【課題】 汚染物質に対する表面電界領域の露出を最少にし、キャップ領域に対する金属の位置合せを確実にして上部のメタライズされたコンタクト領域により遮られる入射光を最少にするように、太陽電池及び光検出器などの半導体光検出デバイスを作成する方法、並びにその方法によって作成される製品を提供すること。
【解決手段】 キャップエッチングステップ及び反射防止コーティングステップが単一の自己整合リソグラフィモジュールにおいて実施される、半導体光検出デバイス製造技術が提供される。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さくなっても、受光部などの光学領域への集光を向上させることが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学領域（フォトダイオードである受光部１０２）を有する半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上に配置された透明絶縁膜１１１を有し、透明絶縁膜１１１は、光学領域直上の第１の領域（遮光膜１１０によって挟まれる領域）と、第１の領域の上の第２の領域を有し、透明絶縁膜１１１は、第２の領域と同じ高さにあり、平面視において第２の領域の外側に位置する第３の領域（遮光膜１１０の上の領域）を有し、第１の領域が有する空孔１１５の空孔径は第３の領域が有する空孔１１５の空孔径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】近赤外の波長域１．５μｍ〜１．８μｍに十分高い感度をもち、暗電流を低くできる受光素子等を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上に接して位置するバッファ層２と、バッファ層上に接して位置する受光層３とを備え、受光層３が、バンドギャップエネルギ０．７３ｅＶ以下の第１の半導体層３ａと、それよりも大きいバンドギャップエネルギを持つ第２の半導体層３ｂとを１ペアとして、５０ペア以上を含み、第１の半導体層３ａおよび第２の半導体層３ｂが歪補償量子井戸構造を形成し、厚みが両方とも１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容量耐性を高めると共に信頼性の向上を図った容量付ＰＤを提供する。
【解決手段】ＰＤ、ダイオードを含む素子と複数のＭＩＭ容量を基板上に集積した化合物半導体装置において、前記素子からの引き出し配線とＭＩＭ容量の下部配線を結ぶ線を第１配線、ＭＩＭ容量の上部電極とボンディングパッドを結ぶ線を第２配線としたときに前記第１配線と第２配線をスルーホールで接続し、ＭＩＭ容量に印加する電圧方向を１方向に揃えるように、ＭＩＭ容量の上下メタルに電圧を印加した。 （もっと読む）

【課題】画素の高集積化を図ることができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置において、多層配線層と、多層配線層上に設けられ、第１導電型層を有する半導体基板と、第１導電型層を複数の領域に区画する第２導電型の不純物拡散領域と、半導体基板上に前記区画された領域毎に設けられたカラーフィルタと、半導体基板の下面における区画された領域以外の領域に形成されたメタリック層と、を設ける。 （もっと読む）

【課題】超高速動作に適した、受光感度の高い「光通信用フォトダイオード」を提供する。
【解決手段】本発明に係るフォトダイオードは、半絶縁性基板１上に、ｐ形電極層２、半導体光吸収層３、４、半導体光吸収層３、４よりも大きなバンドギャップエネルギーを有する電子走行層５、ｎ形電極バッファ層６、及びｎ形電極層７が順次積層され、半導体光吸収層３、４及び電子走行層５が第１のメサ構造を形成し、ｎ形電極バッファ層６及びｎ形電極層７が第２のメサ構造を形成し、ｐ形電極８と、ｎ形電極９とを有する。半導体光吸収層３、４は積層方向にドーピングプロファイルを有し、動作状態において、半導体光吸収層３、４にｐ形の中性を保つ領域が存在し、少なくとも電子走行層５とｎ形電極バッファ層６との両層が接する部分が空乏化し、第２のメサ構造の形状とドーピング構造で決まる電界分布により、第１のメサ構造内に活性領域が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードをより低いバイアス電圧で動作させても、より高い感度が得られるようにする。
【解決手段】電子走行層１０３の上に形成された第１導電型の半導体からなる電界制御層１０４を備える。第１半導体層１０２，電子走行層１０３、電界制御層１０４、および第２半導体層１０７は、光吸収層１０５を構成する半導体より大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体から構成され、電子走行層１０３および光吸収層１０５は、第１半導体層１０２，電界制御層１０４、および第２半導体層１０７よりも不純物濃度が低い状態とされている。 （もっと読む）

