端面入射型受光素子、その光結合方法及び光結合構造
【課題】高いパワーの光が入射した場合にも劣化・破壊が生じにくく、光の損失が小さく高感度な端面入射型受光素子及びその光結合方法並びに光結合構造を提供する。
【解決手段】Si基板上に、入射光を吸収して光電変換する光吸収層を含む受光導波路54が形成され、かつ受光導波路54は、光が入射される端面である入射端面65に対してSi基板と平行な方向から光を入射して用いる端面入射型受光素子64であって、入射光は、入射端面65に対して所定の入射角iをもって入射され、かつ受光導波路54の側壁が、入射角i及び受光導波路54の等価屈折率に応じて定まる導波光ビーム59の導波方向に対して平行である。
【解決手段】Si基板上に、入射光を吸収して光電変換する光吸収層を含む受光導波路54が形成され、かつ受光導波路54は、光が入射される端面である入射端面65に対してSi基板と平行な方向から光を入射して用いる端面入射型受光素子64であって、入射光は、入射端面65に対して所定の入射角iをもって入射され、かつ受光導波路54の側壁が、入射角i及び受光導波路54の等価屈折率に応じて定まる導波光ビーム59の導波方向に対して平行である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、端面入射型受光素子、その光結合方法及び光結合構造に関する。
【背景技術】
【0002】
光通信用受光素子として、端面から光を入射する端面入射型受光素子は、Si基板上に形成された石英導波路などの平面型光導波路との端面突き合わせによる直接光結合が容易であり、組み立てコストが低い光集積素子用受光素子として注目されている。
【0003】
このような端面入射型受光素子に関しては特許文献1〜3に、端面入射型受光素子の光結合構造に関しては特許文献4に開示されている。
【0004】
図15〜図18に、端面入射型素子と平面型光導波路との光結合構造の一例を示す。図15は、光結合構造の平面図である。図16は、図15中の破線B−B’における断面図である。図17は、図15中の破線C−C’における断面図である。図18は、図15中の破線D−D’における断面図である。
また、図19は、図15に示した光結合構造の動作を示す図であるが、説明に必要な部分のみを示し、他は省略している。
【0005】
この光結合構造では、下部SiOクラッド層2A、上部クラッド層SiO2Bと、コア層3とによる平面型光導波路26がSi基板1上に形成されており、同じSi基板1上に端面入射型受光素子24が実装されている。
【0006】
ここで、図18に示すように、平面型光導波路26のコア層3と端面入射型受光素子24の光吸収層10とが、レンズ系を介することなく、端面を突き合わせる形で光結合されており、平面型光導波路26のコア層3に沿って導波してきた光を、端面入射型受光素子24の光吸収層10で光電変換し、Si基板1上に形成された電極16及び電極5から電気信号を取り出すことができる。
端面入射型受光素子24の入射端面における反射の悪影響を避けるために、平面型光導波路26のコア層3は、入射端面に対して垂直ではなく、図19に示すように入射角iをもって入射させている。
【特許文献1】特開平10−233524号公報
【特許文献2】特開平11−087760号公報
【特許文献3】特開平11−330536号公報
【特許文献4】特開2001−356248号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
上記の光結合構造には、以下のような問題がある。
【0008】
第1の問題点は、端面入射型受光素子24の入射端面において、入射光のパワーが平面型光導波路26のコア層3近傍に集中しているため、高いパワーの光が入射した場合に、端面入射型受光素子24の入射端面の、平面型光導波路26のコア層3の近傍領域が劣化・破壊されやすいという点である。
【0009】
第2の問題点は、端面入射型受光素子24の内部における光の損失が大きい点である。図19に示すように、端面入射型受光素子24の入射端面に対して入射角iで入射した光は、受光導波路14の屈折率で定まる屈折率rをもって受光導波路14内を導波する。ここで、図19中に破線の楕円27で示した領域において、入射光は受光導波路14の側壁にぶつかる。ここで、受光導波路14の側壁が理想的(完全に平滑、且つSi基板1に対して垂直な平面)となっていれば、光は全反射し、全反射後の光も導波光となるため損失は発生しない。しかし、通常は、受光導波路14の側面は製造工程起因の凹凸があり、また、Si基板1に対して垂直とも限らない。したがって、側壁にぶつかった光の一部は、光吸収層10で光電変換されることのない非導波光となって損失が発生する。
【0010】
このように、特許文献1〜4に開示されるような端面入射型受光素子や光結合構造発明では、端面入射型受光素子の内部における光の損失が大きいという問題を解決することはできない。
【0011】
本発明は係る問題に鑑みてなされたものであり、高いパワーの光が入射した場合にも劣化・破壊が生じにくく、光の損失が小さく高感度な端面入射型受光素子及びその光結合方法並びに光結合構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
上記目的を達成するため、本発明は、第1の態様として、半導体基板上に、メサ型導波路状に加工され、且つ入射光を吸収して光電変換する光吸収層を含む受光導波路が少なくとも形成され、かつ受光導波路は、光が入射される端面である入射端面に対して半導体基板と平行な方向から光を入射して用いる端面入射型受光素子であって、入射光は、入射端面に対して所定の入射角をもって入射され、かつ受光導波路の少なくとも一方の側壁が、入射角及び受光導波路の等価屈折率に応じて定まる光の導波方向に対して平行であるか、又は光の導波方向下流側ほど導波光ビームの中心と側壁とが離れる角度をもって形成されたことを特徴とする端面入射型受光素子を提供するものである。
【0013】
また、上記目的を達成するため、本発明は、第2の態様として、上記本発明の第1の態様に係る端面入射型受光素子の入射端面に対して、平面基板上に形成された平面型光導波路を介して入射光を導いたことを特徴とする光結合構造を提供するものである。
【0014】
また、上記目的を達成するため、本発明は、第3の態様として、上記本発明の第1の態様に係る端面入射型受光素子の入射端面に対して、平面基板上に形成された平面型光導波路を介して入射光を導くことを特徴とする光結合方法を提供するものである。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、高いパワーの光が入射した場合にも劣化・破壊が生じにくく、光の損失が小さく高感度な端面入射型受光素子及びその光結合方法並びに光結合構造を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0016】
