【課題】故障し難く小型化することが可能な光検出素子及び該光検出素子を用いる光検出方法を提供する。
【解決手段】光吸収層及び該光吸収層に隣接する量子構造部と、光吸収層に接続された第１電極と、量子構造部に接続された第２電極とを有し、量子構造部は、量子井戸層及び該量子井戸層を挟む障壁層を有し、障壁層の伝導帯端は光吸収層の伝導帯端よりも高エネルギーであり、障壁層の伝導帯端と光吸収層の伝導帯端とのエネルギー差は、０．５８ｅＶよりも大きく、量子井戸層の伝導帯側に形成された量子準位は光吸収層の伝導帯端よりも高エネルギーであり、量子準位と光吸収層の伝導帯端とのエネルギー差は電子が受け取る熱エネルギーよりも大きい光検出素子とし、該光検出素子を用いて光検出素子へと入射した光により生じた電流電圧特性を得る工程と、得られた電流電圧特性を用いて入射した光の波長及び強度を同定する工程と、を有する光検出方法とする。 （もっと読む）

【課題】
読み出し回路を備えた第一基板と受光素子を備えた第二基板をバンプ接続した量子型赤外線熱感知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成された第二基板に影響を与えることなくシリコン基板等で構成された第一基板と、第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する。
【解決手段】
量子型撮像素子は、読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディング（FCB）によって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁とを有する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させることができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板に画素電極と、入射光に応じた電荷を生成する有機膜を有する光電変換部と、透明な対向電極と、封止層とが形成された固体撮像素子の製造方法である。基板の画素電極が設けられた側表面にメタルマスクを磁力で密着させる工程と、基板の画素電極が設けられた側表面に、有機物を蒸着し、有機膜を形成する工程と、有機膜形成後、メタルマスクを取り外す工程と、有機膜上に対向電極を形成する工程と、対向電極を覆う封止層を形成する工程とを有する。メタルマスクは、ハーフエッチングが施されており、このハーフエッチングが施された側を画素電極に向けて密着されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成したクラックおよび転位が少ない高品位の窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施態様によれば、シリコン基板上に下地層と積層中間層と機能層とが形成された後に、前記シリコン基板が除去された窒化物半導体素子が提供される。前記窒化物半導体素子は、前記下地層と、前記積層中間層と、前記積層中間層と、を備える。前記下地層は、ＡｌＮバッファ層とＧａＮ下地層とを含む。前記積層中間層は、前記下地層と前記機能層との間に設けられる。前記積層中間層は、ＡｌＮ中間層と、ＡｌＧａＮ中間層と、ＧａＮ中間層と、を含む。前記ＡｌＧａＮ中間層は、前記ＡｌＮ中間層に接する第１ステップ層を含む。前記第１ステップ層におけるＡｌ組成比は、前記ＡｌＮ中間層から前記第１ステップ層に向かう方向において、ステップ状に減少している。 （もっと読む）

