【課題】戻り光不良を防ぐことができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板３２は、互いに対向する表面と裏面を有する。ｎ型ＩｎＰ基板３２の表面上にｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４が設けられている。このｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４は、ｎ型ＩｎＰ基板３２のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを持つ。ｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４上にｎ型ＩｎＰ層３６が設けられている。ｎ型ＩｎＰ層３６の一部にｐ型領域４０が設けられている。ｎ型ＩｎＰ層３６にカソード電極４２が接続され、ｐ型領域４０にアノード電極４４が接続されている。ｎ型ＩｎＰ基板３２の裏面上に低反射膜４６が設けられている。ｎ型ＩｎＰ基板３２の裏面が入射光の受光面である。ｎ型ＩｎＰ基板３２の裏面には、低反射膜４６よりも入射光に対する反射率が高い物質又は構造が設けられていない。 （もっと読む）

【課題】光を最大に効率良く利用し、高いＳ／Ｎ比を有した超小型で、赤外線領域の赤外線を電気信号に変換するのに適した光センサを提供すること。
【解決手段】光センサは、半導体基板１の表面に設けられた少なくとも第１の半導体層２と、この第１の半導体層２上に設けられた光吸収層となる第３の半導体層４と、この第３の半導体層４上に設けられた第２の半導体層３と、半導体基板１の裏面に設けられた第１の保護層５と、この第１の保護層を被覆して設けられた第２の保護層６から構成されている。半導体基板の裏面から入射した光量に応じた信号を電圧又は電流で出力し、半導体基板の裏面に２層からなる保護層を設けることで、半導体基板の裏面の変色を防ぎ、また、光の利用効率を向上することが出来る。 （もっと読む）

【目的】より簡易な手法で、所定の層表面に反射防止構造を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、高周波電力を印加したプラズマ雰囲気中で、基板上にシリコン（Ｓｉ）含有絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、前記Ｓｉ含有絶縁膜を形成する際に用いたガスを継続して流し続けながら前記高周波電力の出力を弱めることで、前記Ｓｉ含有絶縁膜上にＳｉを主成分とする複数の粒子を堆積させる工程（Ｓ１０４）と、前記複数の粒子をマスクとして、前記Ｓｉ含有絶縁膜をエッチングする工程（Ｓ１０６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光デバイスの膜の剥離を防止することを目的とする。
【解決手段】光デバイスは、基板１０１と、基板１０１の第１面１２０に形成された、発光部又は受光部１２２と、基板１０１の第１面１２０とは反対の第２面１２４に形成された、基板１０１の表面よりも光反射率が低い反射防止膜１１５と、を有する。第２面１２４には、発光部又は受光部１２２に対向する領域を囲む溝１１６が形成されている。反射防止膜１１５は、溝１１６に囲まれた領域、溝１１６の内部及び溝１１６の外側に連続的に密着して形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は反射防止膜を有するイメージセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】反射防止イメージセンサは、基板と、前記基板内に配置された第１カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第２カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第３カラーセンシングピクセルと、前記第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に直接配置された第１層と、前記第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に置かれ、前記第１層上に直接配置された第２層と、前記第１カラーセンシングピクセルまたは第２カラーセンシングピクセルの少なくとも一つの上に置かれ、前記第２層の一部上に直接配置された第３層とを含み、前記第１層は第１屈折率を有し、前記第２層は前記第１屈折率より大きい第２屈折率を有し、前記第３層は前記第２屈折率より大きい第３屈折率を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ１は、第１導電型の半導体領域と第２導電型の半導体領域とで形成されたｐｎ接合を有するｎ⁻型半導体基板１を備えている。ｎ⁻型半導体基板１には、ｎ⁻型半導体基板１の第２主面１ｂ側にアキュムレーション層７が形成されていると共に、第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおける少なくともｐｎ接合に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。ｎ⁻型半導体基板１の第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおけるｐｎ接合に対向する領域は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、基板の光入射面側の透明絶縁膜における光の透過率を向上させることができ、かつ、暗電流抑制機能と量子効率ロスの防止機能を備えた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】受光部４が形成された半導体基板１の裏面には、酸化シリコン膜８と、窒化シリコン膜９が積層されている。酸化シリコン膜８と窒化シリコン膜９の界面あるいは窒化シリコン膜９の膜中には、負電荷（電子）が蓄積されている。この負電荷により、半導体基板１において、裏面付近に正孔蓄積層１０が誘起される。酸化シリコン膜８は１５ｎｍ〜４０ｎｍの厚さであり、窒化シリコン膜９は２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さである。酸化シリコン膜８と窒化シリコン膜９の積層膜を用いた光の多重干渉効果により、酸化シリコン膜８を単独で用いた場合に比べて、入射光に対する透過率が向上する。 （もっと読む）