図1(a)、(b)に示すように、本発明に係る端面入射型受光素子は、半導体基板上に、メサ型導波路状に加工され、且つ入射光を吸収して光電変換する光吸収層を含む受光導波路54が少なくとも形成され、かつ受光導波路14は、光が入射される端面である入射端面65に対して半導体基板と平行な方向から光を入射して用いる端面入射型受光素子64であって、入射光は、入射端面65に対して所定の入射角iをもって入射され、かつ受光導波路14の少なくとも一方の側壁が、入射角i及び受光導波路14の等価屈折率に応じて定まる導波光ビーム19の導波方向に対して平行であるか、又は光の導波方向下流側ほど導波光ビーム19の中心と側壁とが離れる角度をもって形成されたことを特徴とする。
そして、図2に示すように、本発明に係る光結合構造は、上記の端面入射型受光素子64の入射端面65に対して、平面基板上に形成された平面型光導波路66を介して入射光を導くことを特徴とする。
このような構成とすることにより、光が入射端面に対して垂直でなく、ある入射角をもって入射した場合でも、導波光ビームが受光導波路の側壁にぶつかることなく導波し、光吸収層によって吸収されるため光の損失が少ない。
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を用いて説明する。
【0017】
〔第1の実施形態〕
本発明を好適に実施した第1の実施形態について説明する。
図3〜図6に、端面入射型素子と平面型光導波路との光結合構造の一例を示す。図3は、光結合構造の平面図である。図4は、図3中の破線B−B’における断面図である。図5は、図3中の破線C−C’における断面図である。図6は、図3中の破線D−D’における断面図である。また、図7は、端面入射型受光素子24を実装する前の状態を示す平面図であり、図3に対応する部分を示している。さらに、図8は、図3に示した光結合構造の動作を示す図であるが、説明に必要な部分のみを示し、他は省略している。
【0018】
図3、図4に示すように、下部SiOクラッド層2A、上部SiOクラッド層2Bとコア層3とによる平面型光導波路26がSi基板1上に形成されており、同じSi基板1上に端面入射型受光素子24が実装されている。
ここで、図6に示すように、平面型光導波路26のコア層3と端面入射型受光素子24の光吸収層10とがレンズ系を介することなく、端面を突き合わせる形で光結合されており、平面型光導波路26のコア層3に沿って導波してきた光を、端面入射型受光奏し24の光吸収層10で光電変換し、Si基板1上に形成された電極16及び電極5から電気信号が取り出される。
【0019】
平面型光導波路26のコア層3の幅は、端面入射型受光素子24に近づくほど広くなり、端面入射型受光素子24への入射部においては、端面入射型受光素子24の受光導波路14の幅とほぼ等しくなっている。
【0020】
受光導波路14の形状は、長方形状ではなく、平行四辺形状に形成されている。図8に示すように、受光導波路14の側壁は、端面入射型受光素子24の入射端面25の法線となす角が、後述する屈折角rと等しくなるように設計されている。
【0021】
本実施形態に係る光結合構造の製造方法について説明する。まず、Si基板1上の平面型光導波路部分及び、端面入射型受光素子24を実装する領域17の製造方法を説明する。図4に示すように、Si基板1上に下部SiOクラッド層2A、コア層3をプラズマCVD法などによって堆積する。その後、通常のPR(フォトリソグラフ)工程、エッチング工程によりコア層3を図3に示すような形状に加工する。次に、加工済みのコア層3を埋め込むように上部SiOクラッド層2Bを堆積し、平面型光導波路26を形成する。
【0022】
その後、図3、図6、図7に示すように、端面入射型受光素子24を実装する領域17Aの下部SiOクラッド層2A、コア層3及び上部SiOクラッド層2Bをエッチングによって除去し、その領域上にSiO絶縁膜4を形成する。さらに、電極5、電極16、融着層6をSiO絶縁膜4上に形成し、図7に示す状態とする。
【0023】
次に、端面入射型受光素子24の製造方法を説明する。まず、n−InP基板12上にMOVPE法などにより、n−InP層11、i−InGaAs光吸収層10、p−InP層9を形成する。次に、通常のPR工程、エッチング工程により、受光導波路14を図3に示すような形状に形成する。さらに、図5に示すように、プラズマCVD法などによりSiNパッシベーション膜8を形成し、通常のPR工程、エッチング工程によりp−InP層9上の一部領域のSiNパッシベーション膜8をエッチング除去したのち、p電極7を形成する。次に、n−InP基板12の裏面にn電極13を形成し、その後、図3、図6に示すように入射端面部にAR膜15を形成して端面入射型受光素子24が完成する。
【0024】
次に、端面入射型受光素子24のSi基板1への実装組み立て工程を説明する。図7に示す状態のSi基板1に対し、図5、図6に示すように端面入射型受光素子24を、そのp電極7が融着層6に接し、コア層3とi−InGaAs光吸収層10とが光学的に結合するように配置し、全体を加熱・冷却する。これにより、端面入射型受光素子24は、融着層6によって融着固定される。最後に図3に示すように、n電極13と電極16とをボンディングワイヤ18で接続することにより光結合構造が完成する。
【0025】
本実施形態に係る光結合構造では、図3、図4、図8に示すように、平面型光導波路26のコア層3の幅が、端面入射型受光素子24に近づくほど広くなり、端面入射型受光素子24への入射部においては、受光導波路14と略同一幅となっている。
これにより、高いパワーの光が入射する場合でも、水平方向に光のパワーが分散され、入射端面が劣化・破壊されにくい。
【0026】
また、平面型光導波路26のコア層3の幅が、端面入射型受光素子24への入射部において受光導波路14と略同一幅となっているため、光パワー分散による耐高光入力性の向上の効果を保ちつつ、平面型光導波路26からの光パワーのほぼ全てが端面入射型受光素子24に入射される。これにより、光の結合ロスが小さくなる。
【0027】
また、平面型光導波路26のコア層3に沿って伝播してきた光は、端面入射型受光素子24の入射端面25に対して入射角iをもって入射する。入射後の光は、平面型光導波路26と受光導波路14とのそれぞれの屈折率によって定まる屈折角rをもって伝播する。ここで、受光導波路14の側壁は、入射端面25の法線となす角が屈折角rと等しくなるように形成されているため、導波光ビーム19は受光導波路14の側壁にぶつかることなく導波し、光吸収層10によって吸収される。従って、図15〜図19に示した光結合構造とは異なり、光の損失が少なく、高感度な端面入射型受光素子が得られる。
なお、図8においてはAR膜15を省略しているが、入射角i、屈折角rは、AR膜15の屈折率、膜厚には影響を受けない。
【0028】
〔第2の実施形態〕
本発明を好適に実施した第2の実施形態について説明する。
図9に、本実施形態に係る光結合構造を示す。図中に破線で示される受光導波路14’は、その側壁の角度が第1の実施形態における受光導波路14とは異なっている。第1の実施形態においては、受光導波路14の側壁は導波光ビーム19と並行であったが、本実施形態においては受光導波路14の側壁は、光が導波するに従って導波光ビーム19の中心と側壁とがより離れていく角度で形成されている。この他の構成については第1の実施形態と同様である。
【0029】
