半導体装置
【課題】半導体チップの裏面をアイランドやダイパッドなどのチップ接合部の接合面に接合させるためにはんだ接合剤を用いても、半導体チップの損傷の発生を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】樹脂基板４の一方面５には、平面視矩形状のアイランド６と、このアイランド６の４つの各角部から延出する延出部８とが一体的に形成されている。アイランド６の表面７は、半導体チップ１の裏面１０がはんだ接合剤１１を介して接合される接合面であり、半導体チップ１の裏面１０の面積よりも小さな面積を有している。
【解決手段】樹脂基板４の一方面５には、平面視矩形状のアイランド６と、このアイランド６の４つの各角部から延出する延出部８とが一体的に形成されている。アイランド６の表面７は、半導体チップ１の裏面１０がはんだ接合剤１１を介して接合される接合面であり、半導体チップ１の裏面１０の面積よりも小さな面積を有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装型パッケージの代表的なものとして、たとえば、ＢＧＡ（Ball Grid Array）が知られている。
図４は、ＢＧＡが採用された半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。この半導体装置は、半導体チップ１０１と、半導体チップ１０１が搭載されるインタポーザ１０２と、半導体チップ１０１およびインタポーザ１０２の半導体チップ１０１に対向する面を封止する封止樹脂１０３とを備えている。
【０００３】
インタポーザ１０２は、絶縁性樹脂からなる樹脂基板１０４を基体とし、その樹脂基板１０４の一方面に、アイランド１０５および複数の内部端子１０６を備えている。アイランド１０５は、平面視において、半導体チップ１０１よりも大きなサイズを有する略矩形状に形成されている。このアイランド１０５には、半導体チップ１０１の裏面が接合剤１０７を介して接合される。複数の内部端子１０６は、アイランド１０５の周囲に配置されており、アイランド１０５に接合された半導体チップ１０１の表面上の電極パッド（図示せず）とボンディングワイヤ１０８によって電気的に接続される。また、樹脂基板１０４の他方面には、実装基板（プリント配線板）上のランドとの電気接続のための複数のボール状の外部端子１０９が整列して配置されている。そして、樹脂基板１０４の一方面上の内部端子１０６と他方面上の外部端子１０９とは、樹脂基板１０４の一方面と他方面との間を貫通するスルーホール（図示せず）内に設けられた金属を介して電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１８１５６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような半導体装置では、半導体チップ１０１をアイランド１０５に接合させるための接合剤１０７として、エポキシ樹脂系接着剤や銀ペースト、絶縁ペーストを用いるのが一般的であり、現在のところ、はんだ接合剤を用いたものは提供されていない。
たとえば、パワーＩＣが作り込まれた半導体チップは、その裏面（半導体基板の裏面）をグランドとして動作する。そのため、図４に示す半導体チップ１０１としてパワーＩＣが作り込まれた半導体チップが備えられる場合、アイランド１０５と外部端子１０９とを電気的に接続するとともに、導電性を有する接合剤１０７を用いて、半導体チップ１０１の裏面をアイランド１０５に接合させなければならない。ところが、接合剤１０７としてはんだ接合剤を用いた場合、半導体装置の温度が急激に変化したときや、高温下での接合後の温度低下時に、接合剤１０７から半導体チップ１０１の裏面側の周縁部に応力が加わり、その周縁部にクラックなどの損傷を生じるおそれがある。たとえば、はんだ接合剤を接合剤１０７に用いた場合、リフローが必須となり、そのリフロー後の冷却時に、インタポーザ１０２（樹脂基板１０４）と半導体チップ１０１とに熱収縮量の差が生じ、この熱収縮量の差による応力が接合剤１０７から半導体チップ１０１の裏面側の周縁部に伝達される。
【０００６】
このような問題は、はんだ接合剤を用いて、半導体チップを比較的肉厚の小さなリードフレームのダイパッドに接合する場合にも生じる。
この発明の目的は、半導体チップの裏面をアイランドやダイパッドなどのチップ接合部の接合面に接合させるためにはんだ接合剤を用いても、半導体チップの損傷の発生を防止することができる半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、半導体装置において、半導体チップと、樹脂基板と、前記樹脂基板の一方面に形成された平面視矩形状のアイランドと、前記樹脂基板の一方面において前記アイランドから前記樹脂基板の周縁に向けて延出するように前記アイランドと一体的に形成された延出部と、前記アイランドと前記半導体チップの裏面とを接合する接合剤とを含み、前記アイランドの大きさは前記半導体チップよりも小さく、平面視において前記延出部が前記樹脂基板の周縁に達しない位置まで延出しており、前記半導体チップの角が、前記延出部上に載っていることを特徴としている。
この構成によれば、たとえば、アイランドにはんだ接合剤（クリーム状のはんだ）を塗布し、そのはんだ接合剤上に半導体チップを配置しても、延出部を除く部分では、はんだ接合剤は、半導体チップの側面に回り込めない。そのため、半導体装置の温度が急激に変化したときや、高温下での接合後の温度低下時に、半導体チップと樹脂基板との間に熱収縮差が生じても、半導体チップの裏面側の周縁部に応力が加わることを防止することができ、半導体チップの損傷の発生を防止することができる。
【０００８】
また、この発明の構成によれば、たとえば、アイランドにはんだ接合剤を塗布し、そのはんだ接合剤上に半導体チップを配置して、リフローを行うと、はんだ接合剤が溶融し、その融液が流動することによって、半導体チップが樹脂基板上で動く。複数の延出部が設けられているとともにチップの各角と延出部とが対応していれば、たとえば、半導体チップが或る延出部側に少し偏った位置に配置されても、その場合には、はんだ接合剤の融液が他の延出部に多く流れ込み、その融液の流れによって、半導体チップをアイランドの中心上に導くことができる。そのため、半導体チップをアイランド上に配置するときの公差を大きくとることができ、半導体装置の生産性の向上を図ることができる。