【課題】高速フォトダイオードの特性を劣化させることなく高速フォトダイオードと容量とを１チップ上に集積させる。
【解決手段】基板上に形成された高速フォトダイオード素子と、高速フォトダイオード素子と異なる層に形成されたＭＩＭ（Metal Insulation Metal）容量と、高速フォトダイオードの絶縁膜およびＭＩＭ容量の下地となる絶縁膜として機能する有機系塗布膜とを備えた集積素子。有機系塗布膜は、ポリイミド膜とすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光デバイスの膜の剥離を防止することを目的とする。
【解決手段】光デバイスは、基板１０１と、基板１０１の第１面１２０に形成された、発光部又は受光部１２２と、基板１０１の第１面１２０とは反対の第２面１２４に形成された、基板１０１の表面よりも光反射率が低い反射防止膜１１５と、を有する。第２面１２４には、発光部又は受光部１２２に対向する領域を囲む溝１１６が形成されている。反射防止膜１１５は、溝１１６に囲まれた領域、溝１１６の内部及び溝１１６の外側に連続的に密着して形成されている。 （もっと読む）

【課題】 受光感度の偏りが抑制された半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体受光素子１は、基板１０１上に、光吸収領域１０５を含む半導体層１１０が配置され、さらに、前記半導体層１１０よりも光入射側にレンズ１２０が配置され、前記レンズ１２０は、光入射側に凸面を有し、前記凸面は、中心領域１２１と、前記中心領域１２１を取り囲む外周領域１２２とを有し、前記外周領域１２２は、前記光吸収領域１０５への集光に必要な曲率半径を有し、前記中心領域１２１は、平面であり、前記中心領域１２１から入射した光の前記光吸収領域１０５における光入射面積が、前記光吸収領域１０５の面積以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長波長放射を検出することができる装置を提供する。
【解決手段】
長波長放射を検出することができる光検出器であって、絶縁層の近位端上に配置されたソースと、絶縁層の遠位端上に配置されたドレインと、近位端と遠位端との間でソース及びドレインを結合する少なくとも１つのナノアセンブリと、ソースとドレインとの間に配置され、少なくとも１つのナノアセンブリの長手方向に少なくとも１つのナノアセンブリと並置された少なくとも２つの表面プラズモン導波路とを備え、少なくとも２つの表面プラズモン導波路のうちの一方は、少なくとも１つのナノアセンブリの第１の側に沿って配置され、少なくとも２つの表面プラズモン導波路のうちの他方は、第１の側に対向する少なくとも１つのナノアセンブリの第２の側に沿って配置される長波長放射を検出することができる光検出器を実現する。 （もっと読む）

半導体構造体は、基板（１２）と、基板（１２）の上面を覆うシード層（１６）と、シード層（１６）を覆って配置される半導体層（２０）と、半導体層（２０）中のトランジスタデバイス（２２、２４）とを備え、基板（１２）はその中に開口部（４２）を備え、該開口部（４２）は基板（１２）の底面から延在して、シード層（１６）の底面で終端し、光電気構造体（４４）はシード層（１６）の底面上に配置される。 （もっと読む）