一般的な性質として、光ビームは、導波するに従ってより幅が広がろうとする性質を有している。また、受光導波路14’中を伝播する導波光ビーム19は、入射端面25において受光導波路14と同程度の幅を有している。受光導波路14’は、光の導波方向下流側ほど光ブーム19の中心と側壁とが離れるように形成されているため、第1の実施形態と比較して光の損失がさらに低減され、より高感度な端面入射型受光素子が得られる。
【0030】
上記以外の点に関して、第1の実施形態と同様の効果が得られることは言うまでもない。
【0031】
〔第3の実施形態〕
本発明を好適に実施した第3の実施形態について説明する。
図10に、本実施形態に係る光結合構造を示す。第1の実施形態においては、平面型光導波路26のコア層3の幅が、端面入射型受光素子24に近づくほど広くなっていたが、本実施形態においてはコア層3の幅は広くならず一定である。この他の構成については第1の実施形態と同様である。
【0032】
本実施形態に係る光結合構造では、高いパワーの光が入射する際に入射端面が劣化・破壊されにくいという効果は得られないものの、導波光ビームが受光導波路14の側壁にぶつかることなく導波し、光吸収層によって吸収されるため、光の損失が少なく、高感度な端面入射型受光素子が得られる。
【0033】
〔第4の実施形態〕
本発明を好適に実施した第4の実施形態について説明する。
図11、図12に本実施形態に係る光結合構造を示す。図11は、光結合構造の平面図である。図12は、図11中の破線B−B’における断面図である。
端面入射型受光素子24を実装する領域17Aに、台座20、アライメントマーカ21が形成されている点が第1の実施形態と相違する。また、図示してはいないが、端面入射型受光素子24の素子表面にもアライメントマーカが形成されており、さらにその位置の真下(実装時には真上)の領域のn電極13が除去されている。この他の構成については第1の実施形態と同様である。
【0034】
図11、図12に示すように、端面入射型受光素子24を実装する部分に台座20が形成されており、端面入射型受光素子24の実装時にその表面を台座20に押し当てることで高さ方向の位置決めを行える。また、端面入射型受光素子24の実装時に、赤外線カメラによってアライメントマーカ21及び端面入射型受光素子24側のアライメントマーカを透視し、その相対位置関係をモニタすることで、端面入射型受光素子24の水平面内の位置決めを行える。
【0035】
この他の点については第1の実施形態と同様である。
【0036】
〔第5の実施形態〕
本発明を好適に実施した第5の実施形態について説明する。
図13に、本実施形態に係る光結合構造を示す。本実施形態においては、平面型光導波路26の形状が第1の実施形態と相違する。すなわち、第1の実施形態においては、コア層3は幅が広がると同時に曲がって導波路となっていたのに対し、本実施形態においては、まず幅が広がり、その後幅が広いまま曲がって導波路となっている。この他の構成については第1の実施形態と同様である。
【0037】
本実施形態においては、コア層3の形状が、幅が徐々に広くなるテーパ部分と曲がり部分とに分離されているため、設計、製作上の制御が容易である。
上記以外の点に関して、第1の実施形態と同様の効果が得られることは言うまでもない。
【0038】
〔第6の実施形態〕
本発明を好適に実施した第6の実施形態について説明する。
図14に、本実施形態に係る光結合構造に適用される端面入射型受光素子の構成を示す。第1の実施形態においては端面入射型受光素子24は、受光素子のタイプとしてPinフォトダイオードであったのに対し、本実施形態においてはアバランシェフォトダイオードを用いている点が相違する。すなわち、図14に示すように、本実施形態においては、i−InGaAs光吸収層10とn−InP層11との間に、p−InAlAs電界緩和層22とI−InAlAs倍増層23とが挿入されており、アバランシェフォトダイオードとして、光電変換で得られた電気信号を倍増する作用を有している。この他の構成については第1の実施形態と同様である。
【0039】
本実施形態においては、端面入射型受光素子24がアバランシェフォトダイオードであるため、光電変換で得られた電気信号を倍増する作用を有する。このため、受信感度が極めて高くなる。また、一般にアバランシェフォトダイオードは、電気信号を倍増するために高いバイアスが必要とされるが、これが原因でpinフォトダイオードと比べて、高いパワーの入射光に対して、より、劣化・破壊が生じやすいという問題がある。本実施形態に係る光結合構造では、水平方向に光のパワーが分散されることにより耐高光入力性が向上するため、劣化・破壊が生じにくい。
上記以外の点に関して、第1の実施形態と同様の効果が得られることは言うまでもない。
【0040】
ここでは倍増層23の材料としてInAlAsを用いた例を示したが、これに限らずInPなどの他の材料を用いても同様の効果が得られる。
【0041】
また、ここでは光吸収層10と倍増層23とが分離した、吸収倍増分離型を例に示したが、これに限らず、光吸収層自体に高い電界を印加することで、光吸収層内部で倍増を起こす「吸収倍増一体型」であっても同様の効果が得られる。
【0042】
なお、上記各実施形態は本発明の好適な実施の一例であり、本発明はこれらに限定されることはない。
例えば、上記各実施形態においては、受光導波路の両側の側壁が、受光導波路内を伝播する導波光ビームの進行方向と平行か、あるいは光が伝播するにしたがって、より離れていく角度で形成されている例を示したが、両側の側壁が、そのように形成されている場合に限らず、少なくとも一方の側壁が導波光ビームの進行方向と平行か、あるいは光が伝播するにしたがって、より離れていく角度で形成されていれば同様の効果が得られる。さらにこれらの条件が満たされるならば、受光導波路の形状として、上記各実施形態において示したような平行四辺形、あるいは台形以外の形状であっても同様の効果が得られる。
【0043】
また、上記各実施形態においては、平面型光導波路として、Si基板上に形成され、下部クラッド層、上部クラッド層の材料としてSiOを用いた例を示したが、これに限らず、他の材料、例えば基板としてはシリカガラス基板、クラッド層材料としてはホウ素とリンとを含むシリカガラスであるBPSGなどを用いた場合でも同様の効果が得られる。また、これらシリカ系の材料系に限らず、例えばポリマーを用いたポリマー導波路であっても、同様の効果が得られる。
【0044】
また、上記各実施形態においては、端面入射型受光素子の光吸収層の材料が、InGaAsである構成、すなわち、入射光の波長として1.3ミクロン帯から1.55ミクロン帯のいわゆる長波長帯を想定した構成を例として示したが、これに限らず、入射光が他の波長帯であっても、これを吸収、光電変換する光吸収層材料を用いれば、同様の効果が得られる。
【0045】
さらに、上記各実施形態においては、端面入射型受光素子に対して、平面型光導波路により光を導く例を示したが、これに限らず、レンズなど他の光学系によって光を導いた場合でも、入射光の入射方向が、端面入射型受光素子の入射端面に対して垂直ではなく、ある入射角をもって入射される場合には、同様の効果が得られる。
【0046】