【０００９】
なお、請求項２に記載のように、前記延出部は、前記半導体チップが前記アイランドに接合された状態において、前記半導体チップの表面を垂直に見下ろす平面視で、その先端部が前記半導体チップの周縁の外側に達していてもよい。
【００１０】
請求項３記載の発明は、前記樹脂基板の前記一方面に形成された内部端子と、前記半導体チップの表面と前記内部端子とを接続するボンディングワイヤとをさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体装置である。
前記内部端子が複数設けられており、前記複数の内部端子が互いに間隔を開けて前記アイランドおよび前記延出部の周囲に形成されていてもよい。
前記内部端子は、銅を用いて形成されていてもよい。
前記内部端子の数は、８であってもよい。
前記半導体チップは、最表面を覆う表面保護膜を有していてもよい。
前記半導体チップの周縁部には、電極パッドが前記表面保護膜から露出した状態に設けられていてもよい。
請求項４記載の発明は、前記樹脂基板が、ガラスエポキシ樹脂からなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置である。
前記延出部は、前記アイランドの各角部から前記樹脂基板の周縁に向けて放射状に延びていてもよい。
請求項５記載の発明は、前記樹脂基板の他方面に設けられた外部端子をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置である。
前記外部端子は、金属材料を用いてボール状に形成されていてもよい。
前記外部端子が複数設けられており、複数の前記外部端子が格子状に整列して配置されていてもよい。
前記半導体装置は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型であってもよい。
前記半導体装置は、ＬＧＡ（Land Grid Array）型であってもよい。
前記外部端子は、前記樹脂基板の一方面と他方面との間を貫通するスルーホール内に設けられた金属を介して、前記樹脂基板の一方面に形成されたアイランドまたは内部端子と電気的に接続されていてもよい。
請求項６記載の発明は、前記接合剤がはんだ接合剤であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置である。
前記はんだ接合剤は、粒径かつ融点（組成）の異なる複数種類のはんだ粉末がフラックス中に混合されたはんだペーストから形成されたものであってもよい。このようなはんだ接合剤は、フラックス中におけるはんだ粉末の密度が高いので、リフローで溶融したときに、はんだ接合剤中にボイドが発生することを防止できる。また、たとえボイドが発生しても、各粒径のはんだ粉末の融点が異なることにより、そのボイドをはんだ接合剤外へ押し出すことができる。そのため、半導体チップの裏面とチップ接合部の接合面との良好な接合を達成することができる。
請求項７記載の発明は、前記はんだ接合剤が、組成がＰｂ−５Ｓｎ−２．５Ａｇであるはんだ粉末と、組成が３７Ｐｂ−Ｓｎであるはんだ粉末とを含むはんだペーストから形成されたものであることを特徴とする、請求項６に記載の半導体装置である。
請求項８記載の発明は、前記はんだ接合剤が、粒径が３０〜８０μｍのはんだ粉末を含むはんだペーストから形成されたものであることを特徴とする、請求項６または７に記載の半導体装置である。
請求項９記載の発明は、前記半導体チップの各辺が、前記アイランドの対応する辺と平行であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置である。
請求項１０記載の発明は、前記半導体チップの全ての角が前記延出部の上に載っていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体装置である。
請求項１１記載の発明は、前記アイランドは、前記半導体チップの周縁の内側に全体が位置していることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置である。
請求項１２記載の発明は、前記半導体チップは、パワーＩＣが作り込まれた半導体基板を含むことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置である。
前記半導体装置は、前記樹脂基板の一方面を封止する封止樹脂をさらに含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置に備えられるインタポーザの平面図である。
【図３】図１に示す半導体装置に用いられるはんだペーストの構成を図解的に示す図である。
【図４】ＢＧＡが採用された半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。この半導体装置は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）が採用された半導体装置であり、平面視矩形の半導体チップ１と、半導体チップ１が搭載されるインタポーザ２と、半導体チップ１およびインタポーザ２の半導体チップ１に対向する面を封止する封止樹脂３とを備えている。
【００１３】
半導体チップ１の基体をなす半導体基板（たとえば、シリコン基板）には、たとえば、パワーＩＣが作り込まれている。半導体チップ１の最表面は、表面保護膜で覆われており、その周縁部には、複数の電極パッド（図示せず）が表面保護膜から露出した状態に設けられている。
インタポーザ２は、絶縁性樹脂（たとえば、ガラスエポキシ樹脂）からなる樹脂基板４を備えている。
【００１４】
樹脂基板４の一方面（上面）５には、図２に示すように、平面視矩形状のアイランド６と、このアイランド６の４つの各角部（四隅）からアイランド６の表面７と平行な方向（樹脂基板４の一方面５に沿う方向）に延出する延出部８とが一体的に形成されている。さらに、アイランド６および延出部８の周囲には、複数（この実施形態では８個）の内部端子９が互いに適当な間隔を空けて形成されている。これらのアイランド６、延出部８および内部端子９は、たとえば、銅などの金属材料を用いためっきによって形成することができる。
【００１５】
