを識別し、スコープにより第２の倍率で撮像された画像から、ターゲットマークの位置を抽出し、抽出されたターゲットマークの位置の信頼性が閾値を下回る場合、新たなターゲットマークとして複数の位置検出マークから第２のマークを選択し、第２の倍率で撮像された画像から第２のマークの位置を抽出する演算処理部と、第２のマークの位置に基づきステージの位置を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】極端ダイポール照明設定と、またリソグラフィ処理中の他のパターニングステップ中に使用することができるあまり極端でない設定と、改善された互換性を有するアライメントマークの構造。
【解決手段】基板上のアライメントマークが、複数の第１のエレメントと複数の第２のエレメントとの周期構造を含む。これらのエレメントは、第１の方向で交互に繰り返す順序で配置される。周期構造の全体的なピッチが、第１の方向で第１のエレメントの幅と第２のエレメントの幅との和に等しい。各第１のエレメントが、第１のサブピッチを有する第１の周期的なサブ構造を有し、各第２のエレメントが、第２のサブピッチを有する第２の周期的なサブ構造を有する。波長λを有する放射ビームと相互作用するための第１のエレメントの光学特性が、第２のエレメントの前記光学特性と異なる。全体的なピッチが波長λより大きく、第１のサブピッチおよび第２のサブピッチのそれぞれがその波長より小さい。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置のステージ位置を較正する較正方法提供する。
【解決手段】概ね第一方向に延在する少なくとも１本の線によって形成された延在パターンの特性を検出する検出方法。延在パターンは、基板Ｗ又は基板テーブルＷＴ上に形成され、好ましくは線の幅の少なくとも５０倍の長さにわたって延在する。延在パターンは焦点感応性である。検出方法は、基板テーブルＷＴを第一方向に移動させ、その第一方向に沿って延在パターンの特性を測定することを含む。特性は、第一方向に対して直角の第二方向における延在パターンの物理的特性の結果であることがある。次のステップでは、延在パターンの測定位置から基板テーブル位置の較正を導出することができる。 （もっと読む）

【課題】マスクの大型化を抑制できるステージ装置を提供する。
【解決手段】マスクを保持するステージ装置において、マスクＭＡ１を保持して走査方向へ移動する第１マスクステージＭＳＴ１と、マスクＭＡ２を保持し、第１マスクステージＭＳＴ１に移動可能に載置される第２マスクステージＭＳＴ２と、マスクＭＡ１とマスクＭＡ２との相対配置情報を検出するアライメント系３１Ａ，３１Ｂと、アライメント系３１Ａ，３１Ｂの検出結果に基づいてマスクステージＭＳＴ１，ＭＳＴ２のステージ配置を調整し、マスクＭＡ１，ＭＡ２の相対配置を制御する制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークとなる島状の構造体の占有面積を可及的に小さく抑えるも、アライメントマークの誤検出を容易且つ確実に防止し、アライメントを安定して高精度に行うことを可能とする。
【解決手段】アライメントマーク５を、アライメント時の画像解析対象となる複数の第１の溝１５と、当該アライメントマーク５の周縁部分を分割するように第１の溝１５よりも幅狭で稠密に形成されてなる複数の第２の溝１６とから形成する。第１の溝１５は、Ｙ方向に延在しており、Ｘ座標検出用の溝１５ａと、Ｘ方向に延在しており、Ｙ座標検出用のする溝１５ｂとが、それぞれライン＆スペース状に並列して複数形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】被検光学系の高次成分を含む波面収差を高精度に測定することができる測定方法を提供する。
【解決手段】波面測定用マークと前記波面測定用マークからの光を被検光学系の瞳面上の異なる位置に入射させるためのピンホールとを含む測定用レチクルを用いて、前記被検光学系の波面収差を測定する測定方法であって、前記測定用レチクルを前記被検光学系の物体面に配置して、前記被検光学系の像面に前記波面測定用マークの像を形成する形成ステップと、前記被検光学系の像面に形成された前記波面測定用マークの像の理想位置からの位置ずれ量に基づいて前記被検光学系の波面収差を算出する算出ステップと、を有し、前記波面測定用マークは、第１の方向に長手方向を有するように形成された第１のマークと、前記第１の方向に直交する第２の方向に長手方向を有するように且つ前記第１のマークから離れるように形成された第２のマークとを含むことを特徴とする測定方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】アライメントマーカのコントラストを強める方法を提供する。
【解決手段】基板上にアライメントマークを作成する方法は、導電性ラインセグメントおよびスペースセグメントにセグメント化された複数のラインを形成し、それによりライン間にスペースを形成して基板の第１のレイヤ内に微小構造を形成することと、基板の第２のレイヤ内に複数の導電性トレンチを作成することと、複数のトレンチをラインセグメントと電気的に接触させ且つ複数のトレンチを少なくとも部分的にスペースセグメントに重ねることとを含む。 （もっと読む）