このように、本発明は様々な変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【0047】
【図1】本発明に係る端面入射型受光素子の構成を示す図である。
【図2】本発明に係る光結合構造の構成を示す図である。
【図3】本発明を好適に実施した第1の実施形態に係る光結合構造の平面図である。
【図4】図3中の破線B−B’における断面図である。
【図5】図3中の破線C−C’における断面図である。
【図6】図3中の破線D−D’における断面図である。
【図7】端面入射型受光素子を実装する前の状態を示す平面図である。
【図8】第1の実施形態に係る光結合構造の動作を示す図である。
【図9】本発明を好適に実施した第2の実施形態に係る光結合構造の平面図である。
【図10】本発明を好適に実施した第3の実施形態に係る光結合構造の平面図である。
【図11】本発明を好適に実施した第4の実施形態に係る光結合構造の平面図である。
【図12】第4の実施形態に係る光結合構造の動作を示す図である。
【図13】本発明を好適に実施した第5の実施形態に係る光結合構造の平面図である。
【図14】本発明を好適に実施した第6の実施形態に係る光結合構造に適用される端面入射型受光素子の断面図である。
【図15】光結合構造の平面図である。
【図16】図15中の破線B−B’における断面図である。
【図17】図15中の破線C−C’における断面図である。
【図18】図15中の破線D−D’における断面図である。
【図19】光結合構造の動作を示す図である。
【符号の説明】
【0048】
1 Si基板
2A 下部SiOクラッド層
2B 上部SiOクラッド層
3 コア層
4 SiO絶縁膜
5 電極
6 融着材
7 p電極
8 パッシベーション膜
9 p−InP層
10 i−InGaAs光吸収層
11 n−InP層
12 n−InP基板
13 n電極
14、54 受光導波路
15 AR膜
16 電極
17A 端面入射型受光素子を実装する領域
17B 端面入射型受光素子の実装位置
18 ボンディングワイヤ
19、59 導波光ビーム
20 台座
21 アラインメントマーカー
22 p−InAlAs電界緩和層
23 i−InAlAs増倍層
24、64 端面入射型受光素子
25、65 入射端面
26、66 平面型光導波路
27 導波光ビームが側壁にぶつかる領域
【技術分野】
【0001】
本発明は、端面入射型受光素子、その光結合方法及び光結合構造に関する。
【背景技術】
【0002】
光通信用受光素子として、端面から光を入射する端面入射型受光素子は、Si基板上に形成された石英導波路などの平面型光導波路との端面突き合わせによる直接光結合が容易であり、組み立てコストが低い光集積素子用受光素子として注目されている。
【0003】
このような端面入射型受光素子に関しては特許文献1〜3に、端面入射型受光素子の光結合構造に関しては特許文献4に開示されている。
【0004】
図15〜図18に、端面入射型素子と平面型光導波路との光結合構造の一例を示す。図15は、光結合構造の平面図である。図16は、図15中の破線B−B’における断面図である。図17は、図15中の破線C−C’における断面図である。図18は、図15中の破線D−D’における断面図である。
また、図19は、図15に示した光結合構造の動作を示す図であるが、説明に必要な部分のみを示し、他は省略している。
【0005】
この光結合構造では、下部SiOクラッド層2A、上部クラッド層SiO2Bと、コア層3とによる平面型光導波路26がSi基板1上に形成されており、同じSi基板1上に端面入射型受光素子24が実装されている。
【0006】
ここで、図18に示すように、平面型光導波路26のコア層3と端面入射型受光素子24の光吸収層10とが、レンズ系を介することなく、端面を突き合わせる形で光結合されており、平面型光導波路26のコア層3に沿って導波してきた光を、端面入射型受光素子24の光吸収層10で光電変換し、Si基板1上に形成された電極16及び電極5から電気信号を取り出すことができる。
端面入射型受光素子24の入射端面における反射の悪影響を避けるために、平面型光導波路26のコア層3は、入射端面に対して垂直ではなく、図19に示すように入射角iをもって入射させている。
【特許文献1】特開平10−233524号公報
【特許文献2】特開平11−087760号公報
【特許文献3】特開平11−330536号公報
【特許文献4】特開2001−356248号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
上記の光結合構造には、以下のような問題がある。
【0008】
第1の問題点は、端面入射型受光素子24の入射端面において、入射光のパワーが平面型光導波路26のコア層3近傍に集中しているため、高いパワーの光が入射した場合に、端面入射型受光素子24の入射端面の、平面型光導波路26のコア層3の近傍領域が劣化・破壊されやすいという点である。
【0009】
第2の問題点は、端面入射型受光素子24の内部における光の損失が大きい点である。図19に示すように、端面入射型受光素子24の入射端面に対して入射角iで入射した光は、受光導波路14の屈折率で定まる屈折率rをもって受光導波路14内を導波する。ここで、図19中に破線の楕円27で示した領域において、入射光は受光導波路14の側壁にぶつかる。ここで、受光導波路14の側壁が理想的(完全に平滑、且つSi基板1に対して垂直な平面)となっていれば、光は全反射し、全反射後の光も導波光となるため損失は発生しない。しかし、通常は、受光導波路14の側面は製造工程起因の凹凸があり、また、Si基板1に対して垂直とも限らない。したがって、側壁にぶつかった光の一部は、光吸収層10で光電変換されることのない非導波光となって損失が発生する。
【0010】
このように、特許文献1〜4に開示されるような端面入射型受光素子や光結合構造発明では、端面入射型受光素子の内部における光の損失が大きいという問題を解決することはできない。
【0011】
本発明は係る問題に鑑みてなされたものであり、高いパワーの光が入射した場合にも劣化・破壊が生じにくく、光の損失が小さく高感度な端面入射型受光素子及びその光結合方法並びに光結合構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
上記目的を達成するため、本発明は、第1の態様として、半導体基板上に、メサ型導波路状に加工され、且つ入射光を吸収して光電変換する光吸収層を含む受光導波路が少なくとも形成され、かつ受光導波路は、光が入射される端面である入射端面に対して半導体基板と平行な方向から光を入射して用いる端面入射型受光素子であって、入射光は、入射端面に対して所定の入射角をもって入射され、かつ受光導波路の少なくとも一方の側壁が、入射角及び受光導波路の等価屈折率に応じて定まる光の導波方向に対して平行であるか、又は光の導波方向下流側ほど導波光ビームの中心と側壁とが離れる角度をもって形成されたことを特徴とする端面入射型受光素子を提供するものである。
【0013】
また、上記目的を達成するため、本発明は、第2の態様として、上記本発明の第1の態様に係る端面入射型受光素子の入射端面に対して、平面基板上に形成された平面型光導波路を介して入射光を導いたことを特徴とする光結合構造を提供するものである。