【課題】高いパワーの光が入射した場合にも劣化・破壊が生じにくく、光の損失が小さく高感度な端面入射型受光素子及びその光結合方法並びに光結合構造を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板上に、入射光を吸収して光電変換する光吸収層を含む受光導波路５４が形成され、かつ受光導波路５４は、光が入射される端面である入射端面６５に対してＳｉ基板と平行な方向から光を入射して用いる端面入射型受光素子６４であって、入射光は、入射端面６５に対して所定の入射角ｉをもって入射され、かつ受光導波路５４の側壁が、入射角ｉ及び受光導波路５４の等価屈折率に応じて定まる導波光ビーム５９の導波方向に対して平行である。 （もっと読む）

【課題】光導波路を導波する光の検出を低コストで容易に達成することが可能で、しかも光検出感度の高くい半導体装置を備えた発振器および光検出回路を提供する。
【解決手段】複数のインバータＩＮＶが直列に接続され、最終段のインバータ出力が初段のインバータ入力に接続され、インバータのＭＯＳトランジスタＰＴとＭＯＳトランジスタＮＴの少なくとも一方が光導波路を含む受光素子として機能し、受光素子は、基板上に絶縁膜を介して形成された半導体層と、半導体層が所定の経路に沿って所定厚とされて形成された光導波路６１と、光導波路６１に接続されたチャネルボディおよびチャネルボディの表面側に形成されたチャネルを形成するためのゲートを持つ絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の受光部（ＰＤ拡散領域１０）と、該受光部上に配置された反射防止膜１１１とを有する固体撮像装置の製造方法において、該反射防止膜１１１上にはＨＴＯ膜１０６を、該反射防止膜１１１の端部で該ＨＴＯ膜の密度が薄くなったり空洞ができたりするのを回避しつつ堆積することができ、これにより、上記反射防止膜１１１による十分な反射防止効果を得る。
【解決手段】半導体基板１０１に受光部を構成するＰＤ拡散領域１０を形成した後、全面にシリコン酸化膜１０５およびシリコン窒化膜１１０を順次形成し、該シリコン窒化膜１１０の選択エッチングにより反射防止膜１１１を形成し、この際、該シリコン窒化膜１１０のエッチングマスクの断面形状を該反射防止膜１１１に転写して、該反射防止膜の断面形状をその側面が下側ほど外に広がるよう傾斜した形状に加工する。 （もっと読む）

【課題】低損失かつ光利用効率の高い撮像素子を提供する。
【解決手段】射光を光電変換によって電気信号に変換する光電変換手段を有する撮像素子は、素子駆動、信号転送のための電極・配線１８の一部または全部が透明導電体からなる。 （もっと読む）

【課題】受光素子の低い暗電流及びスイッチ素子の優れた特性の両方を高水準に達成可能なモノリシック型の光センサを提供すること。
【解決手段】本発明に係る光センサ１０は、フィールド酸化膜６ａによって区画された領域にそれぞれ形成される受光素子Ｄ１とスイッチ素子Ｑ１とが接続されたものであって、フィールド酸化膜６ａとともにシリコン基板２を覆うように設けられた酸化シリコン層６ｂ，６ｃと、受光素子Ｄ１が形成される領域の酸化シリコン層６ｂを覆うように設けられ、端部７ａがフィールド酸化膜６ａと離隔している窒化シリコン層７と、受光素子Ｄ１の受光部１２以外を覆うように設けられた層間絶縁層８と、この層間絶縁層８上に設けられたパッシベーション層９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】波長がそれぞれ異なる複数の光を感度良く受光することが可能な光半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】エピタキシャル層２の表面上にＮ型不純物をイオン注入して、受光部となるＮ^＋半導体層５，６を形成する。次に、シリコン窒化膜７をシリコン酸化膜４上に形成し、シリコン窒化膜７のうちＮ^＋半導体層５に対応する領域のみを選択的にエッチングして除去する。次に、シリコン酸化膜４及びシリコン窒化膜７上にシリコン窒化膜８を形成する。こうして、複数のホトダイオード１５，１６が形成される。ホトダイオードごとに被覆する反射防止膜の膜厚を最適に変えるため、特定の波長の光の反射を効果的に低減することができ、波長が異なる複数の種類の光を感度良く受光することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】特に青色光を中心とした短波長光に対し、受光面における反射率を低減して、高受光感度特性を有する受光素子を実現する。
【解決手段】光半導体装置は、半導体基板１０１に形成された受光素子と、受光素子上に形成され、少なくとも一層のシリコン窒化膜１０４を含む単層又は積層構造の反射防止膜とを備え、シリコン窒化膜１０４の屈折率が不純物の導入によって変化されていることにより、反射防止膜の反射率が低減されており、シリコン窒化膜１０４の厚さ方向について、不純物の分布のピーク位置が反射防止膜全体の中心よりも表面に近い側に設定されている。 （もっと読む）