【課題】高性能な光センサーを提供すること。
【解決手段】光センサー１は、計測セル２０と、第一選択線ＧＳＥＬＡと、読み出し線Ｓｅｎｓｅと、を有し、計測セルは、受光素子ＰＤと、第一トランジスターＡＭＰＴＦＴ１と、第二トランジスターＡＭＰＴＦＴ２と、選択トランジスターＳＥＬＴＦＴと、を備える。第一トランジスターＡＭＰＴＦＴ１のゲートとソースとが、其々、受光素子ＰＤの第一極と、第二トランジスターＡＭＰＴＦＴ２のゲートとに接続される。選択トランジスターＳＥＬＴＦＴのドレインとゲートとソースとが、其々、第二トランジスターＡＭＰＴＦＴ２のソースと、第一選択線ＧＳＥＬＡと、読み出し線Ｓｅｎｓｅと、に接続される。斯うする事で、高速計測と高精度計測とが両立する光センサー１が実現する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧範囲を広げることが容易なトランスインピーダンスアンプおよび受光回路を提供する。
【解決手段】第１のＭＯＳトランジスタと、カレントミラー回路と、第２のＭＯＳトランジスタと、負荷と、第１帰還抵抗と、を有する。前記第１のＭＯＳトランジスタは、フォトダイオードが接続されるゲート端子を有する。前記カレントミラー回路には、前記第１のＭＯＳトランジスタからの出力電流が入力される。前記第２のＭＯＳトランジスタは、前記カレントミラー回路の出力端子の電圧が入力されるゲート端子を有し、ソース接地とされ、前記第１のＭＯＳトランジスタの極性と同じ極性を有する。前記負荷は、前記カレントミラー回路の前記出力端子に接続される。第１帰還抵抗は、前記第１のＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子と、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレイン端子と、の間に接続される。前記第２のＭＯＳトランジスタは、前記ゲート端子電圧に対応した電圧を前記ドレイン端子から出力することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷却装置を要することなく熱励起に起因する暗電流を低減し、室温近傍で検出器を動作させた場合に十分な特性を発揮し得る量子型赤外線検出器を提供すること。
【解決手段】量子型赤外線検出器（１０）は、井戸層（１３）、第１の障壁層（１４）、ならびに井戸層（１３）および第１の障壁層（１４）の間に設けられた井戸層（１３）に隣接する第２の障壁層（１５）から構成される多重量子井戸層（１６）と、多重量子井戸層（１６）を挟み込むように設けられた一対のコンタクト層と、を備え、第１および第２の障壁層（１４，１５）は、それぞれＡｌ組成比の異なるＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓと、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓとで構成され、第２の障壁層（１６）のＡｌ組成比ｙは、第１の障壁層（１５）のＡｌ組成比ｘより高い。 （もっと読む）

【課題】複数の受光部間での高周波特性のばらつきを抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光受信モジュール１は、多芯ファイバ８１からの複数の信号光を同時に受光可能な光受信モジュールであって、信号光を受光するアレイ状に配列された複数の受光部１１ａ〜１１ｄを有し、複数の受光部１１ａ〜１１ｄで受光した信号光に基づいて電気信号を出力する受光素子１０と、複数の第１導電部材４１ａ〜４１ｄと、チップコンデンサ３０ａ〜３０ｄとを備える。各受光部１１ａ〜１１ｄの受光面積は、受光部１１ａ〜１１ｄと接続された第１導電部材４１ａ〜４１ｄの寄生インダクタンスに対応している。 （もっと読む）

【課題】色ずれを生じることなく、ダイナミックレンジの拡大を可能にする固体撮像装置を提供する。
【解決手段】電磁波を電荷に変換し、電荷量に応じた信号を出力する画素１０を含み、画素１０が２次元配置され、隣接する画素１０において、電磁波を電荷に変換する、フォトダイオードＰＤ及び転送トランジスタ２１の部分の構成は同一であるが、電荷量と信号量との関係を異ならせることが可能である、画素部とを含む固体撮像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】複数の不良画素が存在する場合であっても、簡易な冗長化プロセスで、不良画素が存在する領域に実際に入射する光に基づく情報が得られるようにし、不良画素による画像情報の欠落を防止して、歩留まりを向上させる。
【解決手段】イメージセンサ１を、同一波長に感度を持ち、かつ、入射光の向きに対して感度が異なる２つのフォトディテクタ７Ａ、７Ｂを有する複数の画素８を備えるセンサアレイ４と、複数の画素の中の少なくとも一の画素に対応する位置に設けられ、入射光を周囲の画素に散乱させる散乱体９とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】十分な感度を有し、かつ低いコストで実現することが可能な構成の光電変換素子を提供する。
【解決手段】チオインジゴ誘導体を含んで成る光電変換層１２を有する、光電変換素子１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】光センサにおいて、複数種類の光センサを併用する場合と比べて、製造コストを低減し、取付け対象の電気機器のデザイン性を損ない難くする。
【解決手段】光センサ１は、分光感度が異なる受光素子２ｖ、２ｉと、受光素子２ｖ、２ｉによる検出信号をそれぞれ増幅する増幅回路３ｖ、３ｉと、増幅回路３ｖ、３ｉによりそれぞれ増幅された検出信号の和又は差を演算する演算回路４とを備える。増幅回路３ｖ、３ｉは増幅率が調整可能であり、演算回路４は演算内容が変更可能である。上記増幅率の調整と上記演算内容の変更とにより、検出対象の光の波長領域を２つの波長領域に切り替えることができる。従って、２種類の光センサを併用する場合と比べて、光センサの数を減らし、各種構成部品を共通化できる。そのため、製造コストを低減でき、また、電気機器に取り付けた状態で、占有面積が少なくて済み、電気機器のデザイン性を損ない難くすることができる。 （もっと読む）