【課題】原版と基板の相対位置検出に要する時間を短縮し、露光装置のスループットを向上させるとともに、原版と基板の相対位置検出の精度を向上させる。
【解決手段】 本発明の露光装置は、原版を露光光で照明する照明光学系と、原版の像を基板に投影する投影光学系と、原版を保持し駆動する原版ステージと、基板を保持し駆動する基板ステージと、原版と基板との相対位置を検出する位置検出装置とを備える。原版ステージに保持された原版及び基準プレートの少なくとも一方には、相異なる複数の第１マークが設けられる。位置検出装置は、複数の第１マークから照明条件に応じて第１マークを選択し、選択された第１マークと基板ステージに設けられた第２マークとを用いて原版と基板との相対位置を検出する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】試験構造を有する基板上のダブルパターニング・オーバレイ誤差の計算の信頼性を改良する。
【解決手段】基板上の第一構造と第二構造の間のオーバレイを測定する方法が提供される。構造は、平行線などの等距離要素を備え、第一及び第二構造の等距離要素が交互になる。本発明によれば、第一構造の要素の設計幅ＣＤ₁は、第二構造の要素の設計幅ＣＤ₂と異なる。設計幅の差を使用して、不適切に測定されたオーバレイ誤差を有する測定点を識別することができる。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターンで形成されたパターンに新たなパターンを重ね合わせて露光して、新たなパターンを形成する際、重ね合わせ精度を向上させると共に、露光及び重ね合わせ計測処理時間を短縮することができるアライメントマークを形成できるようにする。
【解決手段】アライメントマークは、第３のマスクの位置合わせを行うために、被処理膜に、第１の図形要素を有する第１のマスク及び第２の図形要素を有する第２のマスクを用いて形成される。このようにして形成されるアライメントマークは、複数で且つ同一形状の第３の図形要素を備え、第３の図形要素の一の辺は第１の図形要素により形成され、他の辺は第２の図形要素により形成されている。 （もっと読む）

【課題】露光装置の位置検出装置の光学系の特性計測用のマークを正確に形成すると共に、その光学系の収差等を高精度に補正する。
【課題を解決するための手段】マークを検出する位置検出装置の調整方法であって、調整用のウエハ１１Ａ上で計測方向に凹部３３ａ，３５ｂと凸部３３ｂ，３５ａとが交互に周期的に配列されると共に、互いにその凹部とその凸部とを反転した形状の２個のマークＨＭ１，ＨＭ２を近接して形成しておき、照明系によってマークＨＭ１，ＨＭ２を照明し、検出用光学系を介して計測されるマークＨＭ１，ＨＭ２の間隔に基づいてその照明系の所定の光学特性を調整する。 （もっと読む）

【課題】 従来技法の欠点を解決すべく非対称なターゲットの測定やモデル化、ターゲットジオメトリ（幾何学構造）の特殊な設計および/または微妙な調整を可能にするアライメントシステムを提供すること。
【解決手段】 １つまたは複数のサブターゲットをアライメントターゲット上に形成することによってアライメントターゲットにジオメトリデザインを持たせ、アライメントシステムにより１つまたは複数のサブターゲットの全てに関してアライメントを実施し、プロセスのキャラクタライズとアライメントシステムのアライメントの計算のためのアルゴリズムを使用する。 （もっと読む）

【課題】不透明層で覆われた層におけるアライメントマークを使用可能とする方法を提供する。
【解決手段】基板は第１のマーク及び第２のマークを備える。第１のマークは、第１の材料で形成された少なくとも１つのマーク部と第２の材料で形成された少なくとも１つの区域とを備える。第１の材料と第２の材料とは、所定の基板処理工程がなされることにより少なくとも１つのマーク部と少なくとも１つの区域との間に基板表面に実質的に垂直な方向の段差が形成され得るように該基板処理工程について異なる材料特性を有する。第２のマークには、該基板処理工程により第２の段差が設けられ得る。第２の段差の高さは第１の段差の高さとは実質的に異なる。 （もっと読む）