アイランド６は、半導体チップ１と比べて、平面視におけるサイズ（外形）が小さく形成されており、平面視において、半導体チップ１の周縁の内側に全体が位置している。アイランド６の表面７に、半導体チップ１の裏面１０が接合剤１１を介して接合される。言い換えれば、アイランド６の表面７は、半導体チップ１の裏面１０が接合剤１１を介して接合される接合面であり、半導体チップ１の裏面１０の面積よりも小さな面積を有している。半導体チップ１の裏面１０が接合剤１１を介してアイランド６の接合面７に接合されることにより、半導体チップ１のインタポーザ２への搭載（ダイボンディング）が達成される。半導体チップ１の各辺は、アイランド６の対応する辺と平行である。半導体チップ１の４つの角は、４つの延出部８の上にそれぞれ載っている。
【００１６】
４つの延出部８は、アイランド６の各角部から樹脂基板４の周縁に向けて延びる放射状をなしている。各延出部８は、半導体チップ１がアイランド６に接合された状態において、平面視で、その先端部が半導体チップ１の周縁の外側に達している。
各内部端子９は、図１に示すように、たとえば、金細線からなるボンディングワイヤ１２を介して、半導体チップ１の表面の各電極パッドに接続（ワイヤボンディング）される。これにより、半導体チップ１が、ボンディングワイヤ１２を介して内部端子９と電気的に接続される。
【００１７】
一方、樹脂基板４の他方面（下面）１３には、実装基板（プリント配線板）上のランド（電極）との電気接続のための複数の外部端子１４が設けられている。外部端子１４は、たとえば、はんだなどの金属材料を用いてボール状に形成されており、格子状に整列して配置されている。各外部端子１４は、樹脂基板４の一方面５と他方面１３との間を貫通するスルーホール（図示せず）内に設けられた金属を介して、アイランド６または内部端子９と電気的に接続されている。
【００１８】
そして、この半導体装置は、樹脂基板４の他方面１３側を実装基板に対向させて、各外部端子１４を実装基板上のランドに接続することにより、実装基板に対する表面実装が達成される。すなわち、樹脂基板４の一方面５上の内部端子９と、他方面１３上の外部端子１４とが電気的に接続されているので、外部端子１４を実装基板上のランドに接続することにより、そのランドと内部端子９との電気的な接続を達成することができ、ひいてはランドと半導体チップ１との電気的な接続を達成することができる。
【００１９】
また、この半導体装置では、半導体チップ１の裏面１０をアイランド６の接合面７に接合するための接合剤として、はんだ接合剤１１が採用されている。そのため、半導体装置が実装基板に実装された状態で、所定の外部端子１４が実装基板上のグランド電極に接続されることにより、半導体チップ１の裏面１０がグランド電極と電気的に接続される。これにより、半導体チップ１の裏面をグランド電位とすることができ、半導体チップ１の良好な動作（パワーＩＣの動作）を確保することができる。
【００２０】
半導体チップ１のインタポーザ２への搭載（ダイボンディング）は、複数のインタポーザ２に対して一括して行うことができる。すなわち、複数のインタポーザ２の樹脂基板４がその一方面５と平行な方向に連結された元基板を用意し、各樹脂基板４上のアイランド６の接合面７の中央部（図２にハッチングを付して示す領域）に、はんだ接合剤１１の材料であるクリーム状のはんだ（はんだペースト）を塗布する。次いで、半導体チップ１の裏面１０を接合面７に対向させて、その接合面７に塗布されたはんだ上に半導体チップ１を載置する。その後、はんだを溶融させるために、元基板をはんだの溶融温度以上に加熱するリフローを行うことにより、複数のインタポーザ２に対する半導体チップ１の一括搭載が達成される。そして、そのリフロー後に、元基板を各樹脂基板４に切り分けることにより、インタポーザ２上に半導体チップ１が搭載された組立体が得られる。
【００２１】
アイランド６の接合面７の面積が半導体チップ１の裏面１０の面積よりも小さいので、接合面７にはんだ接合剤１１（の材料であるクリーム状のはんだ）を塗布し、そのはんだ接合剤１１上に半導体チップ１を配置しても、はんだ接合剤１１は、半導体チップ１の側面に回り込まない。そのため、半導体装置の温度が急激に変化し、半導体チップ１とインタポーザ２（樹脂基板４）との間に熱収縮差が生じても、はんだ接合剤１１から半導体チップ１の裏面１０側の周縁部に応力が加わることを防止することができ、半導体チップ１の損傷の発生を防止することができる。
【００２２】
また、アイランド６の各角部から延出部８が延出しているので、たとえば、半導体チップ１をはんだ接合剤１１上に配置するときに、半導体チップ１が或る延出部８側に少し偏った位置に配置されても、その場合には、はんだ接合剤１１の融液が他の延出部８に多く流れ込み、その融液の流れによって、半導体チップ１が接合面７の中心上に導かれる。そのため、半導体チップ１を接合面７上に配置するときの公差を大きくとることができるので、上述のように、複数のインタポーザ２に対して半導体チップ１を一括して搭載することができる。その結果、半導体装置の生産性の向上を図ることができる。
【００２３】
なお、はんだ接合剤１１としては、たとえば、フラックス１５中に、組成がＰｂ−５Ｓｎ−２．５Ａｇであるはんだ粉末と、組成が３７Ｐｂ−Ｓｎであるはんだ粉末とを混合したものが採用されている。また、それらのはんだ粉末は、たとえば、粒径が３０〜８０・高ノ形成されており、図３に図解的に示すように、フラックス１５中には、その粒径の範囲内で相対的に大きな粒径を有するはんだ粉末１６と、相対的に小さな粒径を有するはんだ粉末１７とが混合されている。このように、粒径の異なるはんだ粉末１６，１７が混合されていることにより、フラックス１５中におけるはんだ粉末１６，１７の密度が高いので、リフローで溶融したときに、はんだ接合剤１１中にボイドが発生することを防止できる。また、はんだ粉末１６の融点が約３００℃であるのに対し、はんだ粉末１７の融点は１８３℃であるので、リフローの途中でボイドが発生しても、そのボイドをはんだ接合剤１１外へ押し出すことができる。そのため、半導体チップ１の裏面１０とアイランド６の接合面７との良好な接合を達成することができる。
【００２４】
以上、この発明の一実施形態を説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、上述の実施形態では、ＢＧＡが採用された半導体装置を取り上げたが、この発明は、ボール状の外部端子１４に代えて、薄板状の外部端子が整列した、いわゆるＬＧＡ（Land Grid Array）が採用された半導体装置に適用されてもよい。
