酸化物アイソレーション領域と光センサとの間に局在するハロゲンの豊富な領域を有する画素セルである。ハロゲンの豊富な領域はアイソレーション領域から光センサへの漏れを阻止し、それによって、イメージャ内の暗電流を抑制する。
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半導体光システムにおける色温度制御のためのシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）フォトダイオード光監視方法およびシステム。方法は、複数のＳＯＩフォトダイオードを設けるステップであって、各ＳＯＩフォトダイオードは、シリコン基板と、シリコン基板上に形成された埋込酸化物層と、埋込酸化物層上に形成されたシリコン層とを有し、各ＳＯＩフォトダイオードのシリコン層が異なる厚さを有しているステップと、波長およびシリコン層の厚さに関して、各ＳＯＩフォトダイオードを通過してシリコン基板へと向かう入射光の割合を決定するステップと、決定された上記割合に基づいて入射光の色成分強度を計算するステップとを含んでいる。
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付随するひずみシリコン層を備えるピクセルセルを有するイメージャである。ひずみシリコン層は電荷転送効率を増大し、残像を減少し、撮像デバイスにおける青感度を改善する。
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超薄型の裏面照射フォトダイオード・アレイの構造と製造方法である。このフォトダイオード・アレイは第１と第２の表面を有する第１の導電型の基板を有する裏面照射フォトダイオード・アレイであり、第２の表面は基板よりも大きい導電率を有する第１の導電型の層を有する。このアレイはまた、基板の第１の表面から基板よりも大きい導電率を有する第１の導電型の層へと延びて基板よりも高い導電率の第１の導電型の領域のマトリックス、第１の導電型の領域のマトリックスの中に散在させられ、基板の第２の表面上の第１の導電型の層へと延びることのない第２の導電型の複数の領域、と第１の導電型の領域のマトリックスと第２の導電型の複数の領域への電気的コンタクトを作るための第１の表面上の複数のコンタクト部も有する。
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以下の段階が含まれる、検出器の作製方法である。上面を有する基板中にトレンチを形成する段階と；前記基板上及び前記トレンチ中に、第１ドープ半導体層を形成する段階と；前記第１ドープ半導体層上及び前記トレンチ中に延在して、第１ドープ半導体層の伝導度よりも低い伝導度を有する第２ドープ半導体層を形成する段階と；前記第２ドープ半導体層上及び前記トレンチ中に延在する第３ドープ半導体層を形成する段階と；前記第１、第２及び第３ドープ半導体層における、上面、実質的な平面を作製して前記トレンチ中の第１ドープ半導体層の上端を露出させるために、前記基板の表面で画定される平面よりも上方の部分を除去する段階と；前記第１ドープ半導体層への第１電気的コンタクトを形成する段階と；前記第３ドープ半導体層への第２電気的コンタクトを形成する段階と、を有する。

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赤色光、緑色光および青色光用の２画素検出方式を含むＣＭＯＳ結像デバイス。１つの画素が、赤色光および青色光を検出し、別の画素が緑色光を検出する。赤色および青色の検出は波長に基づき、またこのデバイスは、赤色／青色画素中で青色光の検出が浅い基板深さで行われ、赤色光の検出がより深い基板深さで行われるような構造になっている。この画素アレイは、赤色／青色画素が緑色画素に隣接し、赤色／青色画素と緑色画素とが交互に配列されるような構造になっている。本発明は、このような結像アレイおよび画素を形成する方法にも関する。
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【課題】 パッシベーション膜を備えた従来のＣＣＤ型またはＭＯＳ型の固体撮像素子を利用した撮像機器では、再生画像に色むらが生じ易い。
【解決手段】 ＣＣＤ型またはＭＯＳ型の固体撮像素子におけるパッシベーション膜の形状を、光電変換素子それぞれの上方に開口部を１つずつ有する形状にする。 （もっと読む）