【0014】
また、上記目的を達成するため、本発明は、第3の態様として、上記本発明の第1の態様に係る端面入射型受光素子の入射端面に対して、平面基板上に形成された平面型光導波路を介して入射光を導くことを特徴とする光結合方法を提供するものである。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、高いパワーの光が入射した場合にも劣化・破壊が生じにくく、光の損失が小さく高感度な端面入射型受光素子及びその光結合方法並びに光結合構造を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0016】
図1(a)、(b)に示すように、本発明に係る端面入射型受光素子は、半導体基板上に、メサ型導波路状に加工され、且つ入射光を吸収して光電変換する光吸収層を含む受光導波路54が少なくとも形成され、かつ受光導波路14は、光が入射される端面である入射端面65に対して半導体基板と平行な方向から光を入射して用いる端面入射型受光素子64であって、入射光は、入射端面65に対して所定の入射角iをもって入射され、かつ受光導波路14の少なくとも一方の側壁が、入射角i及び受光導波路14の等価屈折率に応じて定まる導波光ビーム19の導波方向に対して平行であるか、又は光の導波方向下流側ほど導波光ビーム19の中心と側壁とが離れる角度をもって形成されたことを特徴とする。
そして、図2に示すように、本発明に係る光結合構造は、上記の端面入射型受光素子64の入射端面65に対して、平面基板上に形成された平面型光導波路66を介して入射光を導くことを特徴とする。
このような構成とすることにより、光が入射端面に対して垂直でなく、ある入射角をもって入射した場合でも、導波光ビームが受光導波路の側壁にぶつかることなく導波し、光吸収層によって吸収されるため光の損失が少ない。
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を用いて説明する。
【0017】
〔第1の実施形態〕
本発明を好適に実施した第1の実施形態について説明する。
図3〜図6に、端面入射型素子と平面型光導波路との光結合構造の一例を示す。図3は、光結合構造の平面図である。図4は、図3中の破線B−B’における断面図である。図5は、図3中の破線C−C’における断面図である。図6は、図3中の破線D−D’における断面図である。また、図7は、端面入射型受光素子24を実装する前の状態を示す平面図であり、図3に対応する部分を示している。さらに、図8は、図3に示した光結合構造の動作を示す図であるが、説明に必要な部分のみを示し、他は省略している。
【0018】
図3、図4に示すように、下部SiOクラッド層2A、上部SiOクラッド層2Bとコア層3とによる平面型光導波路26がSi基板1上に形成されており、同じSi基板1上に端面入射型受光素子24が実装されている。
ここで、図6に示すように、平面型光導波路26のコア層3と端面入射型受光素子24の光吸収層10とがレンズ系を介することなく、端面を突き合わせる形で光結合されており、平面型光導波路26のコア層3に沿って導波してきた光を、端面入射型受光奏し24の光吸収層10で光電変換し、Si基板1上に形成された電極16及び電極5から電気信号が取り出される。
【0019】
平面型光導波路26のコア層3の幅は、端面入射型受光素子24に近づくほど広くなり、端面入射型受光素子24への入射部においては、端面入射型受光素子24の受光導波路14の幅とほぼ等しくなっている。
【0020】
受光導波路14の形状は、長方形状ではなく、平行四辺形状に形成されている。図8に示すように、受光導波路14の側壁は、端面入射型受光素子24の入射端面25の法線となす角が、後述する屈折角rと等しくなるように設計されている。
【0021】
本実施形態に係る光結合構造の製造方法について説明する。まず、Si基板1上の平面型光導波路部分及び、端面入射型受光素子24を実装する領域17の製造方法を説明する。図4に示すように、Si基板1上に下部SiOクラッド層2A、コア層3をプラズマCVD法などによって堆積する。その後、通常のPR(フォトリソグラフ)工程、エッチング工程によりコア層3を図3に示すような形状に加工する。次に、加工済みのコア層3を埋め込むように上部SiOクラッド層2Bを堆積し、平面型光導波路26を形成する。
【0022】
その後、図3、図6、図7に示すように、端面入射型受光素子24を実装する領域17Aの下部SiOクラッド層2A、コア層3及び上部SiOクラッド層2Bをエッチングによって除去し、その領域上にSiO絶縁膜4を形成する。さらに、電極5、電極16、融着層6をSiO絶縁膜4上に形成し、図7に示す状態とする。
【0023】
次に、端面入射型受光素子24の製造方法を説明する。まず、n−InP基板12上にMOVPE法などにより、n−InP層11、i−InGaAs光吸収層10、p−InP層9を形成する。次に、通常のPR工程、エッチング工程により、受光導波路14を図3に示すような形状に形成する。さらに、図5に示すように、プラズマCVD法などによりSiNパッシベーション膜8を形成し、通常のPR工程、エッチング工程によりp−InP層9上の一部領域のSiNパッシベーション膜8をエッチング除去したのち、p電極7を形成する。次に、n−InP基板12の裏面にn電極13を形成し、その後、図3、図6に示すように入射端面部にAR膜15を形成して端面入射型受光素子24が完成する。
【0024】
次に、端面入射型受光素子24のSi基板1への実装組み立て工程を説明する。図7に示す状態のSi基板1に対し、図5、図6に示すように端面入射型受光素子24を、そのp電極7が融着層6に接し、コア層3とi−InGaAs光吸収層10とが光学的に結合するように配置し、全体を加熱・冷却する。これにより、端面入射型受光素子24は、融着層6によって融着固定される。最後に図3に示すように、n電極13と電極16とをボンディングワイヤ18で接続することにより光結合構造が完成する。
【0025】
本実施形態に係る光結合構造では、図3、図4、図8に示すように、平面型光導波路26のコア層3の幅が、端面入射型受光素子24に近づくほど広くなり、端面入射型受光素子24への入射部においては、受光導波路14と略同一幅となっている。
これにより、高いパワーの光が入射する場合でも、水平方向に光のパワーが分散され、入射端面が劣化・破壊されにくい。
【0026】
また、平面型光導波路26のコア層3の幅が、端面入射型受光素子24への入射部において受光導波路14と略同一幅となっているため、光パワー分散による耐高光入力性の向上の効果を保ちつつ、平面型光導波路26からの光パワーのほぼ全てが端面入射型受光素子24に入射される。これにより、光の結合ロスが小さくなる。
【0027】
また、平面型光導波路26のコア層3に沿って伝播してきた光は、端面入射型受光素子24の入射端面25に対して入射角iをもって入射する。入射後の光は、平面型光導波路26と受光導波路14とのそれぞれの屈折率によって定まる屈折角rをもって伝播する。ここで、受光導波路14の側壁は、入射端面25の法線となす角が屈折角rと等しくなるように形成されているため、導波光ビーム19は受光導波路14の側壁にぶつかることなく導波し、光吸収層10によって吸収される。従って、図15〜図19に示した光結合構造とは異なり、光の損失が少なく、高感度な端面入射型受光素子が得られる。