【００２５】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【００２６】
本願明細書の記載からは、特許請求の範囲に記載した発明以外にも、以下の特徴が抽出され得る。
【００２７】
１．半導体チップと、
前記半導体チップの裏面がはんだ接合剤を介して接合される接合面を有するチップ接合部とを含み、
前記接合面の面積が前記半導体チップの裏面の面積よりも小さいことを特徴とする、半導体装置。
この構成によれば、チップ接合部の接合面の面積が半導体チップの裏面の面積よりも小さいので、たとえば、チップ接合部の接合面にはんだ接合剤（クリーム状のはんだ）を塗布し、そのはんだ接合剤上に半導体チップを配置しても、はんだ接合剤は、半導体チップの側面に回り込まない。そのため、半導体装置の温度が急激に変化したときや、高温下での接合後の温度低下時に、半導体チップとチップ接合部との間に熱収縮差が生じても、半導体チップの裏面側の周縁部に応力が加わることを防止することができ、半導体チップの損傷の発生を防止することができる。
【００２８】
なお、はんだ接合剤は、粒径かつ融点（組成）の異なる複数種類のはんだ粉末がフラックス中に混合されたものであることが好ましい。このようなはんだ接合剤は、フラックス中におけるはんだ粉末の密度が高いので、リフローで溶融したときに、はんだ接合剤中にボイドが発生することを防止できる。また、たとえボイドが発生しても、各粒径のはんだ粉末の融点が異なることにより、そのボイドをはんだ接合剤外へ押し出すことができる。そのため、半導体チップの裏面とチップ接合部の接合面との良好な接合を達成することができる。
【００２９】
２．前記接合面の周縁から前記接合面と平行な方向にそれぞれ延出する複数の延出部をさらに含むことを特徴とする、項１記載の半導体装置。
この構成によれば、チップ接合部の接合面にはんだ接合剤を塗布し、そのはんだ接合剤上に半導体チップを配置して、リフローを行うと、はんだ接合剤が溶融し、その融液が流動することによって、半導体チップがチップ接合部上で動く。複数の延出部が設けられているので、たとえば、半導体チップが或る延出部側に少し偏った位置に配置されても、その場合には、はんだ接合剤の融液が他の延出部に多く流れ込み、その融液の流れによって、半導体チップを接合面の中心上に導くことができる。そのため、半導体チップを接合面上に配置するときの公差を大きくとることができ、半導体装置の生産性の向上を図ることができる。
【００３０】
３．前記延出部は、前記半導体チップが前記接合面に接合された状態において、前記半導体チップの表面を垂直に見下ろす平面視で、その先端部が前記半導体チップの周縁の外側に達していることを特徴とする、項２記載の半導体装置。
４．前記接合面は、矩形状に形成されており、
前記延出部は、前記接合面の角部から延びていることを特徴とする、項２記載の半導体装置。
５．前記延出部は、前記接合面の４つの各角部から延びていることを特徴とする、項４記載の半導体装置。
【符号の説明】
【００３１】
１ 半導体チップ
２ インタポーザ（チップ接合部）
７ 接合面
８ 延出部
１０ 裏面
１１ はんだ接合剤
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装型パッケージの代表的なものとして、たとえば、ＢＧＡ（Ball Grid Array）が知られている。
図４は、ＢＧＡが採用された半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。この半導体装置は、半導体チップ１０１と、半導体チップ１０１が搭載されるインタポーザ１０２と、半導体チップ１０１およびインタポーザ１０２の半導体チップ１０１に対向する面を封止する封止樹脂１０３とを備えている。
【０００３】
インタポーザ１０２は、絶縁性樹脂からなる樹脂基板１０４を基体とし、その樹脂基板１０４の一方面に、アイランド１０５および複数の内部端子１０６を備えている。アイランド１０５は、平面視において、半導体チップ１０１よりも大きなサイズを有する略矩形状に形成されている。このアイランド１０５には、半導体チップ１０１の裏面が接合剤１０７を介して接合される。複数の内部端子１０６は、アイランド１０５の周囲に配置されており、アイランド１０５に接合された半導体チップ１０１の表面上の電極パッド（図示せず）とボンディングワイヤ１０８によって電気的に接続される。また、樹脂基板１０４の他方面には、実装基板（プリント配線板）上のランドとの電気接続のための複数のボール状の外部端子１０９が整列して配置されている。そして、樹脂基板１０４の一方面上の内部端子１０６と他方面上の外部端子１０９とは、樹脂基板１０４の一方面と他方面との間を貫通するスルーホール（図示せず）内に設けられた金属を介して電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１８１５６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような半導体装置では、半導体チップ１０１をアイランド１０５に接合させるための接合剤１０７として、エポキシ樹脂系接着剤や銀ペースト、絶縁ペーストを用いるのが一般的であり、現在のところ、はんだ接合剤を用いたものは提供されていない。
たとえば、パワーＩＣが作り込まれた半導体チップは、その裏面（半導体基板の裏面）をグランドとして動作する。そのため、図４に示す半導体チップ１０１としてパワーＩＣが作り込まれた半導体チップが備えられる場合、アイランド１０５と外部端子１０９とを電気的に接続するとともに、導電性を有する接合剤１０７を用いて、半導体チップ１０１の裏面をアイランド１０５に接合させなければならない。ところが、接合剤１０７としてはんだ接合剤を用いた場合、半導体装置の温度が急激に変化したときや、高温下での接合後の温度低下時に、接合剤１０７から半導体チップ１０１の裏面側の周縁部に応力が加わり、その周縁部にクラックなどの損傷を生じるおそれがある。たとえば、はんだ接合剤を接合剤１０７に用いた場合、リフローが必須となり、そのリフロー後の冷却時に、インタポーザ１０２（樹脂基板１０４）と半導体チップ１０１とに熱収縮量の差が生じ、この熱収縮量の差による応力が接合剤１０７から半導体チップ１０１の裏面側の周縁部に伝達される。
【０００６】
