【課題】基板テーブルＰＴの第１保持部２６上面の温度分布に基づいた条件で、ショットＳ１〜Ｓ３２の配列を求めることで、基板ＰのショットＳ１〜Ｓ３２の各ショットと、マスクＭのパターン像とを高精度に位置合わせする位置合わせ方法を提供する。
【解決手段】ＥＧＡの処理条件として、ショットＳ１〜Ｓ３２からサンプルショットに指定するショットの数と、サンプルショットの配置と、基板アライメントマークＰＡＭの変位モデルの算出に用いる回帰分析の次数とを、第１保持部２６上面の温度分布に基づいて決定し、ＥＧＡ処理を実行してショットＳ１〜Ｓ３２の配列を推定する。そして、順次、配列を推定したショットＳ１〜Ｓ３２の各ショットと、マスクＭのパターン像とを位置合わせし、基板Ｐを露光していく。 （もっと読む）

【課題】レチクルの特定半導体素子パターンが露光された転写パターンを検査する際に、レチクルの半導体素子パターンが多数ある場合でも、半導体基板上で特定半導体素子パターンを容易且つ正確に短時間で探し当てることを可能とし、極めて効率良く検査を行う。
【解決手段】複数の半導体素子パターン１２と、半導体素子パターン１２から、複数の半導体素子パターン１２のうちの少なくとも１つであって観察対象とされる特定半導体素子パターン１２Ａまでの方向及び距離を示す識別用パターン１３とを有するレチクル１１を用いて、半導体基板上のフォト・レジストに露光し、識別用パターン１３の転写パターンを用いて、特定半導体素子パターン１２Ａの転写パターンの検査を行う。 （もっと読む）

【課題】ウエハのアライメントを行う際に、精度の向上と共に処理時間の短縮を図る。
【解決手段】露光装置において基板に設けられたマークの位置を検出するマーク位置検出装置であって、解像度及び読み出し領域が変更可能な撮像素子と、マークから反射される光を撮像素子に導く光学系と、撮像素子の出力に基づいてマークの位置を検出する制御手段とを有し、該制御手段は、第１の解像度及び第１の読み出し領域に設定された撮像素子の出力に基づいて第１の位置検出Ｓ３２を行い、該第１の位置検出Ｓ３２の結果に基づいて第１の読み出し領域よりも狭範囲で、かつ第１の読み出し領域内にある第２の読み出し領域に設定し、第１の解像度よりも高解像な第２の解像度及び第２の読み出し領域に設定された撮像素子の出力に基づいて第２の位置検出Ｓ３９を行う。 （もっと読む）

【課題】高精度なグローバルアライメントを行うことが可能な露光装置を提供する。
【解決手段】グローバルアライメントにおいて、各サンプルショットＳＳのアライメントマークＳｃの位置を算出し、基板Ｗの変形を近似し、各ショットＳの補正量を算出する際に、基板全体の変形を表す第１項と、ショット配列の歪みを表す第２項及びショット形状の第３項の少なくとも一方と、の足し合わせからなる近似式で基板Ｗの変形を近似する。 （もっと読む）

【課題】アライメント時においてマスク設計等に制約がありアライメント・マークが隣接して配置されている場合、本来合せるべきアライメント・マークと間違えて違うマークをアライメントしてしまうことがある。オート・アライメントの場合は装置側での判断ができず、間違ったアライメント・マークのままアライメント終了し、露光される。現像後、合わせ検査を全数について行えば次工程に進むことなく検出されるが、ロットから数枚程度の抜き取り検査では検出されず次工程に進み製品不良となる。
【解決手段】本願発明は半導体装置等の露光における位置あわせにおいて、ターゲットのサーチ範囲を隣接するターゲットを含まないように限定することで、不所望なターゲットをサーチ対象ターゲットと誤認しないようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの重ね合せ工程における半導体ウェハの位置ずれを、正確に補正する。
【解決手段】半導体ウェハの位置ずれの非線形成分の補正量として、半導体ウェハの結晶軸（θ）方位に依存する伸縮関数（ΔＲｐ）を利用する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ基板上に設けられるショットごとに位置合わせを行うときの位置合わせ時間の短縮および位置合わせ精度の向上図ることができる位置合わせ方法および位置合わせ装置を提供する。
【解決手段】 制御部１７は、アライメントセンサ１６から得られる粗調アライメントターゲット２１の位置情報に基づいて、レクチル１２に対するウエハ基板２の位置合わせを行う。次に、微調位置合わせ用ショット２４をレクチル１２のパターンを転写する位置に移動させ、アライメントセンサ１６から得られる微調アライメントターゲット２２の位置情報に基づいて、レクチル１２に対する位置合わせを行い、レクチル１２のパターンを微調位置合わせ用ショットに転写する。続いて、ウエハ基板２の移動距離が最短になる順序で、微調位置合わせ用ショット２４に隣接するショット２０から順番に、位置合わせを行い、露光する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを改善するデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】それぞれの露光及び処理工程後に、複数の基準マークの位置をデータベースの値と比較することによって、基板ウェハのゆがみが測定される。測定された変形及び工程Ｓ１での比較結果を考慮するために、フィード・フォワード・ループを用いて露光及び現像工程Ｓ２の現像工程を制御する。続いて、連続するサイクル中に基板Ｗに被着した次の２つの層の位置の整合関係（アライメント）を測定する、位置整合測定工程Ｓ３が実施される。最も新しい層のその前の層に対する位置調整が不十分であれば、その最新の層を除去して新たな層を被着させる。 （もっと読む）

