【課題】 本発明の目的は、高速・低消費電力の半導体集積回路を提供することにある。
【解決手段】 動作状態にある回路と待機状態にある回路を混在するようにして、回路毎にバックゲート電圧を設定可能にする。
【効果】 待機時には小電流とし低消費電力性を得て、動作時には大電流として高速性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 サブミクロンＣＭＯＳトランジスタを、アナログＣＭＯＳトランジスタ、高耐圧ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードまたは拡散抵抗などと一緒に、それぞれの特性を劣化させることなく、同一基板上に混載すること。
【解決手段】 半導体基板１の一主面側にパンチスルーストッパー層を形成する際に、アナログＣＭＯＳトランジスタ、高耐圧ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードまたは拡散抵抗を形成する領域をマスクしてたとえばイオン注入をおこなう。それによって、サブミクロンＣＭＯＳトランジスタの形成領域にパンチスルーストッパー領域４を形成するとともに、アナログＣＭＯＳトランジスタ、高耐圧ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードまたは拡散抵抗の形成領域にパンチスルーストッパー領域が形成されるのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】順方向基板バイアスを印加する場合に、動作温度の上昇にともなうリーク電流の増加を防止する。
【解決手段】順バイアス制御回路ＦＢＢが出力するバイアス信号は電流クランプ回路ＣＬＭＰを通してＣＭＯＳ回路ＬＳＩの基板へ供給される。電流クランプ回路ＣＬＭＰは不純物濃度の低い拡散層を利用して構成され、温度変化に対して不変な定電流を供給する。
【効果】ＣＭＯＳ回路の低電圧駆動時、動作速度を順バイアスにより向上するとともに、温度上昇時、順バイアス印加にともなうリーク電流の増加を抑制し、高速かつ高信頼性を持った半導体集積回路装置を実現する。 （もっと読む）