このような問題は、はんだ接合剤を用いて、半導体チップを比較的肉厚の小さなリードフレームのダイパッドに接合する場合にも生じる。
この発明の目的は、半導体チップの裏面をアイランドやダイパッドなどのチップ接合部の接合面に接合させるためにはんだ接合剤を用いても、半導体チップの損傷の発生を防止することができる半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、半導体装置において、半導体チップと、樹脂基板と、前記樹脂基板の一方面に形成された平面視矩形状のアイランドと、前記樹脂基板の一方面において前記アイランドから前記樹脂基板の周縁に向けて延出するように前記アイランドと一体的に形成された延出部と、前記アイランドと前記半導体チップの裏面とを接合する接合剤とを含み、前記アイランドの大きさは前記半導体チップよりも小さく、平面視において前記延出部が前記樹脂基板の周縁に達しない位置まで延出しており、前記半導体チップの角が、前記延出部上に載っていることを特徴としている。
この構成によれば、たとえば、アイランドにはんだ接合剤（クリーム状のはんだ）を塗布し、そのはんだ接合剤上に半導体チップを配置しても、延出部を除く部分では、はんだ接合剤は、半導体チップの側面に回り込めない。そのため、半導体装置の温度が急激に変化したときや、高温下での接合後の温度低下時に、半導体チップと樹脂基板との間に熱収縮差が生じても、半導体チップの裏面側の周縁部に応力が加わることを防止することができ、半導体チップの損傷の発生を防止することができる。
【０００８】
また、この発明の構成によれば、たとえば、アイランドにはんだ接合剤を塗布し、そのはんだ接合剤上に半導体チップを配置して、リフローを行うと、はんだ接合剤が溶融し、その融液が流動することによって、半導体チップが樹脂基板上で動く。複数の延出部が設けられているとともにチップの各角と延出部とが対応していれば、たとえば、半導体チップが或る延出部側に少し偏った位置に配置されても、その場合には、はんだ接合剤の融液が他の延出部に多く流れ込み、その融液の流れによって、半導体チップをアイランドの中心上に導くことができる。そのため、半導体チップをアイランド上に配置するときの公差を大きくとることができ、半導体装置の生産性の向上を図ることができる。
【０００９】
なお、請求項２に記載のように、前記延出部は、前記半導体チップが前記アイランドに接合された状態において、前記半導体チップの表面を垂直に見下ろす平面視で、その先端部が前記半導体チップの周縁の外側に達していてもよい。
【００１０】
請求項３記載の発明は、前記樹脂基板の前記一方面に形成された内部端子と、前記半導体チップの表面と前記内部端子とを接続するボンディングワイヤとをさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体装置である。
前記内部端子が複数設けられており、前記複数の内部端子が互いに間隔を開けて前記アイランドおよび前記延出部の周囲に形成されていてもよい。
前記内部端子は、銅を用いて形成されていてもよい。
前記内部端子の数は、８であってもよい。
前記半導体チップは、最表面を覆う表面保護膜を有していてもよい。
前記半導体チップの周縁部には、電極パッドが前記表面保護膜から露出した状態に設けられていてもよい。
請求項４記載の発明は、前記樹脂基板が、ガラスエポキシ樹脂からなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置である。
前記延出部は、前記アイランドの各角部から前記樹脂基板の周縁に向けて放射状に延びていてもよい。
請求項５記載の発明は、前記樹脂基板の他方面に設けられた外部端子をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置である。
前記外部端子は、金属材料を用いてボール状に形成されていてもよい。
前記外部端子が複数設けられており、複数の前記外部端子が格子状に整列して配置されていてもよい。
前記半導体装置は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型であってもよい。
前記半導体装置は、ＬＧＡ（Land Grid Array）型であってもよい。
前記外部端子は、前記樹脂基板の一方面と他方面との間を貫通するスルーホール内に設けられた金属を介して、前記樹脂基板の一方面に形成されたアイランドまたは内部端子と電気的に接続されていてもよい。
請求項６記載の発明は、前記接合剤がはんだ接合剤であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置である。
前記はんだ接合剤は、粒径かつ融点（組成）の異なる複数種類のはんだ粉末がフラックス中に混合されたはんだペーストから形成されたものであってもよい。このようなはんだ接合剤は、フラックス中におけるはんだ粉末の密度が高いので、リフローで溶融したときに、はんだ接合剤中にボイドが発生することを防止できる。また、たとえボイドが発生しても、各粒径のはんだ粉末の融点が異なることにより、そのボイドをはんだ接合剤外へ押し出すことができる。そのため、半導体チップの裏面とチップ接合部の接合面との良好な接合を達成することができる。
請求項７記載の発明は、前記はんだ接合剤が、組成がＰｂ−５Ｓｎ−２．５Ａｇであるはんだ粉末と、組成が３７Ｐｂ−Ｓｎであるはんだ粉末とを含むはんだペーストから形成されたものであることを特徴とする、請求項６に記載の半導体装置である。
請求項８記載の発明は、前記はんだ接合剤が、粒径が３０〜８０μｍのはんだ粉末を含むはんだペーストから形成されたものであることを特徴とする、請求項６または７に記載の半導体装置である。
請求項９記載の発明は、前記半導体チップの各辺が、前記アイランドの対応する辺と平行であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置である。
請求項１０記載の発明は、前記半導体チップの全ての角が前記延出部の上に載っていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体装置である。
請求項１１記載の発明は、前記アイランドは、前記半導体チップの周縁の内側に全体が位置していることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置である。