なお、図8においてはAR膜15を省略しているが、入射角i、屈折角rは、AR膜15の屈折率、膜厚には影響を受けない。
【0028】
〔第2の実施形態〕
本発明を好適に実施した第2の実施形態について説明する。
図9に、本実施形態に係る光結合構造を示す。図中に破線で示される受光導波路14’は、その側壁の角度が第1の実施形態における受光導波路14とは異なっている。第1の実施形態においては、受光導波路14の側壁は導波光ビーム19と並行であったが、本実施形態においては受光導波路14の側壁は、光が導波するに従って導波光ビーム19の中心と側壁とがより離れていく角度で形成されている。この他の構成については第1の実施形態と同様である。
【0029】
一般的な性質として、光ビームは、導波するに従ってより幅が広がろうとする性質を有している。また、受光導波路14’中を伝播する導波光ビーム19は、入射端面25において受光導波路14と同程度の幅を有している。受光導波路14’は、光の導波方向下流側ほど光ブーム19の中心と側壁とが離れるように形成されているため、第1の実施形態と比較して光の損失がさらに低減され、より高感度な端面入射型受光素子が得られる。
【0030】
上記以外の点に関して、第1の実施形態と同様の効果が得られることは言うまでもない。
【0031】
〔第3の実施形態〕
本発明を好適に実施した第3の実施形態について説明する。
図10に、本実施形態に係る光結合構造を示す。第1の実施形態においては、平面型光導波路26のコア層3の幅が、端面入射型受光素子24に近づくほど広くなっていたが、本実施形態においてはコア層3の幅は広くならず一定である。この他の構成については第1の実施形態と同様である。
【0032】
本実施形態に係る光結合構造では、高いパワーの光が入射する際に入射端面が劣化・破壊されにくいという効果は得られないものの、導波光ビームが受光導波路14の側壁にぶつかることなく導波し、光吸収層によって吸収されるため、光の損失が少なく、高感度な端面入射型受光素子が得られる。
【0033】
〔第4の実施形態〕
本発明を好適に実施した第4の実施形態について説明する。
図11、図12に本実施形態に係る光結合構造を示す。図11は、光結合構造の平面図である。図12は、図11中の破線B−B’における断面図である。
端面入射型受光素子24を実装する領域17Aに、台座20、アライメントマーカ21が形成されている点が第1の実施形態と相違する。また、図示してはいないが、端面入射型受光素子24の素子表面にもアライメントマーカが形成されており、さらにその位置の真下(実装時には真上)の領域のn電極13が除去されている。この他の構成については第1の実施形態と同様である。
【0034】
図11、図12に示すように、端面入射型受光素子24を実装する部分に台座20が形成されており、端面入射型受光素子24の実装時にその表面を台座20に押し当てることで高さ方向の位置決めを行える。また、端面入射型受光素子24の実装時に、赤外線カメラによってアライメントマーカ21及び端面入射型受光素子24側のアライメントマーカを透視し、その相対位置関係をモニタすることで、端面入射型受光素子24の水平面内の位置決めを行える。
【0035】
この他の点については第1の実施形態と同様である。
【0036】
〔第5の実施形態〕
本発明を好適に実施した第5の実施形態について説明する。
図13に、本実施形態に係る光結合構造を示す。本実施形態においては、平面型光導波路26の形状が第1の実施形態と相違する。すなわち、第1の実施形態においては、コア層3は幅が広がると同時に曲がって導波路となっていたのに対し、本実施形態においては、まず幅が広がり、その後幅が広いまま曲がって導波路となっている。この他の構成については第1の実施形態と同様である。
【0037】
本実施形態においては、コア層3の形状が、幅が徐々に広くなるテーパ部分と曲がり部分とに分離されているため、設計、製作上の制御が容易である。
上記以外の点に関して、第1の実施形態と同様の効果が得られることは言うまでもない。
【0038】
〔第6の実施形態〕
本発明を好適に実施した第6の実施形態について説明する。
図14に、本実施形態に係る光結合構造に適用される端面入射型受光素子の構成を示す。第1の実施形態においては端面入射型受光素子24は、受光素子のタイプとしてPinフォトダイオードであったのに対し、本実施形態においてはアバランシェフォトダイオードを用いている点が相違する。すなわち、図14に示すように、本実施形態においては、i−InGaAs光吸収層10とn−InP層11との間に、p−InAlAs電界緩和層22とI−InAlAs倍増層23とが挿入されており、アバランシェフォトダイオードとして、光電変換で得られた電気信号を倍増する作用を有している。この他の構成については第1の実施形態と同様である。
【0039】
本実施形態においては、端面入射型受光素子24がアバランシェフォトダイオードであるため、光電変換で得られた電気信号を倍増する作用を有する。このため、受信感度が極めて高くなる。また、一般にアバランシェフォトダイオードは、電気信号を倍増するために高いバイアスが必要とされるが、これが原因でpinフォトダイオードと比べて、高いパワーの入射光に対して、より、劣化・破壊が生じやすいという問題がある。本実施形態に係る光結合構造では、水平方向に光のパワーが分散されることにより耐高光入力性が向上するため、劣化・破壊が生じにくい。
上記以外の点に関して、第1の実施形態と同様の効果が得られることは言うまでもない。
【0040】
ここでは倍増層23の材料としてInAlAsを用いた例を示したが、これに限らずInPなどの他の材料を用いても同様の効果が得られる。
【0041】
また、ここでは光吸収層10と倍増層23とが分離した、吸収倍増分離型を例に示したが、これに限らず、光吸収層自体に高い電界を印加することで、光吸収層内部で倍増を起こす「吸収倍増一体型」であっても同様の効果が得られる。
【0042】
なお、上記各実施形態は本発明の好適な実施の一例であり、本発明はこれらに限定されることはない。
例えば、上記各実施形態においては、受光導波路の両側の側壁が、受光導波路内を伝播する導波光ビームの進行方向と平行か、あるいは光が伝播するにしたがって、より離れていく角度で形成されている例を示したが、両側の側壁が、そのように形成されている場合に限らず、少なくとも一方の側壁が導波光ビームの進行方向と平行か、あるいは光が伝播するにしたがって、より離れていく角度で形成されていれば同様の効果が得られる。さらにこれらの条件が満たされるならば、受光導波路の形状として、上記各実施形態において示したような平行四辺形、あるいは台形以外の形状であっても同様の効果が得られる。
【0043】
また、上記各実施形態においては、平面型光導波路として、Si基板上に形成され、下部クラッド層、上部クラッド層の材料としてSiOを用いた例を示したが、これに限らず、他の材料、例えば基板としてはシリカガラス基板、クラッド層材料としてはホウ素とリンとを含むシリカガラスであるBPSGなどを用いた場合でも同様の効果が得られる。また、これらシリカ系の材料系に限らず、例えばポリマーを用いたポリマー導波路であっても、同様の効果が得られる。
