【課題】光導波路のコア部の端部に対して精度良く光素子の受発光部を位置決めし得る光導波路、かかる光導波路を用いて光素子を精度よく位置決めし得る光導波路構造体の製造方法、ならびに、かかる光導波路を備える信頼性の高い光導波路構造体および信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路構造体は、コア部２１１と、コア部２１１に並設された位置決用コア部２１３と、コア部２１１および位置決用コア部２１３の少なくとも一方に隣接して設けられたクラッド部２１２とを備え、位置決用コア部２１３は、その光路の方向を変更する第１の光路変更部を備える。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が低減された高効率及び高速な光電変換を実現しつつ、製造工程も簡素化すること。
【解決手段】このフォトダイオード１は、半導体又は金属から成る基板２と、基板２上に形成された埋め込み絶縁層３と、埋め込み絶縁層３上の所定領域に沿って並んで形成されたｐ型半導体層６及びｎ型半導体層７を含む半導体層５，６，７と、半導体層５，６，７上に形成されたゲート絶縁層８と、ゲート絶縁層８上に配置され、平面状の金属膜９ａに直線状の貫通溝９ｂが等間隔に形成された回折格子部９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体光集積回路装置及びその製造方法に関し、吸収効率の向上と素子抵抗の低減を両立する。
【解決手段】 半導体基板上に形成された少なくともメサ状部を有する導波路コア層からなる導波路部と、前記導波路コア層の延長部上に順次積層された第１導電型スペーサ層、吸収層及び前記第１導電型と反対の第２導電型上部クラッド層を少なくとも有するフォトダイオード部とを少なくとも設け、前記第１導電型スペーサ層の少なくとも一部がメサ状であり、前記メサ状の第１導電型スペーサ層の側面に接するように、前記第１導電型スペーサ層の屈折率より小さな屈折率の第１導電型半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子との調芯作業が不要であり、かつ、量産性に優れている光電気混載基板およびその製法を提供する。
【解決手段】光導波路ユニットＷと、光学素子１０が実装された電気回路ユニットＥとを結合させてなる光電気混載基板であって、光導波路ユニットＷは、アンダークラッド層およびオーバークラッド層の少なくとも一方の部分に延設された電気回路ユニット位置決め用の突起部４を備え、その突起部４は、コア２の光透過面２ａに対して所定位置に位置決め形成されている。電気回路ユニットＥは、上記突起部４が嵌合する嵌合孔１５を備え、その嵌合孔１５は、光学素子１０に対して所定位置に位置決め形成されている。そして、上記突起部４が上記嵌合孔１５に嵌合した状態で、光導波路ユニットＷと電気回路ユニットＥとが結合している。 （もっと読む）

【課題】 正常な出力光からずれた２次ピークを除去し、正常な出力光のみを放出する。
【解決手段】 支持体１１の側壁１１ｂの内壁面１１ｄは反射面１３の傾斜した他方の側に対応する下端部が反射面１３の中心側に片寄るように近接し、上端部が反射面１３の中心側から離隔するように傾斜し、発光ダイオード素子１５から出射され反射面１３で反射された反射光は内壁面１１ｄに当たることなく、外部に放出され、２次ピークが放出されることない。 （もっと読む）

【課題】
導波路に結合された表面プラズモンポラリトン光検出器を提供する。
【解決手段】
金属−半導体−金属（ＭＳＭ）デバイスは、導波路内の光モードからの光を、当該ＭＳＭデバイスの電極表面の表面プラズモンポラリトン（ＳＰＰ）モードに結合する。ＳＰＰモードにおいては、半導体内での光の吸収は、非常に小さい領域で発生することができる。これは、活性な検出器領域の縮小を可能にし、電気的なキャリアに関して低容量（キャパシタンス）で非常に短い移送距離を可能にし、非常に低電圧なデバイス及び／又は非常に高い周波数を可能にし得る。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードアレイの補修が可能な光検出器を実現すること。
【解決手段】 複数のフォトダイオードをアレイ状に配置したフォトダイオードアレイを備え、各フォトダイオードの出力電流をもとにフォトダイオードアレイで受光した被測定光を検出する光検出器において、前記フォトダイオードアレイを形成するフォトダイオードの代わりに被測定光を受光する代替フォトダイオードと、前記代替フォトダイオードの出力電流を取り出す電流取出手段と、前記フォトダイオードアレイを形成するフォトダイオードに向かって出射された前記被測定光の進行方向を変更させて前記代替フォトダイオードに入射させる光ガイド手段と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光体に色彩の変化パターンを発光させ、そのパターンでデータを送信するとともに発光体の位置を特定する方法において、データ送信速度の向上を図る。
【解決手段】ＲＧＢの３色を用いて色彩変化パターンを発光させ、その中のＲの波形に、輝度変化明でデータを表す明暗波形を重畳させて送信する。領域の色彩変化はＣＣＤ等を用いて検出し、明暗波形はフォトダイオードなどの光電変換素子を用いて検出する。ＣＣＤは数１０ｆｐｓ程度の頻度で画像データを出力するので、データ速度もこの程度のデータ速度が限界となる。一方、明暗波形を受光する受光素子は一般的には数ＭＨｚ〜数ＧＨｚ程度の周波数を検出できるので、より高速なデータ通信が行える。 （もっと読む）

