【課題】リング導波路の曲率半径を小さくしても伝播損失を抑制できる導波路型光デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導波路型光デバイス３０は、基板４０と、基板４０上に形成されたリング導波路３２とを有する。リング導波路３２はリング状のコア４２と、クラッド４３とにより形成されている。リング状のコア４２の内周面には、リング状のコア４２よりも薄く且つリング状のコア４２の内周面に沿って所定の幅で形成されたスラブ層３３が接続されており、リング状のコア４２の外周にはスラブ層が設けられていない。 （もっと読む）

【課題】 半導体光集積素子及びその製造方法に関し、光導波路の伝播損失を増大させることなく、ＰＤの暗電流を１０ｎＡ以下まで低減する。
【解決手段】 ｎ型クラッド層側から順に少なくとも光吸収層及びＺｎドープｐ型クラッド層が積層されたフォトダイオード領域の傾斜側面に対して[０１１]方向にバットジョイント結合した光導波路領域における光導波路層に（１００）面方位での飽和濃度以下の濃度のＦｅをドープし、上側クラッド層に（１００）面方位での飽和濃度以上の濃度のＦｅをドープする。 （もっと読む）

【課題】光素子と光導波路とを容易かつ正確に結合可能であり、高品質で安定した光通信を行い得る光導波路モジュール、かかる光導波路モジュールを効率よく製造可能な光導波路モジュールの製造方法、および、前記光導波路モジュールを備える信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路モジュール１０は、光導波路１と、その上方に設けられた回路基板２と、回路基板２上に搭載された発光素子３と、回路基板２と発光素子３との間隙に設けられた透明な光透過部６１、および、光透過部６１と一体的に形成されており、発光素子３の本体の外縁と当接する当接部６２を備えた素子実装部６と、を有している。当接部６２に対して発光素子３の本体の外縁を当接させることにより、発光素子３の位置が正確に規制される。 （もっと読む）

【課題】石英系光導波路デバイスとフォトダイオードとが、同一基板上にモノリシックに集積できるようにする。
【解決手段】光モジュールは、シリコン基板１００と、シリコン基板１００の上に形成されたＳｉＯ₂からなる下部クラッド層１０１と、下部クラッド層１０１の上の第１領域１１０に形成されたゲルマニウムフォトダイオード１１０ａと、下部クラッド層１０１の上の第１領域１１０に連続する第２領域１２０に形成されたシリコンコア１２１と、第２領域１２０の一部から第２領域１２０に連続する第３領域１３０にかけて形成された石英コア１３１とを備える。また、ゲルマニウムフォトダイオード１１０ａ，シリコンコア１２１，および石英コア１３１の上に形成されたＳｉＯ₂からなる上部クラッド層１０３を備える。 （もっと読む）