【課題】基板の位置合わせ方法において、使用可能な位置合わせ情報が不十分であるために生じる極端なミスアライメントを抑制する。
【解決手段】先行バッチの基板上にある位置合わせマークの位置合わせオフセット測定値およびオーバレイターゲットのオーバレイ測定値に基づいて計算されたオフセット補正値およびプロセス補正値を使用して、露光前に基板のミスアライメントの補正が実行される。少なくとも１つの先行バッチの基板で位置合わせマークのオーバレイの変動を測定し、少なくとも１つの先行バッチの基板の位置合わせマークについて重み付けしたオーバレイ変動を合計することにより、基板のプロセス補正を計算し、プロセス補正を基板の位置合わせに適用し、基板を露光する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置で基板を正確に処理するために必要な、基板の正確な位置決めを迅速に且つ、阻害要因が多くても、高精度に行う方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗ上に、幾何学的基準から整列マークが入りそうなウインドウの位置を定めａ、このウインドウの中で整列マークの位置を測定しｂ、整列マークの実測位置とウインドウの位置の間の関係を決めｃ、この関係をデータベースに記憶しｄ、基板Ｗを整列マークの実測位置を使って整列するｅ。後の基板の整列のためにこれらを繰返すが、マーク位置測定の前に、ウインドウの位置を一つ以上の先行整列について記憶した上記関係を使って修正する。先行整列の結果を記憶し、それに多様なデータ処理が行えるので、高精度、高信頼性の整列が得られ、異なる処理装置間に相互運用の可能性が拡がる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの落下や搬送エラーの頻発を未然に防ぎ、スループットを向上する。
【解決手段】 先行するデバイス製造プロセスで発生したウエハの反り量をプロセスパラメータとしてロット毎またはロット内ウエハ毎に予め入力または計測する手段を設ける。また、ウエハの反り量に応じたウエハステージ１０５やウエハ搬入ハンド１０２、プリアライメントユニット１０３等の搬送系ロボットの駆動スピード、減圧値、減圧閾値等のパラメータの補正値を算出してデータベースを作成し、このデータベースをもとに、前記パラメータを切替えまたは設定する。 （もっと読む）

【課題】ウエハＷの位置合わせを精度良く行う。
【解決手段】ウエハＷ上の複数のショット領域ＳＡ_p各々の設計上の位置座標（ｘ，ｙ）を独立変数とし、ステージ座標系におけるそのショット領域ＳＡ_pの位置に関する情報を従属変数とするモデル式（ウエハＷ上の複数のショット領域ＳＡ_pの配列を規定するモデル式）の各項の係数を求めるために位置座標を計測するサンプルショット領域ＳＡ_gとして、同心円Ｃ１、Ｃ２上に均等に配置されたショット領域ＳＡ_pを選択する。このようにすれば、ウエハＷの略中心を通る任意の直線方向に沿って、サンプルショット領域ＳＡ_gを均等に点在させることができるため、それらの計測結果から、統計的手法を用いて、上記モデル式の各項の係数を求める際に、そのモデル式により表現されるモデルと、真のモデル式との推定誤差を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ダイシングの際に、ウェハに配置された導電性金属を切断することによって生じる不具合を防止する。
【解決手段】１つのブランク領域６には、金属膜で形成されたアライメントマーク１２が形成されている。また、ブランク領域６におけるスクライブライン８と交差する全ての領域にはアライメントマーク１２が存在しないスクライブ領域１０が形成されている。スクライブ領域１０はスクライブライン８と同じ幅に形成されている。アライメントマーク１２はスクライブ領域１０によって４つに分割されている。 （もっと読む）

【課題】チップ重心の並進ずれ（ShiftX,ShiftY）以外の位置ずれに対して露光装置に設定される補正パラメータの予測精度を向上する。
【解決手段】下側パターンの位置合わせのために第１の露光装置にそれぞれ与えられた第１および第２の位置ずれ補正パラメータ設定値の差を表す第１の補正値を求める工程と、下側パターン露光時に前記第1の露光装置に与えられた第３の位置ずれ補正パラメータに対し、前記下側パターンの正しい位置合わせのために必要であった補正量を求める工程と、前記第３の位置ずれ補正パラメータ設定値と前記補正量との差を表す第２の補正値を求める工程と、前記第１および第２の補正値より、前記現行ロットにおいて前記上側パターンを露光する際に第２の露光装置に設定される最適補正パラメータ設定値を、前記第１の補正値と前記第２の補正値とより求める工程よりなる。 （もっと読む）