【課題】暗電流を低減でき、かつ、高速応答が可能な光検出器を提供する。
【解決手段】ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２、ｉ型ｃ−Ｇｅ層３およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４が光導波路３０に近接してシリコン基板１上に積層される。光導波路３０は、クラッド２０に接してクラッド２０上に形成されている。ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚（０．６μｍ）がクラッド２０の厚み（１．４μｍ）よりも薄く、かつ、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚とｉ型ｃ−Ｇｅ層３の膜厚との合計（２．０μｍ）がクラッド２０の厚みと光導波路３０の厚みとの合計（１．７μｍ）よりも大きい。その結果、光導波路３０中を伝搬する光は、光検出器１０のｉ型ｃ−Ｇｅ層３へ入射され、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４へ入射されない。 （もっと読む）

【課題】近赤外線に対する受光感度やダイナミックレンジを高めることを可能にして、車載用赤外線イメージセンサーに必要な高速性や、暗所監視イメージセンサーに求められる高感度化、高ダイナミックレンジ化を実現することが可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】撮像素子１は、近赤外線ラインセンサー部２と近赤外線反射可動ミラー部３とからなる。近赤外線ラインセンサー部２は、ｐ型シリコン基板１１の上面１３側の一部にｎ型シリコン領域１２を形成してなるものであり、ｎ型シリコン領域１２は、ｐ型シリコン基板１１の側面１４側から入射する近赤外線の入射方向に沿って、その長さが数１０μｍ〜数１００μｍとなるように形成されている。シリコン層２４とシリコン基板２２との間にはミラー駆動用回路が形成され、ミラー駆動用電圧が印加されることにより、シリコン層２４の可動部２４ｂが斜め下方に傾く。 （もっと読む）

【課題】光電変換部への集光効率を高めながら、光電変換部の上における寄生容量の増大を抑制する。
【解決手段】光電変換装置は、光電変換部と、前記光電変換部へ光を導く導波路構造とを備え、前記導波路構造は、前記光電変換部の上方に配され、第１の絶縁物より屈折率の高い第１の物質の側面が前記第１の絶縁物で囲まれた上部構造と、前記光電変換部と前記第１の物質との間に第２の絶縁物より屈折率の高い第２の物質が配され、前記第２の物質の側面が前記第２の絶縁物で囲まれた下部構造とを含み、前記第２の物質の誘電率は、前記第１の物質の誘電率より低い。 （もっと読む）

集積オプトエレクトロニクスコンポーネント（１２）を備える光学デバイスを作製する方法であって、ａ）少なくとも１つのブラインドホール（１０４）が中に作製されたホルダを備える保護構造（１００）を作製するステップであって、光学素子（１０６）がブラインドホールの中に配置されるステップと、ｂ）ホルダを、集積オプトエレクトロニクスコンポーネントを備える基板（１０）に取り付けるステップであって、ブラインドホールが空洞を形成し、その中で光学素子がオプトエレクトロニクスコンポーネントの１つに面するステップと、ｃ）基板を薄化し、基板を貫通して電気接続を形成するステップと、ｄ）ブラインドホールの底壁面を貫通して開口を作製し、光学素子の光学場を少なくとも一部露出させるステップとを含む方法が提供される。
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【課題】小型化が容易であって構造及び回路構成の制限を緩和することができる複合センサ及びこれを用いた炎センサを提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板上の埋め込み酸化膜上に積層されたＳＯＩ層内に設けられたＰＮ接合領域を含むＵＶセンサ部と、前記ＳＯＩ層に設けられたＮ型の低濃度拡散領域及び前記低濃度拡散領域に対向して前記半導体基板内に設けられたＮ型の高濃度拡散領域を含むＩＲセンサ部とを有している。 （もっと読む）