【課題】 昼夜によらずノイズや暗電流を抑制して鮮明な画像を得ることができる撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置を提供する。
【解決手段】 多重量子井戸構造の受光層３と、受光層のＩｎＰ基板１と反対側に位置する拡散濃度分布調整層４とを備え、受光層のバンドギャップ波長が１．６５μｍ〜３μｍであり、拡散濃度分布調整層のバンドギャップエネルギがＩｎＰよりも小さく、不純物元素の選択拡散によって受光素子ごとにｐｎ接合を形成し、選択拡散された受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャリア搭載時に発生する組み立て異常を防止することができる裏面入射型受光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】裏面入射型ＡＰＤ１００は、Ｆｅ−ＩｎＰ基板１０上に形成されたｎ−ＩｎＰコンタクト層１２と、ｎ−ＩｎＰコンタクト層１２上に形成された、ｐ−ＩｎＧａＡｓ吸収層２０を含む受光部１０６、Ｎ型電極用メサ１０２、およびＰ型電極用メサ１０４と、Ｎ型電極用メサ１０２の上面に形成された、ｎ−ＩｎＰコンタクト層１２に導通するＮ型電極１１２と、受光部１０６とＰ型電極用メサ１０４との間でｎ−ＩｎＰコンタクト層１２を電気的に分離する分離溝４０と、受光部１０６やＰ型電極用メサ１０４などの一部または全部を被覆するＳｉＮ膜３０およびＳｉＯ_２膜３４と、受光部１０６の上面の一部およびＰ型電極用メサ１０４の上面の少なくとも一部とを含む領域に形成されたＰ型電極１１４と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、水分を高感度で検出することができる水分検出装置等を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、検出装置は、波長３μｍ以下の水の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、水分を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 短波長側の光に対する感度を向上させることができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 半導体受光素子１では、ｐ電極１２の延在部１２ａが絶縁膜１１を介して光入射孔８の側面８ａから底面８ｂの周縁部８ｃに至っている。これにより、延在部１２ａで光の進行が遮られるため、コンタクト層６、及びその一端面６ａに積層されたキャップ層７を介することなく、光が光入射孔８から光吸収層４に入射することになる。よって、分光感度のばらつきを抑制することができる。更に、ｐ電極１２の接続部１２ｂが絶縁膜１１及びキャップ層７を貫いてコンタクト層６の不純物拡散領域９に接続されている。これにより、光吸収層４の一端面４ａに積層されたキャップ層５を所定の厚さに薄型化することができる。以上により、半導体受光素子１によれば、短波長側の光に対する感度を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 ４０５ｎｍ近傍の短波長の光に対して安定した高感度を有する、フォトダイオードを含む半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＰＩＮフォトダイオード１００Ｃは、Ｐ型の基板１１０上に、Ｐ型のシリコン層１１２、Ｎ型のシリコン層１１４、フィールド酸化膜１１８、活性領域の表面を覆うシリコン酸化膜１２０ｃと、シリコン酸化膜１２０ｃを覆うシリコン窒化膜１２２ｃとを有する。フィールド酸化膜１１８は、活性領域内に向けて延在する延在部１６０を含み、延在部１６０の側部がシリコン酸化膜１２０ｃに接続され、延在部１６０の露出された表面部分が水素拡散のための領域となる。 （もっと読む）

【課題】量子効率の波長依存性を低減することができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１０側から順番に、ｎ型の第１の多層反射層１２、ｎ型の第１の光共振層１４、ｎ型の第２の多層反射層１６、ｉ型ＩｎＧａＡｓの光吸収層１８及びアノード電極２２（反射膜）が形成されている。ｎ型ＩｎＰ基板１０の上面に反射防止膜２６が形成されている。第１の光共振層１４は、第１，第２の多層反射層１２，１６を構成する各半導体層よりも厚い。第２の多層反射層１６とアノード電極２２の間に有る膜の光学膜厚を第１の光学膜厚Ｌｏｐｔ１とし、第１の光共振層１４の光学膜厚を第２の光学膜厚Ｌｏｐｔ２とすると、Ｌｏｐｔ１とＬｏｐｔ２は異なる。 （もっと読む）

【課題】１．７μｍを超える波長域に受光感度をもち、暗電流の低いＩｎＧａＡｓ受光素子アレイ、その製造方法およびそのＩｎＧａＡｓ受光素子アレイを用いた検出装置を提供する。
【解決手段】Ｉｎ組成が０．５３を超えるＩｎＧａＡｓ受光層３と、ＩｎＧａＡｓ受光層に接して位置し、全厚みまたは基板と逆側の厚み部分がｐ型のＩｎＡｓＰ窓層４と、ｐ型ＩｎＡｓＰ窓層からＩｎＧａＡｓ受光層内に届き、受光素子の受光領域を取り囲むようにｎ型不純物を導入して形成したｎ型分離領域１９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 単独で広波長帯域の光を吸収することができるフォトダイオードを提供し、光電力の測定を煩雑な操作や複雑な装置を必要とせずに簡便化し、さらに精密な測定を可能とする。
【解決手段】 入射光が入射する第一半導体層と、該第一半導体層と接合して設けられ、該第一半導体層よりもエネルギー禁止帯幅が小さい第二半導体層とからなり、前記第一半導体層がｐｎ接合を有し、該第一半導体層の該第二半導体層と接触する部分の導電型と該第二半導体層の導電型が同じであることを特徴とするフォトダイオードである。 （もっと読む）