【課題】 マークの計測精度を向上する。
【解決手段】 所定の計測方向及びこれに直交する非計測方向に配列された複数のマーク要素ａｍを有するマークＡＭの位置情報を計測する位置計測装置であり、計測視野内に配置されたマークを撮像する撮像手段４２ａと、撮像手段の計測視野内において非計測方向に不連続な複数の信号処理領域を選択する選択手段５２と、選択手段５２により選択された信号処理領域のみについて非計測方向に信号処理して計測方向における計測信号を求める信号処理手段５０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ上のマークの位置を高精度計測する。
【解決手段】 露光装置１は、ウエハホルダ１５上に保持されたウエハＷの表面状態を検査するための撮像装置２２ｃを有する表面状態検査装置３０を備えている。この撮像装置２２ｃで撮像された撮像データＤ２は主制御系２０に供給されてウエハＷ上の欠陥分布が算出される。この欠陥分布に基づいて主制御系２０はウエハＷに形成されたマークから計測対象マークを選択し、選択した計測対象マークの位置情報をアライメント検出系ＡＳを用いて計測する。 （もっと読む）

【課題】測定システムにおける非理想性の作用に対する補償をサポートするために、較正の方法を提供すること。
【解決手段】一実施例による較正の方法は、テーブルを複数の露光位置に移動するステップを含む。各位置で、測定システムの第１の部分が、平面内の２つの直交軸のそれぞれに沿ってテーブルの位置を測定し、マークが基板上に露光される。各マークについて、また、基板の２つの異なる向きについて、測定システムの第２の部分が、マークに対応するテーブルの測定位置を測定する。測定された位置に基づいて、直交軸の双方に沿った位置の関数として、直交軸の１つに沿った測定システムの位置測定誤差の特徴付けが得られる。 （もっと読む）

複数の露光領域（２）を有し、露光領域（２）の各々がＩＣを配置された複数の格子領域（３）を有するウエハ（１）において、ソー経路（６，８）の２つのグループ（５，７）が設けられ、４つの制御モジュール領域（Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１、Ｃ２、Ｄ１、Ｄ２）が各露光領域（２）に割り当てられ、前記制御モジュール領域の各々が、少なくとも１つの光学制御モジュール（ＯＣＭ−Ａ１、ＯＣＭ−Ａ２、ＯＣＭ−Ｂ１、ＯＣＭ−Ｂ２、ＯＣＭ−Ｃ１、ＯＣＭ−Ｃ２、ＯＣＭ−Ｄ１、ＯＣＭ−Ｄ２）を含み、当該露光領域（２）内に位置し、複数の制御モジュール領域セクション（Ａ１１、Ａ１２、．．．Ａ１Ｎ、Ａ２１、Ａ２２、．．．Ａ２Ｎ、Ｂ１１、Ｂ１２、．．．Ｂ１Ｎ、Ｂ２１、Ｂ２２、．．．Ｂ２Ｎ、Ｃ１Ｎ、Ｃ２Ｎ、Ｄ１Ｎ及びＤ２Ｎ）を有し、複数の格子グリッド（３）に分散され、各制御モジュール領域セクション（Ａ１１ないしＤ２Ｎ）が、格子領域に配置され、少なくとも１つの制御モジュール部品（１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８）を含む。

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複数の露光領域（２）を有し、露光領域（２）の各々がＩＣを配置された複数の格子領域（３）を有するウエハ（１）において、ダイシング経路（６，８）の２つのグループ（５，７）が設けられ、４つの制御モジュール領域（Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｃ２、Ｃ４、Ｄ２、Ｄ４、Ｅ１、Ｅ３、Ｆ１、Ｆ３、Ｇ２、Ｈ１、Ｊ１）が各露光領域（２）に割り当てられ、制御モジュール領域（Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｃ２、Ｃ４、Ｄ２、Ｄ４、Ｅ１、Ｅ３、Ｆ１、Ｆ３、Ｇ２、Ｈ１、Ｊ１）の各々が、少なくとも１つの光学制御モジュール（ＯＣＭ−Ａ１、ＯＣＭ−Ａ２、ＯＣＭ−Ａ３、ＯＣＭ−Ａ４、ＯＣＭ−Ｂ１、ＯＣＭ−Ｂ２、ＯＣＭ−Ｂ３、ＯＣＭ−Ｂ４、ＯＣＭ−Ｃ２、ＯＣＭ−Ｄ４）を含み、当該露光領域（２）内に位置し、少なくとも１つの格子領域（３）の代わりに設けられ、相互最小距離（Ｋ）を隔てて配置される。
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