請求項１２記載の発明は、前記半導体チップは、パワーＩＣが作り込まれた半導体基板を含むことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置である。
前記半導体装置は、前記樹脂基板の一方面を封止する封止樹脂をさらに含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置に備えられるインタポーザの平面図である。
【図３】図１に示す半導体装置に用いられるはんだペーストの構成を図解的に示す図である。
【図４】ＢＧＡが採用された半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。この半導体装置は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）が採用された半導体装置であり、平面視矩形の半導体チップ１と、半導体チップ１が搭載されるインタポーザ２と、半導体チップ１およびインタポーザ２の半導体チップ１に対向する面を封止する封止樹脂３とを備えている。
【００１３】
半導体チップ１の基体をなす半導体基板（たとえば、シリコン基板）には、たとえば、パワーＩＣが作り込まれている。半導体チップ１の最表面は、表面保護膜で覆われており、その周縁部には、複数の電極パッド（図示せず）が表面保護膜から露出した状態に設けられている。
インタポーザ２は、絶縁性樹脂（たとえば、ガラスエポキシ樹脂）からなる樹脂基板４を備えている。
【００１４】
樹脂基板４の一方面（上面）５には、図２に示すように、平面視矩形状のアイランド６と、このアイランド６の４つの各角部（四隅）からアイランド６の表面７と平行な方向（樹脂基板４の一方面５に沿う方向）に延出する延出部８とが一体的に形成されている。さらに、アイランド６および延出部８の周囲には、複数（この実施形態では８個）の内部端子９が互いに適当な間隔を空けて形成されている。これらのアイランド６、延出部８および内部端子９は、たとえば、銅などの金属材料を用いためっきによって形成することができる。
【００１５】
アイランド６は、半導体チップ１と比べて、平面視におけるサイズ（外形）が小さく形成されており、平面視において、半導体チップ１の周縁の内側に全体が位置している。アイランド６の表面７に、半導体チップ１の裏面１０が接合剤１１を介して接合される。言い換えれば、アイランド６の表面７は、半導体チップ１の裏面１０が接合剤１１を介して接合される接合面であり、半導体チップ１の裏面１０の面積よりも小さな面積を有している。半導体チップ１の裏面１０が接合剤１１を介してアイランド６の接合面７に接合されることにより、半導体チップ１のインタポーザ２への搭載（ダイボンディング）が達成される。半導体チップ１の各辺は、アイランド６の対応する辺と平行である。半導体チップ１の４つの角は、４つの延出部８の上にそれぞれ載っている。
【００１６】
４つの延出部８は、アイランド６の各角部から樹脂基板４の周縁に向けて延びる放射状をなしている。各延出部８は、半導体チップ１がアイランド６に接合された状態において、平面視で、その先端部が半導体チップ１の周縁の外側に達している。
各内部端子９は、図１に示すように、たとえば、金細線からなるボンディングワイヤ１２を介して、半導体チップ１の表面の各電極パッドに接続（ワイヤボンディング）される。これにより、半導体チップ１が、ボンディングワイヤ１２を介して内部端子９と電気的に接続される。
【００１７】
一方、樹脂基板４の他方面（下面）１３には、実装基板（プリント配線板）上のランド（電極）との電気接続のための複数の外部端子１４が設けられている。外部端子１４は、たとえば、はんだなどの金属材料を用いてボール状に形成されており、格子状に整列して配置されている。各外部端子１４は、樹脂基板４の一方面５と他方面１３との間を貫通するスルーホール（図示せず）内に設けられた金属を介して、アイランド６または内部端子９と電気的に接続されている。
【００１８】
そして、この半導体装置は、樹脂基板４の他方面１３側を実装基板に対向させて、各外部端子１４を実装基板上のランドに接続することにより、実装基板に対する表面実装が達成される。すなわち、樹脂基板４の一方面５上の内部端子９と、他方面１３上の外部端子１４とが電気的に接続されているので、外部端子１４を実装基板上のランドに接続することにより、そのランドと内部端子９との電気的な接続を達成することができ、ひいてはランドと半導体チップ１との電気的な接続を達成することができる。
【００１９】
また、この半導体装置では、半導体チップ１の裏面１０をアイランド６の接合面７に接合するための接合剤として、はんだ接合剤１１が採用されている。そのため、半導体装置が実装基板に実装された状態で、所定の外部端子１４が実装基板上のグランド電極に接続されることにより、半導体チップ１の裏面１０がグランド電極と電気的に接続される。これにより、半導体チップ１の裏面をグランド電位とすることができ、半導体チップ１の良好な動作（パワーＩＣの動作）を確保することができる。
【００２０】
半導体チップ１のインタポーザ２への搭載（ダイボンディング）は、複数のインタポーザ２に対して一括して行うことができる。すなわち、複数のインタポーザ２の樹脂基板４がその一方面５と平行な方向に連結された元基板を用意し、各樹脂基板４上のアイランド６の接合面７の中央部（図２にハッチングを付して示す領域）に、はんだ接合剤１１の材料であるクリーム状のはんだ（はんだペースト）を塗布する。次いで、半導体チップ１の裏面１０を接合面７に対向させて、その接合面７に塗布されたはんだ上に半導体チップ１を載置する。その後、はんだを溶融させるために、元基板をはんだの溶融温度以上に加熱するリフローを行うことにより、複数のインタポーザ２に対する半導体チップ１の一括搭載が達成される。そして、そのリフロー後に、元基板を各樹脂基板４に切り分けることにより、インタポーザ２上に半導体チップ１が搭載された組立体が得られる。
【００２１】
アイランド６の接合面７の面積が半導体チップ１の裏面１０の面積よりも小さいので、接合面７にはんだ接合剤１１（の材料であるクリーム状のはんだ）を塗布し、そのはんだ接合剤１１上に半導体チップ１を配置しても、はんだ接合剤１１は、半導体チップ１の側面に回り込まない。そのため、半導体装置の温度が急激に変化し、半導体チップ１とインタポーザ２（樹脂基板４）との間に熱収縮差が生じても、はんだ接合剤１１から半導体チップ１の裏面１０側の周縁部に応力が加わることを防止することができ、半導体チップ１の損傷の発生を防止することができる。