【0044】
また、上記各実施形態においては、端面入射型受光素子の光吸収層の材料が、InGaAsである構成、すなわち、入射光の波長として1.3ミクロン帯から1.55ミクロン帯のいわゆる長波長帯を想定した構成を例として示したが、これに限らず、入射光が他の波長帯であっても、これを吸収、光電変換する光吸収層材料を用いれば、同様の効果が得られる。
【0045】
さらに、上記各実施形態においては、端面入射型受光素子に対して、平面型光導波路により光を導く例を示したが、これに限らず、レンズなど他の光学系によって光を導いた場合でも、入射光の入射方向が、端面入射型受光素子の入射端面に対して垂直ではなく、ある入射角をもって入射される場合には、同様の効果が得られる。
【0046】
このように、本発明は様々な変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【0047】
【図1】本発明に係る端面入射型受光素子の構成を示す図である。
【図2】本発明に係る光結合構造の構成を示す図である。
【図3】本発明を好適に実施した第1の実施形態に係る光結合構造の平面図である。
【図4】図3中の破線B−B’における断面図である。
【図5】図3中の破線C−C’における断面図である。
【図6】図3中の破線D−D’における断面図である。
【図7】端面入射型受光素子を実装する前の状態を示す平面図である。
【図8】第1の実施形態に係る光結合構造の動作を示す図である。
【図9】本発明を好適に実施した第2の実施形態に係る光結合構造の平面図である。
【図10】本発明を好適に実施した第3の実施形態に係る光結合構造の平面図である。
【図11】本発明を好適に実施した第4の実施形態に係る光結合構造の平面図である。
【図12】第4の実施形態に係る光結合構造の動作を示す図である。
【図13】本発明を好適に実施した第5の実施形態に係る光結合構造の平面図である。
【図14】本発明を好適に実施した第6の実施形態に係る光結合構造に適用される端面入射型受光素子の断面図である。
【図15】光結合構造の平面図である。
【図16】図15中の破線B−B’における断面図である。
【図17】図15中の破線C−C’における断面図である。
【図18】図15中の破線D−D’における断面図である。
【図19】光結合構造の動作を示す図である。
【符号の説明】
【0048】
1 Si基板
2A 下部SiOクラッド層
2B 上部SiOクラッド層
3 コア層
4 SiO絶縁膜
5 電極
6 融着材
7 p電極
8 パッシベーション膜
9 p−InP層
10 i−InGaAs光吸収層
11 n−InP層
12 n−InP基板
13 n電極
14、54 受光導波路
15 AR膜
16 電極
17A 端面入射型受光素子を実装する領域
17B 端面入射型受光素子の実装位置
18 ボンディングワイヤ
19、59 導波光ビーム
20 台座
21 アラインメントマーカー
22 p−InAlAs電界緩和層
23 i−InAlAs増倍層
24、64 端面入射型受光素子
25、65 入射端面
26、66 平面型光導波路
27 導波光ビームが側壁にぶつかる領域
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体基板上に、メサ型導波路状に加工され、且つ入射光を吸収して光電変換する光吸収層を含む受光導波路が少なくとも形成され、かつ前記受光導波路は、光が入射される端面である入射端面に対して前記半導体基板と平行な方向から光を入射して用いる端面入射型受光素子であって、
前記入射光は、前記入射端面に対して所定の入射角をもって入射され、かつ前記受光導波路の少なくとも一方の側壁が、前記入射角及び前記受光導波路の等価屈折率に応じて定まる光の導波方向に対して平行であるか、又は光の導波方向下流側ほど導波光ビームの中心と前記側壁とが離れる角度をもって形成されたことを特徴とする端面入射型受光素子。
【請求項2】
前記光吸収層での光電変換によって発生したキャリアを倍増する倍増層を有するアバランシェフォトダイオードであることを特徴とする請求項1記載の端面入射型受光素子。
【請求項3】
請求項1又は2記載の端面入射型受光素子の入射端面に対して、平面基板上に形成された平面型光導波路を介して入射光を導いたことを特徴とする光結合構造。
【請求項4】
前記平面型光導波路の光を出射する端面である出射端面と、前記端面入射型受光素子の前記入射端面とが突き合わされて光学的に結合されたことを特徴とする請求項3記載の光結合構造。
【請求項5】
前記平面型光導波路のコア層のストライプ方向が、前記出射端面と垂直ではないことを特徴とする請求項4記載の光結合構造。
【請求項6】
前記平面型光導波路のコア層の水平方向の幅が、前記出射端面に近づくほど広いことを特徴とする請求項4又は5記載の光結合構造。
【請求項7】
前記平面型光導波路のコア層の水平方向の幅の中心を結ぶ線が、前記出射端面に対して垂直ではないことを特徴とする請求項6記載の光結合構造。
【請求項8】
前記出射端面における前記平面型光導波路のコア層の水平方向の幅が、前記端面入射型受光素子の前記受光導波路の水平方向の幅と等しいことを特徴とする請求項4から7のいずれか1項記載の光結合構造。
【請求項9】
前記平面基板に、前記端面入射型受光素子を実装するための実装領域を有し、
前記実装領域には、実装時に前記端面入射型受光素子の表面又はその表面上に形成された素子側基準面を押し当てて高さ方向の位置決めをするための高さ基準面が形成されていることを特徴とする請求項3から8のいずれか1項記載の光結合構造。
【請求項10】
前記端面入射型受光素子上に素子側アライメントマーカを、前記端面入射型受光素子を実装するための領域上に実装領域側アライメントマーカをそれぞれ有することを特徴とする請求項3から9のいずれか1項記載の光結合構造。
【請求項11】
請求項1又は2記載の端面入射型受光素子の入射端面に対して、平面基板上に形成された平面型光導波路を介して入射光を導くことを特徴とする光結合方法。
【請求項12】
前記平面型光導波路の光を出射する端面である出射端面と、前記端面入射型受光素子の前記入射端面とを突き合わせて光学的に結合することを特徴とする請求項11記載の光結合方法。
【請求項13】
コア層のストライプ方向が前記出射端面と垂直ではない前記平面型光導波路を介して、前記端面入射型受光素子の入射端面に対して入射光を導くことを特徴とする請求項12記載の光結合方法。
【請求項14】
前記出射端面に近づくほどコア層の水平方向の幅が広い前記平面型光導波路を介して、前記端面入射型受光素子の入射端面に対して入射光を導くことを特徴とする請求項12又は13記載の光結合方法。
【請求項15】
コア層の水平方向の幅の中心を結ぶ線が、前記出射端面に対して垂直ではない前記平面型光導波路を介して、前記端面入射型受光素子の入射端面に対して入射光を導くことを特徴とする請求項14記載の光結合方法。
【請求項16】
