【課題】電気的接続信頼性及び接着後の耐イオンマイグレーション性に優れ、脆性改善、良好なタック性、高い作業性を有するダイシングフィルム一体型接着シート電子部品および半導体装置を提供すること。
【解決手段】支持体７の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルム３と、ダイシングテープ２とから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シート１０であって、前記接着フィルム３が、（Ａ）１核体から３核体の合計の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂と、（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物と、（Ｄ）成膜性樹脂と、を含む。 （もっと読む）

【課題】低温加圧焼結接合を含む２個の接合素子の構成体およびその製造方法の提供。
【解決手段】低温加圧焼結接合によって相互に材料密着結合で接合される第１および第２の接合素子を含む構成体に関する。関連する製造方法は次のステップを含む。すなわち、その上に平面状の金属酸化物の層２４０を含む卑金属からなる表面部分１８を有する第１接合素子１０を用意するステップと、その第１接合素子の第１接触面として設けられる表面部分の領域に還元剤を施与するステップと、その還元剤に焼結ペーストからなる層を施与するステップと、その焼結ペーストからなる層の上に第２接合素子５０の第２接触面５６を配置するステップと、材料密着結合の低温加圧焼結接合を形成するために、構成体に温度および圧力を加えるステップと、である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と基板との接合部に発生する気泡を低減させた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ダイマウント接合電極１３を有するＬＥＤチップ１０をセラミック基板２０に実装する実装工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記実装工程は、前記セラミック基板上に、Ａｕ−Ｓｎ共晶はんだ粒子４１を有するはんだペースト４０を供給する工程と、前記はんだペースト上に、前記ダイマウント接合電極上にＳｎ膜１４が形成された前記ＬＥＤチップをマウントする工程と、前記Ａｕ−Ｓｎ共晶はんだ粒子、及び前記Ｓｎ膜を溶融させて、前記セラミック基板とＬＥＤチップを接合する工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの裏面をアイランドやダイパッドなどのチップ接合部の接合面に接合させるためにはんだ接合剤を用いても、半導体チップの損傷の発生を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】樹脂基板４の一方面５には、平面視矩形状のアイランド６と、このアイランド６の４つの各角部から延出する延出部８とが一体的に形成されている。アイランド６の表面７は、半導体チップ１の裏面１０がはんだ接合剤１１を介して接合される接合面であり、半導体チップ１の裏面１０の面積よりも小さな面積を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体装置とバスバーとをはんだ付け接合するにあたって、はんだ接合厚さを最適化し、はんだ継手構造の信頼性を向上させた半導体モジュールを得る半導体モジュール製造装置および半導体モジュール製造方法を提供する。
【解決手段】半導体モジュール製造装置Ｓは、第１のバスバーＶ１と第２のバスバーＶ２との間に第１のはんだ部材ｈ１および第２のはんだ部材ｈ２を挟持し、これらはんだ部材間に半導体装置１を挟持して積み上げ体Ｔを構成し、この積み上げ体を支持棚３上に載置し、積み上げ体の一側面を加熱ブロック６に接触させてヒーター７，７で積み上げ体を加熱し、弾性押え部材１０を積み上げ体反対側の側面に接触させ、半導体装置と第２のバスバーが自重で加熱ブロックに対して摺動可能となるように積み上げ体を加熱ブロックに弾性的に押し付け付勢する。 （もっと読む）

【課題】接合材と被接合材との界面の脆性を抑え、かつ耐熱性を高くし、半導体装置の機械的な信頼性を向上させること。
【解決手段】絶縁基板１２の上に、金属Ａ粉体２と、金属Ａ粉体２よりも融点が高く比重の小さい金属Ｂ粉体３と、がフラックス４に分散して混合されている接合材１を塗布し、発熱源となる半導体チップ１１を載置する。そして、接合材１を半導体チップ１１と絶縁基板１２で挟んだまま、半導体チップ１１を接合材１の上側にして加熱炉に入れ、金属Ａ粉体２の融点以上、金属Ｂ粉体３の融点以下の温度に加熱する。ついで、金属Ｂ粉体３の融点以上の温度に加熱する。これによって、接合材１と半導体チップ１１との界面に延性の高い金属Ａと半導体チップ１１とによる第１反応層が形成され、接合層内における半導体チップ１１側に耐熱性の高い金属Ｂの濃度が高い領域が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と金属多孔質体との間の接合部において、ヒートサイクルによる接合部の密着特性の低下を抑制した半導体装置を得るものである。
【解決手段】半導体素子と、この半導体素子に拡散層を介して一方の面が接合された金属多孔質体と、この金属多孔質体の他方の面にろう材を介して接合された基板とを備えたもので、半導体素子と金属多孔質体とを拡散層介して直接接合することにより、接合部にクラックが発生することもなく、ヒートサイクルによる接合部の密着特性の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