【課題】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板を用いる光導波路素子に対し、当該素子の端面で反射するスラブ伝搬光を除去し、動作特性の劣化を抑制した光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板と、該薄板には光導波路が形成されており、該薄板に接着層を介して接着された補強基板とを有する光導波路素子において、該光導波路素子の側面の一部に、反射防止膜が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板吸収損失を低減する。
【解決手段】スポットサイズ変換器は、アンダークラッドとなるＢＯＸ層５と、第１のシリコンコア６と、テーパ部７と、第２のシリコンコア８と、オーバークラッド９とを備える。ＢＯＸ層５と第１のシリコンコア６とオーバークラッド９とは、第１のシリコン細線光導波路１を構成し、ＢＯＸ層５とテーパ部７とオーバークラッド９とは、テーパ構造部２を構成し、ＢＯＸ層５と第２のシリコンコア８とオーバークラッド９とは、第２のシリコン細線光導波路３を構成する。オーバークラッド９の屈折率は、アンダークラッドとなるＢＯＸ層５の屈折率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第１の下側クラッド層部と、コア層部と、第１の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第１の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第１の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第１のエッチストップ層と、を有し、前記第１の光導波路は、前記第１のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型化と偏波無依存性とを同時に達成しつつ、幅誤差による偏波無依存性の悪化に対する耐性を高める。
【解決手段】基板８の主面８ａ側に延在するクラッド１２と、光導波路型要素１３とで構成される光導波路７を有し、光導波路は、２個の偏波無依存な方向性結合器１６及び１８と、２個の方向性結合器間を接続するとともに、光路長が異なっていて、互いに並列された第１湾曲光導波路２０ａ及び第２湾曲光導波路２０ｂと、第１及び第２湾曲光導波路のそれぞれに少なくとも１個以上設けられ、厚みよりも幅が大きな、合計２個以上の光路長調整領域２２_１及び２２_２とを備え、光導波路材料は、クラッドの屈折率よりも４０％以上大きな屈折率を有しており、それぞれの光路長調整領域の偏波間における光路長差を、全ての光路長調整領域について総和した値が０となるように、それぞれの光路長調整領域の幾何学的長さを設定する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能でありより容易に製造できる状態で、光機能素子が構成できるようにする。
【解決手段】光導波路１０１と、光導波路１０１の出力側に配置された偏波分離部１０２とを少なくとも備える。光導波路１０１は、光導波路１０１の固有偏波面に対して偏波を４５°傾けた状態または円偏波状態の位相変調信号１２１が入力され、固有偏波面に対して平行な第１偏波１２２と固有偏波面に対して垂直な第２偏波１２３との伝搬時間の差が、位相変調信号の１ビット分の時間となる光導波路長とされている。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置とその製造方法において、光半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】半導体基板１を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコア４ａを半導体基板１に形成する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘと他方の側面４ｙの各々に酸化防止膜２２を形成する工程と、酸化防止膜２２が形成された状態で、コア４ａの両脇の半導体基板１の表面を熱酸化する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘの横の半導体基板１に第１の不純物領域を形成する工程と、コア４ａの他方の側面４ｙの横の半導体基板１に第２の不純物領域を形成する工程とを有する光半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】バッファ層中へのＬｉイオン等のキャリアの拡散を抑制し、長期間に渡り駆動電圧が安定した光導波路素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板１に形成された光導波路２と、基板１の上に形成されたバッファ層５と、バッファ層５上に形成され、光導波路２を伝搬する光波を変調する変調電極３，４とを有する光導波路素子において、光導波路２とバッファ層５との間に、基板１に含まれる金属イオンがバッファ層５内に拡散し偏在することを抑制するための偏在抑制層６を設ける。 （もっと読む）

【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、イオン注入工程を削減して、簡易な製造工程で光半導体素子を製造する。
【解決手段】 各スラブ導波路部とそれに接する隆起領域とに注入イオン分布のピークが、前記スラブ導波路部の厚さよりも深い位置となり且つ前記隆起領域の厚さよりも浅い位置になる条件で各導電型の不純物をイオン注入する。 （もっと読む）

【課題】共通の基板に形成され、複数のメサ型導波路を含む光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光素子の製造方法は、第１半導体積層部および第２半導体積層部を形成する段階と、第１形成マスク及び第１保護マスクを形成する段階と、第１形成マスクおよび第１保護マスクが形成されていない半導体層をエッチングし、第３半導体積層部を結晶成長させ、埋込メサ型導波路を形成する段階と、第４半導体積層部を結晶成長させる段階と、第２保護マスク及び第１保護マスクより幅の小さい第２形成マスクを形成する段階と、第２保護マスクおよび第２形成マスクが形成されていない半導体層をエッチングして、ハイメサ型導波路を形成する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＤＣドリフトが抑制された光導波路素子の製造方法を提供する。さらには、製造プロセスの途中で、ＤＣドリフトを調整することを可能とし、製造の歩留まりを改善する、光導波路素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板に、光導波路を形成する工程と、バッファ層を形成する工程と、電極を形成する工程とを有する、光導波路素子の製造方法において、該バッファ層を形成した後に、該バッファ層内の特定物質の濃度分布を加熱によって調整するための１段階又は複数段階の界面拡散層熱調整工程（Ｓ１，Ｓ２）を組み込む。 （もっと読む）