【課題】長波長の光の吸光度が大きい高分子化合物を提供する。
【解決手段】式（Ａ）で表される繰り返し単位と式（Ｂ）で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物。


〔式（Ａ）及び式（Ｂ）中、Ｑ及びＲは、同一又は相異なり、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基又は、特定の、アルコキシカルボニル（アルキレン）基、もしくはアラルキルオキシカルボニル（アルキレン）基で、これらの基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。複数個あるＱは、同一でも相異なっていてもよい。複数個あるＲは、同一でも相異なっていてもよい。〕 （もっと読む）

【課題】電磁放射検知回路の成長基板を除去する方法を提供する。
【解決手段】赤外または可視範囲での電磁放射検知回路の成長基板を除去する方法であって、検知回路が、液相または気相エピタキシによって、または分子ビームエピタキシによって得られたＨｇ_{（１−ｘ）}Ｃｄ_ｘＴｅで作られた、放射の検知層を含み、検知回路がリード回路上にハイブリッド化された方法。この方法は、以下の段階を含む。検知回路の材料と成長基板と間の界面領域まで、その厚みを低減するために成長基板に機械研磨または化学機械研磨ステップまたは化学エッチングステップを施す段階、そのように得られた界面にヨウ素処理を施す段階。 （もっと読む）

【課題】光センサ１のフォトダイオード１０の受光強度を精度良く検出する。
【解決手段】光センサ１では、フォトダイオード１０のカソード端子とグランドとの間の電圧が一定電圧Ｖｒｅｆ１に比べて小さいとコンパレータ１２が判定してからフォトダイオード１０のカソード端子とグランドとの間の電圧が一定電圧Ｖｒｅｆ２に比べて小さいとコンパレータ１３が判定するまでの時間差を示す信号として検出信号を出力するＡＮＤ回路１４とを備える。フォトダイオード１０の容量が原因で、フォトダイオード１０のカソード端子とグランドとの間のリセット電圧が変動しても、その変動の影響が上記時間差には加わらない。 （もっと読む）

【課題】低フラックスを用いている間のノイズレベルを減少することを可能にするような検出回路を提供する。
【解決手段】ソースフォロワ検出器型の検出回路は、結合ノードＮに接続されたフォトダイオード１を備える。バイアス回路３は、逆バイアスである第１の状態とフローティングである第２の状態との間にフォトダイオード１をバイアスすることを可能にする。読み出し回路４は、結合ノードＮに接続され、フォトダイオード１により測定された現状を示す信号を生成する。金属シールド５は結合ノードＮの周りに配置される。金属シールド５は、読み出し回路４の出力に接続され、結合ノードＮの電位と同じ方向に変動する電位を持つように構成される。 （もっと読む）

【課題】任意の基板上に形成でき良好な結晶性を有する窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。前記第１層は、非晶質層の上に形成され、窒化アルミニウムを含み、圧縮歪または引張歪を有する。前記機能層は、前記第１層の上に形成され、窒化物半導体を含む。 （もっと読む）

【課題】近赤外域〜中赤外域にわたって高い受光感度を持ち、安定した品質、経済性を有する受光素子を提供する。
【解決手段】波長３μｍ〜１２μｍの光に透明なＩｎＰ基板１と、ＩｎＰ基板１に接して位置するバッファ層２と、バッファ層２に格子整合するカットオフ波長３μｍ以上の多重量子井戸構造を有する受光層３とを備え、バッファ層２とＩｎＰ基板１とが、形式的な格子整合条件の範囲を超えながら、バッファ層２がＩｎＰ基板１にエピタキシャル成長しており、バッファ層２が、ＧａＳｂ層から構成されている。 （もっと読む）