【００２２】
また、アイランド６の各角部から延出部８が延出しているので、たとえば、半導体チップ１をはんだ接合剤１１上に配置するときに、半導体チップ１が或る延出部８側に少し偏った位置に配置されても、その場合には、はんだ接合剤１１の融液が他の延出部８に多く流れ込み、その融液の流れによって、半導体チップ１が接合面７の中心上に導かれる。そのため、半導体チップ１を接合面７上に配置するときの公差を大きくとることができるので、上述のように、複数のインタポーザ２に対して半導体チップ１を一括して搭載することができる。その結果、半導体装置の生産性の向上を図ることができる。
【００２３】
なお、はんだ接合剤１１としては、たとえば、フラックス１５中に、組成がＰｂ−５Ｓｎ−２．５Ａｇであるはんだ粉末と、組成が３７Ｐｂ−Ｓｎであるはんだ粉末とを混合したものが採用されている。また、それらのはんだ粉末は、たとえば、粒径が３０〜８０・高ノ形成されており、図３に図解的に示すように、フラックス１５中には、その粒径の範囲内で相対的に大きな粒径を有するはんだ粉末１６と、相対的に小さな粒径を有するはんだ粉末１７とが混合されている。このように、粒径の異なるはんだ粉末１６，１７が混合されていることにより、フラックス１５中におけるはんだ粉末１６，１７の密度が高いので、リフローで溶融したときに、はんだ接合剤１１中にボイドが発生することを防止できる。また、はんだ粉末１６の融点が約３００℃であるのに対し、はんだ粉末１７の融点は１８３℃であるので、リフローの途中でボイドが発生しても、そのボイドをはんだ接合剤１１外へ押し出すことができる。そのため、半導体チップ１の裏面１０とアイランド６の接合面７との良好な接合を達成することができる。
【００２４】
以上、この発明の一実施形態を説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、上述の実施形態では、ＢＧＡが採用された半導体装置を取り上げたが、この発明は、ボール状の外部端子１４に代えて、薄板状の外部端子が整列した、いわゆるＬＧＡ（Land Grid Array）が採用された半導体装置に適用されてもよい。
【００２５】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【００２６】
本願明細書の記載からは、特許請求の範囲に記載した発明以外にも、以下の特徴が抽出され得る。
【００２７】
１．半導体チップと、
前記半導体チップの裏面がはんだ接合剤を介して接合される接合面を有するチップ接合部とを含み、
前記接合面の面積が前記半導体チップの裏面の面積よりも小さいことを特徴とする、半導体装置。
この構成によれば、チップ接合部の接合面の面積が半導体チップの裏面の面積よりも小さいので、たとえば、チップ接合部の接合面にはんだ接合剤（クリーム状のはんだ）を塗布し、そのはんだ接合剤上に半導体チップを配置しても、はんだ接合剤は、半導体チップの側面に回り込まない。そのため、半導体装置の温度が急激に変化したときや、高温下での接合後の温度低下時に、半導体チップとチップ接合部との間に熱収縮差が生じても、半導体チップの裏面側の周縁部に応力が加わることを防止することができ、半導体チップの損傷の発生を防止することができる。
【００２８】
なお、はんだ接合剤は、粒径かつ融点（組成）の異なる複数種類のはんだ粉末がフラックス中に混合されたものであることが好ましい。このようなはんだ接合剤は、フラックス中におけるはんだ粉末の密度が高いので、リフローで溶融したときに、はんだ接合剤中にボイドが発生することを防止できる。また、たとえボイドが発生しても、各粒径のはんだ粉末の融点が異なることにより、そのボイドをはんだ接合剤外へ押し出すことができる。そのため、半導体チップの裏面とチップ接合部の接合面との良好な接合を達成することができる。
【００２９】
２．前記接合面の周縁から前記接合面と平行な方向にそれぞれ延出する複数の延出部をさらに含むことを特徴とする、項１記載の半導体装置。
この構成によれば、チップ接合部の接合面にはんだ接合剤を塗布し、そのはんだ接合剤上に半導体チップを配置して、リフローを行うと、はんだ接合剤が溶融し、その融液が流動することによって、半導体チップがチップ接合部上で動く。複数の延出部が設けられているので、たとえば、半導体チップが或る延出部側に少し偏った位置に配置されても、その場合には、はんだ接合剤の融液が他の延出部に多く流れ込み、その融液の流れによって、半導体チップを接合面の中心上に導くことができる。そのため、半導体チップを接合面上に配置するときの公差を大きくとることができ、半導体装置の生産性の向上を図ることができる。
【００３０】
３．前記延出部は、前記半導体チップが前記接合面に接合された状態において、前記半導体チップの表面を垂直に見下ろす平面視で、その先端部が前記半導体チップの周縁の外側に達していることを特徴とする、項２記載の半導体装置。
４．前記接合面は、矩形状に形成されており、
前記延出部は、前記接合面の角部から延びていることを特徴とする、項２記載の半導体装置。
５．前記延出部は、前記接合面の４つの各角部から延びていることを特徴とする、項４記載の半導体装置。
【符号の説明】
【００３１】
１ 半導体チップ
２ インタポーザ（チップ接合部）
７ 接合面
８ 延出部
１０ 裏面
１１ はんだ接合剤
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視矩形の半導体チップと、
樹脂基板と、
前記樹脂基板の一方面に形成されたアイランドと、
前記樹脂基板の一方面において前記アイランドから前記樹脂基板の周縁に向けて延出するように前記アイランドと一体的に形成された延出部と、
前記アイランドと前記半導体チップの裏面とを接合する接合剤とを含み、
前記アイランドの大きさは前記半導体チップよりも小さく、平面視において前記延出部が前記樹脂基板の周縁に達しない位置まで延出しており、
前記半導体チップの角が、前記延出部上に載っていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記延出部は、前記半導体チップが前記アイランドに接合された状態において、前記半導体チップの表面を垂直に見下ろす平面視で、その先端部が前記半導体チップの周縁の外側に達していることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂基板の前記一方面に形成された内部端子と、
