【課題】現像後の余分なフォトレジストの存在を容易に把握することができる検査支援方法、検査方法、フォトマスク、及び検査支援システムを提供する。
【解決手段】ウェハ１００に積層されたレジスト１０２に所定解像度の回路パターンを転写するための転写パターン１８が形成され、かつ転写パターン１８を構成している領域の一部に所定解像度よりも高解像度の検査用パターンが形成されたフォトマスク１４を介して、レジスト１０２に所定解像度に対応する所定波長光を予め定められた照射時間照射することにより回路パターンをレジスト１０２に転写し、レジスト１０２に回路パターンが転写された後にレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６の現像液に浸漬する。 （もっと読む）

【課題】電子線用レジストの現像ローディング評価パターンにおいて、電子線露光時のfoggingの影響と現像ローディングの影響が発生する密なパターン領域を持つフォトマスクから、現像ローディングの影響のみを、工程を増やさず抽出することが出来、現像条件の最適化を行うことが出来る現像ローディング評価パターン、それを用いた評価方法、現像ローディング評価用マスク、および現像方法を提供することを課題とする。
【解決手段】電子線露光量に対応したパターン密度を有する複数個のダミーパターン部Ｂ、Ｃと、ダミーパターン部に近接して設けられた寸法測定パターン部Ａ、Ａ´と、を備えたことを特徴とする現像ローディング評価パターン。 （もっと読む）

【課題】露光装置の光学系のフレアをより効率的に管理することが可能な露光装置のフレア評価方法を提供する。
【解決手段】露光装置のフレア評価方法は、単位基準積算露光量を第１の基準積算露光量で除算することにより第１の評価値を算出するとともに、単位基準積算露光量を第２の基準積算露光量で除算することにより第２の評価値を算出する工程と、第１の評価値と第１の管理限界値とを比較し、第１の評価値が第１の管理限界値を超えている場合には、照明光学系および投影光学系の全体としてのフレア量が第１の規定値を超えていると判断する工程と、第２の評価値と第２の管理限界値とを比較し、第２の評価値が第２の管理限界値を超えている場合には、照明光学系のフレア量が第２の規定値を超えていると判断する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理効率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１において、被処理面を有する基板Ｗを保持して回転させる回転機構５と、回転機構５により回転する基板Ｗの被処理面に対して処理液を供給する供給ノズル６と、供給ノズル６を基板Ｗの周縁に向かって並ぶ複数の供給位置に順次移動させる移動機構７と、供給ノズル６により処理液が供給されている箇所の被処理面の表面状態変化を検出する検出部８と、検出部８により検出された表面状態変化が許容値以下になった場合、供給ノズル６が次の供給位置に移動するように移動機構７を制御する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】コストの増大を抑制しつつ現像不良の発生を防止することが可能な現像装置および現像方法を提供する。
【解決手段】液層形成工程の時点ｔ１〜ｔ４の期間において、基板上に現像液の液層が形成される。その後、基板の回転速度を一時的に低速の５０ｒｐｍに保持し、その後、基板の回転を停止する。このように、基板の回転の停止前に基板Ｗの回転速度を極めて低い状態で一時的に保持することにより、基板上に現像液の液層が薄く引き延ばされた状態を安定に維持しつつ基板の回転を停止することができる。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥発生度合を樹脂原料段階で評価可能な樹脂の評価方法、および、化学増幅型レジストとして好適に使用できる感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記に示す（１）〜（４）の手順による、感放射線性樹脂組成物における現像欠陥の発生度合を評価することを特徴とする評価方法である；
（１）基板上に被評価対象の感放射線性樹脂組成物の膜を形成する手順、
（２）前記膜を露光後焼成する手順、
（３）前記露光後焼成した膜を現像液に溶解し、所定濃度の現像液溶液とする手順、
（４）動的光散乱法により、前記現像液溶液中の流体力学的半径を測定する手順。 （もっと読む）