【課題】より低消費電力化を実現した熱光学位相シフタ、およびこれを用いた可変光減衰器、１×Ｍ光スイッチ、可変波長フィルタを提供すること。
【解決手段】請求項１に記載された発明は、光信号を導波するための光導波路１３と、該光導波路１３の一部を加熱することで前記光信号に位相変化を与えるヒータ１５とを備え、前記ヒータ１５の長手方向と前記光導波路１３の加熱される部分１３１、１３２の長手方向とが同じ向きになるように重なって設けられており、前記光導波路の加熱される部分が、複数本の互いに平行な光導波路を光学的に結合して往復する１本の導波路となるようにした折り返し構造に形成されることで、前記加熱される部分の光導波路が前記ヒータと重なる位置に高密度に設けられていることを特徴とする熱光学位相シフタである。可変光減衰器、１×Ｍ光スイッチ、可変波長フィルタはこの熱光学位相シフタを用いて構成できる。 （もっと読む）

【課題】熱分布の発生を抑制して、ビーム品質を高めることができるようにする。
【解決手段】入射面２ａから励起光６を導入して、その励起光６を伝搬させる平板状の励起光導入部２と、励起光導入部２より高い屈折率を有しており、その励起光導入部２により伝搬された励起光６を導入する入射面が、その励起光導入部２の下面２ｃに接合され、その入射面から導入した励起光６を吸収して利得を発生する平板状のレーザ媒質１とを備え、その励起光導入部２における励起光６の入射方向の長さがレーザ媒質１より長く、その励起光導入部２の入射面２ａ付近にはレーザ媒質１が接合されていないように構成する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストを用いた加工技術により温度補償材料を挿入する溝とリッジの構造を容易に精度良く加工でき、かつ溝での回折損失や位相誤差の発生を抑えることができる波長合分波回路を提供する。
【解決手段】入出力導波路(101)、スラブ導波路(102)、アレイ導波路(103)、スラブ導波路(104)及び入出力導波路(105)を備え、スラブ導波路の少なくとも一方に、光波の進行方向に交差して導波路を分断する複数の溝(106)が配置され、溝には、上記導波路の実効屈折率の温度係数とは異なる屈折率温度係数を有する材料が温度補償材料として充填された波長合分波回路であって、複数の溝の光波の及ばない領域で、溝と溝の間のリッジ構造の幅が拡大することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受発光素子と光結合させた際の光結合損失が小さく、高品質の光通信が可能な光導波路、かかる光導波路を効率よく製造可能な光導波路の製造方法、および、前記光導波路を備え、高品質の光通信が可能な光導波路モジュールおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路１は、コア部と、コア部の側面を覆うように設けられたクラッド部と、コア部の長手方向の途中または延長線上に到達する深さで設けられ、クラッド部の表面が部分的に凹没してなる凹部１６１の内壁面で構成されたミラー１６と、クラッド部の表面が部分的に突出してなる凸部１０１で構成されたレンズ１００と、を有し、凹部１６１および凸部１０１が、それぞれ成形型により形成されたものであることを特徴とする。また、コア部およびクラッド部は、複数の組成物を用いた多色成形体の一部に活性放射線を照射し、屈折率の偏りを形成することにより得られたものであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 入射光の強度が大きくなっても、光強度のピーク値の上昇を抑制する技術が望まれている。
【解決手段】 テーパ導波路が、入力導波路とフォトダイオードとを接続する。入力導波路に接続された入力端から、フォトダイオードに接続された出力端に向かって、テーパ導波路の幅が広がる。テーパ導波路の広がり半角は、入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさである。フォトダイオードの幅は一定であるか、またはテーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、テーパ導波路の広がり半角以下である。 （もっと読む）

【課題】 非透過波長帯域の迷光が多モード光干渉導波路の出力ポートから射出されることを抑制して、透過波長帯域の信号光に対する非透過波長帯域の迷光によるクロストークを改善することができる光フィルタを提供するものである。
【解決手段】 光フィルタ１００は、コア層１２を有する多モード光干渉導波路５と、多モード光干渉導波路５の導波方向に対して垂直なコア層１２における信号光が結像する結像点８ａを含む仮想面８のうち当該結像点８ａを除く非結像領域８ｂに、コア層１２の屈折率と異なる屈折率の媒質を介在させてなる迷光除去部７と、を備える。 （もっと読む）