前記出射端面における前記平面型光導波路のコア層の水平方向の幅が、前記端面入射型受光素子の前記受光導波路の水平方向の幅と等しいことを特徴とする請求項12から15のいずれか1項記載の光結合方法。
【請求項17】
前記平面基板上の前記端面入射型受光素子を実装する領域内に高さ基準面を形成し、前記端面入射型受光素子の表面、あるいはその表面上に形成した素子側基準面を前記高さ基準面に対して押し当てることで実装時の高さ方向の位置決めをなすことを特徴とする請求項11から16のいずれか1項記載の光結合方法。
【請求項18】
前記端面入射型受光素子上に素子側アラインメントマーカーを形成し、さらに、前記端面入射型受光素子を実装する領域上に、実装領域側アラインメントマーカーを形成し、
前記素子側アラインメントマーカーと、前記実装領域側アラインメントマーカーとの相対位置関係をモニターすることによって、前記端面入射型受光素子の実装時の水平面内の位置決めをなすことを特徴とする請求項11から17のいずれか1項記載の光結合方法。
【請求項1】
半導体基板上に、メサ型導波路状に加工され、且つ入射光を吸収して光電変換する光吸収層を含む受光導波路が少なくとも形成され、かつ前記受光導波路は、光が入射される端面である入射端面に対して前記半導体基板と平行な方向から光を入射して用いる端面入射型受光素子であって、
前記入射光は、前記入射端面に対して所定の入射角をもって入射され、かつ前記受光導波路の少なくとも一方の側壁が、前記入射角及び前記受光導波路の等価屈折率に応じて定まる光の導波方向に対して平行であるか、又は光の導波方向下流側ほど導波光ビームの中心と前記側壁とが離れる角度をもって形成されたことを特徴とする端面入射型受光素子。
【請求項2】
前記光吸収層での光電変換によって発生したキャリアを倍増する倍増層を有するアバランシェフォトダイオードであることを特徴とする請求項1記載の端面入射型受光素子。
【請求項3】
請求項1又は2記載の端面入射型受光素子の入射端面に対して、平面基板上に形成された平面型光導波路を介して入射光を導いたことを特徴とする光結合構造。
【請求項4】
前記平面型光導波路の光を出射する端面である出射端面と、前記端面入射型受光素子の前記入射端面とが突き合わされて光学的に結合されたことを特徴とする請求項3記載の光結合構造。
【請求項5】
前記平面型光導波路のコア層のストライプ方向が、前記出射端面と垂直ではないことを特徴とする請求項4記載の光結合構造。
【請求項6】
前記平面型光導波路のコア層の水平方向の幅が、前記出射端面に近づくほど広いことを特徴とする請求項4又は5記載の光結合構造。
【請求項7】
前記平面型光導波路のコア層の水平方向の幅の中心を結ぶ線が、前記出射端面に対して垂直ではないことを特徴とする請求項6記載の光結合構造。
【請求項8】
前記出射端面における前記平面型光導波路のコア層の水平方向の幅が、前記端面入射型受光素子の前記受光導波路の水平方向の幅と等しいことを特徴とする請求項4から7のいずれか1項記載の光結合構造。
【請求項9】
前記平面基板に、前記端面入射型受光素子を実装するための実装領域を有し、
前記実装領域には、実装時に前記端面入射型受光素子の表面又はその表面上に形成された素子側基準面を押し当てて高さ方向の位置決めをするための高さ基準面が形成されていることを特徴とする請求項3から8のいずれか1項記載の光結合構造。
【請求項10】
前記端面入射型受光素子上に素子側アライメントマーカを、前記端面入射型受光素子を実装するための領域上に実装領域側アライメントマーカをそれぞれ有することを特徴とする請求項3から9のいずれか1項記載の光結合構造。
【請求項11】
請求項1又は2記載の端面入射型受光素子の入射端面に対して、平面基板上に形成された平面型光導波路を介して入射光を導くことを特徴とする光結合方法。
【請求項12】
前記平面型光導波路の光を出射する端面である出射端面と、前記端面入射型受光素子の前記入射端面とを突き合わせて光学的に結合することを特徴とする請求項11記載の光結合方法。
【請求項13】
コア層のストライプ方向が前記出射端面と垂直ではない前記平面型光導波路を介して、前記端面入射型受光素子の入射端面に対して入射光を導くことを特徴とする請求項12記載の光結合方法。
【請求項14】
前記出射端面に近づくほどコア層の水平方向の幅が広い前記平面型光導波路を介して、前記端面入射型受光素子の入射端面に対して入射光を導くことを特徴とする請求項12又は13記載の光結合方法。
【請求項15】
コア層の水平方向の幅の中心を結ぶ線が、前記出射端面に対して垂直ではない前記平面型光導波路を介して、前記端面入射型受光素子の入射端面に対して入射光を導くことを特徴とする請求項14記載の光結合方法。
【請求項16】
前記出射端面における前記平面型光導波路のコア層の水平方向の幅が、前記端面入射型受光素子の前記受光導波路の水平方向の幅と等しいことを特徴とする請求項12から15のいずれか1項記載の光結合方法。
【請求項17】
前記平面基板上の前記端面入射型受光素子を実装する領域内に高さ基準面を形成し、前記端面入射型受光素子の表面、あるいはその表面上に形成した素子側基準面を前記高さ基準面に対して押し当てることで実装時の高さ方向の位置決めをなすことを特徴とする請求項11から16のいずれか1項記載の光結合方法。
【請求項18】
前記端面入射型受光素子上に素子側アラインメントマーカーを形成し、さらに、前記端面入射型受光素子を実装する領域上に、実装領域側アラインメントマーカーを形成し、
前記素子側アラインメントマーカーと、前記実装領域側アラインメントマーカーとの相対位置関係をモニターすることによって、前記端面入射型受光素子の実装時の水平面内の位置決めをなすことを特徴とする請求項11から17のいずれか1項記載の光結合方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
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【図12】
【図13】
【図14】
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【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【公開番号】特開2009−224371(P2009−224371A)
【公開日】平成21年10月1日(2009.10.1)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−64100(P2008−64100)
【出願日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【出願人】(000004237)日本電気株式会社 (19,353)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年10月1日(2009.10.1)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【出願人】(000004237)日本電気株式会社 (19,353)
【Fターム(参考)】
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