【課題】高オーバロード耐性、高分散補償能力の少なくとも一方を有し、安価で、小型の光受信器を提供する。
【解決手段】光ファイバ１を介して入射された光信号を反射、回折する回折格子７と、回折格子７で反射、回折された光信号の一部を通過させる絞り１２と、入射された光信号に対する回折格子７の角度を調整することにより、回折格子７で反射された光信号及び回折された複数の光信号の中から、１つの光信号のみを絞り１２を通過させると共に、絞り１２を通過する光信号の光量を調整する角度調整素子と、絞り１２を通過した光信号が入射される受光素子８とを内部に備えた光受信器。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で且つ再現性の高い構造を備えた量子ドット赤外線光検出器を提供することである。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された、導電性の半導体からなる第１の電極層と、前記第１の電極層の上に形成された前記第１の光電変換層と、前記第１の光電変換層の上に形成された、導電性の半導体からなる第２の電極層と、前記第２の電極層の上に形成された、第２の光電変換層と、前記第２の光電変換層の上に形成された、導電性の半導体からなる第３の電極層からなる赤外線を電気信号に変換する光半導体装置において、前記第１の光電変換層が、前記半導体基板の主面に投影した形状が、第１の方向に長軸を有する第１の量子ドットから成り、前記第２の光電変換層が、前記主面に投影した形状が、前記第１の方向にに交差する第の２の方向に長軸を有する第２の量子ドットから成ること。 （もっと読む）

【課題】高いパワーの光が入射した場合にも劣化・破壊が生じにくく、光の損失が小さく高感度な端面入射型受光素子及びその光結合方法並びに光結合構造を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板上に、入射光を吸収して光電変換する光吸収層を含む受光導波路５４が形成され、かつ受光導波路５４は、光が入射される端面である入射端面６５に対してＳｉ基板と平行な方向から光を入射して用いる端面入射型受光素子６４であって、入射光は、入射端面６５に対して所定の入射角ｉをもって入射され、かつ受光導波路５４の側壁が、入射角ｉ及び受光導波路５４の等価屈折率に応じて定まる導波光ビーム５９の導波方向に対して平行である。 （もっと読む）

【課題】光導波路を導波する光の検出を低コストで容易に達成することが可能で、しかも光検出感度の高くい半導体装置を備えた発振器および光検出回路を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を介して形成された半導体層と、半導体層が所定の経路に沿って所定厚とされて形成された光導波路６１と、光導波路に接続されたチャネルボディおよびチャネルボディの表面側に形成されたチャネルを形成するためのゲートを持つ絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、を含む受光素子として機能する第１のトランジスタＮＴ１と、基板に形成され絶縁ゲート型電界効果トランジスタである第２のトランジスタＮＴ２と、両トランジスタの出力を比較して上記第１のトランジスタの光導波路に入射している光量に応じた出力信号を得る差動検出回路ＤＡＭＰ１とを有する。 （もっと読む）

【課題】波長の異なる光を分離するためにフィルタを空間的に配置すると、物理的なスペースが多く必要になるという問題を解決する。
【解決手段】波長分離型フォトダイオード７１は、隣接して設けられた少なくとも２つの面受光型フォトダイオード７３の受光面に、それぞれ異なる波長の光を選択的に透過させる、薄膜よりなる波長選択フィルタ７４をそれぞれ直接設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光空間伝送システムにおいて、厳密な光軸調整を行うことなく、また、光軸がずれた場合であってもデータ通信を行うことができ、端末が小型化、薄型化及び軽量化できる光受信装置を提供する。
【解決手段】連続的に変化する格子周期を持ち、任意の入射角度の光ビームに光入力結合を生じさせるチャープグレーティングと、チャープグレーティングによって光入力結合を生じた光ビームを伝搬させる光導波路と、光導波路から伝搬される光ビームを電気信号に変換する受光素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】生産性及び形状安定性が良好な固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２にフォトダイオード３等を形成した後、多層配線層５を形成し、フォトダイオード３の直上域にトレンチ１１を形成する。次に、多層配線層５上及びトレンチ１１内に窒化膜１２を形成し、トレンチ１１内に有機材料を埋め込む。そして、この有機材料を熱硬化させて導光部材１３を形成する。このとき、窒化膜１２と導光部材１３との間の熱収縮量の差を利用して、窒化膜１２と導光部材１３との間に隙間１４を形成する。導光部材１３の側面は、その上下方向中央部が両端部よりもトレンチ１１の中心軸に近づくように湾曲する。 （もっと読む）