【課題】 高解像度パターンフィーチャをもたらす多重パターニング技法を提供する。
【解決手段】 多重パターニングプロセスで相変化材料を使用し、相変化材料の一部分をアモルファス状態に転化させることができ、次いで残りの部分が選択的に除去され、たとえば単一の露光を使用して従来のパターニング層内で使用可能な最小間隔より小さいフィーチャ間隔を有する高解像度パターンフィーチャをもたらす。このプロセスで使用するためのリソグラフィ装置は、単一のイルミネータと、単一の露光スリットを介して、スキャンする基板上に結像される単一のパターニングデバイスとを有する露光ツールを備えることができる。別法として、露光ツールは、単一の基板パスでの二重パターニングを容易にするように、スキャンする基板上の複数の露光スリットと共に任意選択で使用される複数のイルミネータおよび／または複数のスキャンする相補的なパターニングデバイスを有することができる。 （もっと読む）

【課題】 有機膜パターンへの２回目以降の現像処理をスムーズに行うことを可能とする薬液を提供する。
【解決手段】 基板１上に形成された有機膜パターン４の表面には、有機膜パターン４の表層部が変質してなる変質層と、有機膜パターン４の表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、からなる阻害層が形成されている。水酸化テトラアルキルアンモニウム、アルカノールアミン、炭素数が５以上の糖アルコール、酸及び酸性塩から選択される少なくとも１種、及び残部の水からなり、有機膜パターン４における阻害層以外の部分を溶解させる速度が、室温において、２０００Å／分以下である薬液を用いて、阻害層を除去する。 （もっと読む）

【課題】エッチングにおけるプロセス変動を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板ＳＢ上に薄膜ＧＴが形成される。この薄膜ＧＴ上にレジスト層ＲＳが形成される。このレジスト層ＲＳ上に中間層ＩＬが形成される。この中間層ＩＬ上にフォトレジストパターンＰＲが形成される。このフォトレジストパターンＰＲがマスクとされて、中間層ＩＬがパターニングされる。パターニングされた中間層ＩＬがマスクとされて、レジスト層ＲＳがパターニングされる。パターニングされた中間層ＩＬおよびパターニングされたレジスト層ＲＳのいずれかがマスクに用いられて上記薄膜ＧＴがエッチングされる。この薄膜ＧＴのエッチングの開始から終了まで薄膜ＧＴのエッチングに用いられるマスクの材料が変わらない。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装備から得られるパターン間隔よりさらに小さい間隔を有するハードマスクパターンを形成する。
【解決手段】基板上の被食刻層上に第１幅と第１厚さを有する第１ハードマスクパターンを形成し、その上に第２ハードマスク膜を形成し、第１ハードマスクパターンが露出するまで第２ハードマスク膜を除去した後、第１ハードマスクパターン上部の一部分を除去し、第２ハードマスクパターン上部表面より第１ハードマスクパターン上部表面を低く形成し、その結果物に１次トリミング食刻工程を行い、傾いた側面を有する第２ハードマスクパターンを形成し、第２ハードマスクパターンに２次トリミング食刻工程を行い、第２ハードマスクパターンを第３ハードマスクパターンに変換させ、第１、第３ハードマスクパターンにより被食刻層の一部分を同時に露出させ、第１、第２ハードマスクパターンを食刻マスクに用い、被食刻層をパターニングする。 （もっと読む）

【課題】 最小幅が可及的に小さい孤立した狭いスペースからなるパターンを有する半導体装置を製造することを可能にする。
【解決手段】 半導体基板２上に形成されたハードマスク材膜４上にフォトレジストを塗布する工程と、フォトレジストを露光・現像することにより、ハードマスク材膜に転写形成されるハードマスクパターンの最小加工スペース幅よりも小さな幅のスペース１１ｂを複数有するライン／スペースからなるパターン中に最小加工スペース幅以上の幅を有するスペース１１ａを含むレジストパターン１０を形成する工程と、レジストパターンをマスクとしてハードマスク材膜をパターニングする工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 トリミング実施中の疎パターンと密パターンのそれぞれのトリミング量をモニターする方法を確立し、それぞれのパターンのトリミング量が規格値に収まるトリミング終点を検出する方法を実現するトリミング量制御技術を提供する。
【解決手段】 真空処理室内に収容したウエハにレジストトリミング処理を施すプラズマエッチング処理装置１３において、プラズマ処理中の装置状態をモニタリングするＯＥＳ１９を有し、ＯＥＳ１９からのモニタリング出力に基づく特徴量１６およびトリミング時間１５とから予め設定した疎密パターン別トリミング量予測回帰モデル１７を用いて疎密パターン別トリミング量予測値１８を予測し、トリミング量予測値１８と目標トリミング量１１０との距離が等しくなる時点をトリミングプロセスの終了点として、プラズマエッチング処理装置１３を制御する。 （もっと読む）