【課題】特に青色光を中心とした短波長光に対し、受光面における反射率が低減され、高受光感度特性となっている光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】光半導体装置の製造方法は、基板１０１に受光素子を形成する工程（ａ）と、受光素子上にシリコン窒化膜１０４を形成する工程（ｂ）と、基板１０１上に第１の絶縁膜１０５を形成する工程（ｃ）と、第１の絶縁膜１０５を熱処理により平坦化する工程（ｄ）と、受光素子上において、第１の絶縁膜１０５を開口してシリコン窒化膜１０４を露出させる工程（ｅ）と、工程（ｅ）の後に、シリコン窒化膜１０４に選択的に不純物を導入することにより、シリコン窒化膜１０４の屈折率を変化させる工程（ｆ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】色の再現性が高いカラーフィルタを備えた固体撮像装置、その製造方法およびカメラを提供する。
【解決手段】固体撮像装置１０２のカラーフィルタ３０６は、所定の波長λの１／４に略等しい光学膜厚を有し、屈折率が異なる２種類の層（第１の層４０４、４０６、及び第２の層４０５）で構成した３層だけを積層した構造をスペーサ層である第３の層４０７及び第４の層４０３で挟み、さらに、その構造を上記λ／４にほぼ等しい膜（第１の層４０２、４０８）で挟んだ構造を備えている。屈折率が異なる２種類の層のうち、第１の層４０２、４０４、４０６及び４０８は、高屈折率材料で構成されており、第２の層４０５は、低屈折率材料で構成されている。第３の層４０７および第４の層４０３は、透過対象の光に応じた光学膜厚を有しており、カラーフィルタ３０６全体の物理膜厚も透過させる光色毎に異なっている。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域から可視域にまで十分高い受光感度を持つことができる光検出装置およびそれを用いた視界支援装置を提供する。
【解決手段】 本発明の光検出装置１０は、近赤外域〜赤外域に吸収端を有する、エピタキシャル層のＧａＩｎＮＡｓ受光層３と、ＧａＩｎＮＡｓ受光層３への光の入射面に位置する、ＡＲ(Anti-Reflection)多層膜である半導体多層膜１２とを備え、前記ＡＲ多層膜は、そのＡＲ多層膜が接する半導体層よりも可視から近赤外までの波長域において反射率が低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光を吸収する部分の温度の影響を受けずに、微小の長波長赤外線エネルギーの絶対値を正確に検出する超小型の光センサを提供すること。
【解決手段】基板１０上に第１メサ２１及び第２メサ４１を有する。第１メサ２１は、第１導電型の半導体層２０を含み、第１導電型の半導体層２０の電極６１が形成される部分を有する。第２メサ４１は、第１メサ２１上に設けられている。ＰＩＮフォトダイオードの場合、Ｉ層３０及び第２導電型の半導体層４０を備え、ＰＮフォトダイオードの場合、第２導電型の半導体層４０を備えている。基板１０上に、第１導電型の半導体層２０が設けられ、その上にＩ層３０が設けられ、更にその上、第２導電型の半導体層４０が設けられている。被検出光が半導体基板１０の裏面から入射し、Ｉ層３０まで進入した場合には、光はＩ層３０で吸収されて電子とホールが発生し、光センサの出力電圧が発生する。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜としてシリコン窒化膜を用いた場合と比べて、さらに反射ロスを低減した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置の１画素分の受光セル１００は、入射光に応じて電荷を蓄積するフォトダイオード１２と、フォトダイオード１２が形成されている半導体基板１１と、半導体基板１１の面のうち、入射光が入射する面に形成されている絶縁膜１３と、フォトダイオード１２の上方かつ絶縁膜１３の上層に反射防止膜として形成されているポリシリコン膜１２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】
受光部の上部構造層で生じる膜厚差に起因して、開口部の底面が平坦にならず、受光部面内での入射光量の不均一が生じる。
【解決手段】
第１金属層間を、ダマシン法、もしくは、第１金属層を形成した後に積層する絶縁膜をＣＭＰにより研磨することで平坦な層を形成する。これにより、受光部に積層される絶縁膜も平坦に形成される。したがって、受光部の内部をエッチングにより開口する場合、開口部の底面を平坦に形成することができる。 （もっと読む）