【課題】基板上の現像液がリンス液に置換される際に基板面内の位置によって現像液の濃度差を生じることを無くし、レジスト膜面にしみ状の欠陥が発生することを防止することができ、現像液の使用量を低減させることができる方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗをスピンチャック１０によって水平姿勢に保持し回転モータ１４によって鉛直軸回りに回転させながら、現像液吐出ノズル２０から基板表面のレジスト膜上へ現像液を供給して現像処理した後に、引き続き基板を回転させて、レジスト膜上の現像液を遠心力で飛散させて除去し、基板表面に干渉縞が見えなくなった時点で純水吐出ノズル３４からレジスト膜上へリンス液を供給してリンス処理する。 （もっと読む）

パターンの最小ピッチを短縮させる方法が開示される。基板上のフォトレジストがマスクを介して放射線に曝される。このマスクは或る間隔で相隔てられた造形部を有する。放射線に対する第１の被曝量、放射線に対する第２の被曝量、及び放射線に対する第３の被曝量を有するフォトレジスト部分群が作り出される。放射線に対する第１の被曝量を有するフォトレジスト部分が、第１のケミストリを用いて、基板から選択的に除去される。放射線に対する第２の被曝量を有するフォトレジスト部分が、第２のケミストリを用いて、基板から選択的に除去される。放射線に対する第３の被曝量を有するフォトレジスト部分は残存し、基板上にパターンを形成する。このパターンの造形部間の間隔は、マスクの造形部間の間隔の１／２以下である。
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【課題】 露光された無機レジストを長時間現像する際に、現像工程を自動化し、現像液を再使用し、精密な制御を可能にする。
【解決手段】 被処理原盤２１がスピンテーブル２２に取り付けられてからプリリンス工程Ｓ１がなされる。次に、現像工程Ｓ２において第１段階の現像がなされる。現像が終了すると、リンス工程Ｓ３がなされる。そして、スピン乾燥工程Ｓ４がなされる。スピン乾燥工程Ｓ４が終了した段階で、モニタリング工程Ｓ５において、現像の進行度合いが測定される。モニタリング工程Ｓ５の測定結果から追加現像が必要か否かが判定工程Ｓ６で判定される。この判定結果に基づいて、工程Ｓ１（プリリンス）から再び追加現像処理がなされる。追加現像後に、現像が設定した段階となると、現像終了と判定される。その場合には、ポストリンス工程Ｓ７がなされる。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ上の代表的なチップを精度良く求めると共に、チップの現像終点を精度良く求めることができ、寸法精度及び歩留まりの向上をはかる。
【解決手段】 被処理基板２０上のレジストにデバイスパターンを露光した後、現像によりレジストにデバイスパターンを形成するパターン形成方法において、デバイスパターンの露光時に、デバイス領域２１と共にモニタ領域２３を露光する工程と、レジストの現像時に、モニタ領域２３に複数の波長の光を照射し、該モニタ領域２３から反射される反射光強度の波長分散に基づいてデバイスパターンが所望寸法に仕上がる現像停止時間を予測する工程と、予測された現像停止時間に基板２０上に現像停止液を供給し、現像を停止させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】現像時にレジストパターン寸法の面内均一性の向上を図る。
【解決手段】所望のパターンが露光された感光性レジスト膜の現像を行う現像方法であって、感光性レジスト膜に対して現像液を供給する工程と、感光性レジスト膜上の現像液を流動させる工程（Ｓ３０４）とを含み、現像液を流動させる工程の開始時間と終了時間の間に、現像液に対して可溶な前記感光性レジスト膜の領域の底面に現像液が達する抜け時間が含まれる。 （もっと読む）

【目的】 環境の変動や現像液の劣化等による現像不良の発生を低減することができる基板の現像方法及び現像処理装置を提供する。
【解決手段】 第１の現像工程で発生した第１の現像廃液を分析する。第１の現像廃液の分析データに基づいて、当該第１の現像廃液よりも現像条件が良好である第２の現像条件に変更する。第２の現像条件で、露光されたフォトレジストが形成されている第２の基板を現像する。 （もっと読む）