前記半導体チップの表面と前記内部端子とを接続するボンディングワイヤとをさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂基板が、ガラスエポキシ樹脂からなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記樹脂基板の他方面に設けられた外部端子をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記接合剤がはんだ接合剤であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記はんだ接合剤が、組成がＰｂ−５Ｓｎ−２．５Ａｇであるはんだ粉末と、組成が３７Ｐｂ−Ｓｎであるはんだ粉末とを含むはんだペーストから形成されたものであることを特徴とする、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記はんだ接合剤が、粒径が３０〜８０μｍのはんだ粉末を含むはんだペーストから形成されたものであることを特徴とする、請求項６または７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体チップの各辺が、前記アイランドの対応する辺と平行であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体チップの全ての角が前記延出部の上に載っていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記アイランドは、前記半導体チップの周縁の内側に全体が位置していることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体チップは、パワーＩＣが作り込まれた半導体基板を含むことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１】
平面視矩形の半導体チップと、
樹脂基板と、
前記樹脂基板の一方面に形成されたアイランドと、
前記樹脂基板の一方面において前記アイランドから前記樹脂基板の周縁に向けて延出するように前記アイランドと一体的に形成された延出部と、
前記アイランドと前記半導体チップの裏面とを接合する接合剤とを含み、
前記アイランドの大きさは前記半導体チップよりも小さく、平面視において前記延出部が前記樹脂基板の周縁に達しない位置まで延出しており、
前記半導体チップの角が、前記延出部上に載っていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記延出部は、前記半導体チップが前記アイランドに接合された状態において、前記半導体チップの表面を垂直に見下ろす平面視で、その先端部が前記半導体チップの周縁の外側に達していることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂基板の前記一方面に形成された内部端子と、
前記半導体チップの表面と前記内部端子とを接続するボンディングワイヤとをさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂基板が、ガラスエポキシ樹脂からなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記樹脂基板の他方面に設けられた外部端子をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記接合剤がはんだ接合剤であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記はんだ接合剤が、組成がＰｂ−５Ｓｎ−２．５Ａｇであるはんだ粉末と、組成が３７Ｐｂ−Ｓｎであるはんだ粉末とを含むはんだペーストから形成されたものであることを特徴とする、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記はんだ接合剤が、粒径が３０〜８０μｍのはんだ粉末を含むはんだペーストから形成されたものであることを特徴とする、請求項６または７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体チップの各辺が、前記アイランドの対応する辺と平行であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体チップの全ての角が前記延出部の上に載っていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記アイランドは、前記半導体チップの周縁の内側に全体が位置していることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体チップは、パワーＩＣが作り込まれた半導体基板を含むことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−１９９３０９（Ｐ２０１１−１９９３０９Ａ）
【公開日】平成２３年１０月６日（２０１１．１０．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１２６６３２（Ｐ２０１１−１２６６３２）
【出願日】平成２３年６月６日（２０１１．６．６）
【分割の表示】特願２００５−１６５８００（Ｐ２００５−１６５８００）の分割
【原出願日】平成１７年６月６日（２００５．６．６）
【出願人】（０００１１６０２４）ローム株式会社 (3,539)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月６日（２０１１．１０．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月６日（２０１１．６．６）
【分割の表示】特願２００５−１６５８００（Ｐ２００５−１６５８００）の分割
【原出願日】平成１７年６月６日（２００５．６．６）
【出願人】（０００１１６０２４）ローム株式会社 (3,539)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]