無洗浄の低い残留物のハンダペーストは、半導体素子のダイ接着分配又はファインピッチ印刷として記載されている。該ハンダペーストは、ペースト分離する傾向のない均一な粘稠性を有する。均一に残りの残留物は、透明及び結晶様であり、かつ先に溶剤で洗浄してフラックス残留物を取り除かない他の加工工程と相容性がある。該ハンダペーストは、粘性のある溶剤系、チキソトロープ剤、活性剤、添加剤、及び場合による可塑剤との組合せにおけるロジンの比較的少量を含有する。溶剤、例えば２，５−ジメチル−２，５−ヘキサンジオール又はイソボルニルシクロヘキサノールの粘度は、３０℃で１００００ｃｐｓより大きい。該ペーストは、リフローハンダ付けのために使用されうる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と基板との接合部に発生する気泡を低減させた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ダイマウント接合電極１３を有するＬＥＤチップ１０をセラミック基板２０に実装する実装工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記実装工程は、前記セラミック基板上に、Ａｕ−Ｓｎ共晶はんだ粒子４１を有するはんだペースト４０を供給する工程と、前記はんだペースト上に、前記ダイマウント接合電極上にＳｎ膜１４が形成された前記ＬＥＤチップをマウントする工程と、前記Ａｕ−Ｓｎ共晶はんだ粒子、及び前記Ｓｎ膜を溶融させて、前記セラミック基板とＬＥＤチップを接合する工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】半田ペーストを溶融して得られる半田にヒケが発生することを防止する。
【解決手段】本発明の回路装置の製造方法は、パッド１８Ａおよびパッド１８Ｂを含む導電パターン１８を基板１６の表面に形成する工程と、パッド１８Ａの表面に半田ペースト２１Ａを塗布した後に加熱溶融して半田１９Ａを形成する工程と、パッド１８Ｂに回路素子を固着する工程と、パッド１８Ａに半田１９Ａを介して回路素子を固着する工程とを具備している。更に、半田ペースト２１Ａを構成するフラックスには硫黄が含まれている。硫黄が混入されることにより、半田ペースト２１Ａの表面張力が低下して、ヒケの発生が抑止されている。 （もっと読む）

【課題】被実装体に対する実装部品のハンダ取付位置の精度を損なうことなく実装部品を被実装体にハンダ取付することが可能な半導体集積装置を得ること。
【解決手段】ハンダ濡れ性を有し実装部品の外形寸法より小さなハンダ取付面を下面内側に有し、ハンダ取付面が実装部品の外側面より下側に突出するように形成される実装部品と、周囲がハンダ濡れ性を有さないソルダレジスト３ａで囲まれ、実装部品のハンダ取付面が載置されるハンダ濡れ性を有するソルダレジスト開口部２１を有する被実装体と、実装部品のハンダ取付面と被実装体のソルダレジスト開口部２１とを接合するハンダ２ａと、を備え、被実装体のソルダレジスト開口部２１は、実装部品のハンダ取付面の寸法より僅かに大きい狭部と、実装部品の外径寸法よりも大きい広部とが各辺において隣接するように、ソルダレジスト３ａで囲まれている。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップを配線基板に実装するダイボンディング工程の高速化と半導体パッケージの製造歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 ペースト塗布装置３０は、駆動部とこの駆動部に支持された可動部とで構成されている。可動部は、駆動部のモータ３１の回転により、主軸３６に沿って上下動するホルダ本体４０と、このホルダ本体４０にネジ止めされたノズルホルダ４１とを備えている。ノズルホルダ４１には、シリンジ４２の下端に取り付けられたノズル４３がネジ止めされている。ペースト塗布装置３０は、駆動部の主軸支持部３４に固定された高さセンサ３７を使用して、駆動部に対する可動部の経時的な位置ずれ量を検出し、この位置ずれ量に基づいて可動部の下降距離を補正する。 （もっと読む）